專利名稱：曝光掩模及其制造方法
技術領域：
本發明涉及使用電子束、離子束等帶電粒子射束來進行圖形曝光的曝光掩模及其制造方法。
近年來，隨著半導體器件的高度集成化，對半導體晶片進行曝光的圖形也被微細化，在這種微細圖形的曝光中，采用使用電子束、離子束等帶電粒子射束的曝光方法。此外，為了提高圖形曝光的生產量，還在開發將帶電粒子射束控制在所需的射束面積內，通過分批或整體地對圖形進行曝光的技術。例如，在分批曝光中，使晶片上的射束面積為5μm2左右，而在整體曝光中，使晶片上的射束面積為250μm2左右，按這樣的面積單位用射束照射掩模來進行曝光。在使用這種帶電粒子射束的曝光中，曝光掩模采用薄膜掩模或模板掩模。特別地，如
圖16表示的模板掩模10一例的剖面圖那樣，模板掩模是腐蝕所需厚度的硅襯底1的背面而形成凹部2、在該凹部2的上底面所形成的薄壁部3上開出形成所要形狀的圖形開口4的掩模。通過使用該模板掩模10，例如照射到圖形開口4以外區域的電子束被硅吸收或被大角度地散射，只有通過圖形開口4的電子束對半導體晶片進行曝光，由此可以將與該圖形開口4對應的掩模圖形曝光在半導體晶片上。
于是，由于模板掩模為在硅的薄板上設有開口的結構，所以例如形成圖17(a)那樣的環狀的圖形開口部的話，則圖形開口的中心部的硅部分可能不變形而脫落，不能形成環狀的圖形，因而成為設計掩模圖形時的限制。將該現象稱為環形問題。此外，如圖17(b)所示，僅在非環狀的周邊的一部分中處于連結狀態的葉片狀的圖形開口情況下，圖形開口的中央部的硅部分未直接脫落，但連結部分的長度短，所以機械強度低，該硅部分在使用中大多脫落，在可靠性方面產生問題。將這種葉片(leaf)狀的圖形造成的掩模圖形設計的限制稱為葉片問題。再有，對于環形問題、葉片問題，通過在環狀圖形開口的多個地方、或葉片狀圖形開口的一部分或多個地方分別設置用于將圖形開口的內部與周邊部連結支撐的橋部，來嘗試消除所述的環形問題和葉片問題，但在該橋部中，電子束不能通過，使橋部對應的部分未被曝光，不能將期望的圖形曝光在半導體晶片上。
另一方面，對所述的環形問題和葉片問題，提出了用兩塊掩模來曝光環狀的圖形或葉片狀圖形的技術。例如，在特開平6-132206號公報中披露了這樣的技術，如圖3所示，為了曝光環狀的圖形，將模板掩模分開為兩塊，在一個模板掩模上，在掩模圖形中形成與X方向分量的圖形對應的圖形開口，在另一個模板掩模中形成與Y方向分量的圖形對應的圖形開口，通過同時使用這兩塊掩模來進行曝光，實現環狀圖形的曝光。此外，在特開平11-204422號公報中，沒有用于解決模板掩模的環形問題的內容，但該公報披露了這樣的技術，如該公報中圖1所示，在對環狀圖形進行曝光時，形成將X方向和Y方向的各分量的圖形分別單獨形成的掩模，用這些分割的圖形來進行曝光。因而，使用該技術，也可以消除葉片問題。
但是，上述公報的技術在環狀的圖形或葉片狀的圖形為簡單圖形的情況下，僅將該圖形分割為X方向和Y方向的各分量就可以，但在復雜形狀的情況下，有產生新的問題的情況。例如，具體地說，在混合后述的圖3所示的MOS晶體管TR和二極管D的掩模圖形P00中，在要對用于形成柵極的柵極圖形103和與其連接的XY方向的各連接布線105～107的各圖形進行曝光的情況下，將掩模圖形P00分割為在X方向上延長的圖形部和在Y方向上延長的圖形部，將它們形成在各自的模板掩模上。由此，除了極其特殊的圖形情況以外，可以形成基本上消除了環形問題或葉片問題的掩模。但是，在這種掩模的情況下，在一個模板掩模中，在Y方向上延長的多個柵極圖形在X方向上為按微小間隔排列的圖形，所以被圖形開口夾住部分的X尺寸和Y尺寸之比、即長寬比變大，使該被夾住部分的強度下降，恐怕會產生圖形變形或圖形破損。將這種現象稱為長寬比問題。此外，通過所述分割處于連接狀態的圖形變為斷開狀態，但由于必須對該分割并且斷開的部分通過兩塊掩模的曝光來連接，所以在至少一個掩模中發生曝光位置偏差的情況下，在兩圖形之間可能產生連接不良。將這種現象稱為圖形間的連接問題。如上述公報中記述的技術，將掩模圖形簡單地分割為X方向分量和Y方向分量的方法難以消除這些長寬比問題和圖形間連接問題。
本發明的目的在于提供一種曝光掩模及其制造方法，能夠消除環形問題和葉片問題，并且消除長寬比問題，而且還能夠消除圖形間連接問題。
本發明是一種曝光掩模，通過將多個掩模構成的、在各掩模中設置的掩模圖形分別曝光在同一被曝光襯底上來對期望的掩模圖形進行曝光。而且，所述各掩模中設置的掩模圖形由將所期望的掩模圖形中存在的環狀圖形、葉片狀圖形、長寬比大的圖形分別進行分割的圖形來構成。此外，本發明的曝光掩模在所述多個掩模的至少一個掩模的掩模圖形中，在與其它掩模圖形連接的部分中，形成向其它掩模的圖形側突出的輔助圖形。構成本發明的曝光掩模的所述多個掩模是模板掩模，其特征在于，所述各掩模的掩模圖形是在構成所述模板掩模的掩模基片上設置的圖形開口。
參照圖1的流程圖，本發明的曝光掩模制造方法的特征在于，包括以下各步驟第一步驟(步驟S11)，在為形成曝光掩模的掩模圖形上，判定是否產生由圖形形成環狀的環形問題、由圖形圍成的部分形成葉片狀的葉片問題、圖形之間夾住的部分的縱橫尺寸比大的長寬比問題；第二步驟(步驟S12)，在判定為至少產生所述環狀問題或葉片問題時，將所述掩模圖形分割成兩個圖形，并且將被分割的各圖形分配為第一和第二的兩塊掩模；第三步驟(步驟S13)，對所述兩塊掩模中分配的各圖形判定是否發生所述環形問題或葉片問題；第四步驟(步驟S14)，在判定為發生至少一個問題時，將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模；第五步驟(步驟S15)，在判定為無論哪個掩模都未發生所述環形問題和葉片問題時，對各掩模的各圖形判定是否發生所述長寬比問題；第六步驟(步驟S16)，在判定為至少一個掩模中發生所述長寬比問題時，將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模；第七步驟(步驟S17)，在判定為無論哪個掩模都未發生所述長寬比問題時，判定在所述兩個掩模的掩模圖形的連接部分是否產生連接不良部分；以及第八步驟(步驟S18)，在判定為產生所述連接不良部分時，至少在一個掩模的該圖形的連接部分形成輔助圖形。
其中，作為所述第二步驟，包括將構成所述掩模圖形的多個圖形部的各圖形寬度與規定的閾值進行比較、基于該比較結果的大小，將上述多個圖形進行分割，并且分配到所述兩個掩模中的步驟。或者，在所述第二步驟中，包括將所述掩模圖形分割為兩個以上的固定塊，將X方向或Y方向相鄰的塊分配到所述兩個掩模中的步驟。這種情況下，當分配到所述兩個掩模中的塊在至少一個掩模中為點接觸狀態時，變更分割所述掩模圖形的所述塊的分割線。
此外，在所述第三步驟和第四步驟中，包括多次重復進行的直至消除所述環形問題和葉片問題或直至達到規定次數的步驟。在這種情況下，即使將所述第三步驟和第四步驟進行多次重復直至達到所述規定次數也未消除所述環形問題和葉片問題時，包括將所述圖形的一部分分配到另一第三掩模中的步驟。
而且，在所述第六步驟中，包括再次發生環形問題或葉片問題時，將上述第六步驟的圖形分配返回原來的狀態的步驟。此外，在所述第八步驟中，包括在圖形標準(rule)小的圖形連接部分中，形成向該圖形的長度方向突出的所述輔助圖形的步驟。
根據本發明的曝光掩模及其制造方法，通過將對半導體晶片等的同一被曝光基片要進行曝光的掩模圖形分割成至少兩塊掩模之后，判定各掩模中的環形問題和葉片問題，并且在發生問題時進行對作為主要原因的掩模部分的移動、分配的圖形修正，從而可以可靠地消除環形問題和葉片問題。由此，形成的多塊掩模沒有環形問題和葉片問題，可形成高品質的曝光掩模。此外，在消除環形問題和葉片問題之后，通過對各掩模進行長寬比問題的判定，并且在產生問題時對作為主要原因的掩模部分進行移動、分配，可以消除各掩模中的長寬比問題。而且，通過對各掩模的圖形形成輔助圖形，可以消除連接各掩模的各圖形時的圖形間連接問題，可以對被曝光基片上要進行所述曝光的掩模圖形進行最佳曝光。
圖1是說明本發明制造步驟的流程圖。
圖2是說明本發明制造步驟細節的流程圖。
圖3是表示按本發明制造的曝光掩模的掩模圖形一例的圖。
圖4是說明圖形路徑和圖形寬度的圖。
圖5是表示根據圖形標準進行圖形分割的狀態圖。
圖6是表示消除環形問題的圖形分割例的圖。
圖7是表示消除葉片問題的圖形分割例的圖。
圖8是表示消除環形問題和葉片問題的掩模圖形的圖。
圖9是表示消除長寬比問題的圖形分割的一例圖。
圖10是表示消除長寬比問題的圖形分割的另一例圖。
圖11是說明圖形間連接問題和輔助圖形的圖。
圖12是表示最終獲得的兩塊掩模的各圖形例的圖。
圖13是表示將掩模圖形分割成兩塊掩模的另一例圖。
圖14是表示將掩模圖形分割成兩塊掩模情況下的不適合情況例的圖。
圖15是表示消除圖10的不適合情況的分割例圖。
圖16是模板掩模一例的剖面圖。
圖17是表示有環形問題和葉片問題的圖形的圖。
以下，參照附圖來說明本發明的實施例。圖2是按工藝順序來表示本發明的曝光掩模的制造方法的詳細流程圖。參照圖3所示的圖形形狀的掩模圖形例來說明該流程圖。首先，在半導體晶片101上形成的源·漏區域102中，在用于形成MOS晶體管TR的柵極圖形在Y方向上延長的狀態下，將圖3的掩模圖形P00在X方向上平行排列。上述各柵極圖形103的一端部被延長至在上述半導體晶片101上所形成的構成二極管D的PN結的雜質區域104。此外，與上述柵極圖形103平行地配置Y方向連接布線105。而且，上述各柵極圖形103通過一端部和在中間部X方向上延伸的X方向連接布線106、107來相互連接，并且，另一個X方向連接布線107也被連接到在該端部的所述Y方向連接布線105。此外，在上述X方向連接布線106、107中，在多個地方設有用于進行與圖外的上層布線或外部布線連接的形成寬度寬的矩形圖形的焊盤部108。
為了用圖16所示的模板掩模來制造用于曝光這樣的掩模圖形P00的曝光掩模，將上述掩模圖形P00的數據(以下稱為圖形數據)取入計算機，在該計算機中進行在掩模上形成的實際的掩模圖形的設計。首先，在圖2的步驟S101中，判定在上述掩模圖形P00中是否發生環形問題、葉片問題、長寬比問題。在進行該判定時，從上述掩模圖形P00的圖形數據中提取各圖形部分的坐標，在該坐標從±X方向經過±Y方向區域為連續時，就認為產生了環形問題。此外，即使在從該坐標的±X方向經過±Y方向區域的一個地方被切斷情況下，在其間隔小的情況下，也認為發生了葉片問題。而且，即使該切斷情況下有多個地方的情況下，與連續的圖形部分的長度比較，在該間隔小的情況下，也認為發生長寬比問題。在圖3的情況下，在柵極圖形103和Y方向連接布線105及X方向連接布線106、107上產生環形問題和葉片問題。再有，在未產生這些問題的情況下，由于可以將該圖形形狀作為原來的掩模圖形來采用，所以不必修正掩模圖形，不進行以后的修正(S103)。
在上述步驟S101中，在判定為發生環形問題、葉片問題、長寬比問題時，進行圖形標準提取，與閾值進行比較(S102)。其中，圖形標準在將構成上述掩模圖形P00的各部圖形按與相鄰的圖形部所需的邊界來分割時，相當于該分割的各圖形部的圖形寬度，將該圖形寬度與作為預先設定值的閾值進行比較。其中，所述圖形寬度指圖形的最窄尺寸，例如，如圖4(a)所示，在形成長方形的圖形P101的情況下，表示短邊方向的長度Lp。此外，在不是長方形的圖形情況下，例如，在如圖4(b)所示的斜線圖形P102的情況下，表示使該圖形旋轉，將斜線轉換為垂直方向時的圖形P102’的X方向的長度Lp。此外，為了將上述圖形寬度分割成大的圖形寬度和小的圖形寬度，上述閾值被預先設定為適當的值。然后，將閾值以上的圖形標準、即圖形寬度的圖形部分配到掩模A中(S201)，將比閾值小的圖形標準的圖形部分配到掩模B中(S301)。由此，在圖3的掩模圖形P00的情況下，如圖5所示，構成焊盤部108的圖形作為圖形部P11、P12、P13被分配到掩模A中，而分別相當于柵極圖形103、X方向連接布線106、107、Y方向連接布線106的圖形部P21～P33被分配到掩模B中。
接著，在步驟S202、S302中，對由各個掩模A、掩模B中分配的圖形部所組成的掩模圖形，判定是否產生環形問題、葉片問題。環形問題和葉片問題的判定按與步驟S101相同的方法進行。在掩模A、掩模B都不產生各問題時，轉移至后述的步驟S208、S308的長寬比的判定。對此，在掩模A、掩模B的至少一個中依然發生環形問題、葉片問題的情況下(S104)，在發生問題的掩模中，提取作為發生該問題主要因素的圖形部，將它移動到其它的掩模中，進行分配到其它掩模中的圖形修正(S203、S303)。
在該步驟S203、S303的圖形修正時，可以變更圖形部的邊界。例如，在產生環形問題的情況下，如圖6所示，將圖形部在X方向或Y方向上進行分割，使得作為通過該情況分割所產生的掩模部分的Y尺寸L1和X尺寸L2之比的長寬比(L2/L1)變成接近“1”的值。即，在構成環形的區域為長方形的情況下，在橫切長邊的方向上引入分割線進行分割。此外，在發生葉片問題的情況下，如圖7所示，在構成葉片的區域為長方形的情況下，在橫切長邊的方向上引入分割線進行分割。這樣，通過進行分割，有利于消除后續步驟中的長寬比問題。
通過進行對這樣的環形問題、葉片問題的圖形修正，例如，在圖3的掩模圖形例中，在圖5的掩模B的(a)、(b)、(c)的部分中產生葉片問題，所以將作為這些主要原因的X方向的圖形部P21、P22、P29～P31移動分配到掩模A，對掩模進行修正。這種情況下，假設在掩模A中也產生環形問題或葉片問題的情況下，將作為該問題主要原因的圖形部移動分配到掩模B，對圖形進行修正。由此，如圖8所示，進行掩模A、B的圖形修正。
然后，在步驟S204、S304中，對通過各自的圖形部的分配來進行修正的掩模A、掩模B，再次判定是否產生環形問題、葉片問題。在掩模A、掩模B都不產生上述各問題時，轉移至后述的步驟S208、S308的長寬比的判定。對此，在掩模A、掩模B的至少一個中依然發生環形問題、葉片問題的情況下(S105)，使作為變量的循環值loop為“+1”后(S205、S305)，再次執行上述步驟S203、S303的步驟。其中，循環值loop的初始值為‘0’。然后，與前面的步驟一樣，提取產生問題的掩模A、B的產生問題地方的圖形部，將它移動分配到其它的掩模B、A中。然后，在步驟S204、S304中再次進行環形問題、葉片問題的判定。
反復進行以上處理，直至消除掩模A、B中的環形問題、葉片問題。然后，在消除這些問題之后，轉移至步驟S208、S308執行高寬比的判定。另一方面，直至循環值loop變為‘4’，即，在即使進行4次再修正和再判定，問題仍未被消除時(S206、S306)，準備與掩模A、B不同的新的掩模C，將掩模A、B各自有問題地方的圖形部分從掩模A、B中抽出，將有問題的圖形部分移動分配到新的掩模C中(S207、S307)。通過向掩模C的移動和分配，幾乎在所有情況下都能消除環形問題和葉片問題。然后，將掩模圖形分割構成為掩模A、B、C三塊掩模。
接著，在步驟S208、S308中，對各個掩模A、B判定是否發生長寬比問題。在長寬比問題的判定中，按照與步驟S101相同的方法進行。在掩模A、B的至少一個發生環形問題、葉片問題的情況下，抽出發生問題的掩模產生問題的地方的圖形，進行將其移動、分配到另一個掩模中的圖形修正(S209、S309)。例如，圖9表示在掩模A中存在長寬比的情況下，將作為產生長寬比主要原因的多個平行的圖形P201按隔一個抽出一個相鄰的圖形間拔開成為圖形P202和P203，將該間拔開的圖形之一P203移動并分配到掩模B中。或者，如圖10所示，將作為產生掩模A的長寬比主要原因的多個平行的圖形P201形成在各自長度方向上進行分割的分割圖形P204、P205、P206之后，將相互相鄰的分割圖形P204、P205、P206移動并分配到掩模B中。再有，在該情況下連接分割的各圖形部分中，形成后述的輔助圖形Ps。
此外，在未發生長寬比問題時，以及在步驟S209、S309中對長寬比問題進行圖形修正后，在步驟S210、S310中再次對分別修正的掩模A、B判定是否發生環形問題、葉片問題。在發生新的環形問題、葉片問題時，撤消步驟S209、S309中的圖形修正，返回到原來的狀態(S211、S311)。即，使得環形問題和葉片問題的消除優先。再有，這種撤消圖形修正的狀況實際上幾乎不發生。尤其在形成新的掩模C的情況下，在產生長寬比問題時，只要將作為該問題主要原因的圖形部分移動到掩模C中并進行圖形修正，則幾乎不會再次發生環形問題和葉片問題。
因此，在步驟S212、S312中，判定是否存在圖形間連接問題。例如，在圖8的情況下，在(A)、(B)處，可進行圖形標準小的圖形部中的連接。在這種連接中，如圖11所示，例如，如果被連接的圖形部分在X方向上產生位置錯位，在該圖(a1)中是圖形標準小的圖形P1和圖形標準大的圖形P2進行連接，從而難以發生因X方向的錯位造成的連接不良，但容易發生因Y方向的錯位造成的連接不良。此外，該圖(b1)是圖形標準小的圖形P1和P3之間進行連接，從而難以發生因X方向的錯位造成的連接不良，但容易發生因Y方向的錯位造成的連接不良。再有，在該圖(c1)那樣的圖形標準小的圖形P1和P4之間進行連接的情況下，無論X方向還是Y方向錯位的情況下都容易產生連接不良。
因此，在容易產生圖11的各圖形間連接問題的情況下，在該圖形部分形成輔助圖形。該輔助圖形將圖形標準小的圖形端部形成為向連接對方圖形延長所需長度的圖形。圖11(a2)、(b2)、(c2)的黑色部分表示該輔助圖形的一例。在這些圖中，即使在X方向和Y方向上發生錯位的情況下，在實際的曝光時，黑色部分所示的輔助圖形Ps仍可靠地重疊在連接對方的圖形上，可以消除圖形間連接問題。
通過以上步驟，掩模圖形在被分割成掩模A、B兩塊掩模的狀態下來構成，或者在被分割成掩模A、B、C三塊掩模的狀態下來構成。附帶說明一下，圖12是將圖2的掩模圖形分割成掩模A、B兩塊掩模，并且進行分配的實例。然后，圖中雖被省略，但根據該分割的圖形，將帶有與各分割的圖形對應的圖形開口的兩塊或三塊模板掩模作為曝光掩模來制造。然后，通過將各模板掩模設置在曝光裝置上，順序地使用各模板掩模，并且一邊進行相互位置重合一邊進行電子束、離子束等帶電粒子束的曝光，可以對半導體晶片進行期望的掩模圖形、即包括環形圖形、葉片圖形以及長寬比大的掩模圖形進行曝光。
如以上那樣，在將掩模圖形根據圖形標準分割成兩塊或三塊掩模之后，判定各掩模中的環形問題及葉片問題，并且在發生問題時，通過對作為主要原因的掩模部分的移動、分配進行圖形修正，可以可靠地消除環形問題和葉片問題。由此，在形成的兩片或三片的模板掩模中，不存在環形圖形和葉片圖形，形成高質量的曝光掩模。此外，在消除環形問題和葉片問題后，對各掩模判定長寬比問題，并且在問題產生時，通過對作為主要原因的掩模部分進行移動、分配，可以消除兩塊或三塊的模板掩模中的長寬比問題。而且，通過對各掩模的圖形形成輔助圖形，可以消除連接兩塊或三塊掩模的各圖形時的圖形間連接問題，可以實現對半導體晶片的最佳的圖形曝光。
再有，在上述的步驟S207、S307中，即使使用新的掩模C，也不能排除產生未消除環形問題、葉片問題情況的可能性，但在該情況下，如掩模D、E等那樣，也可以分割構成更多的掩模，但實際上通過分割構成兩塊掩模A、B，幾乎在所有情況下都能夠達到目的，即使在非常特殊的掩模圖形的情況下，通過分割構成三塊掩模就可以消除各問題，需要形成掩模D、E的情況極少。
此外，在上述步驟S209、S309中，在為了消除長寬比問題而進行圖形的移動、分配的圖形修正的情況下，在再次發生環形問題的情況下，在步驟S211、S311中將該圖形修正返回原樣，但實際上極少產生這樣的情況。此外，即使在產生這種狀況的情況下，通過實行掩模C的分配，就可以可靠地消除長寬比問題。
其中，在將消除上述步驟S102至S201、S301中的環形問題、葉片問題時的圖形部分分配為掩模A、B的步驟中，可以采用將掩模圖形分割成不超過規定的圖形寬度的多個、例如兩個一定尺寸的矩形塊的方法。例如，在圖13所示的例中，將環狀的圖形分割成正方形的塊和長方形的塊之后，對相互在X方向或Y方向上相鄰的塊標以不同的符號bA、bB，將bA的塊分配在掩模A，而將bB的塊分配在掩模B。由此，由于X方向或Y方向上相鄰的塊一定被分配為掩模A、B，所以可以消除環形問題和葉片問題。于是，在分割掩模圖形并分配為掩模A、B后，不用說，進行與步驟S203、S303相同的步驟，就可以消除長寬比問題和圖形間連接問題。
其中，在進行這樣的掩模圖形的分割時，如圖14所示，在將分割的相鄰塊分配為掩模A、B時，產生各個掩模A、B中的塊bA、bB在角部以點接觸狀態被配置的情況。如果產生這樣的點接觸狀態，則在模板掩模上形成圖形開口時，在點接觸部分的圖形開口上就容易發生形狀的崩潰。將這樣的問題稱為點接觸問題，而在產生這種點接觸問題的情況下，如圖15所示，變更掩模圖形的分割方向和分割線，在將分割的相鄰塊bA、bB分配為掩模A、B的情況下，就不產生點接觸問題。
此外，雖然省略了詳細的說明，但如現有技術那樣，對于簡單地將圖形在X方向和Y方向上進行分割而形成兩塊的各掩模來說，同樣可以采用本發明的消除長寬比問題的方法。這種情況下，在掩模A、B這樣的兩塊掩模之間消除長寬比問題時，如果擔心再次產生環形問題、葉片問題，也可以將掩模A分割成A、C，將掩模B分割成B、D。
根據以上說明的本發明，在將掩模圖形分配為至少兩塊掩模之后，判定各掩模中的環形問題和葉片問題，并且在發生問題時，通過對作為主要原因的掩模部分的移動、分配進行圖形修正，可以可靠地消除環形問題和葉片問題。由此，使形成的多塊掩模不再存在環形問題和葉片問題，可形成高質量的曝光掩模。此外，在消除環形問題和葉片問題后，對各掩模進行長寬比問題的判定，并且在發生問題時，通過進行作為主要原因的掩模部分的移動、分配，可以消除各掩模中的長寬比問題。而且，通過對各掩模圖形形成輔助圖形，可以消除連接各掩模的各圖形時的圖形間連接問題，可以實現對半導體晶片的最佳圖形曝光。
權利要求
1．一種曝光掩模，通過將由多個掩模構成的、設置在各掩模中的掩模圖形分別曝光在同一被曝光襯底上，對所要的掩模圖形曝光，其特征在于，所述各掩模中所設置的掩模圖形由對所需要的掩模圖形中存在的環狀圖形、葉片狀圖形、長寬比大的圖形分別進行分割的圖形來構成。
2．如權利要求1所述的曝光掩模，其特征在于，在所述至少一個掩模的掩模圖形中，在與其它掩模圖形連接的部分中，形成向其它掩模的圖形側突出的輔助圖形。
3．如權利要求1或2所述的曝光掩模，其特征在于，所述掩模是模板掩模，所述掩模的掩模圖形是在構成所述模板掩模的掩模基片上設置的圖形開口。
4．一種曝光掩模的制造方法，其特征在于，包括以下各步驟第一步驟，在為形成曝光掩模的掩模圖形上，判定是否產生由圖形形成了環狀的環形問題、由圖形圍成的部分形成葉片狀的葉片問題、圖形之間夾住部分的縱橫尺寸比大的長寬比問題；第二步驟，在判定為至少產生所述環狀問題或葉片問題時，將所述掩模圖形分割成兩個圖形，并且將分割的各圖形分配為第一和第二的兩塊掩模；第三步驟，對所述兩塊掩模中分配的各圖形判定是否發生所述環形問題或葉片問題；第四步驟，在判定為發生至少一個問題時，將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模；第五步驟，在判定為無論哪個掩模都未發生所述環形問題和葉片問題時，對各掩模的各圖形判定是否發生所述長寬比問題；第六步驟，在判定為至少一個掩模中發生所述長寬比問題時，將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模；第七步驟，在判定為無論哪個掩模都未發生所述長寬比問題時，判定在所述兩個掩模的掩模圖形的連接部分是否產生連接不良部分；以及第八步驟，在判定為產生所述連接不良部分時，至少在一個掩模的該圖形的連接部分形成輔助圖形。
5．如權利要求4所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，在所述第二步驟中，包括這樣的步驟將構成所述掩模圖形的多個圖形部分的各圖形寬度與規定的閾值進行比較，根據其比較結果的大小來分割所述多個圖形，并且分配為所述兩個掩模。
6．如權利要求4所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，在所述第二步驟中，包括這樣的步驟將所述掩模圖形分割成兩個以上的固定塊，將X方向或Y方向上相鄰的塊分配為所述兩個掩模。
7．如權利要求6所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，在所述兩個掩模分配的塊在至少一個掩模中處于點接觸時，變更分割所述掩模圖形的所述塊的分割線。
8．如權利要求4至7的其中任何一項所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，作為所述第三步驟和第四步驟，包括這樣的步驟進行多次重復，直至消除所述環形問題及葉片問題，或直至達到規定次數。
9．如權利要求8所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，在即使將所述第三步驟和第四步驟多次重復至所述規定次數也未消除所述環形問題及葉片問題時，將所述圖形的一部分分配為另一第三掩模。
10．如權利要求4至9中任何一項所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，在所述第六步驟中，當再次發生環形問題或葉片問題時，將所述第六步驟的圖形分配返回原來的狀態。
11．如權利要求5、8、9、10中任何一項所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，作為所述第八步驟，包括這樣的步驟在圖形標準小的圖形連接部分中，形成向該圖形的長度方向突出的輔助圖形。
12．如權利要求4至11中任何一項所述的曝光掩模的制造方法，其特征在于，由模板掩模來形成所述多個掩模。
全文摘要
一種曝光掩模的制造方法,包括以下步驟:判定在曝光掩模圖形上是否產生環形、葉片、長寬比問題;在判定有問題時,將掩模圖形分割并且分配為兩塊掩模;判定在兩塊掩模中是否發生環形或葉片問題;在判定發生至少一個問題時,將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模;反之則再判定是否發生長寬比問題;若發生,則將一個掩模圖形的一部分分配成另一掩模;反之則判定在兩個掩模圖形的連接部分是否有連接不良;若有則在連接部分上形成輔助圖形。
文檔編號G03F1/20GK1311525SQ01109110
公開日2001年9月5日 申請日期2001年2月26日 優先權日2000年3月1日
發明者小日向秀夫 申請人:日本電氣株式會社