專利名稱：測試掩模結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作工藝，更明確地涉及一種用于提高蝕刻精確度的測試掩模結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制作工藝中，集成電路各部件的形成需大量利用掩模蝕刻的技術(shù)。然而在圖樣設(shè)定、制作掩模、曝光、顯影、成像到最后蝕刻完成等各步驟中，會因為材料、實際操作之誤差等等因素，而無法將所預(yù)定之臨界尺寸在每個步驟中都百分之百維持。舉例來說，以180nm尺寸的圖樣為例，最初設(shè)計布局的設(shè)定線寬均為180nm，然而，為了后續(xù)可能產(chǎn)生的誤差，因此在制作掩模時，在圖樣密度高的部分維持為線寬180nm，而在中密度的部分，將掩模的線寬臨界尺寸放大為200nm，而低密度的部分，則將掩模的線寬臨界尺寸放大為220nm，以期望在最后蝕刻出來的圖樣中，各種密度的區(qū)域的線寬均能維持在180nm。但是，有可能最終蝕刻出來的圖樣，在中密度的區(qū)域，線寬是190nm，而低密度區(qū)域的線寬為200nm，因此就需要去調(diào)整掩模各區(qū)域線寬的設(shè)定，例如掩模的中密度區(qū)域的線寬調(diào)整為190nm，而低密度區(qū)域的線寬調(diào)整為200nm。為了決定生產(chǎn)時掩模所需的各線寬設(shè)定，在制造之前，需要利用測試掩模進行測試以了解從應(yīng)用掩模到蝕刻完成所會造成的偏差。
圖1顯示目前一般所使用的測試掩模之結(jié)構(gòu)，圖樣的密度分布是從一側(cè)到另一側(cè)由高漸低。以一片110nm版的測試掩模而言，其圖案之整體密度為32.2％。
然而，對于110nm尺寸的實際產(chǎn)品來說，圖樣的密度為大約50％，通常為45～48％。由于圖樣密度的差異，以致利用測試掩模所做的裕度調(diào)整有失準(zhǔn)確，造成最終蝕刻出來的產(chǎn)品的輪廓劣化。
因此，需要一種克服上述問題的解決之道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的為提供一種測試掩模結(jié)構(gòu)，可調(diào)整結(jié)構(gòu)中各區(qū)域的面積比例組合以達到所需之預(yù)定圖樣密度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，測試掩模結(jié)構(gòu)包含有至少一個與最終產(chǎn)品成固定比例的陣列圖樣區(qū)域，而依據(jù)該固定比例具有第一圖樣密度；以及至少一個測試掩模區(qū)域，具有第二圖樣密度，其中根據(jù)該第一圖樣密度以及該第二圖樣密度來調(diào)整陣列圖樣區(qū)域的面積與測試掩模區(qū)域的面積，以獲得所需的圖樣密度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，該測試掩模結(jié)構(gòu)中的測試掩模區(qū)域呈現(xiàn)十字型，而陣列圖樣區(qū)域分成四個部分分布于該十字型測試掩模區(qū)域的周圍。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，該測試掩模結(jié)構(gòu)中的陣列圖樣區(qū)域的面積與測試掩模區(qū)域的面積依照下式進行調(diào)整所需之圖樣密度＝(結(jié)構(gòu)總面積中陣列樣區(qū)域面積之比例×第一密度)+(結(jié)構(gòu)總面積中測試掩模區(qū)域面積之比例×第二密度)。
下列圖式中，并非依照實際尺寸比例繪制，僅為顯示各部分相關(guān)的關(guān)系，此外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。
圖1為顯示現(xiàn)有技術(shù)中的測試掩模的示意圖；以及圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明的測試掩模結(jié)構(gòu)的示意圖。
附圖標(biāo)記說明121∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域141∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域161∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域
181∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域20現(xiàn)有的測試掩模區(qū)域具體實施方式
將參照圖式詳細(xì)說明本發(fā)明的方法。
根據(jù)本發(fā)明，一種新穎的測試掩模結(jié)構(gòu)是利用與最終產(chǎn)品的比例為1∶1的陣列圖樣與現(xiàn)有的測試掩模圖樣依照特定面積比例組合以達到所需的預(yù)定圖樣密度。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例，測試掩模結(jié)構(gòu)中包含與最終產(chǎn)品之線寬比例為1∶1的陣列圖樣區(qū)域12、14、16以及18(因線寬與線距成1∶1，其圖樣密度為50％)，而結(jié)構(gòu)中的十字區(qū)域20為現(xiàn)有的測試掩模圖樣區(qū)域。通過調(diào)整1∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域12、14、16以及18的總面積與現(xiàn)有測試掩模圖樣區(qū)域20的面積的比例，則可以獲得所需的圖樣密度。其公式如下Do＝Dp×[Ap/(Ap+Am)]+Dm×[Am/(Ap+Am)]其中Do為所需圖案密度；Dp為1∶1陣列圖樣區(qū)域之圖案密度，為50％；Dm為習(xí)用測試掩模之圖案密度；Ap為1∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域12、14、16以及18的總面積；Am為現(xiàn)有的測試掩模圖樣區(qū)域20的面積。
以110nm線寬的測試掩模而言，而圖樣密度為32.2％。如果最終產(chǎn)品的圖樣密度為48％的話，則48％＝[Ap/(Ap+Am)]×50％+[Am/(Ap+Am)]×32.2％由此可以決定1∶1陣列圖樣區(qū)域12、14、16以及18的總面積與現(xiàn)有的測試掩模圖樣區(qū)域20之面積的比例。
雖然在較佳實施例中，現(xiàn)有測試掩模圖樣區(qū)域20呈十字型，但1∶1產(chǎn)品陣列圖樣區(qū)域12、14、16以及18與現(xiàn)有的測試掩模圖樣區(qū)域20亦可呈現(xiàn)其它任何適當(dāng)?shù)呐渲谩?br>
本發(fā)明已就實施例作詳細(xì)說明，然而上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明之原理以及功效，并非用于限制本發(fā)明。熟知此項技藝者可知，不悖離本發(fā)明之精神與范疇的各種修正、變更均可實行。本發(fā)明之保護范圍如所附的申請專利范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種測試掩模結(jié)構(gòu)，包含有至少一個與最終產(chǎn)品線寬與間隔等比例且成固定比例之陣列圖樣區(qū)域，該陣列圖樣區(qū)域依據(jù)該固定比例具有第一圖樣密度；以及至少一個測試掩模區(qū)域，具有第二圖樣密度，其中根據(jù)該第一圖樣密度以及該第二圖樣密度來調(diào)整陣列圖樣區(qū)域的面積與測試掩模區(qū)域的面積，以獲得所需之圖樣密度。
2.如權(quán)利要求1所述的測試掩模結(jié)構(gòu)，其中該測試掩模區(qū)域系呈現(xiàn)十字型，而陣列圖樣區(qū)域分成四個部分分布于該十字型測試掩模區(qū)域的周圍。
3.如權(quán)利要求1所述的測試掩模結(jié)構(gòu)，其中該陣列圖樣區(qū)域的面積與測試掩模區(qū)域的面積按照下式調(diào)整所需之圖樣密度＝(結(jié)構(gòu)總面積中陣列圖樣區(qū)域面積之比例x第一密度)+(結(jié)構(gòu)總面積中測試掩模區(qū)域面積之比例x第二密度)。
4.如權(quán)利要求1所述的測試掩模結(jié)構(gòu)，其中該測試掩模區(qū)域使用測試掩模。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測試掩模結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的測試掩模結(jié)構(gòu)包含有至少一個與最終產(chǎn)品成固定比例的陣列圖樣區(qū)域，該陣列圖樣區(qū)域依據(jù)所述固定比例具有第一圖樣密度；以及至少一個具有第二圖樣密度的測試掩模區(qū)域。本發(fā)明之測試掩模結(jié)構(gòu)系根據(jù)該第一圖樣密度以及該第二圖樣密度來調(diào)整陣列圖樣區(qū)域之面積與測試掩模區(qū)域之面積，以獲得所需之圖樣密度。
文檔編號G03F1/16GK1614508SQ200310114868
公開日2005年5月11日 申請日期2003年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月7日
發(fā)明者吳文彬 申請人:南亞科技股份有限公司