專利名稱：利用雙極照明進行基于規則的柵極縮小的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及光刻技術，特別涉及和雙極照明技術共同使用產生掩模布圖，該技術減小了晶體管的最小可印刷的柵極長度并提高了所得分辨率。此外，本發明涉及使用光刻裝置的器件制造方法，光刻裝置包括提供輻照的投射束的輻照系統；固定掩模的掩模臺，用于構圖投射束；固定襯底的襯底臺；以及將構圖的投射束投射到襯底的靶部分上的投射系統。
背景技術：
光刻投射裝置(設備)可以用在例如集成電路(IC)的制造中。此時，掩模含有對應于IC各層的電路圖形，該圖形成像到已涂敷有輻照敏感材料(抗蝕劑)層的襯底(硅晶片)上的靶部分(例如，包括一個或多個管芯)上。一般來說，單個晶片含有借助投影系統一次一個地連續地輻照的相鄰靶部分的整個網絡。在一種類型的光刻投影裝置中，通過將整個掩模圖形一次(one go)暴露到靶部分照射每個靶部分；這種裝置通常稱做晶片步進器。在一個備選裝置——通常稱做分步-掃描裝置——在給定參考方向中(“掃描方向”)中在投影束下漸進地掃描掩模圖形輻照靶部分，同時同步掃描與該方向平行或反向平行的襯底臺；由于，一般來說，投影系統具有放大因子M(通常＜1)，掃描襯底臺的速度V將為掃描掩模臺速度的因子M倍。有關這里介紹的光刻裝置的更詳細信息可以參考例如US6,046,792，在這里作為參考引入。
在使用光刻投影裝置的制造工藝中，掩模圖形成像到至少部分被輻照敏感材料(抗蝕劑)層覆蓋的襯底上。在該成像步驟之前，對襯底進行各種工序，例如涂底漆(priming)、涂敷抗蝕劑以及軟烘焙。曝光之后，對襯底進行其它工藝，例如曝光后烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙以及成像特征的測量/檢查。這種工藝排列為構圖如IC的器件各層的基礎。然后這種構圖的層經歷各種工藝，例如腐蝕、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有這些都用來完成各層。如果需要幾層，那么對每個新層都要重復整個工序或變化的工序。最后，器件的陣列出現在襯底(晶片)上。然后通過如劃片或切割等的技術將這些器件相互分離。此后，各器件安裝在載體上，連接到管腳等。有關這種工藝的進一步信息可以從書“Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing”，第三版，作者Peter van Zant，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4得到，在這里作為參考引入。
光刻設備可以是具有兩個或更多襯底臺(和/或兩個或多個掩模臺)的類型。在這種“多級”裝置中，可以并排使用輔助工作臺，或者可以在一個或多個臺上進行準備步驟，同時使用一個或多個其它臺用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中介紹了雙級光刻設備，在這里作為參考引入。
以上提到的光刻掩模包括對應于集成到硅晶片上的電路部件的幾何圖形。產生這種掩模使用的圖形利用CAD(計算機輔助設計)程序產生，這種過程經常稱做EDA(電子設計自動化)。大多數CAD程序遵循一套預定的設計規則，以便產生功能掩模。這些規則由處理和設計限制設置。例如，設計規則定義了電路器件(例如柵極、電容器等)之間或者互連線之間的空間容差，以確保電路器件或線不以不希望的方式相互影響。
當然，集成電路制造中的一個目標是忠實地在晶片上再現原始電路設計(借助掩模)。另一目標是盡可能多地利用半導體晶片的可利用空間。然而，隨著集成電路尺寸的減小和密度的增加，它的對應掩模圖形的CD(臨界尺寸)接近了光學曝光設備的分辨率極限。對于曝光設備的分辨率定義為曝光設備能在晶片上重復地曝光的最小特征。本曝光設備的分辨率值經常限制了許多先進IC電路設計的CD。
此外，隨著微處理器速度的不斷提高，對于微電子部件存儲壓縮密度和低功耗直接涉及光刻技術在半導體器件的多種層上轉移和形成圖形的能力。現有的技術需要在可得到的光波長下很好地構圖CD。例如目前248nm的制造波長推動了小于100nm的CD構圖。如International Technology Roadmap forSemiconductor(ITRS 2000)中介紹的，在未來的5到10年中，這種制造趨勢將繼續并可能加速。
目標在于提高分辨率同時保持可接受的工藝范圍和強度的光刻法被分為分辨率增強技術(RET’s)并且包括很廣的應用范圍。例如包括光源調整(例如，離軸照明)、使用專門的掩模，削減光干擾現象(例如，衰減相移掩模，交替相移掩模、無鉻掩模等)以及掩模布局調整(例如，光學臨近效應校正)。
對于集成電路設計者特別重要的一個問題是盡可能減小晶體管柵極的長度。眾所周知，晶體管柵極的長度減小導致晶體管工作速度增加，并相應地減小了功率需求。此外，柵極長度減小增加了晶體管在較低電壓電平下更完全關斷的能力并減小了漏電流。由此，非常需要能精確地再現具有減小柵極寬度的晶體管。
因此，需要一種利用目前可使用的光刻設備進一步減小可得到的最小柵極長度的方法，以便得到以上與減小晶體管柵極長度相關的優點。
發明內容
為了解決以上需要，本發明的一個目的是提供一種利用目前可使用的光刻技術減少集成電路中含有的晶體管柵極長度的方法。換句話說，本發明的一個目的是提供一種印刷長度減小的柵極的方法，同時保持高級別的分辨率。此外，本發明的一個目的是允許減少柵極長度同時不需要完全重新調節半導體設計。
更具體地，在一個示例性實施例中，本發明涉及在襯底上印刷柵極圖形的方法，包括以下步驟在其中一個柵極特征覆蓋其中一個有源區的圖形中確定出至少一個區域；在其中一個柵極特征覆蓋其中一個有源區的位置處減小其中一個柵極特征的寬度尺寸；從圖形中提取出柵極特征；將柵極特征分解成垂直部件掩模和水平部件掩模；以及利用雙極照明照射垂直部件掩模和水平部件掩模。
雖然在本文中以IC的制造為例介紹了本發明，但應該清楚地理解本發明具有許多其它可能的應用。例如，它可以用于制造集成的光學系統、用于磁區存儲器的引導和檢測圖形、液晶顯示板、薄膜磁頭等。技術人員應理解在這些備選應用中，本文中的術語“模板”、“晶片”或“管芯”可以分別由更通用的術語“掩模”、“襯底”和“靶部分”代替。
在本文中，術語“輻照”和“束”用于包含所有類型的電磁輻照，包括紫外線輻照(例如，365、248、193、157或126nm的波長)和EUV(極遠紫外輻照，例如具有5-20nm范圍內的波長)。
在本文中使用的術語掩模廣義地稱做普通的構圖方式，是指用于施加具有構圖的剖面的入射輻照束，對應于在襯底的靶部分中產生圖形；術語“光閥”也可以在本文中使用。除了傳統的掩模(透射或反射；二進制，相移，混合等)之外，其它這種構圖方式的例子包括a)可編程的鏡面陣列。這種器件的一個例子是具有粘彈性的控制層和反射表面的可尋址矩陣表面。這種器件的基本原理是(例如)反射表面的編址區域反射入射光作為衍射光，而未編址的區域反射入射光作為未衍射光。使用適當的濾光片，所述未衍射光可以從反射束中濾掉，僅留下衍射光；以此方式，根據可尋址矩陣表面的尋址圖形，可以構圖束。可以使用適當的電子裝置進行需要的矩陣尋址。有關這種鏡面陣列的更詳細信息例如可以參考美國專利US5,296,891和US5,523,193中，在這里作為參考引入。
b)可編程的LCD陣列。這種結構的一個例子介紹在美國專利US5,229,872中，在這里作為參考引入。
和現有技術相比本發明的方法提供了重要的優點。例如，本發明提供了利用目前可使用的光刻技術減小晶體管柵極長度的簡單方法。如上所述，柵極長度減小有利地增加了晶體管的工作速度、減小了晶體管功率要求并減少了漏電流。重要的是，本發明的技術允許減小晶體管的柵極長度同時不必完全重新調整半導體設計。
從下面本發明的示例性實施例的詳細說明中，對于本領域中的技術人員來說，本發明的其它優點將變得很顯然。
通過參考下面詳細的說明和附圖，將更容易理解本發明以及其它的目的和優點。
圖1示出了離軸照明的原理。
圖2示出了雙極照明的原理。
圖3(a)-3(h)示出了雙極源的示例性形狀。
圖4示出了100nm線的雙極照明得到的圖像亮度。
圖5示出了當第二照射中使用的屏蔽的寬度增加時，圖4中示出的照明得到的圖像亮度變化。
圖6示出了本發明方法的示例性實施例的流程圖。
圖7示出了示例性靶設計圖形，為具有100nm線的SRAM設計。
圖8示出了本發明的“柵極縮小”步驟，其中與有源區重疊的柵極部分的溝道寬度減小。在給定的例子中，柵極圖形的這些重疊部分減小到70nm。
圖9示出了從圖8中示出的整個圖形提取的圖8的柵極圖形。
圖10示出了利用雙極分解法從圖9的柵極圖形提取的垂直部件圖形。
圖11示出了利用雙極分解法從圖9的柵極圖形提取的水平部件圖形。
圖12示出了應用了屏蔽和光學臨近效應校正技術之后的垂直部件掩模。
圖13示出了應用了屏蔽和光學臨近效應校正技術之后的水平部件掩模。
圖14示出了利用圖12和13中示出的掩模照射襯底得到的模擬結果。
圖15示出了疊加在圖12和13中示出的垂直掩模和水平掩模上的圖14的模擬結果。如圖所示，模擬結果精確地對應于需要的圖形。
圖16示出了利用本發明的方法得到的以上例子的柵極圖形的3維抗蝕劑輪廓。
圖17示意性示出了適合于和借助本發明設計的掩模一起使用的光刻投影裝置。
具體實施例方式
如下面將詳細介紹的，本發明的優選實施例利用了為離軸照明(OAI)技術的雙極照明結合柵極縮小技術，以便減小印刷在襯底上的半導體器件中含有的晶體管的柵極長度。圖1示出了離軸照明的概念。如圖所示，通過獲取至少一個第一級圖形空間頻率獲得增加的聚焦幅值和圖像對比度。典型的離軸照明系統包括部分(in-part)光源11、掩模12、透鏡13和由光致抗蝕劑覆蓋的晶片14。
圖2示出了雙極照明的基本原理。如圖所示，光源限制為兩極，以便產生具有理論無限對比度的兩束成像條件。參考圖2中的例子，雙極照明系統包括部分雙極孔徑16(或其它雙極產生裝置，例如合適的衍射光學元件)、聚光透鏡17、掩模18、凸透鏡19和晶片20。雙極孔徑16可以是各種形狀和取向，例如水平、垂直或者任何給定角度。各種尺寸和形狀的示例性雙極孔徑16如圖3(a)-3(h)所示。雙極照明概念的詳細說明介紹在2000年9月28日申請的US專利申請序列號No.09/671,802中，在這里作為參考引入。
圖4示出了結合本發明利用的雙極圖像形成。圖4中示出的例子對應于100nm垂直線42的印刷。如圖所示，當利用雙極照明時，通常有至少兩次曝光。在第一次曝光中，X雙極孔徑44為100nm的線42的垂直部分提供了最大空間圖像亮度(即，最大調制)。所得圖像輪廓由圖4中的線43表示。在第二次曝光中，利用了Y雙極孔徑41，為100nm線42的水平部分產生最大空間圖像亮度。然而，應該指出在使用Y雙極孔徑的第二次曝光期間，需要屏蔽100nm線的垂直部分以便第一次曝光期間形成的垂直特征在第二次曝光期間不退化。圖4示出了用檔板(shield)45屏蔽100nm線42，在水平方向中每個為20nm寬。由此，當使用Y雙極孔徑曝光水平線時，垂直特征42基本上沒有成像(即，調制)。空間成像為圖4中的線46顯示的DC調制，對應于20nm屏蔽。由圖4中的線47表示的最終空間圖像亮度對應于使用X雙極孔徑的第一曝光和使用Y雙極孔徑的第二曝光的總和。
參考圖5，應該指出，假設曝光能量不變，對于100nm垂直線42將屏蔽寬度從20nm檔板45增加到40nm檔板48使所得圖像的最小亮度級別移動到較低級別。這由圖5中的線51表示，示出了與特征的垂直部分相關的空間圖像。如圖所示，空間圖像51僅為DC調制。然而，它比與20nm檔板相關的DC調制46低。由此，利用40nm屏蔽形成的合成圖像53提供了比利用20nm屏蔽形成的合成圖像47更好的成像。
應該指出雖然首先可以照射任何取向，但通常首先照射Y雙極孔徑以印刷水平特征，之后照射X雙極孔徑以印刷垂直特征。只有當對于兩次曝光曝光能量相同時，Y雙極孔徑和X雙極孔徑才能互換。
從以上可以清楚看出，當利用雙極照明技術時，要成像的需要圖形必須分成獨立的水平和垂直幾何結構。然而，在很多半導體設計中，例如靜態隨機存取存儲器(SRAM)，經常有45度角的幾何結構(即，線)。這種認為短(例如，從多邊形的短邊到多邊形的相對短邊測量的直線距離不到臨界尺寸的5倍)的45度幾何結構可以認為是對應的垂直或水平幾何結構中的垂直或水平特征。不認為是短的45度角的幾何結構(即，超過以上短的定義的那些結構)應該從設計中取消，是由于這種幾何結構不容易在可接受的限制內在晶片上再現。
根據本發明，以上的圖形分解和隨后的雙極照明可以與后面的柵極縮小技術結合使用以便獲得具有減小柵極長度的半導體設計。圖6示出了本發明方法的示例性實施例的流程圖。參考圖6，第一步驟60涉及獲得與要印刷在晶片上或襯底上的需要圖形相關的數據。要印刷的示例性圖形顯示在圖7中。如圖所示，圖形含有有源區81和柵極區82。工藝中的下一步驟，步驟61，需要識別與有源區81重疊的那部分柵極區域82。這種區域由圖7中的參考數字83表示。
在下一步驟中，步驟62，為可選的步驟，與有源區81重疊的一部分垂直柵極區域84在垂直方向中延伸重疊容差(例如，25nm)以校正(或補償)未對準容差。類似地，與有源區81重疊的一部分水平柵極區域85在水平方向中延伸相同的重疊容差。雖然重疊的量隨成像襯底使用的裝置的規格以及設計規則要求變化而變化，但通常重疊在30％的臨界尺寸范圍內。
接下來，在步驟63中，每個重疊有源區81的垂直柵極區域84和每個重疊有源區81的水平柵極區域85的尺寸減小(即，縮小)，通常在10％或更多的數量級，柵極圖形的垂直和水平幾何結構相互分離。以上工藝顯示在圖8-11中。首先，圖8示出了結合本發明進行的柵極縮小。如圖8所示，每個垂直柵極區域84寬度(即，沿水平軸從邊緣到邊緣測量)減小以上的量，每個水平柵極區域85寬度(即，沿垂直軸從邊緣到邊緣測量)也減小相同的量。在本例中，柵極區域84和85的初始寬度為100nm。這些區域已縮小到70nm的寬度。接下來，如圖9所示，“縮小”的柵極圖形從整個圖形(即，有源區域)提取出。應該注意提取出柵極圖形的垂直和水平幾何圖形。此后，和以上針對雙極照明討論的相同方式，柵極圖形被分為圖10所示的垂直幾何圖形91和圖11中所示的水平幾何圖形92。
接下來，在步驟64中，產生兩個測試圖形，一個用于水平特征一個用于垂直特征，此后用于確定用于各種間距和線空間比的特定成像系統的性能。然后測試這些測試圖形，借助模擬或實驗，確定用于測試圖形中制定的各種間距條件的所得性能。然后利用性能結果確定是否需要光學臨近效應校正特征以提高成像性能。應該注意步驟64為工藝中的可選步驟。
參考圖12和13，在工藝的下一步驟中，步驟65和66，需要屏蔽垂直特征91和水平特征92。更具體地，圖12示出了用于印刷含在需要柵極圖形中的垂直柵極區域91的掩模(即，垂直掩模)。如圖12所示，屏蔽94添加到含在垂直掩模中的水平特征92以防止水平特征被曝光。應該指出，通常檔板的尺寸(即，寬度)與掩模圖形允許的(例如，檔板不干擾相鄰特征的)一樣大。類似地，圖13示出了用于印刷含在圖形中的水平柵極區域92的掩模(即，水平掩模)。如圖13所示，屏蔽96添加到含在水平掩模中的垂直特征91，以防止垂直特征被曝光。以與以上針對雙極照明討論的相同方式施加屏蔽。還應該指出在圖12中示出的垂直掩模和圖13中示出的水平掩模都包括光學臨近特征97，例如線端校正和散射條。這種OPC技術可選，但經常使用。
一旦屏蔽(和可選的OPC)施加到垂直掩模和水平掩模，在步驟67中，利用布爾“OR”運算對垂直掩模和水平掩模進行清除操作，以除去不對應于需要的特征或OPC特征的額外成像。
圖1流程中的最終步驟為步驟68，如步驟64，該步驟也是可選步驟。根據步驟68，當進行光學臨近效應校正以提高整體成像性能時，需要考慮結合垂直掩模和水平掩模施加的OPC技術。這是由于本發明的方法為兩個照射工藝。換句話說，結合由垂直和水平掩模照射得到的合成抗蝕劑圖形時必須考慮OPC技術。
一旦完成了以上工藝，那么也完成了利用雙極照明用于印刷“縮小”柵極特征的垂直掩模和水平掩模，并且可以用于在晶片上印刷“縮小”柵極圖形。如上所述，在兩次分別照射中使用垂直和水平掩模。
圖14示出了在全抗蝕劑模擬中利用以上工藝得到的模擬結果。更具體地，圖14示出了利用本發明的工藝圖5(即，100nm的SRAM柵極縮小到70nm)中示出的圖形的俯視抗蝕劑成像的結果。如圖14所示，利用適當的垂直和水平極照射設置，根據利用的工藝設備部分確定，柵極區域轉移到具有清晰的圖形分辨率的抗蝕劑。還應該注意也可以完全校正線端縮短誤差。圖15示出了疊加在圖12和13示出的垂直掩模和水平掩模上的圖14的模擬結果。如圖所示，模擬結果精確地對應于需要的圖形。圖16示出了利用本發明的方法得到的以上例子的柵極圖形的3維抗蝕劑輪廓。
應該注意雖然在以上的例子中本發明的方法應用于SRAM器件的設計中，但本發明不限于此。以上設計方法可以用在其它邏輯設計或IC設計的形成中。
此外，雖然以上介紹的方法在分解垂直和水平柵極特征之前進行了縮小柵極的工藝，但也可以在進行柵極縮小步驟之前進行垂直和水平柵極特征的分解。由此，可以在分解垂直和水平分量(component)之前或之后進行柵極縮小步驟。
圖17示意性地示出了適合于和借助本發明設計的掩模一起使用的光刻投影裝置。裝置包括輻照系統Ex，IL，用于提供輻照的投射束PB。在特定情況中，輻照系統也包括輻照源LA；第一物體臺(掩模臺)MT，提供有支撐掩模MA(例如模板)的掩模支架，并連接到相對于單元PL精確地定位掩模的第一定位裝置；第二物體臺(襯底臺)WT，提供有支撐襯底W(例如，涂敷抗蝕劑的硅晶片)的襯底支架，并連接到相對于單元PL精確地定位襯底的第二定位裝置；投影系統(“透鏡”)PL(例如，折射、反射或反射折射光學系統)，將掩模MA的照射部分成像到襯底W的靶部分C(例如，包括一個或多個管芯)。
如這里所介紹的，裝置為透射型(即，具有透射掩模)。然而，一般來說，例如它也可以是反射型，(具有反射掩模)。此外，裝置可以使用其它種類的構圖裝置代替使用掩模；例子包括可編程的鏡面陣列或LCD矩陣。
源LA(例如，汞燈、受激準分子激光器或等離子體放電源)產生輻照束。該束進入照明系統(照明裝置)IL，直接或具有橫越調節裝置之后，例如束擴展器Ex。照明裝置IL包括調節裝置AM，用于設置束中強度分布的外部和/或內部射線擴展(通常分別稱做σ外部和σ內部)。此外，它通常包括各種其它元件，例如積分裝置IN和聚光器CO。以此方式，撞擊掩模MA的束PB在它的截面具有需要的一致性和強度分布。
應該指出對于圖17，源LA可以在光刻投影裝置的外殼內(例如當源LA為汞燈時的常見情況)，但它也可以遠離光刻投影裝置，產生的輻照束被引入到裝置內(例如，借助合適的定向鏡)；后一種情況為當源LA為受激準分子激光器(例如基于KrF、ArF或F2激光)時的常見情況。本發明包含這兩種情況。
束PB隨后與支撐在掩模臺MT上的掩模MA相交。穿越掩模MA之后，束PB穿過透鏡PL，將束PB聚焦到襯底W的靶部分C上。借助第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)，可以精確地移動襯底臺WT，例如在束PB的路徑中定位不同的靶部分C。類似地，例如從掩模庫中機械地重新獲取掩模MA之后，或者掃描期間，第一定位裝置可以相對于束PB的路徑精確地定位掩模MA。通常，借助在圖17中沒有明確示出的長程組件(粗定位)和短程組件(精細定位)可以實現物體臺MT，WT的移動。然而，對于晶片步進器(與步進-掃描裝置相對)，掩模臺MT可以連接到短程致動器，或者可以固定。
可以兩種方式使用介紹的裝置。
在步進方式中，掩模臺MT基本上保持靜止，整個掩模圖像一次(即，“閃”一次)投射到靶部分C上。然后在x和/或y方向中移動襯底臺WT，以便由束PB照射不同的靶部分C；在掃描方式中，除了給定的靶部分C不是“閃”一次曝光之外，情況基本上相同。取而代之，掩模臺MT以速度v在給定的方向中(稱做“掃描方向”，例如y方向)中移動，由此投射束PB在掩模圖像上掃描；同時，襯底臺WT以速度V＝Mv在相同或相反的方向中同時移動，其中M是透鏡PL的放大倍數(通常，M＝1/4或1/5)。以此方式，可以曝光較大的靶部分C，同時不必損害分辨率。
如上所述，和現有技術相比本發明的方法提供了重要的優點。例如，本發明提供了利用目前可使用的光刻技術減小晶體管柵極長度的簡單方法。如上所述，柵極長度減小有利地增加了晶體管的工作速度、減小了晶體管功率要求并減少了漏電流。重要的是，本發明的技術允許減小晶體管的柵極長度同時不必完全重新調整半導體設計。
雖然公開了本發明的一些具體實施例，但應該注意本發明可以其它形式實施，同時不脫離本發明的精神或基本特性。因此可以認為本實施例為示例性而不是限定性的，本發明的范圍由附帶的權利要求指示出，并將在權利要求書的等效含義和范圍內的所有變化都包含其內。
權利要求
1.一種在襯底上印刷圖形的方法，該圖形包括柵極特征和有源區，所述方法包括以下步驟在一個所述柵極特征與一個所述有源區重疊的所述圖形中確定出至少一個區域；在所述一個所述柵極特征重疊所述一個所述有源區的位置處減小所述一個所述柵極特征的寬度尺寸；從所述圖形提取所述柵極特征；將所述柵極特征分解為垂直部件掩模和水平部件掩模；以及利用雙極照明照射所述垂直部件掩模和所述水平部件掩模。
2.根據權利要求1的方法，其特征在于，在柵極特征與有源區重疊的位置處，具有與有源區重疊部分的每個所述柵極特征寬度尺寸減小。
3.根據權利要求1的方法，還包括添加屏蔽部件到所述垂直部件掩模的步驟，所述屏蔽部件防止了當照射所述垂直部件掩模時照射所述柵極特征中含有的水平部件。
4.根據權利要求1的方法，還包括添加屏蔽部件到所述水平部件掩模的步驟，所述屏蔽部件防止了當照射所述水平部件掩模時照射所述柵極特征中含有的垂直部件。
5.根據權利要求1的方法，還包括添加光學鄰近效應校正特征到所述垂直部件掩模和所述水平部件掩模的步驟。
6.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述垂直部件掩模包括印刷在所述襯底上的垂直柵極分量，所述水平部件掩模包括印刷在所述晶片上的水平柵極分量。
7.根據權利要求6的方法，其特征在于，對于重疊有源區的每個垂直柵極分量，調節所述垂直部件掩模以增加在垂直方向中垂直柵極分量的重疊量，對于重疊有源區的每個水平柵極分量，調節所述水平部件掩模以增加水平方向中水平柵極分量的重疊量。
8.一種在多曝光光刻成像工藝中使用的產生補模的方法，所述方法包括以下步驟定義要印刷在襯底上的圖形，所述圖形包括柵極特征和有源區；在一個所述柵極特征與一個所述有源區重疊的所述圖形中確定出至少一個區域；在所述一個所述柵極特征重疊所述一個所述有源區的位置處減小所述一個所述柵極特征的寬度尺寸；從所述圖形提取所述柵極特征；以及將所述柵極特征分解為垂直部件掩模和水平部件掩模。
9.根據權利要求8的方法，其特征在于，在柵極特征與有源區重疊的位置處，具有與有源區重疊部分的每個所述柵極特征寬度尺寸減小。
10.根據權利要求8的方法，還包括將第一組屏蔽部件添加到所述垂直部件掩模的步驟，所述第一組屏蔽部件防止了當照射所述垂直部件掩模時照射所述柵極特征中含有的水平部件，第二組屏蔽部件添加到所述水平部件掩模的步驟，所述第二組屏蔽部件防止了當照射所述水平部件掩模時照射所述柵極特征中含有的垂直部件。
11.根據權利要求8的方法，還包括添加光學鄰近效應校正特征到所述垂直部件掩模和所述水平部件掩模的步驟。
12.一種在多曝光光刻成像工藝中使用的產生補模的裝置，所述裝置包括定義要印刷在襯底上的圖形的裝置，所述圖形包括柵極特征和有源區；在一個所述柵極特征與一個所述有源區重疊的所述圖形中確定出至少一個區域的裝置；在所述一個所述柵極特征重疊所述一個所述有源區的位置處減小所述一個所述柵極特征的寬度尺寸的裝置；從所述圖形提取所述柵極特征的裝置；以及將所述柵極特征分解為垂直部件掩模和水平部件掩模的裝置。
13.根據權利要求12的裝置，其特征在于，在柵極特征與有源區重疊的位置處，具有與有源區重疊部分的每個所述柵極特征寬度尺寸減小。
14.根據權利要求12的裝置，還包括將第一組屏蔽部件添加到所述垂直部件掩模的裝置，所述第一組屏蔽部件防止了當照射所述垂直部件掩模時照射所述柵極特征中含有的水平部件，第二組屏蔽部件添加到所述水平部件掩模的步驟，所述第二組屏蔽部件防止了當照射所述水平部件掩模時照射所述柵極特征中含有的垂直部件。
15.根據權利要求12的裝置，還包括添加光學鄰近效應校正特征到所述垂直部件掩模和所述水平部件掩模的步驟。
16.一種控制計算機的計算機程序產品，包括計算機可讀的記錄介質，記錄在記錄介質上裝置，用于指示計算機產生對應于多曝光光刻成像工藝中使用的補模的文件，所述文件的所述產生包括以下步驟定義要印刷在襯底上的圖形，所述圖形包括柵極特征和有源區；在一個所述柵極特征與一個所述有源區重疊的所述圖形中確定出至少一個區域；在所述一個所述柵極特征重疊所述一個所述有源區的位置處減小所述一個所述柵極特征的寬度尺寸；從所述圖形提取所述柵極特征；以及將所述柵極特征分解為垂直部件掩模和水平部件掩模。
17.根據權利要求16的計算機程序產品，其特征在于，在柵極特征與有源區重疊的位置處，具有與有源區重疊部分的每個所述柵極特征寬度尺寸減小。
18.根據權利要求16的計算機程序產品，其特征在于，所述文件的產生還包括添加屏蔽部件到所述垂直部件掩模的步驟，所述屏蔽部件防止了當照射所述垂直部件掩模時照射所述柵極特征中含有的水平部件。
19.根據權利要求16的計算機程序產品，其特征在于，所述文件的產生還包括添加屏蔽部件到所述水平部件掩模的步驟，所述屏蔽部件防止了當照射所述水平部件掩模時照射所述柵極特征中含有的垂直部件。
20.根據權利要求16的計算機程序產品，其特征在于，所述文件的產生還包括添加光學鄰近效應校正特征到所述垂直部件掩模和所述水平部件掩模的步驟。
21.根據權利要求16的計算機程序產品，其特征在于，所述垂直部件掩模包括要印刷在所述襯底上的垂直柵極分量，所述水平部件掩模包括要印刷在所述晶片上的水平柵極分量。
22.根據權利要求21的計算機程序產品，其特征在于，對于重疊有源區的每個垂直柵極部件，調節所述垂直部件掩模以增加在垂直方向中垂直柵極分量的重疊量，對于重疊有源區的每個水平柵極分量，調節所述水平部件掩模以增加水平方向中水平柵極分量的重疊量。
23.一種器件的制造方法，包括以下步驟(a)提供至少部分由輻照敏感材料層覆蓋的襯底；(b)使用輻照系統提供投射束；(c)使用構圖裝置使投射束的截面具有圖形；(d)將輻照的構圖的束投射到輻照敏感材料層的靶部分；其中用第一圖形進行第一次步驟(c)和(d)，然后用第二圖形進行第二次，使用根據權利要求8的方法產生所述第一和第二圖形。
全文摘要
一種在襯底上印刷柵極圖形的方法，包括以下步驟在柵極特征與一個有源區重疊的圖形中確定出至少一個區域；在所述一個柵極特征重疊一個有源區的位置處減小一個柵極特征的寬度尺寸；從圖形提取柵極特征；將柵極特征分解為垂直部件掩模和水平部件掩模；以及利用雙極照明照射垂直部件掩漠和水平部件掩模。
文檔編號G03F7/20GK1450411SQ03128638
公開日2003年10月22日 申請日期2003年3月25日 優先權日2002年3月25日
發明者D·-F·S·蘇, N·科爾科蘭, J·F·陳 申請人:Asml蒙片工具有限公司