液晶元件、液晶顯示裝置及其制造方法

專利名稱：液晶元件、液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及液晶元件，特別是涉及橫向電場方式液晶元件。
背景技術：
(一般背景技術)液晶元件，特別是液晶顯示裝置正被使用于以筆記本型個人計算機、臺式個人計算機的監視器為代表，以及電視攝像機的取景器、投影型顯示器等各種裝置的顯示部或與此相關的部分，最近又被用作了電視機的顯示部。另外，還被作光打印機頭、光傅里葉變換元件、光閥等光電子學相關元件。
現在液晶元件最多被使用于顯示裝置中，作為液晶顯示模式，一般的是TN(扭曲向列)模式、VA(垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，面內開關)模式等。
尤其是，ISP模式也稱作橫向電場方式或梳狀電極方式，它使液晶分子與基板面大致平行地取向，由于借助于產生與基板面平行的電場使液晶分子在基板面內旋轉，明亮度隨視角方向的變化較少，進而具有視角特性優越的特點(《液晶顯示技術》第4頁，產業圖書刊；另外還有特開平10-206867號公報)。
除上述外，作為ISP方式的改進型，有將電極間隔做窄利用傾斜電場進行驅動的FFS模式(Fringe Field Switching Mode，邊緣場開關模式)以及在對置基板側形成電極，利用傾斜電場的HS模式(Hybrid Switching Mode，混合開關模式)等。另外，嚴格地說或者從純技術上說，這兩種方式也有不包含于IPS方式中的方面，但就下面將要說明的本申請發明的目的、結構、效果而言，它們是共同的(或者可以利用本申請發明的思想)。因此，在本說明書中，特別是在其權利要求范圍內，當述及IPS方式或橫向電場方式時，也包含這些FFS模式和HS模式。


圖1中示出了這3種類型僅供參考。在該圖中，1是陣列基板。2是對置基板。3是液晶。6是源線。7是掃描線。17是薄膜半導體。但是，由于該各模式的技術內容是所謂眾所周知的技術，故其說明從略。
還有，不僅是IPS方式，其它方式都要向液晶面板內充填液晶，如圖2所示，首先借助于印刷，在一塊玻璃基板2上將密封樹脂帶201薄薄地印刷成四邊形，接著與另一塊玻璃基板1并合形成盒，之后從密封樹脂的一部分空缺而形成的注入口向盒內真空充填液晶，再后在注入口處涂敷紫外線固化性樹脂202以封入液晶。然后借助于紫外線(U.V)照射使該封口用樹脂固化。
但是，采用這種方法，在涂敷紫外線樹脂時會在注入口的2塊玻璃基板的間隙部分殘留氣泡151或異物15。于是，當有這樣的氣泡等殘留時，則如圖3所示，在紫外線照射時，殘留在紫外線固化樹脂內的氣泡或異物等或使紫外線散射、折射，或將其吸收，從紫外線照射方向看，處于氣泡后側的紫外線固化樹脂受紫外線照射不足。其結果是，這樣不僅僅是照射不足部分的紫外線樹脂仍然未固化，而且由于在使用時未固化的樹脂向液晶中擴散，成為液晶元件的長期可靠性下降的原因之一。因此，作為其措施，要從各個方向照射紫外線，使得工序復雜化。
其次，當連續使用該IPS模式的TFT液晶顯示裝置時，若為黑白顯示，則存在本來應為白顯示處產生被看成黑點狀的顯示斑點的情形。由于這種所謂黑點狀的斑點很可能會大大降低顯示品質，所以必須設法將其消除。而且，關于對該黑點狀顯示斑點的措施、解決方法，在特開平10-206857號中進行了論述。依據該論述，黑點狀斑點是由于在像素電極、源極信號布線的保護層的裂縫部分發生了電化學反應，產生了離子性物質，因而液晶層的電壓保持率下降，液晶的排列發生了變化(因此，根據所謂常白或常黑的顯示模式的情況等，也會有白點狀顯示斑點。另外，若為彩色顯示，則顯示斑點的顏色均不限于黑白。因此本說明書中所說的“黑點狀顯示斑點”等是還包括“由電壓保持率下降所引起的附有白色或彩色的點狀的顯示斑點”的概念)。其結果是，通過使保護層的厚度比電極厚度厚，或者形成有機高分子的保護層，可以消除黑點斑點。
下面利用附圖對現有的該IPS方式的液晶顯示裝置進行說明。
圖4是原理性地示出一個液晶顯示裝置的陣列基板的1個像素的平面圖。圖5的(1)和(2)是分別示出圖4的A-A、B-B剖面的圖。圖6的(1)、(2)、(3)是分別示出圖1的C-C、D-D、E-E剖面的圖。但是在(2)和(3)中，由于對置基板與(1)相同，故省略了其圖示。
在圖4和圖5中，5是共用電極，7是柵極信號布線，它們形成在同一層中。其次，在它的上層(液晶層側)形成絕緣層8，進而形成由半導體層構成的薄膜晶體管(TFT)17、源極信號布線6、像素電極4的圖形，在其上層淀積保護層10，構成陣列基板1。在該陣列基以及與該陣列基板相向的對置(濾色片)基板2的相向面側形成取向膜9。再在兩基板間形成液晶層3，構成液晶顯示面板。圖6是稍許精密的剖面圖。另外，下面就其內容進行說明。
如該3個圖所示，與TN型液晶面板不同，IPS面板的電極存在于同一平面上。
另外，將與薄膜晶體管的漏極連接的電極稱為像素電極，將不與漏極連接的電極稱為公用電極。
可是，由于在這種液晶顯示面板的制造工序中要求非常微細的加工，所以在制造中有異物混入時，將由此引起在柵極信號布線和源極信號布線的交叉部分或柵極信號布線和公用電極相接近的部分等發生短路，成為生產成品率下降的很大的主要原因。
即，如圖4～圖6所示，在同一面上形成柵極信號布線和公用電極時，通常在用濺射等方法淀積電極材料后，用光刻法形成圖形，但是當如圖7和圖8所示，在抗蝕劑材料等中所含的異物15存在于應除去電極材料的部位時，會因該異物的存在而不能曝光，使本來應該如圖4所示那樣進行除去的、形成各布線、電極的部位殘留電極材料，形成連續的布線，從而發生短路。
通常，這樣的短路部位在液晶顯示面板中多數情況是約有數處。因此，作為其措施可以用激光等將短路部分進行切斷。
但是，用激光除去由異物所致的短路部分時，該部位的電極也將被切斷，并且破壞柵電極上部的絕緣膜，使柵電極露出。
可是，已知在柵電極露出的狀態下液晶顯示裝置進行高溫工作時，在該部分產生黑點狀的顯示斑點。
作為其原因，一般認為是由于除為驅動液晶層而進行充電時之外，在柵極電位為負電位，即大部分的期間發生電子向液晶層中注入，在液晶層中生成了很多離子，或者液晶層中的離子集中到柵極露出的部分，引起離子集中于局部。在圖9中原理性地示出了該發生機制。在該圖中將向液晶中注入的電子標作e-，原理性地示出了液晶中的物質A被電離成為A-的狀態。
特別是在施加與基板平行或者傾斜的電場，實現廣視角的液晶模式中，使用了現有的氰基類液晶。然而，氰基類液晶雖有利于高速化，但這只是定性而言，不過因液晶容易分解，故液晶內的離子數量容易增加，由這方面看，恐怕容易發生黑點狀斑點。
不過，關于防止此黑點狀斑點的發生，在上述特開平10-206857號公報中也有所論及。根據該公報，最好使保護膜或絕緣膜8的膜厚比起與該保護膜接觸的電極的膜厚厚0.4μm以上。但是，在采用此方法作為防止短路的措施而照射激光來切斷電極時，保護膜無論怎樣厚，該保護膜也會被破壞，因而會發生黑點狀斑點。
特別是在特開平10-186391號公報中，提出了使液晶的電阻率在1013Ω·cm以上，去除掉在光學上構成電壓保持率下降之原因的絕緣膜，使產生電場的電極結構的一部分直接與取向膜接觸而形成的方法。
這樣，采用使電極結構的一部分直接與取向膜接觸而形成的方法，其黑點狀斑點的大小與全部電極被絕緣膜覆蓋的情形相比略有減小。但是，用此方法，黑點狀斑點減小的效果很小，不能充分滿足近年來所要求的高水平的顯示性能。
另外，還顯著地呈現了顯示圖像長時間保留的現象(長時間顯示某一恒定圖形后，即使切換為其他圖形還保留原來圖形的現象)。
因此，本專利申請發明人進行研究的結果，作為其原因闡明了如下事實。即，構成黑點狀斑點之原因的液晶中的離子性物質如在圖10中原理性地示出的那樣，不僅在陣列基板1側，而且還擴展至對置基板2側(濾色片基板側)。因此，形成只在一塊基板側(陣列基板側)除去絕緣膜的電極無論如何是不夠的。
作為其措施，雖然也考慮了從像素電極、源極信號布線、公用布線、公用電極向液晶層直接提供對柵極信號布線為正的電位，中和掉所生成的離子性物質，但是這些布線、電極無論哪一個都是為驅動液晶層所必需的，該布線、電極上為進行驅動所必需的電位隨與液晶的電極反應而變，這不僅在顯示圖像質量方面成為問題，而且從長期可靠性的觀點來講也是不利的。
另外，僅僅是通過形成電極，對液晶中的離子性物質的中和、回收用的面積是小的，因此不能充分防止黑點狀斑點的發生。
另外，對橫向電場方式的液晶面板，為提高開口率提出了使導電性的黑矩陣與公用電極處于大致相同的電位上，或在黑矩陣上形成與公用電極大致同電位的導電膜的方法(特開平10-206867號公報或特開平9-269504號公報)。但是，如上所述，由于構成黑點狀斑點之原因的液晶中的離子性物質如在圖10中原理性地示出的那樣，不僅在對置基板側(濾色片基板側)，而且還擴展至陣列基板側，所以形成只在一塊基板側(對置基板側)除去絕緣膜的電極還是不夠的。
此外，采用這些方法雖然黑斑點缺陷多少有所改善，但在長期連續驅動時還不能完全消除。
(從發明所要解決的課題方面來看的背景技術)因此，現正期待著開發2塊基板間的切實的高可靠性的液晶注入用孔(口)的密封技術。
另外，借助于紫外線照射使樹脂的固化，雖然可任意設定固化時間，但必須考慮對操作人員眼睛的保護。因此，有打算用某種其他樹脂的愿望。
另外，正期待著開發經過長期使用時間不發生黑顯示，且對開口率不產生不利影響，對其他顯示特性不產生不利影響，并且制造工序不復雜、成本低廉的IPS方式的液晶顯示元件、裝置。
另外，在近年來顯示裝置大型化、高價格化的形勢下，往往其使用期間變得極長。在這種場合，人們正期待著開發除因上述原因產生離子之外，縱使還存在由用戶失誤或者自然放射線引起的液晶分解、加水分解，也不發生黑顯示的技術。
發明的公開本發明是以解決以上課題為目的的發明。
第1大發明組由2個發明組組成。而且，第1發明組是在2塊基板間夾持液晶的液晶元件，其特征在于對于在其制造中向基板間充填液晶時使用的注入口的密封，使用粘度在20Pa·s以下，最好是10Pa·s以下的樹脂。
另外，為使樹脂粘度降低，用紅外線等加熱至80℃～50℃，從除氣的方面看最好是加熱至80℃～90℃。還有，用紅外線等加熱是因為從設備方面看工序容易。
另外，其特征還在于在樹脂涂敷中或涂敷后，為將其內部的由空氣、空氣中懸浮的微小塵埃或水分構成的異物排至外部，用20kHz以上的超聲或1MHz以上的兆赫級聲波對樹脂施加振動。
另外，其特征還在于在樹脂涂敷中或在其后，為排除其內部的空氣，(將制品)置于比大氣壓低的環境中，例如置于0.5個大氣壓，最好是0.1個大氣壓，再好一些的是0.01個大氣壓以下。
另外，其特征還在于在樹脂涂敷時或在其后，為將內部的空氣排至外部，施加1g、2g等加速度。
另外，其特征還在于在向注入口進行樹脂涂敷時或在其后，至少反復進行2次樹脂拭除并再次涂敷。
另外，其特征還在于在涂敷樹脂時或在其后，為將內部的空氣排至外部，施加了加速度。
另外，其特征還在于作為樹脂使用了丙烯基類或環氧樹脂類的紫外線固化樹脂。據此，可以任意設定樹脂的固化時間，而且固化速度也快。
另外，本發明組的其他發明是從材料方面進行的發明。
第2發明組是使用厭氣性樹脂作為密封用樹脂的發明。這里所謂的厭氣性樹脂是指在與空氣接觸時不固化，借助于以短暫的間隙隔絕空氣進行固化的樹脂而言。一般來說，是要作成螺紋鎖等的樹脂，另外，也有靠空氣隔絕和加壓、加熱進行固化的樹脂。
其原理是通過空氣的隔絕使二甲基丙烯酸酯聚合，變成聚丙烯酸酯而固化。因此，在粘接面上形成聚合物，產生強粘結力，在空氣隔絕后數小時達到最大強度。因此，它具有不需要紫外線照射，內部不易產生由雜質引起的固化不均勻這樣的性質。
第2大發明組由8個發明組組成，各發明組如前所述是廣義的橫向電場方式的液晶元件，以消除所謂黑反轉為共同目的。
已知現有的方法不具有防止長期使用時的黑顯示的效果，這是因為現有的濾色片側的基板，一般來說如圖5等所示，其最外表面上是ITO等導電層，其次是玻璃基板、遮光層、濾色片、外覆蓋層、取向膜的結構，沒有露出電極(導電性物質)的部位，故而作為黑斑點缺陷之原因的離子或離子化成分在濾色片側基板處完全不被回收。因此，本發明在于用某種方法切實地、并且幾乎完全地持續消除離子等。
首先，第1發明組，作為橫向電場方式的液晶元件著眼于在其電極上的絕緣層(膜)與取向膜的膜厚之和非常薄時，通過絕緣膜上產生的微孔等消除液晶層中的離子、電荷，從而幾乎不發生黑斑點。
本發明組的第1發明其特征在于在由電極或信號布線構成的金屬層和液晶層之間存在絕緣層和取向膜，此外還存在往往兼有它們功能的保護膜等第3層，并且還存在這些絕緣層和取向膜的厚度總計在1000以下，最好是小于500的區域。這里，所謂電極是在純粹的橫向電場方式下的像素電極、附屬(伴隨)于它的存儲電容電極、公用電極。如果是SH等廣義的橫向電場方式，其中還包含其他電極等。另外，像素電極、公用電極連同它們和液晶層之間的絕緣膜、取向膜等的總計厚度也可以小于500，特別是還可以有它們不存在的部分。另外，在取向膜不存在時，或在一部分膜不存在區域中，恐怕在該部分采取某種其他取向方式為好。當然，若是在黑矩陣的下部(使用者的對側)等，這些措施是不必要的。另外，在將來技術發達時，也可使用不需要取向膜的液晶材料。
以下，在各發明中，同樣，其特征在于，例如黑矩陣等遮光膜是導電性的。另外，其特征還在于，導電性遮光膜在對置基板上形成。另外，其特征還在于，取向膜和保護膜是導電性物質膜。
據此，電場使離子在液晶中移動，消除液晶分子中或液晶層中的離子、電荷，消除絕緣缺陷部位等處的液晶分子排列不一致等，進而形成良好的顯示。
除此以外，當然要在開關元件上、與發揮本發明的效果無關的部分的電極、布線上形成用于防止短路的絕緣膜或其他兼有絕緣作用的保護膜等。當然，為發揮其他發明組的作用、效果，一部分保護膜等也可以不形成。另外，還可以附設對導電性遮光膜施加規定電位的結構。
同樣，其特征在于，在橫向電場方式液晶元件的制造方法中包括涂敷取向膜的工序，以及去除與顯示品質無關的黑矩陣的正下部位的或其中央部位等的取向膜的工序。
同樣，其特征還在于，存在在涂敷取向膜的工序之后，去除一部分取向膜的刻蝕工序，進而在其后對剩下的取向膜用紫外線照射等進行取向處理的工序。
同樣，其特征還在于，進行取向膜的摩擦，剝離電極上或布線上的取向膜的至少一部分(包括不僅剝去其全部，也包括只是剝去其上部(液晶層側)，以形成微孔和龜裂)。作為這時的摩擦條件，當使擠入量在0.5mm以上時，取向膜剝離容易發生，能得到更好的結果。
第2發明組著眼于用中和電極消除離子。
在本發明組的一項發明中，在源極信號布線、柵極信號布線、像素電極、公用電極、公用布線等許多場合，原則上除由金屬構成的導電層以外，還設置了由直接地或經取向層(膜)間接地與液晶層接觸的導電性物質構成的中和電極，而且原則上當然是設置在與顯示無關的位置上。
黑點狀斑點的發生原因是由于生成的離子未被中和，故缺陷部附近的液晶中的離子濃度變高，因此電壓保持率下降。但是，當有直接向液晶層暴露的，或者有由導電性物質構成的、經取向膜與液晶層電連通的中和電極時，則在中和電極處能夠再度將電子給予電極，故而絕緣層缺陷部附近的離子濃度不太增多，能將電壓保持率的下降抑制到最低限度，進而能抑制黑點狀斑點的發生。
以下，在各發明中，形成中和電極，并使其與液晶層或取向層相接，以及設置對該中和電極提供對柵極信號布線為正的電位的裝置。
據此，更有效地中和了所生成的陰離子，抑制了黑點狀斑點的發生。
另外，在其他發明中，沿柵極信號布線形成中和電極，并使其與液晶層或取向膜相接，以及設置對該中和電極提供對柵極信號布線為正的電位的裝置。
據此，在陰離子從陰離子發生源向像素擴散之前，能夠更有效地中和所生成的陰離子。
另外，在與形成有柵極信號布線的基板相向的基板上，沿柵極信號布線形成中和電極，并使其與液晶層或取向層相接，以及設置對該中和電極提供對柵極信號布線為正的電位的裝置。
據此，能夠加寬與柵極信號線的間隔，減小在與柵極信號布線之間所形成的寄生電容，從而消除對柵極信號延遲的影響。
另外，在其他發明中，在與形成有柵極信號布線的基板相向的基板上形成中和電極，并使其與液晶層或取向層相接，以及設置對該中和電極提供對柵極信號布線為正的電位的裝置，同時還使該中和電極構成黑矩陣等遮光膜或者它的一部分。
據此，中和電極兼用作黑矩陣等，因而能減少形成該電極的工時。
除此之外，作為導電性遮光膜宜用Cr、Ti、石墨、導電性樹脂，或者作成氧化鉬和鉬的2層結構。另外，采取在源線或柵線的方向形成中和電極，以及與這些線同時形成等方法，以求減少所需工序是不言而喻的。
另外，當然要制作對中和電極施加規定電位的結構。
第3發明組的特征在于它具有開口部(露出部、無絕緣膜的部分)和對置基板的中和電極。
本發明組的1項發明的特征在于在像素電極、公用電極、信號布線電極之中的至少某1種電極之上的至少一部分上有未形成絕緣膜的部位或區域，在該部分電極只經取向膜或直接地與液晶相接，并且在不形成像素電極和上述公用電極的基板側形成中和電極，該中和電極上也有未形成絕緣膜的部位，或者完全不形成絕緣膜。
按照上述結構，由于存在柵極以外的電位露出的部分，所以集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出部分對電極釋放(或接受)電子，進行非離子化而被消除，因此不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。
特別是由于在兩基板(陣列側基板和相向側基板)上存在未形成絕緣膜的部位，故離子在兩基板側進行非離子化，因此抑制黑點狀斑點的發生是理所當然的。
另外，使封入液晶面板中的液晶的電阻率小于1013Ω·cm。
據此，能夠抑制顯示圖像長時間保留現象(長時間顯示某恒定圖形后，即使切換為其他圖形還保留原來圖形的現象)。
另外，其特征在于，對中和電極施加對掃描布線的最低電壓電平為正的電位。
據此，能有效地使所生成的離子非離子化。
另外，中和電極被設定成與公用電極(大致)相同的電位。
據此，能更有效地使所生成的離子非離子化，抑制黑點狀斑點的發生。另外，由于在使中和電極有與公用電極相同的電位的場合，對中和電極沒有必要設置特別的電位提供裝置，所以能求得結構簡單、工序簡化。
另外，其特征還在于，中和電極兼用作黑矩陣或濾色片。
另外，對取向膜的材料也下了工夫。
另外，采取了在液晶面板上形成TFT等開關元件，在該開關元件的上部形成絕緣膜等措施。
據此，能夠防止晶體管、變阻器等開關元件變壞。
第4發明組著眼于在絕緣膜上有開口部，據此對液晶進行中和。
本發明組的1項發明的特征在于像素電極和對置電極不在同一層，例如在下部的(構成為液晶的對側)對置電極上形成絕緣膜，在上部的像素電極上完全不形成絕緣膜。
根據上述結構，由于柵極以外的電位露出，故集中在柵極電位部的離子擴散至導電層的露出部分，進行非離子化，因而能得到不產生顯示斑點的、有良好的顯示品質的液晶面板。
而且，由于在對置電極上有絕緣膜，所以短路缺陷也不會增大。
另外，其特征還在于，像素電極和對置電極不在同一層，在像素電極上形成絕緣膜，在對置電極上完全不形成絕緣膜。
根據上述結構，同樣能得到短路缺陷不增大、有良好的顯示品質的液晶面板。
另外，其特征還在于，與其他發明組一樣，封入液晶面板中的液晶的電阻率小于1013Ω·cm。
據此，能夠抑制顯示圖像的長時間保留現象。
另外，其特征還在于，在開關元件、信號布線、掃描布線的上部(液晶層側)形成絕緣膜。
據此，能防止晶體管等的變壞等，并且還能進行對各部分的保護。
另外，其特征還在于，在沿摩擦方向的部分存在絕緣膜。
根據上述結構，由于在摩擦時絕緣膜不造成干擾，所以形成了有良好顯示品質的液晶面板。
第5發明組的特征在于，在遮光層(膜)、黑矩陣的至少是液晶層側的一面的至少一部分上有凹凸結構。
本發明組的1項發明的特征在于，在一塊基板上形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線等，在沒有形成像素電極等的基板側形成黑矩陣和用于防止半導體的誤動作及用于保護等的遮光層等遮光膜，該遮光膜至少在液晶層側的表面有凹凸結構。
按照上述結構，由于集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出部分(例如黑矩陣部)釋放電子，進行非離子化，所以不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。特別是因為黑矩陣等的液晶側表面有凹凸形成，所以開口率維持原樣而回收離子的表面積增大，能取得充分的效果。
另外，在各發明中的特征在于，在形成有像素電極的基板側，或在未形成它的對置基板側形成黑矩陣等遮光膜，并且其表面有凹凸結構。
按照上述結構，有與先前的發明相似的作用，發揮相似的效果。
進而，在形成像素電極的基板側(陣列側)形成黑矩陣等時，能夠不用貼合機，并且開口率增大。
另外，其特征還在于，在沒有像素電極等形成的基板側，或在有像素電極等形成的基板側形成中和電極，并且該電極的表面有凹凸結構。
根據上述結構，不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。特別是因為在中和電極的表面形成了凹凸，所以回收離子的表面積增大，能取得充分的效果。
另外，其特征還在于，對置電極的表面有凹凸結構。
按照上述結構，由于在采用傾斜電場方式的液晶模式(如果因留意此事而加以記述的話，它含于橫向電場方式中)中，集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出部分向電極釋放電子，進行非離子化，所以不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。特別是因為對置電極的表面有凹凸形成，所以回收離子的表面積增大，能取得充分的效果。
另外，其特征還在于，黑矩陣等遮光膜是導電性的。
按照上述結構，由于集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出部分向電極釋放電子，進行非離子化，所以能夠抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于，封入液晶元件的面板內的液晶的電阻率小于1013Ω·cm據此，與其他發明一樣，能夠抑制顯示圖像的長時間保留現象。
另外，其特征還在于，像素顯示裝置中使用的濾色片側部的黑矩陣等遮光膜至少在液晶側的表面有凹凸結構，最好是存在有許多孔、并有凹凸的結構。
按照上述結構，不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于凹凸結構的凹部和凸部之差在0.1μm以上，最好在0.3μm以上。
按照上述結構，由于能夠增大回收離子的表面積，所以能取得充分的效果。
另外，其特征還在于，遮光膜或中和電極，或者兩者經取向膜或直接地與液晶相接。據此，可以從取向膜的微孔，或直接地進行離子回收。
按照上述結構，可以切實地回收離子。
第6發明組的特征在于，具有導電性遮光膜(層)。
本發明組的1項發明是在一對基板間夾持液晶，在上述基板的一塊基板上形成像素電極和公用電極，在像素電極和公用電極之間施加電壓以驅動液晶，在另一塊基板上有導電性遮光膜的液晶元件其特征在于，該遮光膜與液晶層相接，或者特別是經導電性取向膜與液晶層相接。
另外，其特征還在于，呈在信號線方向或掃描線方向延伸的條狀或者呈在信號線方向和掃描線方向延伸的網格狀，存在遮光層與液晶層相接的區域。
因此，遮光膜可以兼用作黑矩陣等，提高開口率。
作為在這些液晶元件中使用的導電性遮光膜，只要是具有遮光性和導電性的材料，什么都可以，但是若用Cr、Ti、導電性樹脂等，其遮光性高，因而較好。另外，若用有機導電膜，則工序簡單。
另外，其特征還在于，與遮光膜或從遮光膜延伸的遮光膜大致同電位的布線和與公用電極或從公用電極延伸的公用電極大致同電位的布線，借助于一對基板間至少1種以上的導電性物質進行電連接。
另外，其特征還在于，遮光膜或從遮光膜延伸的布線和與公用電極或從公用電極延伸的公用電極大致同電位的布線，借助于一對基板間至少1種以上導電性物質進行電連接。
另外，作為有遮光膜和外覆蓋層的液晶元件，其特征在于，對外覆蓋層使用感光材料，借助于光刻剝去導電性遮光膜上的外覆蓋層，在遮光膜上制成不存在外覆蓋層的區域。
其他發明其特征在于，對導電性遮光膜施加與公用電極大致同電位的電位。
第7發明組的特征在于，有開口和在對置基板上有遮光層(膜)。
本發明組的1項發明是在一對基板間夾持液晶，在基板的至少一塊基板上形成像素電極、公用電極、信號布線電極、掃描布線電極，在像素電極和公用電極之間施加電壓，使液晶分子的排列發生變化等的橫向電場方式的液晶元件，其特征在于，用于回收離子的導電性物質等在兩基板上形成。
按照上述結構，由于集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出的部分向電極釋放電子，進行非離子化，所以不產生離子集中，能抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于，在像素電極、公用電極、信號布線電極的至少某種電極之上的至少一部分上有不形成絕緣膜的部位，借助于沒有絕緣膜形成的部分，電極僅經取向膜或直接地與液晶相接，在沒有形成像素電極和公用電極的基板側形成導電性黑矩陣，顯示區域內的導電性黑矩陣的一部分或全部直接與取向膜或液晶相接。
通過制成這樣的結構，由于柵極以外的電位露出，故集中在柵極電位部的離子在柵極以外的電位露出的部分對電極釋放電子，進行非離子化，因而不產生離子集中。
特別是由于在兩基板(陣列側基板和相向側基板)上存在未形成絕緣膜的部位，故離子在兩基板側進行非離子化，因而能抑制黑點狀斑點的發生。
另外，在像素電極上完全不形成絕緣膜，在沒有絕緣膜形成的部分，像素電極僅經取向膜或直接地與液晶相接。另外，在沒有像素電極和公用電極形成的基板側形成導電性黑矩陣，顯示區域內的導電性黑矩陣的一部分或全部直接與取向膜或液晶相接。
通過制成上述結構，能夠抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于，在公用電極上完全不形成絕緣膜，借助于沒有絕緣膜形成的部分，公用電極僅經取向膜或直接地與液晶相接。而且，在沒有像素電極和公用電極形成的基板側形成導電性黑矩陣，其一部或全部直接與取向膜或液晶相接。
按照以上結構，由于在公用電極上完全不形成絕緣膜，并且在對置基板側形成導電性黑矩陣，故而能夠借助于離子的消失來抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于，在像素電極和公用電極上完全不形成絕緣膜，在該部分，像素電極和公用電極僅經取向膜或直接地與液晶相接。而且，在沒有像素電極等形成的基板側形成導電性黑矩陣，該黑矩陣的一部或全部直接與取向膜或液晶相接。
按照上述結構，能夠抑制黑點狀斑點的發生。(但是，由于在像素電極上和公用電極上沒有絕緣膜，故容易產生電極間短路。)另外，與其他發明組一樣，使封入液晶元件(面板)內的液晶的電阻率小于1013Ω·cm，以抑制顯示圖像的長時間保留現象(長時間顯示某一恒定圖形后，即使切換為其他圖形還保留原來圖形的現象)。
另外，在液晶元件中形成了用于其驅動的開關元件，在其上部形成了絕緣膜。據此，能夠防止半導體等的變壞。
另外，其特征還在于，對黑矩陣施加對掃描布線的最低電壓電平為正的電位。
按照上述結構，能夠更有效地使所生成的離子非離子化，能夠抑制黑點狀斑點的發生。
另外，其特征還在于，黑矩陣被設定為與公用電極大致同電位。據此，能夠更有效地使所生成的離子非離子化，能夠抑制黑點狀斑點的發生。另外，當使黑矩陣與公用電極同電位時，由于沒有必要設置黑矩陣用的特別的電位供給裝置，所以能求得結構簡單、工序簡化。
另外，導電性黑矩陣由導電性樹脂形成。因此，能夠在形成濾色片的同一工序中制作。另外，由于與形成Cr等金屬不同，沒有必要高溫形成，所以能夠在形成濾色片后形成黑矩陣，而且能在與取向膜或液晶相接的部位形成黑矩陣。
另外，其特征還在于作為使液晶元件的基板間隔保持恒定的襯墊，在特定的部位形成小柱。由于借助于這樣進行限制可以選擇上下基板難以短路的部位設置襯墊，所以即使在兩基板上形成導電物質也難以短路。
在第8發明組中，在作為取向膜，或者在它的至少一部分表面上、中和電極的至少一部分表面等上，具有由發泡劑造成的微胞結構(具有直徑非常小的空間的海綿狀結構)，據此求得對所產生的離子的吸收。
附圖簡述圖1是示出各種方式的橫向電場方式的液晶元件的結構圖。
圖2是示出現有技術的向液晶面板內充填液晶以及其后的封口樹脂的固化狀態圖。
圖3是示出樹脂固化用紫外線被封口樹脂中的氣泡折射的狀態圖。
圖4是示出現有技術的IPS模式液晶顯示裝置的平面圖。
圖5是示出上述液晶顯示裝置的A-A、B-B剖面圖。
圖6是示出上述液晶顯示裝置的C-C、D-D、E-E剖面圖。
圖7是示出液晶顯示裝置的異物附著狀態的平面圖。
圖8是示出液晶顯示裝置的異物附著狀態的剖面9是原理性地示出黑點狀斑點的發生機制圖。
圖10是原理性地示出黑點狀斑點發生的擴大的機制圖。
圖11是示出本發明的第1大發明組的各實施形態的圖。
圖12是本發明第2-1-1實施形態的液晶元件的剖面圖。
圖13是本發明第2-1-2實施形態的液晶元件的剖面圖。
圖14是本發明第2-1-3實施形態的液晶元件的剖面圖。
圖15是本發明第2-1-4實施形態的液晶元件的剖面圖。
圖16是示出本發明第2-1-5實施形態的液晶元件的制造方法的主要部分的圖。
圖17是本發明第2-2-1實施形態的液晶元件的陣列基板的平面圖。
圖18是上述液晶元件的A-A剖面圖。
圖19是上述實施形態的液晶元件的變例的平面圖。
圖20是上述實施形態的液晶元件的變例的剖面圖。
圖21是本發明第2-2-3實施形態的液晶顯示的平面圖和剖面圖。
圖22是上述實施形態的液晶顯示面板的變例的平面圖。
圖23是本發明第2-3-1實施形態的液晶面板的陣列側基板的平面圖。
圖24是上述液晶面板的剖面圖。
圖25是上述實施形態的液晶面板的對置基板的平面圖。
圖26是上述對置基板的剖面圖。
圖27是概念性地示出上述實施形態和比較例的面板結構之不同的圖。
圖28是示出本發明第2-3-2實施形態的液晶面板的結構圖。
圖29是示出上述2個實施形態的液晶面板的變例的圖。
圖30是相同的上述2個實施形態的變例的圖。
圖31是相同的上述2個實施形態的變例的圖。
圖32是相同的上述2個實施形態的變例的圖。
圖33是相同的上述2個實施形態的變例的圖。
圖34是相同的上述2個實施形態的變例的圖。
圖35是示出本發明第2-3-3實施形態的液晶面板的結構圖。
圖36是示出本發明第2-3-4實施形態的液晶面板的變例的圖。
圖37是示出本發明第2-3-5實施形態的液晶面板的結構圖。
圖38是示出本發明第2-3-6實施形態的液晶面板的變例的圖。
圖39是示出本發明第2-3-7實施形態的液晶面板的結構圖。
圖40是示出本發明第2-3-8實施形態的液晶面板的變例的結構圖。
圖41是示出本發明第2-4-1實施形態的液晶面板的結構圖。
圖42是作為上述實施形態之比較例的液晶面板的結構圖。
圖43是示出本發明第2-4-2實施形態的液晶面板的結構圖。
圖44是示出本發明第2-4-3和第2-4-4實施形態的液晶面板的結構圖。
圖45是示出本發明第2-4-5實施形態的液晶面板的結構圖。
圖46是示出本發明第2-4-6和第2-4-7實施形態的液晶面板的結構圖。
圖47是示出本發明第2-4-8實施形態的液晶面板的結構圖。
圖48是示出本發明第2-5-1實施形態的液晶元件的對置基板的結構圖。
圖49是示出上述實施形態的黑矩陣的凹凸部的結構圖。
圖50是示出本發明第2-5-2實施形態的液晶元件的陣列基板側的結構圖。
圖51是示出上述實施形態的變例的圖。
圖52是示出上述實施形態的變例的圖。
圖53是示出本發明第2-5-3實施形態的液晶元件的對置基板側的結構圖。
圖54是示出現有的IPS和HS模式的結構圖。
圖55是示出本發明第2-5-5實施形態的液晶元件的結構圖。
圖56是上述實施形態的變例的圖。
圖57是上述實施形態的變例的圖。
圖58是上述實施形態的變例的圖。
圖59是示出本發明第2-5-7實施形態的液晶元件的結構圖。
圖60是示出本發明第2-6-1實施形態的液晶元件圖。
圖61是上述實施形態的液晶元件的濾色片側基板的略圖。
圖62是本發明第2-6-4實施形態的液晶元件的剖面圖。
圖63是示出本發明第2-7-1實施形態的液晶元件的陣列側基板的結構圖。
圖64是上述實施形態的對置基板的結構圖。
圖65是示出上述實施形態和比較例之不同的圖。
圖66是示出本發明第2-7-2實施形態的液晶元件的對置基板的結構圖。
圖67是第2-7-1和第2-7-2實施形態的變例的圖。
圖68是相同實施形態的其他變例的圖。
圖69是相同實施形態的其他變例的圖。
圖70是相同實施形態的其他變例的圖。
圖71是示出本發明第2-7-3實施形態的液晶元件的陣列基板側的結構圖。
圖72是上述實施形態的陣列側基板的變例的圖。
圖73是示出本發明第2-7-4實施形態的液晶元件的陣列側基板的結構圖。
圖74是示出上述實施形態的陣列側基板的變例的圖。
圖75是示出本發明第2-7-5實施形態的液晶元件的陣列基板側的結構圖。
圖76是上述實施形態的陣列側基板的變例的圖。
圖77是示出作為本發明第2-7-6實施形態的液晶元件的主要部分的陣列基板側的圖。
圖78是示出本發明第2-8-1實施形態的主要部分的結構圖。
圖79是示出采用本發明的反射型液晶顯示裝置的主要部分的結構圖。
圖80是采用本發明的液晶光邏輯元件的結構圖。
圖81是采用本發明的LE顯示器的結構圖。
圖82是示出本發明第1-2-1實施形態的變例的圖。
圖83是示出本發明的第2大發明組的各實施形態的變例的圖。
符號的說明1 陣列基板2 對置基板26 對置基板側電極201 密封樹脂帶202 封口用樹脂2021厭氣性的封口用樹脂211 封口部的夾具212 封口部的栓213 封口部的螺釘214 封口部的螺孔3 液晶(層)4 像素電極41 存儲電容電極(部)5 公用電極(對置電極)51 公用電極6 信號布線(源線)7 掃描布線(柵線)8 絕緣層(膜)
80 沒有絕緣膜的部分81 絕緣層(膜)82 沒有絕緣膜的部分9 取向膜91 使用或含有發泡劑的離子回收兼取向用的樹脂10 保護膜(兼絕緣膜等)100保護膜(兼絕緣膜等)11 濾色片12 黑矩陣、遮光層123導電性樹脂膜13 透明導電膜14 接觸孔15 異物151封口樹脂中的空氣16 半導體層17 薄膜晶體管171二極管18 漏19 光致抗蝕劑191殘留的光致抗蝕劑20 曝光掩模21 摩擦用輥30 中和電極60 基板間隔保持用突起物70 刷子發明的實施形態下面依據其實施形態對本發明進行說明。{第1大發明組}本大發明組由2個發明組組成，涉及密封液晶注入口的樹脂。(第1發明組)
本發明組涉及使密封液晶注入口所用的紫外線固化性等的樹脂的內部不進入氣泡。
(第1-1-1實施形態)(這里所謂1-1-1實施形態系指第1大發明組的第1發明組的第1實施形態。)本實施形態是作為密封液晶注入口用的紫外線固化樹脂，選擇粘度低的樹脂。粘度一低，在注入口涂敷樹脂時帶入氣泡的可能性就減少。特別是若為20Pa·s以下的粘度，則幾乎不帶入氣泡，因而較好。
第2，采取在注入口涂敷紫外線固化樹脂時用紅外線(I.R.)等對基板側加熱，或者在涂敷樹脂后僅對樹脂或整個基板加熱等方法進行加溫，具有實質上使樹脂粘度降低的效果。另外，如果通過這樣的加溫，樹脂的粘度達到了20Pa·s以下，則幾乎不帶入氣泡，因而較好。
第3，也可預先在適當的溫度下，例如70℃～80℃，加熱紫外線固化樹脂，使其粘度降低后進行涂敷。如果加熱溫度過高，則樹脂開始固化，所以要在80℃～90℃以下，雖說是因樹脂而異，從操作方面看最好是在50℃，更好一些是在40℃為宜。另外，加熱后的樹脂的粘度在20Pa·s以下為宜。
第4，用現有的方法涂敷紫外線固化樹脂，在帶入氣泡之后對整個基板或樹脂部分給予加速度(g)，使之產生重力。作為這種方法，有使用例如洗衣機的脫水機那樣旋轉的裝置的方法，也可不用這種方法。借助這樣的操作，除氣泡、異物外還有水分向與加速度方向相反的方向移動而消失。
另外，這時為保持上下基板的間隔最好是不用玻璃球或玻璃纖維，而是使用光刻法在一塊基板上，竭力避開TFT部，制作固定在黑矩陣部的正下方(從用戶看為背面側)而形成的間隔保持用支撐柱。
第5，也可用現有的方法涂敷紫外線固化樹脂，在帶入氣泡之后對整個基板或樹脂部分施加振動以消除氣泡。另外，作為這時的施加振動的方法，如果使用超聲(U.W.)或兆赫級聲波(M.W.)是更為有效。
另外，這時如預先加熱基板，由于樹脂的粘度降低，因而更好。
第6，也可用現有的方法涂敷紫外線固化樹脂，在帶入氣泡之后用硬物、纖維、刷子70之類的物體接觸氣泡部分以除去氣泡。
第7，用現有的方法涂敷紫外線固化樹脂，在帶入氣泡之后用真空泵等對整個基板或樹脂部分抽真空(V)，使其暴露在低于大氣壓的環境中，例如0.1個大氣壓下。這樣，氣泡的直徑會變大，最后破裂而使氣泡消失。
第8，用現有的方法涂敷紫外線固化樹脂，在帶入氣泡之后用布等對樹脂輕輕擦拭一次。這樣做，注入口附近的玻璃表面就留下不存在空氣的薄薄的樹脂，并且樹脂被埋入2塊玻璃基板的縫隙間。然后如果再涂敷紫外線固化樹脂時，則樹脂的涂敷性能變得非常良好，不留下氣泡。另外，也可反復進行此工序。
如圖11所示，用上述的各種方法在注入口涂敷紫外線固化樹脂202后，一照射紫外線，則紫外線固化樹脂內完全不混入氣泡，因此，紫外線大致均勻地照射(但是有衰減)紫外線固化樹脂而不產生大的折射，使全部樹脂完全固化。
這樣制作的液晶元件，作為其初始特性顯示出99％的電壓保持率，而且經高溫(70℃)試驗確認能穩定10000小時，另外連續驅動試驗也確認經10000小時其特性無變化。
(第2發明組)(第1-2-1實施形態)本實施形態是對圖2所示的液晶封入后的密封用樹脂使用厭氣性樹脂，利用薄板加壓取代紫外線照射，使樹脂固化。
另外，后面將參照附圖對本實施形態的變例進行說明。
{第2大發明組}本第2大發明組涉及防止橫向電場方式的液晶元件中的黑點狀斑點的發生。
(第1發明組)本發明是為了防止黑點狀斑點的發生，使在基板上形成的電極等的上部(液晶側)的絕緣膜、兼作絕緣膜的保護膜等的厚度減薄。
下面對本發明組的各發明進行說明。
(第2-1-1實施形態)(所謂第2-1-1，意味著第2大發明組的第1發明組的第1實施形態。)
下面參照附圖對本實施形態進行說明。
在圖12中示出了本實施形態的液晶元件。如該圖所示，該液晶元件具有像素電極4和公用電極5，這些電極產生的電場大致平行于在陣列側基板1的整個面上形成的絕緣膜81的表面，在由像素電極4、公用電極5或信號布線6等構成的金屬層(嚴格地說，有時是由ITO等非金屬構成的電極。另外，原則上是在金屬線、金屬電極間，在距基板面的同一高度上存在絕緣物質、取向膜的下部。)與液晶層3之間，作為與上述金屬層、液晶層不同的第3層，存在絕緣層8和取向膜9(嚴格地說，在圖12中是絕緣層的上部和取向膜)，并存在有該絕緣層8和取向膜9的總厚度小于500的區域。更為詳細地說，也有在像素電極4、公用電極5、信號布線6等電極的上、下進行制造的情形，并且還存在另外的通常絕緣膜81、保護膜(未圖示)等。而且，作為存在于這些液晶層和金屬層之間的第3層的絕緣層、取向膜等的總厚度非常薄，以在1000以下，最好是小于500為宜。再有，在圖中為400。
這是由于發生黑斑點缺陷的原因在于離子類成分的局部集中導致的電壓保持率降低，從而借助于經電極對集中的離子類進行回收來消除黑斑點缺陷的緣故。亦即，使電極上的絕緣層、取向膜的厚度盡可能地減薄，使得借助于電極，通過它們或從它們的微孔中吸取集中的離子類變得容易。另外，該小于500的薄的區域無需在電極的整個面上形成，局部也可存在小于500之處。但是不言而喻，該區域越多或者越大，效果越好。另外還有，取向膜、并且特別是絕緣層的任何一種也可做成多層結構。
除上述之外，雖然由于圖形復雜并且不畫自明的關系，沒有特地進行圖示，但在陣列側基板上還是以矩陣狀設置了TFT等開關元件，信號布線包括向開關元件提供影像信號的影像信號布線和控制開關元件的掃描信號布線。而且，TFT與掃描信號同步地向像素電極傳送由影像信號布線而來的影像信號電壓。另外，為了在TFT關斷期間保持像素電極的電壓，設置了存儲電容器。并且存儲電容器的一個電極與像素電極相連接。而且，作為回收上述離子類的電極可以是包括存儲電容器電極在內的在基板上形成的任何電極。另外，作為回收離子類的電極雖然采用了電極、信號布線，但如果特別是像素電極4或公用電極5，則總電極面積增大，而且可容易局部地形成絕緣層和取向膜的總膜厚小于500的區域。進而，如果使像素電極、公用電極這兩種電極之上的絕緣層和取向膜的總厚度都小于500，則回收離子類的電極面積增加，這就更好了。
(第2-1-2實施形態)本實施形態的液晶元件是缺少一部分取向膜的情形。
如圖13所示，在本液晶元件中，在像素電極4、公用電極5或信號布線6與液晶層3之間只有絕緣層8存在，并且存在有該絕緣層的厚度小于500的區域。即雖然在像素電極4、公用電極5、信號布線6等電極上存在絕緣膜，并且還有在其上的用于控制液晶取向的取向膜，但在本圖中，在像素電極4上，局部地存在沒有該取向膜的區域，而且該部分的絕緣層或絕緣膜和通常的絕緣性保護層的厚度小于500。這時由于通過將電極上的絕緣層減得更薄，和設置局部地消除絕緣膜的區域，可以比上述的實施形態更容易借助于電極吸取集中的離子類。
另外，與上述實施形態一樣，該小于500的薄的區域無需在電極的整個面上形成，但是該區域越多效果越好。另外，絕緣層也可做成多層，電極可以是存儲電容器電極、像素電極、公用電極、信號電極。
另外，在本圖中雖未示出，當然是最好在黑矩陣的下部等與開口率、顯示特性無關的區域進行設置。
另外，沒有該取向膜的部分，最好是制作在對置基板的黑矩陣(圖中未示出)的正下方，或者另外用紫外線照射，在給電極以取向性而不擾亂液晶取向的狀態下制成極細的帶狀或點狀(針孔狀)。為此，也可以進行如下事項相對于黑矩陣的位置進行調整，或者使用具有這樣取向性的物質作電極，或者用光刻法形成針孔等。
(第2-1-3實施形態)本實施形態是電極等僅經取向膜9與液晶層相接的情形。
在圖14中示出了本實施形態的液晶元件。如該圖所示，在該液晶元件中，在像素電極4、公用電極5或信號布線6與液晶層3之間只存在取向膜9，并且存在其厚度小于500(在圖中為300)的區域。再詳細地說，在像素電極4、公用電極5或信號布線6等上，雖然通常存在絕緣膜或保護膜，但這里局部地存在沒有這些膜的區域，在該部分只有取向膜，而且其厚度小于500。
據此，與上述實施形態一樣，可以經電極回收集中的離子類，消除黑斑點缺陷。亦即，將電極上的取向膜減得更薄。
(第2-1-4實施形態)本實施形態是一部分(一類)電極等不經絕緣層、取向膜等而直接與液晶層相接的情形。
在圖15中示出了本實施形態的液晶元件。如該圖所示，在該液晶元件中，存在像素電極4、公用電極5或信號布線6與液晶層3直接接觸的區域(圖中為像素電極)。再詳細地說，雖然通常在像素電極、公用電極或信號布線等上存在絕緣膜或保護膜，但這里形成了完全不存在這些層、膜的區域。據此，由于設置了電極等與液晶直接相接的區域，所以比上面的幾種實施形態更容易將集中的離子類吸取至電極上。
(第2-1-5實施形態)本實施形態涉及上述各實施形態的液晶元件的制造方法。
作為其中(這些實施形態)之一，以有不存在取向膜的區域的實施形態的情形為例進行說明。
本發明的液晶元件的制造方法其特征在于，包括在涂敷取向膜工序之后除去一度涂敷過的取向膜的一部分，或使其脫落的工序。此外，在陣列側基板上除形成各電極、TFT外，還形成絕緣膜，或者形成取向膜的工序本身與通常的橫向電場方式的液晶元件的沒有不同。因此，關于它們的說明從略。
作為除去一度形成過的取向膜，或使其脫落的工序的具體內容，有如圖16所示的以下這樣的手段和方法。
(1)用干法刻蝕或濕法刻蝕使基板的整個面上的取向膜減薄。
在本(1)中，在O3(臭氧)中刻蝕除去由采用旋轉涂敷法使其表面與基板面平行地涂敷的有機物構成的取向膜9，其結果使得有電極等存在的部分的取向膜的厚度減薄。
(2)用光刻法減薄，或除去僅在規定區域的取向膜。
在本(2)中，使用了光致抗蝕劑19和曝光掩模20。而且，僅減薄了電極上部的取向膜。
(3)用人造絲或棉布擦拭取向膜表面，借助于摩擦強制地局部剝離取向膜。另外，當這時的摩擦擠入量在0.5mm以上時，施加了對取向膜來說是較強的力，因而容易剝離。
在本(3)中，涂敷后位于電極上的取向膜呈突出的形狀，因此，只是該部分被摩擦用輥21強力地擠入。
除上述之外，還有利用取向膜的材料或擠壓力，不是嚴格的剝離，而是產生微小的傷痕或針孔的方法，也可以用這類方法。
(第2發明組)本第2發明組在于形成中和電極。
下面參照附圖對本發明組的液晶元件進行說明。
(第2-2-1實施形態)在圖17中示出了本實施形態的液晶元件的陣列側的平面，在圖18中示出了圖17的A-A剖面圖。
該液晶元件，當與圖4～6所示的現有技術的液晶元件進行比較時，具有中和電極30這一點是很大的不同。
本實施形態的液晶元件是畫面的對角線長度為15.2英寸、長寬比為16∶9、分辨率為縱768×橫1364RGB的IPS模式TFT液晶顯示面板，該面板并液晶元件用如下的方法制作。
在兩圖，特別是圖18中，在以玻璃基板為基礎的陣列基板1上，對柵極信號布線7、公用布線5、公用電極5，在用以鋁為主成分的金屬膜成膜后，通過用光刻法只留下必要的部分，以同一平面狀制作圖形。還有，柵極信號布線的材料雖然最好是布線電阻低的金屬，但并不特別限于鋁類金屬，此外，理所當然地可以是單層膜，也可以是多層膜。
其次，在淀積鋁膜的陽極氧化層和氮化硅(SiNx)作為絕緣膜8，淀積無定形硅作為半導體層17之后(在兩圖中未作詳細圖示)，除去柵極信號布線7上的一部分絕緣層，用濺射法淀積鋁/鈦(Al/Ti)兩層，再用光刻法形成作為開關元件的薄膜晶體管(TFT)17、源極信號布線6、像素電極4的圖形，并同時在像素電極與公用布線間形成存儲電容器41(在圖18中未作圖示)。進而如圖18所示，在用CVD法淀積氮化硅(SiNx)10作為保護層(膜)10后，在其上層形成以鋁為主成分的金屬膜作為中和電極30，再用光刻法沿柵極信號布線7形成圖形，另外，在顯示區域外形成各中和電極相連接的狀態。此外，在其上部還形成薄的絕緣膜9。
在這樣形成的陣列基板1，以及與該陣列基板相向、形成有黑矩陣12和紅、綠、藍(R、G、B)濾色片11的取向(濾色片)基板2的相向面側，印刷形成取向膜9(AL5417JSR制)，并在進行摩擦后以盒隙為3.5μm的間距將兩基板貼合，然后向其內部真空注入液晶3形成IPS面板。另外，注入的液晶是作為p型成分，以苯基環己烷取代氰基為主成分的p型向列液晶。在不施加電場時液晶在上下基板間呈不具有扭曲性的取向，其向矢方向與柵極信號布線7成80度角。另外，因與本發明的宗旨無直接關系而未進行圖示的偏振片，在基板的上下以偏振軸相互正交、且其中一片偏振片的偏振軸與液晶的向矢方向一致的方式貼附。
在以如上方式制作的液晶顯示面板中，與進行激光修補一樣，對柵極信號布線部分照射激光束，使柵極信號布線部分向液晶層露出。
將驅動電路連接到該基板上，在60℃環境溫度的中連續工作300小時，直至約300小時未發現由柵極信號布線上的絕緣層缺損部分導致的黑點斑點的發生，在300小時時則發現有微小的黑點斑點的發生。在本實施形態中，由于在像素電極和源極信號布線上不存在絕緣層，電極暴露了出來，所以即使在柵極信號布線上的絕緣層上有缺損部分也能將黑點斑點的發生抑制到最低限度。
另外，在本實施形態中，雖然用以鋁為主成分的金屬形成中和電極，但也可以用ITO等電極材料形成。
另外，在圖17中雖然在源信號布線6上也形成了中和電極30，但也可如局部地示于圖19(1)中的那樣，以只在柵極信號布線7上形成、在顯示區域外各中和電極相互連接的方式形成。這時，能夠消除在源極信號布線與中和電極之間形成的寄生電容，能夠抑制源極信號的延時。
另外，也可如局部地示于圖19(2)的那樣，使中和電極30偏離柵極信號布線7而形成。這時，能夠減小在柵極信號布線與中和電極之間形成的寄生電容，能夠抑制柵極信號的延時。關于在柵極信號布線和中和電極的層間形成的保護層，從抑制寄生電容、降低針孔的產生概率的觀點出發，以形成得厚些為好，可以是2000以上，最好是3000以上的厚度。
另外，作為中和電極也可用以金屬鉻、聚吡咯等導電性高分子為主體的具有遮光性的材料形成，使其對柵極信號布線7與公用電極3之間的間隙、源極信號布線與公用電極之間的間隙進行遮光，如圖20所示。這時沒有必要形成濾色片基板上的黑矩陣，因而可以減少工時，降低成本。
另外，由于形成中和電極，嚴格地說，在取向膜表面產生了凹凸。因此，可以選用在紫外線照射下變得具有取向性的樹脂。
(比較例1)作為比較例，制作了僅僅是在像素部的整個面上淀積氮化硅(SiNx)作為保護層之后不形成中和電極這一點上與本實施形態的液晶顯示面板不同的液晶顯示面板。另外，該面板的像素部的陣列形狀的平面與圖4所示的相同，其剖面與圖5所示的相同。
另外，很自然，在該比較例中，為了按范本方式制成柵極信號布線上的絕緣層的缺損部分，對柵極信號布線部分照射了激光光束，除去了柵極信號布線部的一部分絕緣層。
將驅動電路連接到該面板上，使其在60℃的環境溫度中連續驅動，結果發現在20小時時有由柵極信號布線上的絕緣層的缺損部分導致的黑點斑點的發生。
在本比較例中，由于在柵極信號布線上的絕緣層缺損部分附近其他電極全部被絕緣層覆蓋，所以認為會在比較短的時間內產生黑斑點。
(第2-2-2實施形態)在將驅動電路連接至以上述的第1實施形態(以下在這種場合下省略掉“第2-2-”)制成的液晶顯示面板的同時，將中和電極的一端與該驅動電路的電源電路連接，并施加+6V的電位。使該基板在60℃的環境溫度中連續工作至500小時，未發現由柵極信號布線上的絕緣層的缺損部分導致的黑點斑點的發生。
(第2-2-3實施形態)在本實施形態中，在對置基板側形成了中和電極。
因此，除形成中和電極外，制作了與上面的第1實施形態相同的陣列基板。然后在與該基板相向的濾色片基板2的黑矩陣12上，用與上述實施形態相同的方法形成中和電極30的圖形。進而，在該兩基板的相向面側，印刷形成取向膜(AL5417JSR制)，并進行摩擦，之后用與上述實施形態相同的工序制作。另外，與進行激光修補一樣，同樣地對柵極信號布線部分照射激光光束，使柵極信號布線部分向液晶層露出。
在將驅動電路連接至該面板的同時，將中和電極的一端連接至驅動電路的電源，并施加+6V的電位。使該液晶顯示面板在60℃的環境溫度中連續驅動至500小時，未發現由柵極信號布線上的絕緣層的缺損部分導致的黑點斑點的發生。
在本實施形態中，由于形成了中和電極，所以即使有柵極信號布線上的絕緣層的缺損部分存在，也能防止黑點斑點的發生。另外，在本實施形態中，由于沒有將中和電極形成在陣列基板側，而是形成在濾色片基板側，所以可以幾乎不使柵極信號布線或影像信號布線的寄生電容增加而得到無信號延時的液晶顯示面板。
另外，在本實施形態中，雖然在源極信號布線上也形成了中和電極，但也可如局部地示于圖22(1)的那樣，只在柵極信號布線7上，或只在它的方向上形成。此外，雖然是另外在黑矩陣上形成了中和電極，但也可如局部地示于圖22(2)的那樣，以導電性材料，例如金屬鉻、聚吡咯等導電性高分子為主體形成黑矩陣，以黑矩陣12本身作中和電極。這時，由于沒有必要另外形成中和電極，所以可以減少工時，降低成本。
(第3發明組)本發明組組合了絕緣膜等的開口部和相向側的中和電極。
(第2-3-1實施形態)圖23是本實施形態的液晶面板的陣列基板側的平面圖。
圖24(1)是圖23的A-A剖面圖，(2)是B-B剖面圖，(3)是C-C剖面圖。
下面對兩圖所示的液晶面板進行說明。
以下雖然多為所謂的熟知技術，但因也存在與本發明有關的方面，所以對包含TFT在內的其制造方法簡單地進行說明。
在玻璃基板1上，作為金屬布線形成矩陣狀的影像信號線(源線)6和掃描信號線(柵線)7，在其交點處作為有源元件(開關元件)形成了半導體層(TFTThin Film Transistor，薄膜晶體管)。
用Al之類的金屬在玻璃基板1上有選擇地(在規定位置上)形成柵電極7和公用電極5。
其次，用等離子體CVD法依次形成3000厚的、構成第1柵絕緣膜以及保護膜10的SiNx，形成500厚的、構成晶體管的溝道部的半導體層(無定形硅層)，形成1500厚的、構成刻蝕中止層兼保護膜100的SiNx。這時如圖24(3)所示，作為晶體管溝道部的形成方法，形成比柵電極小的柵電極上的絕緣膜SiNx作為腐蝕中止層，再用等離子體CVD法在其上形成500厚的、含磷的n+無定形硅層，得到歐姆結(n+為高濃度摻雜，n型雜質的添加比例高)。
其次，在形成電極等的邊緣部分形成接觸孔，實現與布線部分接觸。
其次，用Al/Ti等金屬4000的厚度形成信號布線(源線)6、漏線、像素電極4。
之后，為保護布線，用等離子體CVD法形成3500厚的SiNx作為第2絕緣膜(鈍化膜)或保護膜10。
可是這時，在將基板清洗之后，借助于利用轉盤涂敷抗蝕劑，進行掩模曝光，有選擇地(在部分區域上)形成第2絕緣膜(鈍化膜)10，使得在像素部分存在未形成絕緣膜(或保護膜10)的一部分的區域80。具體而言，如圖23的中央或圖24(1)所示，在存儲電容器4上的部分區域80上不形成第2絕緣膜(鈍化膜)10。
然后在進行顯影、烘干，并借助于RIE(reactive ion etching反應性離子刻蝕)進行干法刻蝕后除去抗蝕劑。
其次，在附有濾色片11的對置的玻璃基板2側的黑矩陣12部分形成Al電極30作為中和電極。
在該Al電極上有選擇地(僅在部分區域上)形成SiNx作為絕緣膜。這時，除去部分絕緣膜，使得可以對在對置電極側產生的離子進行非離子化。
圖25是示出對置的玻璃基板側的結構的上表面圖。
圖26(1)是圖25的A-A剖面圖，(2)是B-B剖面圖。在該圖26中，82是對置基板側的絕緣膜，820是位于中和電極兼黑矩陣12的正下方的它的一部分缺損部。另外，9是取向膜，10是保護膜，11是濾色片。
其次，在附有濾色片11的對置的玻璃基板2和有陣列形成的基板1上印刷取向膜9(AL5417JSR制)，并使其固化，對其進行摩擦。
其次，在玻璃基板的邊緣部印刷密封樹脂(Stract粘結劑三井東壓制)。在密封樹脂中摻入4.0μm的玻璃纖維(日本電氣硝子制)作為襯墊。
之后，為保持基板間隔，在顯示區域內散布直徑為3.5μm的樹脂球(Eposter-GP-HC日本觸媒(株)制)作為襯墊。
之后，將兩基板貼合在一起，在150℃下加熱2小時使密封樹脂固化。
用真空注入法(借助于將空面板置于減壓后的槽內，使空面板內為真空之后，讓注入口與液晶接觸，并使槽內恢復至常壓，而將液晶注入面板內的方法)向以如上方法制作的空面板中注入介電常數各向異性為正的液晶3。
(表1)中示出了所用的液晶及其電阻率。
(表1)

之后，用光固化性樹脂(Locktite 352A日本Locktite制)作為對液晶面板注入口的封口樹脂在整個注入口進行涂敷，再以10mW/cm2的光照射5分鐘使封口樹脂固化。
之后，在這些基板的上下(玻璃基板的外側)粘貼偏振片(NPF-HEG1425DU日東電工制，無圖示)。
作為比較例，制作了(表2)所示的的面板。
(表2)

在比較例1、2中，由于用于使集中在柵極電位的離子非離子化的電極未露出，故黑點狀斑點大。
在比較例3中，陣列基板的絕緣膜雖未除去，但在對置基板側形成了用于非離子化的電極，因此黑點狀斑點雖比比較例1、2減小，但還不十分小。
在比較例4、5中，由于除去了陣列基板的絕緣膜，所以能夠在某種程度上使集中在柵極電位的離子非離子化，但是由于在對置基板側未形成用于非離子化的電極，或者對置基板側的電極未露出，所以黑點狀斑點雖比比較例1、2減小，但還不十分小。
在本實施形態中，由于除去了陣列基板側的絕緣膜，并且還在對置基板側形成了用于非離子化的電極，故而黑點狀斑點能夠被抑制得十分小，達0.1mm以下。
另外，在圖27中概念性地示出了本實施形態和比較例的不同。
用激光照射這些面板的柵極部分，使柵極電位露出，再將其置入70℃的高溫槽中驅動12小時后，進行了中間色調顯示以作為評價。
將對置基板側的中和電極的電位設定得與陣列基板側的公用電極同電位。
其結果如表2所示，在比較例1、2中，由于用于使集中在柵極電位的離子非離子化的電極未露出，故黑點狀斑點變大。
在比較例3中，陣列基板的絕緣膜雖未除去，但在對置基板側形成了用于非離子化的電極，因此黑點狀斑點雖比比較例1、2減小，但還不十分小。
在比較例4、5中，由于除去了陣列基板的絕緣膜，所以能夠在某種程度上使集中在柵極電位的離子非離子化，但是由于在對置基板側未形成用于非離子化的電極，或者對置基板側的電極未露出，所以黑點狀斑點雖比比較例1、2減小，但還不十分小。
在本發明中，由于除去了陣列基板側的絕緣膜，并且還在對置基板側形成了用于非離子化的電極，故而黑點狀斑點能夠被抑制得十分小，達0.1mm以下。
另外，由表1可知，通過使液晶的電阻率小于1013Ω·cm，可以得到無顯示圖像長時間保留的良好顯示。
(第2-3-2實施形態)在圖28中示出了本實施形態的液晶面板的對置玻璃基板側的結構。
該圖的(1)是平面圖，(2)是(1)的剖面圖。
在上面的實施形態中，除去了對置基板側的中和電極上的一部分絕緣膜，而在本實施形態中，在對置基板側的黑矩陣兼中和電極12上完全不形成絕緣膜。
其他方面與上面的實施形態相同。
在做成如本圖那樣時，由于在中和電極上完全沒有絕緣膜形成，所以與上面的實施形態相比，更能抑制黑點狀斑點的發生。
在本實施形態等中，雖然如圖23那樣除去了存儲電容器上的像素電極上的絕緣膜，但也可以如圖29和30所示，除去信號布線電極6上(在圖中為上下方向)，或像素電極4上(在圖中為像素的中央部分)，或在以跨這些電極等的方式的其他組合上的除去部分80。
另外，也可如圖31所示，將公用電極5形成在比像素電極4還要靠上處，除去公用電極上的一部分絕緣膜。
另外，也可如圖32所示，將公用電極5和像素電極4形成在同一層上，除去其上的一部分絕緣膜。
另外，在本實施形態等中，作為在對置基板側形成的電極，雖然如圖25和28所示，在黑矩陣部以矩陣狀形成，但也可以如圖33(1)所示，只在箭頭所示的與信號布線電極6對應的方向、部分，或同樣地如該圖33(2)所示，只在與掃描布線7對應的部分、方向等處形成，也可如圖34所示，形成為島狀。
(第2-3-3實施形態)在上面的2個實施形態中，作為除去第2絕緣膜的部位，只是除去存儲電容器上的一部分，而在本實施形態中，如圖35(1)所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成第2絕緣膜(鈍化膜)10(即，如(2)所示，在像素電極4上完全不形成絕緣膜)。其他方面與前面的實施形態相同。
在圖35中示出了本實施形態的液晶面板的結構。
該圖的(1)是平面圖，(2)是其剖面圖。
另外，在對置基板側，也如圖25所示，在中和電極上形成了一部分絕緣膜未形成的部位。
通過做成這樣的結構，由于在像素電極上完全沒有絕緣膜形成，所以與上面的2個實施形態相比，更能夠抑制黑點狀斑點的發生。
(第2-3-4實施形態)在本實施形態中，與上面的實施形態不同，未在對置基板側形成絕緣膜，其他方面與上面的實施形態相同。
即，在對置基板側如圖28所示，不形成絕緣膜，在陣列基板側如圖35所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成第2絕緣膜(鈍化膜)10(即，在像素電極4上完全不形成絕緣膜)。
通過這樣制作，由于在像素電極上和對置基板側的黑矩陣兼中和電極上完全沒有形成絕緣膜，所以與上面的3個實施形態相比，更能夠抑制黑點狀斑點的發生。
在本實施形態和上面的實施形態中，也可將對置基板側制成如圖33和圖35所示的那樣，另外，在陣列基板側，也可如圖36所示在掃描布線電極上或信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜10。
(第2-3-5實施形態)在圖37中示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在上面的實施形態中，在玻璃基板上形成了掃描線和公用電極，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上形成了半導體層、信號線、像素電極，而在本實施形態中，在玻璃基板上形成了信號線、漏極、像素電極、半導體層，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上有選擇地形成了掃描線和公用電極。
即，在上面的第3實施形態中，在部分像素電極上無絕緣膜，在公用電極上形成了絕緣膜，而在本實施形態中，在像素電極上形成了絕緣膜，在公用電極上未形成絕緣膜。
另外，對置基板的形成與第1實施形態的相同。
另外，在對置基板側，如圖25所示，在中和電極或中和電極兼黑矩陣上形成了一部分絕緣膜未形成的部位、區域。
由于借助于這樣除去公用電極上的絕緣膜和對置基板上的中和電極上的一部分絕緣膜，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有黑點狀斑點的、有良好顯示品質的液晶面板。
(第2-3-6實施形態)在上面的第5實施形態中，在對置基板側設置了有絕緣膜形成的部位，而在本實施形態中，不形成絕緣膜。其他方面與上面的第5實施形態相同。
即，在對置基板側如圖28所示，不形成絕緣膜，在陣列基板側如圖37所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成絕緣膜(鈍化膜)(即，在公用電極上完全不形成絕緣膜)。
通過這樣制作，由于在公用電極上和對置基板側的中和電極上完全沒有絕緣膜形成，所以與上面的第5實施形態相比，更能夠抑制黑點狀斑點的發生。
在本實施形態和上面的第5實施形態中，也可將對置基板側制成如圖33和圖34所示的那樣。另外，在陣列基板側，除了如圖38所示在掃描布線電極上形成保護膜或兼作保護膜的絕緣膜10外，也可在信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜。
(第2-3-7實施形態)在圖39中示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在前面的第3實施形態中，在玻璃基板1上形成了掃描線和公用電極，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上形成了半導體層、信號線、像素電極，而在本實施形態中，在玻璃基板1上形成了信號線6、漏極、像素電極4、半導體層，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上有選擇地形成了掃描線7、公用電極5和像素電極4。
即，在本實施形態中，在同一層上形成像素電極和公用電極一事與第1實施形態相同。
在對置基板側，如圖25所示，在中和電極上形成了一部分絕緣膜未形成的部位。
由于借助于如此除去像素電極上和公用電極上的絕緣膜，以及對置基板上的中和電極上的一部分絕緣膜，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有黑點狀斑點的、有良好顯示品質的液晶面板。
(第2-3-8實施形態)在上面的第7實施形態中，在對置基板側設置了有絕緣膜形成的部位，而在本實施形態中，在對置基板側不形成絕緣膜。其他方面與上面的實施形態相同。
即，在對置基板側如圖28所示，不形成絕緣膜，在陣列基板側如圖39所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成絕緣膜(鈍化膜)(即，在公用電極上完全不形成絕緣膜)。
根據這樣的結構，由于在公用電極上和對置基板側的中和電極上完全不形成絕緣膜，所以與上面的實施形態相比，更能夠抑制黑點狀斑點的發生。
另外，在本實施形態等中，對置基板側也可是如圖33和圖34所示的形狀，另外，在陣列基板側，也可如圖40所示在掃描布線電極上或信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜。
(第4發明組)本發明組是以除TFT部分外的最上部(液晶層側)的金屬層(電極信號線)為開口部。
(第2-4-1實施形態)在圖41中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
該圖的(1)是平面圖，(2)是它的A-A剖面圖。(3)是B-B剖面的陣列基板側的圖。(4)是其(同樣的)C-C剖面的陣列基板側的圖。另外，B-B剖面和C-C剖面的對置基板與A-A剖面的相同，因此圖示從略。
下面參照該圖對該液晶面板進行說明。
在玻璃基板1上，作為金屬布線形成了矩陣狀的影像信號線(源線)6和掃描信號線(柵線)7，在其交點處作為有源元件(開關元件)形成了半導體層(TFT)16。
關于其形成，首先，(最初)用Al之類的金屬在玻璃基板1上有選擇地形成柵電極7和對置電極5。
其次，用等離子體CVD法依次形成3000厚的、構成第1柵絕緣膜8的SiNx，形成500厚的、構成晶體管的溝道部的半導體層(無定形硅層)，形成1500厚的、構成刻蝕中止層的SiNx。
這時，如圖41(4)所示，作為晶體管溝道部的形成方法，形成比柵電極小的柵電極上的絕緣膜SiNx作為刻蝕中止層，再用等離子體CVD法在其上形成500厚的、含磷的n+無定形硅層，得到歐姆結(n+為高濃度摻雜，n型雜質的添加比例高)。
其次，在形成電極等的周邊部分形成接觸孔，實現與布線部分接觸。
其次，用Al/Ti等金屬形成4000厚的信號布線(源線)6、漏線、像素電極4。
之后，為保護布線，用等離子體CVD法形成3500厚的SiNx作為第2絕緣膜(鈍化膜)10。
將基板清洗后借助于利用轉盤涂敷抗蝕劑，進行掩模曝光，僅在作為開關元件的TFT的上部形成第2絕緣膜(鈍化膜)10(即，如圖41的剖面圖所示在像素電極4上不形成絕緣膜)。
之后，在進行顯影、烘干，并借助于RIE進行干法刻蝕后除去抗蝕劑。
另外，作為比較例，還制作了如圖42所示的在全部像素上形成第2絕緣膜的面板。
用激光照射這些基板的柵極部分，使柵極電位露出。
其次，在附有濾色片11的對置的玻璃基板2和有陣列形成的基板1上印刷取向膜9(AL5417JSR制)，并進行摩擦。
摩擦在沿陣列基板的信號布線(源線)6的方向進行，并以陣列基板1和濾色片基板2的摩擦方向相平行的方式進行。
其次，在玻璃基板2的邊緣部印刷密封樹脂(Stract粘結劑三井東壓制)。
在密封樹脂中摻入4.0μm的玻璃纖維(日本電氣硝子制)作為襯墊。
之后，為保持基板間隔，在顯示區域內散布直徑為3.5μm的樹脂球(Eposter-GP-HC日本觸媒(株)制)作為襯墊。
之后，將基板1和對置基板2貼合在一起，在150℃下加熱2小時使密封樹脂固化。
用真空注入法(借助于將空面板置于減壓后的槽內，使空面板內為真空之后，讓注入口與液晶接觸，并使槽內恢復至常壓，而將液晶注入面板內的方法)向以如上方法制作的空面板中注入介電常數各向異性為正的液晶3。
(表1)中示出了所用的液晶及其電阻率。
(表1)

之后，用光固化性樹脂(Locktite 352A日本Locktite制)作為對液晶面板注入口的封口樹脂在整個注入口進行涂敷，再以10mW/cm2的光照射5分鐘使封口樹脂固化。
在該基板1、2的上下(玻璃基板的外側)粘貼偏振片(NPF-HEG1425DU日東電工制)。
當將這些面板置入70℃的高溫槽中驅動12小時后，進行中間色調顯示以作評價時，與在全部像素上形成SiNx的現有液晶面板上從激光照射的部位產生顯示斑點相對照，在除去了像素電極上部的絕緣膜的面板中能夠觀察到沒有顯示斑點的良好顯示。
由于借助除去像素電極上部絕緣膜，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有顯示斑點的、顯示品質良好的液晶面板。
另外，由表1可知，通過使液晶的電阻率小于1013Ω·cm，可以得到無顯示圖像長時間保留的良好顯示。
還有，以往雖然在整個像素部形成了第2絕緣膜，但在取出電極的周邊部分未形成。因此，需要實現此目標的工序。而在本實施形態中，雖然在像素內形成了無第2絕緣膜形成的部位，但僅將現有的掩模加以改變就可以了，所以工序數未變。
(第2-4-2實施形態)在圖43中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
該圖的(1)是平面圖，(2)～(4)是剖面圖。另外，對置基板側的B-B剖面、C-C剖面與A-A剖面的相同。
在本實施形態中，除將第2絕緣膜81在TFT上和信號布線(源極布線)6上形成之外，與上面的實施形態相同。
關于摩擦的方向，沿陣列基板的信號布線(源線)6進行，并在陣列基板和濾色片基板上以摩擦方向相平行的方式進行。
通過制成該圖那樣的結構，能保護TFT和(源極)信號布線6。
另外，由于第2絕緣膜沿信號布線形成，摩擦也沿源極信號布線進行，所以在摩擦時絕緣膜不造成干擾，因而能得到良好的取向。
(第2-4-3實施形態)在圖44(1)中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在該圖中，81是TFT上的絕緣膜。除將該第2絕緣膜81在TFT17上和掃描布線(柵極布線)7上形成、摩擦方向以及液晶以外，與前面的第1實施形態相同。
通過制成這樣的結構，可以保護TFT和掃描布線7。
另外，由于第2絕緣膜81沿掃描布線7形成，摩擦也沿掃描布線進行，所以在摩擦時絕緣膜不造成干擾，因而能得到良好的取向。在第1實施形態中使用了介電常數各向異性為正的液晶，而在本實施形態中，借助于使用介電常數各向異性為負的液晶，可將摩擦方向定在掃描布線方向。
(第2-4-4實施形態)在圖44(2)中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在本實施形態中，除將第2絕緣膜81在TFT17上、信號布線(源極布線)6和掃描布線(柵極布線)7上形成以外，與第1實施形態相同。
通過制成這樣的結構，可以保護TFT、信號布線和掃描布線。
(第2-4-5實施形態)在圖45中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在該圖中，所有對置基板側皆與A-A剖面的相同。
在第1實施形態中，在玻璃基板1上形成掃描線和對置電極，在其上形成第1絕緣膜，再在其上形成半導體層、信號線、像素電極，再在其上局部地形成第2絕緣膜，而在本實施形態中，在玻璃基板上形成信號線6、漏極、像素電極4、半導體層16，在其上形成第1絕緣膜8，再在其上有選擇地形成掃描線7和對置電極5，再在其上局部地形成第2絕緣膜81。
即，在第1實施形態中，在像素電極4上無絕緣膜，在對置電極上形成了絕緣膜，而在本實施形態中，是在像素電極4上形成絕緣膜81，在對置電極5上不形成絕緣膜的結構。
通過這樣進行制造，由于集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有顯示斑點的、顯示品質良好的液晶面板。
(第2-4-6實施形態)在圖46(1)中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在本實施形態中，除將第2絕緣膜在TFT上和信號布線(源極布線)6上形成以外，與上面的第5實施形態相同。
關于摩擦的方向，也是在沿陣列基板的信號布線(源線)的方向進行，并以陣列基板和濾色片基板的摩擦方向為平行方向的方式進行。
通過這樣進行制造，可以保護TFT和信號布線。
另外，由于第2絕緣膜沿信號布線形成，摩擦也沿信號布線進行，所以在摩擦時絕緣膜不造成干擾，因而能得到良好的取向。
(第2-4-7實施形態)在圖46(2)中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在本實施形態中，除將第2絕緣膜在TFT上和掃描布線(柵極布線)7上形成、摩擦方向以及液晶以外，與前面的第5實施形態相同。
通過這樣進行制造，可以保護TFT和掃描布線。
另外，由于第2絕緣膜沿掃描布線形成，摩擦也沿掃描布線進行，所以在摩擦時絕緣膜不造成干擾，因而能得到良好的取向。
(第2-4-8實施形態)在圖47中，示出了本實施形態的液晶面板的結構。
在本實施形態中，除將第2絕緣膜在TFT上、信號布線(源極布線)和掃描布線(柵極布線)上形成以外，與前面的第5實施形態相同。
通過制成這樣的結構，可以保護TFT、信號布線和掃描布線。
另外，當未形成第2絕緣膜的部分過于小時，則集中在柵極電位部的離子回收不盡，所以未形成第2絕緣膜的部分有必要不在全部像素電極上或全部對置電極上形成。
另外，如果在像素電極和對置電極的任何一方上都不形成絕緣膜，則發生短路等問題，因此是不可以的。
(第5發明組)本發明組涉及在黑矩陣等上設置凹凸結構。
(第2-5-1實施形態)在圖48中示出了本實施形態的液晶元件的對置(濾色片側)基板側的結構。
下面參照該圖對該液晶元件進行說明。
另外，陣列基板側用圖4所示的與現有方法相同的方法制作。
即，在玻璃基板1上，作為金屬布線形成矩陣狀的圖像信號線(源極)和掃描信號線(柵極)，在其交點處形成半導體層(TFT)作為有源元件(開關元件)。
用Al之類的金屬在玻璃基板1上有選擇地形成柵電極和公用電極5。
其次，用等離子體CVD法依次形成3000厚的、構成第1柵絕緣膜的SiNx，形成500厚的、構成晶體管的溝道部的半導體層(無定形硅層)，形成1500厚的、構成刻蝕中止層的SiNx。這時，作為晶體管溝道部的形成方法，形成比柵電極小的柵電極上的絕緣膜SiNx作為刻蝕中止層，再用等離子體CVD法在其上形成500厚的、含磷的n+無定形硅層41，得到歐姆結(n+為高濃度摻雜，n型雜質的添加比例高)。
其次，在形成電極等的周邊部分形成接觸孔，實現與布線部分接觸。
其次，用Al/Ti等金屬形成4000厚的信號布線(源線)6、漏線、像素電極。
之后，為保護布線，用等離子體CVD法形成3500厚的SiNx作為第2絕緣膜(鈍化膜)。
然后，制成圖48(2)所示的、附有濾色片11的對置玻璃基板側的導電性黑矩陣部的一部分與取向膜相接的結構。進而在對置基板2的黑矩陣12上，如圖48(2)所示形成凹凸部以增大表面積，使得也能對在對置基板側產生的離子進行非離子化。
作為導電性黑矩陣的形成方法，將導電性金屬摻入樹脂中而形成。凹凸結構通過對該黑矩陣局部地兩次構制圖形、層疊而制成。
作為凹凸部的結構，制作了以凹部和凸部之差為0.1μm的方式形成的結構以及以凹部和凸部之差為0.3μm的方式形成的結構2種。本圖的(2)示出了表示凹凸部的結構的圖解式圖。
通過這樣制作，黑矩陣的實際表面積，與不形成凹凸的場合相比，分別為其約2倍和約6倍。
其次，在附有濾色片的對置玻璃基板2和有陣列形成的基板1的內表面(液晶)側印刷取向膜9(AL5417JSR制)，使之固化，并進行摩擦。
其次，在玻璃基板2的邊緣部印刷密封樹脂(Stract粘結劑三井東壓制)。在密封樹脂中摻入4.0μm的玻璃纖維(日本電氣硝子制)作為襯墊。
之后，為保持基板間隔，在顯示區域內散布直徑為3.5μm的樹脂球(Eposter-GP-HC日本觸媒(株)制)作為襯墊。
之后，將基板1和對置基板2貼合在一起，在150℃下加熱2小時使密封樹脂固化。
用真空注入法(借助于將空面板置于減壓后的槽內，使空面板內為真空之后，讓注入口與液晶接觸，并使槽內恢復至常壓，而將液晶注入面板內的方法)向以如上的方法制作的空面板中注入介電常數各向異性為正的液晶。在表1中示出了所用的液晶及其電阻率。(表1)

之后，用光固化性樹脂(Locktite 352A日本Locktite制)作為對液晶元件注入口的封口樹脂在整個注入口進行涂敷，再以10mW/cm2的光照射5分鐘使封口樹脂固化。
在兩基板的上下(玻璃基板的外側)粘貼偏振片(NPF-HEG1425DU日東電工制)。
作為比較例，制作了在對置基板側的黑矩陣上未形成凹凸的面板。
用激光照射這些面板的柵極部分，使柵極電位露出，再將其置入70℃的高溫槽中驅動12小時后，進行中間色調顯示以作評價。
將對置基板側的黑矩陣的電位設定得與陣列基板側的公用電極同電位。
其結果是，在本實施形態中，由于在黑矩陣上形成了凹凸，故回收離子的面積相應地增大，因而能夠將黑點狀斑點抑制得很小。
在以凹凸部之差為0.1μm的方式形成的結構中，黑點狀斑點的直徑在0.1mm以下，在以凹凸部之差為0.3μm的方式形成的結構中，黑點狀斑點完全不發生，與此相對照，在比較例中使用的面板中產生了3mm的黑點狀斑點。
另外，由表1可知，通過使液晶的電阻率小于1013Ω·cm，可以得到無顯示圖像長時間保留的良好顯示。
(第2-5-2實施形態)在圖49中，示出了本實施形態的液晶元件的陣列基板側的結構。
在圖50(1)和(2)中示出了其剖面。
在上面的第1實施形態中在對置基板側制作了黑矩陣12，而在本實施形態中則如圖50(3)所示，在陣列基板側制作了凹凸狀的黑矩陣12。其他方面與上面的第1實施形態相同。
通過這樣制作，由于在黑矩陣上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，進而能得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
在本實施形態中，制成了黑矩陣包圍像素的結構，但也可以如圖51所示僅在與掃描布線(柵線)7對應的部分形成，或僅在與信號布線(源線)6對應的部分形成。
另外，也可如圖52所示，形成島狀。還有，關于該矩陣，當然它也可以不只是在濾色片的各色彩用的像素之間存在，而且還是起保護TFT、防止光引起的誤動作等作用的遮光膜(層)。
另外，理所當然地，在與濾色片側基板的純粹黑矩陣相比凹凸寬度狹窄等的場合，不僅在本來就與液晶相接的上表面，而且也可在側面形成。
(第2-5-3實施形態)在圖53中示出了本發明的第2-5-3實施形態的液晶元件的結構。
在上面的第1實施形態中，在導電性黑矩陣上形成了凹凸，而在本實施形態中，則是在對置基板的黑矩陣部上形成外覆蓋層，在其上形成凹凸狀的中和電極30。然后使該凹凸狀的電極的電位成為與公用電極相同的電位。其他方面與上面的第1實施形態相同。
通過這樣制作，由于在電極上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
(第2-5-4實施形態)在上面的第3實施形態中，在對置基板側形成了凹凸狀的中和電極，在本實施形態中，由于除剖面的上下相顛倒外與圖53所示的大體相同，所以雖未特地進行圖示，但凹凸狀的中和電極是在陣列基板側形成的。其他方面與上面的第3實施形態相同。
在本實施形態中，由于在中和電極上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大(加寬)，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
亦即，由于集中在柵極電位部的離子向中和電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有黑點狀斑點的、顯示品質良好的液晶元件。
另外，在本實施形態中，中和電極是在像素電極、各信號布線之外另外形成的。
(第2-5-5實施形態)圖54(1)是示出現有的IPS的剖面結構的圖，(2)是示出作為現有的IPS的改進型在對置基板側形成電極的HS模式(HybridSwitching Mode，混合開關模式)的結構的剖面圖。
在這些模式中，也與IPS模式一樣產生黑點狀斑點。
在圖55中示出了本實施形態的液晶元件的結構。
下面對該圖所示的液晶元件的實施形態進行說明。
在前面的第3實施形態中，在對置基板側的黑矩陣部分形成了凹凸狀的中和電極30，而在本實施形態中，如圖55(2)所示，在黑矩陣以外的部分形成凹凸狀的中和電極。其他方面與前面的第3實施形態相同。
在本實施形態中，由于在電極上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
另外，在本實施形態中，雖然未在黑矩陣部分形成電極，但也可如圖56所示，在該部分形成電極。另外，也可如圖57所示，僅將在黑矩陣部分形成的電極制成凹凸狀，或者如圖58所示，將在黑矩陣部分形成的電極和在其以外的部分形成的電極兩者都形成凹凸狀。
(第2-5-6實施形態)在上面的第5實施形態中，在對置基板側形成了凹凸狀的中和電極，而本實施形態是在陣列基板側形成凹凸狀的中和電極。其他方面與第5實施形態相同。
在本實施形態中，由于在電極上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
(第2-5-7實施形態)在圖59(1)中示出了本實施形態的液晶元件的剖面結構。
在上面的第5實施形態中，在對置基板側形成了凹凸狀的中和電極，而本實施形態是將對置基板側的黑矩陣形成凹凸狀。其他方面與第5實施形態相同。
在本實施形態中，由于在黑矩陣上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
除以上所述外，也可如圖59(2)所示，在對置基板側形成的中和電極30和黑矩陣12兩者之上形成凹凸。或者也可如(3)和(4)所示，在外覆蓋層上形成電極或黑矩陣。
(第2-5-8實施形態)在上面的第7實施形態中，在對置基板側形成了黑矩陣，而在本實施形態中是在陣列基板側形成，其他方面與第7實施形態相同。在本實施形態中，由于在黑矩陣上形成了凹凸，所以回收離子的面積增大，能夠得到不產生黑點狀斑點的良好顯示。
另外，在本發明組的實施形態中，作為凹凸的形成方法，雖然采用了局部地重復2次構制圖形、層疊的方法，但當然，凹凸也可以用吹砂器等形成細點，或用蒸發等其他方法形成。另外，如果采用半色調曝光，通過1次曝光也能形成高度不同的膜。
另外，理所當然，凹凸的形狀也可以是點狀，也可以是條形、圓形或多邊形之類的圖形。
(第6發明組)本發明是采用導電性遮光膜的發明。
以下根據其實施形態對本發明組的液晶元件進行說明。
(第2-6-1實施形態)本實施形態的液晶元件是下述結構的液晶元件如圖60所示，用在其上部外表面形成了透明導電膜13的玻璃基板上形成稱為黑矩陣的遮光層12、濾色片11、取向膜9的濾色片側基板2和以例如在玻璃基板上配備公用電極5、絕緣層8、信號電極6、像素電極4、上部第2絕緣層81的In-Plane-Switching(IPS面內開關)模式為目的的薄膜晶體管(TFT)基板1(在圖中省略了TFT部分)這2塊基板夾住液晶3，在該液晶元件中，以存在直接與液晶3相接的區域120的方式制作遮光層12。
借助于液晶如此直接與導電性遮光層相接，即使譬如說液晶中產生了離子性雜質，并進行了集中，該導電性遮光層也能進行液晶中所含的離子性物質和電子的交換，使離子性雜質變成非離子性的。因此黑斑點缺陷不會產生。
液晶直接與該導電性遮光層相接的區域可以在任何部分，也可以有任意的個數，不過當然是總接觸面積越大，效果越好。
另外，在圖61(1)中雖然只示出了濾色片側基板的圖，但是只要在紅色濾色片111、綠色濾色片112、藍色濾色片113的邊界部分，以及遮光層開口部120之間的部分，總之，如以圍繞在顯示像素周圍的方式配置液晶與遮光層相接的的區域115，則即使存在譬如雜質離子，離子性雜質的擴散也被抑制在1個像素內，黑斑點缺陷的大小變得在1個像素以下，因而這樣是比較好的。另外，如(2)和(3)所示，當在信號線方向或掃描線方向以條形連續地配置液晶與遮光層相接的區域時，雜質離子在橫向、縱向的移動可完全不發生。進而如(4)所示，借助于用液晶層與所有遮光層相接的區域205將像素的周圍圍住，能夠得到最好的效果。
(第2-6-2實施形態)在本實施形態的液晶元件中，在遮光層和液晶層之間存在取向膜層。即，液晶直接與取向膜相接，而取向膜直接與遮光膜相接。
由于取向膜通常非常薄，在2000以下，所以在取向膜上存在許多針孔。因此，例如當在液晶中有作為產生黑斑點缺陷的原因的離子性雜質存在時，與不存在取向膜時一樣，在導電性遮光膜和離子性雜質之間能夠進行離子交換。
另外，取向膜，特別是IPS模式中用的取向膜，一般地說其極性強，因而易吸附離子性雜質。因此，由于離子性雜質一旦吸附在取向膜上后就與導電性遮光膜進行電子交換，所以能夠更有效地除去雜質離子。
另外，由于遮光層經取向膜與液晶相接的區域的形狀、配置、面積等與上面的實施形態的相同，故不再重復說明。
(第2-6-3實施形態)本實施形態涉及外覆蓋層的除去。
在以上2個實施形態中雖完全未觸及到外覆蓋層，但當然，在開口部分等也可存在外覆蓋層。但是，如果在液晶層與遮光層相接的區域，或者液晶層經取向膜與遮光層相接的區域部分存在外覆蓋層，則沒有效果。
因此，在本實施形態的液晶元件中，用感光性樹脂形成外覆蓋層，并用光刻法預先除去形成遮光層/外覆蓋層/液晶這種結構的部分的，或者形成遮光層/外覆蓋層/取向膜/液晶的部分的外覆蓋層部分。據此，雖然是使用了附有外覆蓋層的濾色片基板，但是能夠制作不產生黑白斑點的液晶元件。
(第2-6-4實施形態)其次，是關于本實施形態的液晶元件的驅動，將導電性遮光層設定為與公用電極大致相同的電位。據此，可求得防止由保持遮光層電位引起的，和由像素部的光泄露等引起的對比度降低，另外與不施加電位時相比，離子類容易移動，因而離子的除去速度增加。
在本實施形態的液晶元件中，如圖62所示，與遮光層12或由它延伸的遮光層大致同電位的布線122和與公用電極或由它延伸的部分大致同電位的布線51，在濾色片側基板和TFT側基板間至少通過1種以上的導電性物質123進行電連接。通過這樣制作，能夠同時驅動遮光層的電位和陣列基板的公用電極的電位，可以不增加新的取出布線。作為導電性物質，有金屬、導電性樹脂等，只要具有導電性什么物質都可以，但是摻碳等的具有導電性的樹脂最容易使用，因而用它為宜。
借助于添加本發明組的各實施形態的結構，能夠非常容易地制成不產生黑斑點缺陷的液晶元件。
(第7發明組)本發明組利用了開口部和對置基板的黑矩陣等。
(第2-7-1實施形態)在圖63(1)中示出了本實施形態液晶元件的陣列側基板的平面。
圖63(2)是其剖面圖。
下面對該圖所示的液晶元件進行說明。
首先是陣列側基板的制造，在為保護布線用等離子體CVD法形成3500厚的SiNx作為第2絕緣膜(鈍化膜)81之前，皆與第2-4-1實施形態的相同。
與其不同之處如下在將基板清洗之后借助于利用轉盤涂敷抗蝕劑，進行掩模曝光，有選擇地形成第2絕緣膜(鈍化膜)，在像素部形成一部分絕緣膜未形成的區域。具體而言，如本圖63的A-A剖面所示，不形成存儲電容器部4上的第2絕緣膜(鈍化膜)。
之后，在進行顯影、烘干，并借助于RIE進行干法刻蝕后除去抗蝕劑這方面與第2-4-1實施形態相同。
其次，制成附有濾色片的對置玻璃基板側的導電性黑矩陣部的一部分與取向膜相接的結構，使得能夠將在對置基板側產生的離子非離子化。
作為導電性黑矩陣的形成方法，可在樹脂中摻入導電性金屬而形成。
在圖64中示出了對置玻璃基板的結構。
其次是利用兩基板制造液晶面板的方法、內容以及使用的液晶，這些也與前面的第2-4-1實施形態相同。
作為比較例，制作了(表2)所示的的面板。
(表2)

在比較例1中，由于用于使集中在柵極電位的離子非離子化的電極未露出，故黑點狀斑點大。
在比較例2中，陣列基板的絕緣膜雖未除去，但由于在對置基板側形成了用于非離子化的黑矩陣，所以黑點狀斑點雖比比較例1的小，但還不十分小。
在比較例3中，由于除去了陣列基板的絕緣膜，所以能夠在某種程度上使集中在柵極電位的離子非離子化，但是由于在對置基板側用于非離子化的黑矩陣未露出，所以黑點狀斑點雖比比較例1的小，但還不十分小。
在本發明中，由于除去了陣列基板側的絕緣膜，并且還在對置基板側形成了用于非離子化的電極，故而黑點狀斑點能夠被抑制得十分小，達0.1mm以下。
另外，在圖65中示出了本發明和比較例的不同。
用激光照射這些面板的柵極部分，使柵極電位露出，再將其置入70℃的高溫槽中驅動12小時后，進行中間色調顯示以作評價。
將對置基板側的中和電極的電位設定成與陣列基板側的公用電極同電位。
其結果如表2所示，在比較例1中，由于用于使集中在柵極電位的離子非離子化的電極未露出，故黑點狀斑點大。
在比較例2中，陣列基板的絕緣膜雖未除去，但在對置基板側形成了用于非離子化的黑矩陣，因此黑點狀斑點雖比比較例1的小，但還不十分小。
在比較例3中，由于除去了陣列基板的絕緣膜，所以能夠在某種程度上使集中在柵極電位的離子非離子化，但是由于在對置基板側用于非離子化的黑矩陣未露出，或者對置基板側的電極未露出，所以黑點狀斑點雖比比較例1的小，但還不十分小。
另一方面，在本實施形態中，由于除去了陣列基板側的絕緣膜，并且還在對置基板側形成了用于非離子化的導電性黑矩陣，即，用于回收離子的導電性物質在兩基板上形成，上述導電性物質直接與取向膜或液晶相接，故黑點狀斑點能夠被抑制得十分小，達0.1mm以下。
另外，由表1可知，通過使液晶的電阻率小于1013Ω·cm，可以得到無顯示圖像長時間保留的良好顯示。
(第2-7-2實施形態)在圖66(1)中示出了本實施形態的液晶元件的對置(玻璃)基板的結構。
在上面的第1實施形態中制作了用對置基板側的黑矩陣圍住像素周圍的結構，而在本實施形態中，對置基板側的黑矩陣沿信號布線(源線)6構成。
其他方面與上面的第1實施形態相同。
通過這樣制作，由于除去了陣列基板側的絕緣膜，并且還在對置基板側形成了用于非離子化的導電性黑矩陣，即，用于回收離子的導電性物質在兩基板上形成，上述導電性物質直接與取向膜或液晶相接，故而能夠將黑點狀斑點抑制得很小。
其次，在本實施形態和上面的第1實施形態中，如圖63所示，除去了存儲電容器上的像素電極上的絕緣膜，但是也可如圖67所示，在信號布線電極上或像素電極上，或以跨這些電極的方式除去要除去的部分。
另外，也可如圖68所示，在比像素電極更靠上處形成公用電極，除去公用電極上的一部分絕緣膜。在該圖中，16是半導體層，161是漏極，162是第2半導體層。
另外，也可如圖69所示，將公用電極和像素電極形成在同一層，并除去其上的一部分絕緣膜。
另外，在本實施形態和上面的實施形態中，作為在對置基板側形成的黑矩陣，制成了如圖64(1)和圖66(1)所示的結構，但是也可如圖66(2)所示，只在與掃描線(柵線)對應的部分形成，或者也可如圖70所示形成島狀。
(第2-7-3實施形態)在圖71中，示出了本實施形態的液晶元件的結構。
在前面的第1實施形態中，作為除去第2絕緣膜的部位，僅除去了存儲電容器上的一部分，而在本實施形態中，僅在作為開關元件的TFT的上部形成第2絕緣膜(鈍化層)81(即，在像素電極上完全不形成絕緣膜)。其他方面與前面的第1實施形態相同。
另外，在對置基板側，如圖62那樣形成導電性黑矩陣，并使導電性黑矩陣直接與取向膜相接。
由于通過制成圖71那樣，在像素電極上完全沒有絕緣膜形成，所以與前面的第1實施形態相比，更能抑制黑點狀斑點的發生。
另外，在本實施形態3中，對置基板側也可以是圖66、圖70所示的形狀。另外，陣列基板側也可如圖72所示，在掃描布線電極上或信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜。
(第2-7-4實施形態)在圖73中示出了本實施形態的液晶元件的結構。
在上面的第3實施形態中，在玻璃基板1上形成了掃描線7和公用電極5，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上形成了半導體層、信號線、像素電極，而在本實施形態中，在玻璃基板1上形成了信號線6、漏極、像素電極4、半導體層16，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上有選擇地形成了掃描線6和公用電極5。
即，在第3實施形態中，在一部分像素電極上沒有絕緣膜，在公用電極上形成絕緣膜，而在本實施形態中，在像素電極上形成了絕緣膜，但在公用電極上沒有形成絕緣膜。
另外，陣列基板側如圖73所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成絕緣膜(鈍化膜)。
還有，對置基板的形成方法與前面的第1實施形態的相同。
在對置基板側，如圖64所示，形成導電性黑矩陣，并使導電性黑矩陣直接與取向膜相接。
由于借助于這樣除去公用電極上的絕緣膜，并在對置基板上形成導電性黑矩陣，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有黑點狀斑點的、顯示品質良好的液晶元件。
還有，在本實施形態中，對置基板側也可以是圖66、圖70所示的形狀，另外，陣列基板側也可如圖74所示，在掃描布線電極上或信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜。
(第2-7-5實施形態)圖75是示出本發明的第2-7-5實施形態的液晶元件的結構圖。
在前面的第3實施形態中，在玻璃基板上形成了掃描線7和公用電極5，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上形成了半導體層16、信號線6、像素電極4，而在本實施形態中，在玻璃基板1上形成了信號線6、漏極、像素電極4、半導體層16，在其上形成了第1絕緣膜，再在其上有選擇地形成了掃描線7、公用電極5和像素電極4。
即，在本實施形態中，在同一層形成了像素電極4和公用電極5。
還有，在陣列基板側，如圖75所示，僅在作為開關元件的TFT的上部形成絕緣膜(鈍化膜)。
對置基板的形成方法與前面的第1實施形態相同。即，如圖64所示，形成導電性黑矩陣，并使導電性黑矩陣直接與取向膜相接。
由于借助于這樣除去像素電極上和公用電極上的絕緣膜，并在對置基板上形成導電性黑矩陣，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以能夠得到沒有黑點狀斑點的、顯示品質良好的液晶元件。
還有，在本實施形態中，對置基板側也可以是圖66所示的形狀。另外，陣列基板側也可如圖76所示，在掃描布線電極上或信號布線電極上，或者在掃描布線電極上和信號布線電極上形成絕緣膜。
(第2-7-6實施形態)在圖77中示出了本第2-7-6實施形態的液晶元件的結構。
在前面的第1實施形態中，散布樹脂球作為使基板間隔保持恒定的襯墊，而在本實施形態中，在濾色片側形成了突起物(柱)60。除此以外皆與其他實施形態相同。
作為突起物的形成方法，使用感光性丙烯酸樹脂(PC335JSR制)用以下的方法進行。
用旋轉涂敷法將感光性丙烯酸樹脂(PC335JSR制)涂敷在濾色片上后，在80℃進行1分鐘前烘烤。之后，用規定的掩模以300mJ/cm2進行曝光。然后在顯影液CD702AD中在25℃下進行1分鐘顯影，用流水清洗后在220℃下進行1小時的后烘烤(由室溫升溫)，形成膜厚為5.0μm的突起物60。
作為突起物的形成部位，在陣列側電極被第1絕緣膜、第2絕緣膜覆蓋的部位形成。
由于借助于如本發明這樣在特定的部位形成小柱作為使基板間隔保持恒定的襯墊，能夠選擇上下基板難以短路的部位設置襯墊，所以即使在兩基板上形成導電性物質也難以短路。
另外，在黑矩陣、中和電極等上形成凹凸的場合，可以避開這些部分而形成。
另外，由于在封口用樹脂固化前除去了其內部的空氣等，所以在給予液晶面板以加速度時，沒有內部小玻璃珠移動的發生。
另外，使基板間隔保持恒定的襯墊也可形成在陣列基板側。當然，根據情況，也可在兩塊基板上形成。進而在多段式顯示裝置的場合，也可在各基板上形成。
(第8發明組)本發明組涉及由發泡劑導致的離子等的吸附、吸收。
(第2-8-1實施形態)本實施形態是在中和電極上形成由發泡劑導致的微小海綿泡狀的樹脂層。在圖78中示出了其制造、形成的主要步驟。下面參照該圖對本實施形態的技術內容進行說明。
1)用涂敷等方法在中和電極30上使用過濾器等形成發泡劑層91。該發泡劑是通過將其摻入構成基質的橡膠或樹脂中，使其加熱分解，產生氮、二氧化碳等氣體，在基質中形成直徑為2、3μm等的微泡結構的物質。具體而言，有偶氮二羧酸酰胺、N，N-二硝基五亞甲基四胺、苯磺酰基酰肼、碳酸氫鈉等。
2)使泡劑加熱分解，使基質取向膜劑具多孔性。
2-1)根據需要，給予取向性。
3)使用液晶顯示裝置時，借助由該泡狀結構導致的大的表面積和經中和電極的電荷對液晶中的離子、雜質等進行回收。
(其他實施形態)以上在將本發明分為2大發明組，進而又分為幾個發明組進行說明時，作為液晶元件以透明型液晶顯示裝置為例進行了說明，但是，無論如何不限于此。即，例如也可制成如下的結構。
1)如圖79所示，制成反射型液晶顯示裝置。在該圖中，91是鏡子，92是透明絕緣膜。另外，TFT16等在透明絕緣膜上(在本圖中)或在對置的基板側(無圖示)形成。
2)遮光層(膜)不是存在于濾色片間的黑矩陣，而是兼有防止由光引起的TFT的誤動作等作用的保護膜。另外，這時遮光層的凹凸雖然也依賴于原來的(像素間的)黑矩陣的尺寸、大小，但它也可以不僅設置在遮光膜的液晶側面，而且還設置在遮光膜側面。
3)如圖80所示，涉及液晶光學元件。近年來正在開發如圖80所示的，對入射光790將其運算結果作為透射光791輸出的光邏輯元件792。它在應用于光計算機時要求高的對比度比，但是通過改善采用橫向電場型液晶的元件的顯示特性，可以得到高的可靠性。
4)如圖81所示，涉及EL顯示器。在該圖中911是玻璃基板。912是薄膜晶體管。913是絕緣層。914是布線電極。915是陰極。917是有機EL層。918是陽極。920是支持柱。921是濾色片。922是熒光變換層。923是透明板。不過，由于其原理等是熟知的技術，故其說明從略。
5)如圖82所示，對于向面板內注入液晶后的封口，同時采用厭氣性樹脂2021和機械方法。該圖的1)是通過按壓將在液晶的對側涂敷了厭氣性樹脂2021的栓211，或者在周邊部涂敷了厭氣性樹脂2021的板2110壓入向面板注入液晶用的、樹脂制的細孔部212內的裝置。2)是將在其頭部側涂敷了厭氣性樹脂2021的螺釘213擰入向面板注入液晶用的螺孔214內的裝置。另外，該樹脂是用擠壓方法進行固化的類型，因此可以調整液晶注入部的密封時間。
6)如圖83所示，對施加于中和電極上的電壓采取各種方式、類型。該圖1)是與柵極相同的電壓。因此，大體為負電壓。在2)中，不僅與柵極信號線或源極信號線連接，而且還與二極管連接，這樣即使為防止液晶充電在每個顯示周期交互變換兩信號線的電壓，也只具有正的或者負的電荷。另外，在其液晶側表面還形成了使用發泡劑的取向膜91。
以上基于本發明的幾種實施形態對本發明進行了說明，但是當然，本發明無論如何不限于此。即，例如也可以作成如下的形式。
1)作為液晶，不是向列液晶，而用例如鐵電液晶或反鐵電液晶等其它種類的液晶。
2)作為取向方法，采取非摩擦方法(例如借助光進行取向的方法)，或者并用之，以得到更均勻的取向，謀求改善對比度。
3)作為有源元件，不是3端元件TFT，而是用2端元件MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)、ZnO變阻器或者SiNx二極管、a-Si二極管等。
4)作為晶體管，使用底柵結構和頂柵結構的無定形硅(a-Si)以外的材料，例如多晶硅(p-Si)等。
5)TFT結構不是溝道保護型，而作成溝道刻蝕型。
6)在基板周邊形成驅動電路。
7)用薄膜或塑料等形成一塊基板或兩塊基板。
8)在陣列基板側形成了有濾色片形成的基板。
9)作為像素電極、公用電極、對置側的中和電極，不是用Al，而是用Cr或Cu等其它金屬，或者用ITO(摻入氧化錫的氧化銦膜)等的透明電極。
10)用ITO等透明電極形成對置側的中和電極，在黑矩陣以外的部位形成中和電極，據此求得開口率的提高。
11)作為對置側中和電極的形成部位，在黑矩陣部采用與黑矩陣不同的方式形成。
12)在對置基板側用導電性濾色片，使對置基板側的中和電極兼作對置基板側的濾色片。
13)作為盒厚的形成方法，采用襯墊散布法以外的方法(例如利用樹脂形成小柱的方法)，形成均勻的盒厚。
14)對反射型液晶面板，用著了色的膜作為絕緣膜或取向膜。
15)用顏料法、印刷法、染色法、電植法、噴墨法、薄膜轉印法等方法形成黑矩陣、濾色片。
16)將由發泡劑形成的微泡結構做得或者比液晶盒的尺寸小，或者連續。
17)如前所述，為防止液晶充電，可每隔規定的時間使施加于像素電極和公用電極上的電壓的正負關系反轉，也可與此同時調整、控制施加在中和電極上的電壓。
工業上利用的可能性由以上的說明可知，根據第1大發明組，由于在密封液晶注入口的樹脂部分，沒有、也不產生異物或氣泡，因此即使沒有小心注意并且沒有從多個方向照射紫外線，也不會有紫外線固化樹脂中的未固化部分。因此，不會有未固化的樹脂成分向液晶中擴散。其結果是極大地提高了液晶元件的初期特性和長期可靠性。
根據第2大發明組，通過設置夾在由導電物質構成的層和液晶層之間的電極上的取向膜和絕緣層等的第3層的總膜厚小于500的薄膜區域，能夠基本消除現有技術產生的、由液晶中的離子類的集中引起的黑斑點缺陷，從而提高制造成品率。
同樣地，借助于設置中和電極，在進行激光修補時，或在柵極信號布線上的絕緣層上存在針孔等缺損時，也不會產生黑點斑點。
同樣地，由于在像素電極、公用電極、信號布線電極中的至少一種電極上的至少一部分上存在未形成絕緣膜的部位，且在該部分電極的僅經取向膜或直接地與液晶相接，此外還在不形成像素電極等的基板側形成了存在未形成絕緣膜的部位的中和電極，因此，集中在柵極電位部的離子被非離子化，所以不產生顯示斑點。
同樣地，由于借助于像素電極和對置電極不在同一層，且不在構成上部側一方的電極上形成絕緣膜，集中在柵極電位部的離子向像素電極部分擴散并且非離子化，所以形成了沒有顯示斑點的，顯示品質良好的液晶元件。
同樣地，由于在不形成像素電極的基板側的黑矩陣表面形成凹凸結構使表面積增大，據此對集中在柵極電位部的離子進行非離子化，所以能夠抑制黑點狀斑點的發生。特別是一在黑矩陣表面形成凹凸，回收離子的表面積就增大，能得到充分的效果。
另外，借助于制成遮光層直接地或經取向膜與液晶相接的結構，液晶中的離子性雜質由遮光層回收，可以完全不產生黑斑點缺陷。
另外，由于借助于將用于回收離子的電極形成在兩個基板上，集中在柵極電位部的離子進行非離子化，所以能防止顯示斑點的發生。
權利要求
1.一種液晶元件的制造方法，它是在用2塊基板蓋住上下、用壁圍住周圍的空間內夾持液晶的液晶元件的制造方法，其特征在于，包括向上述空間內注入液晶后，為密封注入口，用在40℃以上的規定溫度下粘度可至20Pa·s以下，并且可由紫外線等電磁波固化的樹脂進行涂敷的低粘度樹脂涂敷步驟；使涂敷的樹脂具20Pa·s以下的粘度，并除去其內部所含的水分、空氣、塵埃等化學方面的異物的異物除去步驟；以及在該異物除去步驟之后，或與其同時照射紫外線等電磁波使樹脂固化的低粘度紫外線固化樹脂封入步驟。
2.如權利要求1所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述異物除去步驟包括對上述密封用樹脂施加規定的振動的振動小步驟。
3.如權利要求2所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述振動步驟是作為施加上述密封用樹脂的振動，使用超聲或兆赫級聲波的超聲·兆赫級聲波照射振動小步驟。
4.如權利要求1所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述異物除去步驟包括在前述低粘度樹脂涂敷步驟中或在其后，使注入口部的樹脂與固體接觸進行擦拭，據此除去氣泡混入其內部的部分的氣泡部分除去小步驟；以及再次涂敷樹脂的再涂敷小步驟。
5.如權利要求1所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述異物除去步驟包括在前述低粘度樹脂涂敷步驟中或在其后，使涂敷的密封用樹脂暴露于至少要比大氣壓低的氣壓下的低壓步驟。
6.如權利要求1所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述異物除去步驟包括在前述低粘度樹脂涂敷步驟后對樹脂施加向液晶對側的加速度的加速步驟。
7.如權利要求1至6中的任何一項所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述異物除去步驟包括為通過加熱使上述涂敷的密封用樹脂低粘度化而照射紅外線的紅外線照射小步驟。
8.一種液晶元件，它是在用2塊基板蓋住上下、用壁圍住周圍的空間內保持液晶的液晶元件，其特征在于對在向上述空間內充填液晶后的密封部分進行非固化時，使用在40℃以上的規定溫度下其粘度為20Pa·s以下的具有電磁波固化性的樹脂，并且在固化了的樹脂中不含水分、空氣、塵埃等光學方面的異物。
9.如權利要求8所述的液晶元件，其特征在于前述電磁波固化性樹脂是紫外線固化性樹脂。
10.如權利要求8所述的液晶元件，其特征在于前述電磁波固化性樹脂是厭氣性樹脂。
11.如權利要求8至10中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述電磁波固化性樹脂是具有在50℃以上的溫度下可軟化至20Pa·s以下的性質的樹脂。
12.一種液晶元件，它是在用2塊基板蓋住上下、用壁圍住周圍的空間內保持液晶的液晶元件，其特征在于對在向上述空間內充填液晶后進行密封的部分，使用厭氣性的樹脂。
13.一種液晶元件，它是在一塊基板上形成像素電極，在另一塊基板上形成公用電極，借助于在兩電極間施加電壓使經取向膜夾持在兩基板的內表面側的液晶層的分子排列變化的液晶元件，其特征在于在某一塊，或者兩塊基板上具有中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
14.一種液晶元件，它是在一塊基板上形成像素電極和公用電極，借助于在兩電極間施加電壓使經取向膜夾持在兩基板的內表面側的液晶層的分子排列變化的液晶元件，其特征在于在某一塊，或者兩塊基板上具有中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
15.一種液晶元件，它是在一塊基板上形成像素電極和公用電極，在另一塊基板上形成對置電極，借助于在上述3種電極間施加規定的電壓使經取向膜夾持在兩基板的內表面側的液晶層的分子排列變化的液晶元件，其特征在于在某一塊，或者兩塊基板上具有中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
16.如權利要求13至15中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是由導電性物質構成，且兼用作遮光膜的導電遮光性中和電極。
17.如權利要求13至15中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是與液晶層直接相接或經取向膜與其相接，經1000以下的薄膜與其相接或經能透過離子的膜與其相接之中的任何一種。
18.如權利要求16所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是與液晶層直接相接或經取向膜與其相接，經1000以下的薄膜與其相接或經透過離子的膜與其相接之中的任何一種。
19.一種橫向電場方式液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在不形成上述像素電極等的基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的遮光膜。
20.一種橫向電場方式液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在形成上述像素電極等的基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的遮光膜。
21.一種橫向電場方式液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在不形成上述像素電極等的基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的中和電極。
22.一種橫向電場方式液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在形成上述像素電極等的基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的中和電極。
23.一種液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板、形成與像素電極相向的對置電極的對置基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層，并通過在像素電極、公用電極和對置電極之間施加電壓使液晶分子的排列變化的液晶元件，其特征在于上述對置電極在其表面具有凹凸結構。
24.一種液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板、形成與像素電極相向的對置電極的對置基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層，并通過在像素電極、公用電極和對置電極之間施加電壓使液晶分子的排列變化的液晶元件，其特征在于在不形成上述像素電極等的對置基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的遮光膜。
25.一種液晶元件，它是具有至少在其一方形成像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線的一對基板、形成與像素電極相向的對置電極的對置基板，以及經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層，并通過在像素電極、公用電極和對置電極之間施加電壓使液晶分子的排列變化的液晶元件，其特征在于在形成上述像素電極等的基板側，具有其液晶層側的表面呈凹凸結構的遮光膜。
26.如權利要求19、20、24或25中所述的橫向電場方式液晶元件，其特征在于前述遮光膜是由導電性物質構成的導電性遮光膜。
27.如權利要求19至25中的任何一項所述的橫向電場方式液晶元件或液晶元件，其特征在于上述液晶層是使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
28.如權利要求26所述的橫向電場方式液晶元件或液晶元件，其特征在于上述液晶層是使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
29.一種濾色片，它是在以橫向電場方式驅動液晶的顯示裝置中使用的濾色片，其特征在于遮光膜部的液晶層側的表面有凹凸結構。
30.如權利要求19、20、24或25所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.1μm以上。
31.如權利要求19、20、24或25所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.3μm以上。
32.如權利要求26所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.3μm以上。
33.如權利要求27所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.3μm以上。
34.如權利要求21或22所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.1μm以上。
35.如權利要求27所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜的凹凸結構的凹部與凸部之差在0.3μm以上。
36.如權利要求19、20、24或25所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜經取向膜或者直接與液晶相接。
37.如權利要求23所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜經取向膜或者直接與液晶相接。
38.如權利要求24所述的液晶元件，其特征在于前述遮光膜經取向膜或者直接與液晶相接。
39.如權利要求21或22所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極經取向膜或者直接與液晶相接。
40.如權利要求27所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極經取向膜或者直接與液晶相接。
41.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有配置成矩陣狀的源極信號布線和柵極信號布線、該兩種信號布線的各交點部的開關元件和與其連接的像素電極、與其相向的公用電極和形成該各部分之絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于具有保持與柵極有規定關系的電壓的電極。
42.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有配置成矩陣狀的源極信號布線和柵極信號布線、該兩種信號布線的各交點部的開關元件和與其連接的像素電極、與其相向的公用電極和形成該各部分之絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于具有保持與像素電極有規定關系的電壓的電極。
43.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有配置成矩陣狀的源極信號布線和柵極信號布線、該兩種信號布線的各交點部的開關元件和與其連接的像素電極、與其相向的公用電極和形成該各部分之絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于具有保持與對置電極有規定關系的電壓，并且至少其一部分直接地，或者經取向膜、1000以下的薄膜或能透過離子的膜之中的任何一種與上述液晶層相接的電極。
44.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有配置成矩陣狀的源極信號布線和柵極信號布線、該兩種信號布線的各交點部的開關元件和與其連接的像素電極、與其相向的公用電極和形成該各部分之絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于具有保持與掃描信號線或柵極信號線的至少一方有規定關系的電壓的電極。
45.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有作為導電層的源極和柵極信號布線、用于產生橫向電場的像素電極和公用電極，并且還具有形成這些導電層的相互絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在該液晶元件中，形成了由夾在上述導電層和液晶層之間的絕緣膜、取向膜等構成的第3層的膜具有其膜厚的總和小于1000的薄膜化區域。
46.如權利要求45所述的液晶元件，其特征在于前述薄膜化區域存在于取向膜和絕緣層的至少一方之上。
47.如權利要求45所述的液晶元件，其特征在于前述薄膜化區域在取向膜或保護膜上，該取向膜或保護膜由導電性物質構成。
48.如權利要求45、46或47所述的液晶元件，其特征在于前述薄膜化區域位于上述像素電極、公用電極或信號布線上。
49.如權利要求45、46或47所述的液晶元件，其特征在于上述液晶元件具有導電性遮光膜，并且前述薄膜化區域位于導電性遮光膜上。
50.如權利要求49所述的液晶元件，其特征在于前述薄膜化區域在與有上述像素電極等形成的基板相向的基板上形成。
51.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有作為導電層的信號布線、存儲電容器電極，用于產生橫向電場的像素電極和公用電極，并且還具有形成這些導電層的相互絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在該液晶元件中，形成由夾在上述導電層和液晶層之間的絕緣膜、取向膜等構成的第3層的膜，或是在規定位置上只存在取向膜，或是在1000以下的薄膜，或是離子透過性膜，或者原本就沒有形成。
52.如權利要求51所述的液晶元件，其特征在于形成上述液晶層和上述導電層直接接觸的規定位置，在像素電極、公用電極、存儲電容器電極或信號布線上。
53.如權利要求51所述的液晶元件，其特征在于上述液晶元件具有導電性遮光膜，并且形成上述液晶層和上述導電層直接接觸的規定位置在上述導電性遮光膜線上。
54.如權利要求53所述的液晶元件，其特征在于前述薄膜化區域在與有上述像素電極等形成的基板相向的基板上形成。
55.一種液晶元件，它是包含在一塊基板上具有像素電極、與該像素電極不在同一層上的對置電極、信號電極和形成它們相互絕緣等的絕緣層的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在該液晶元件中，在上述像素電極或對置電極中的一方形成絕緣膜，在另一方什么也沒有形成。
56.如權利要求55所述的液晶元件，其特征在于在上述液晶元件中，絕緣層沿摩擦方向形成。
57.如權利要求45至47、51至53、55或56中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于在上述液晶元件中，具有使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
58.如權利要求50所述的液晶元件，其特征在于在上述液晶元件中，具有使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
59.如權利要求54所述的液晶元件，其特征在于在上述液晶元件中，具有使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
60.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有與上述液晶層相接的導電性遮光膜。
61.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有存在著沿上述信號線方向或掃描線方向延伸、并且以條狀與液晶層相接的區域的遮光膜。
62.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有存在著沿信號線方向和掃描線方向延伸、并且以網格狀與液晶層相接的區域，并具導電性的遮光膜。
63.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有經取向膜與液晶層相接的導電性的遮光膜。
64.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有存在著沿上述信號線方向或掃描線方向延伸、并且以條狀經取向膜與液晶層相接的區域，并具導電性的遮光膜。
65.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極、公用電極以及與兩種電極對應的信號線和掃描線的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于在另一方基板上有存在著沿上述信號線方向和掃描線方向延伸、并且經1000的薄膜層或離子透過性膜與液晶層相接的網格狀區域的導電性的遮光膜。
66.如權利要求60至65中的任何一項所述的橫向電場方式液晶元件，其特征在于前述導電性遮光膜的導電部分由Cr、Ti或導電性樹脂構成。
67.如權利要求60至65中的任何一項所述的橫向電場方式液晶元件，其特征在于前述導電性遮光膜是導電性樹脂制遮光膜。
68.如權利要求66所述的液晶元件，其特征在于在特定的部位形成小柱，作為使前述液晶元件的基板間隔保持恒定的襯墊。
69.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線和形成該各部分之絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于上述像素電極、公用電極、信號布線中的至少1種，在其液晶側的至少一部分上不形成絕緣膜，因此該電極或布線是僅經取向膜或直接地與液晶相接的絕緣膜開口電極，在不形成上述像素電極和公用電極的基板側，有借助于對液晶層完全不形成絕緣膜，或至少存在局部地不形成的部位，來中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
70.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線和形成該各部分之絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于上述像素電極完全不形成絕緣膜，因此在該部分，像素電極是僅經取向膜或直接地與液晶相接的開口像素電極，還有，在不形成上述像素電極等的基板側，有借助于對液晶層完全不形成絕緣膜，或至少存在局部地不形成的部位，來中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
71.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線和形成該各部分之絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于上述公用電極完全不形成絕緣膜，因此在該部分，像素電極是僅經取向膜或直接地與液晶相接的開口公用電極，還有，在不形成上述公用電極等的基板側，有借助于對液晶層完全不形成絕緣膜，或至少存在局部地不形成的部位，來中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
72.一種液晶元件，它是包含至少在其一方具有像素電極、公用電極、信號布線、掃描布線和形成該各部分之絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件，其特征在于上述像素電極和公用電極分別對該液晶層完全不形成絕緣膜，因此是在該部分僅經取向膜或直接地與液晶相接的開口像素電極、開口公用電極，還有，在不形成上述像素電極和公用電極的基板側，有借助于對液晶層完全不形成絕緣膜，或至少存在局部地不形成的部位，來中和液晶層中的離子的電荷的中和電極。
73.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于上述液晶元件的液晶層是使用其電阻率小于1013Ω·cm的液晶的低電阻率液晶層。
74.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于具有對前述中和電極施加對掃描布線的最低電壓電平為正的電位的正電位施加裝置。
75.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是設定成與上述公用電極同電位的同電位中和電極。
76.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是兼用作遮光膜的遮光膜兼用中和電極。
77.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是兼用作濾色片的濾色片兼用中和電極。
78.如權利要求69至72中的任何一項所述的液晶元件，其特征在于由于上述像素電極、公用電極、信號布線中的某一種，其上部未形成絕緣膜，故該部分只經取向膜的部分的取向膜是由導電性物質構成的取向膜。
79.如權利要求76所述的液晶元件，其特征在于具有對前述中和電極施加對掃描布線的最低電壓電平為正的電位的正電位施加裝置。
80.如權利要求77所述的液晶元件，其特征在于具有對前述中和電極施加對掃描布線的最低電壓電平為正的電位的正電位施加裝置。
81.如權利要求76所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是設定成與上述公用電極同電位的同電位中和電極。
82.如權利要求77所述的液晶元件，其特征在于前述中和電極是設定成與上述公用電極同電位的同電位中和電極。
83.一種液晶元件的制造方法，它是包含至少在其一方具有產生橫向電場的像素電極和公用電極、形成它們相互絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于包括除去一度在兩基板的內表面側形成的取向膜的規定部分的取向膜除去步驟。
84.一種液晶元件的制造方法，它是包含至少在其一方具有產生橫向電場的像素電極和公用電極、形成它們相互絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括通過刻蝕，除去一度在兩基板的內表面側形成的取向膜的規定部分的取向膜除去步驟；以及對留下的取向膜進行取向處理的取向步驟。
85.一種液晶元件的制造方法，它是包含至少在其一方具有產生橫向電場的像素電極和公用電極、形成它們相互絕緣等的絕緣膜的一對基板，以及原則上經設置在兩基板的內表面側的取向膜而被夾持的液晶層的橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于包括通過摩擦，剝離一度在兩基板的內表面側形成的電極或布線上的取向膜的規定部分的剝離步驟。
86.如權利要求85所述的液晶元件的制造方法，其特征在于前述剝離步驟是使摩擦時的擠入量為0.5mm以上的擠壓摩擦剝離步驟。
87.一種橫向電場方式液晶元件，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件，其特征在于，包括在另一方基板上形成的導電性遮光膜；以及將該遮光膜與上述公用電極、像素電極、掃描線或信號布線進行電連接的電連接部。
88.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，它是在其一方形成像素電極和公用電極、與兩種電極對應的信號線和掃描線以及絕緣層的一對基板間，經設置在兩基板的內表面側的取向膜夾持液晶的橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在另一方基板的規定位置上形成由導電性物質構成的遮光膜的遮光膜形成步驟；作為上述遮光膜的外覆蓋層材料選擇感光材料的外覆蓋層材料選擇步驟；用所選擇的感光材料形成外覆蓋層的外覆蓋層形成步驟；以及用光刻法，以有不存在外覆蓋層的區域的形式在該遮光膜上形成前述導電性遮光膜上的外覆蓋材料層的利用光刻外覆蓋層部分剝離部形成步驟。
89.如權利要求88所述的橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于包含形成得以對所形成的導電性遮光膜施加與上述公用電極同電位的電位的電連接部的同電位用導電部形成步驟。
90.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板的規定位置上形成由金屬層構成的、兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第1導電層形成步驟；在上述已形成的掃描線和對置電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在規定位置上形成信號線和像素電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在上述規定位置上的半導體層構成的開關元件上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
91.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板的規定位置上形成由金屬層構成的、兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第1導電層形成步驟；在上述已形成的掃描線和對置電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在規定位置上形成信號線和像素電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上和上述信號線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
92.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板的規定位置上形成由金屬層構成的、兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第1導電層形成步驟；在上述已形成的掃描線和對置電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在規定位置上形成信號線和像素電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上和上述掃描線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
93.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板的規定位置上形成由金屬層構成的、兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第1導電層形成步驟；在上述已形成的掃描線和對置電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在規定位置上形成信號線和像素電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上、上述信號線上和上述掃描線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
94.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于包括在第1基板上有選擇地形成信號線和像素電極的第1導電層形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在上述已形成的信號線和像素電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在上述已形成的第1絕緣膜的規定位置上形成兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
95.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板上有選擇地形成信號線和像素電極的第1導電層形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在上述已形成的信號線和像素電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在上述已形成的第1絕緣膜上有選擇地形成兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上和信號線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
96.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板上有選擇地形成信號線和像素電極的第1導電層形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在上述已形成的信號線和像素電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在上述已形成的第1絕緣膜的規定位置上形成兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件上和掃描線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
97.一種橫向電場方式液晶元件的制造方法，其特征在于，包括在第1基板上有選擇地形成信號線和像素電極的第1導電層形成步驟；在規定位置上形成半導體層的半導體層形成步驟；在上述已形成的信號線和像素電極上形成第1絕緣膜的第1絕緣膜形成步驟；在上述已形成的第1絕緣膜的規定位置上形成兼作晶體管的柵極的掃描線和對置電極的第2導電層形成步驟；以及僅在由形成在規定位置上的半導體層構成的開關元件、信號線和掃描線上形成第2絕緣膜的第2絕緣膜形成步驟。
全文摘要
利用紫外線照射使封入液晶后的封口用樹脂切實固化。改善橫向電場方式液晶元件的顯示特性等。為解決上述課題,降低封口用樹脂的粘度,并且用超聲等除去混入封口用樹脂內部的氣泡。另外,探尋到消除液晶層內的離子、電荷的方法。
文檔編號G02F1/1339GK1378657SQ00813948
公開日2002年11月6日 申請日期2000年10月6日 優先權日1999年10月6日
發明者西山和廣, 朝山純子, 小森一德, 田中幸生, 瀧本昭雄, 井上一生, 熊川克彥, 佐藤一郎, 分元博文, 木津紀幸, 木村雅典, 津田圭介 申請人:松下電器產業株式會社