反相器結構及其顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種反相器結構及其顯示面板，該反相器結構包括第一晶體管和第二晶體管，其中，第一晶體管由第一源電極、第一源極區域、第一溝道區域、第一漏極區域、第一漏電極和第一柵電極構成；第二晶體管由第二源電極、第二源極區域、第二溝道區域、第二漏極區域、第二漏電極和第二柵電極構成。本發明提供的反相器結構由于設有第一漏極區域和第二漏極區域，第一漏極區域和第二漏極區域相互匹配且設置在同一行中，可以減少反相器結構的高度和面積，從而達到減少顯示面板的高度和面積，以便節約成本。
【專利說明】
反相器結構及其顯示面板
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體是指一種反相器結構及其顯示面板。
【背景技術】
[0002]反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，反相器電路主要應用在模擬電路中，比如音頻放大電路，時鐘振蕩器電路等。在液晶顯示面板的線路設計中，也要經常要用到反相器電路。
[0003]目前，在低溫多晶硅(LTPS)半導體薄膜晶體管的線路設計中，反相器的結構是將NTFT和PTFT單獨進行設計，因此反相器的高度和面積會影響整個液晶顯示面板的高度和面積，從而增加成本。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種反相器結構及其顯示面板，以解決現有技術中反相器的高度和面積影響液晶顯示面板的高度和面積從而增加成本的技術問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是:提供一種反相器結構，所述反相器結構包括:
[0006]多晶硅層，其中，所述多晶硅層包括第一源極區域、第一漏極區域、第一溝道區域、第二源極區域、第二漏極區域和第二溝道區域，所述第一漏極區域和所述第二漏極區域相互匹配且設置在同一行中，且所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域與所述第一源極區域和所述第二源極區域分別相對，所述第一溝道區域位于所述第一源極區域與所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域之間，而所述第二溝道區域位于所述第二源極區域與所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域之間；
[0007]柵極金屬層，包括第一柵電極和第二柵電極，其中，所述第一柵電極設置在所述第一溝道區域上，而所述第二柵電極設置在所述第二溝道區域上，且所述第一柵電極與所述第二柵電極電連接以作為所述反相器的輸入端；
[0008]第一源電極，設置在所述第一源極區域上；
[0009]第二源電極，設置在所述第二源極區域上；
[0010]漏極金屬層，包括第一漏電極和第二漏電極，其中，所述第一漏電極設置在所述第一漏極區域上，而所述第二漏電極設置在所述第二漏極區域上，且所述第一漏電極和所述第二漏電極電連接以作為所述反相器的輸出端；
[0011]其中，所述第一源電極、所述第一源極區域、所述第一溝道區域、所述第一漏極區域、所述第一漏電極和所述第一柵電極構成第一晶體管;而所述第二源電極、所述第二源極區域、所述第二溝道區域、所述第二漏極區域、所述第二漏電極和所述第二柵電極構成第二晶體管。
[0012]根據本發明一實施例，所述第一漏極區域和所述第二漏極區域分別為長條狀結構，且所述第一漏極區域和所述第二漏極區域排列在同一行中。
[0013]根據本發明一實施例，所述第一漏極區域包括第一主體部分和第一延伸部分，所述第一延伸部分的寬度小于所述第一主體部分的寬度，且所述第一延伸部分從所述第一主體部分靠近所述第一溝道區域的邊緣處向所述第二漏極區域的方向延伸；
[0014]所述第二漏極區域包括第二主體部分和第二延伸部分，所述第二延伸部分的寬度小于所述第二主體部分的寬度，且所述第二延伸部分從所述第二主體部分靠近所述第二溝道區域的邊緣處向所述第一漏極區域的方向延伸；
[0015]其中，所述第一主體部分與所述第二主體部分至少部分交錯相對，且所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的延伸方向彼此相對。
[0016]根據本發明一實施例，所述反相器結構進一步包括:
[0017]層間介質層，設置在所述多晶硅層與所述柵極金屬層、第一源電極、第二源電極和所述漏極金屬層之間。
[0018]根據本發明一實施例，所述第一源電極通過至少一個孔洞而連接至所述第一源極區域，所述第一漏電極通過至少一個孔洞而連接至所述第一漏極區域;所述第二源電極通過至少一個孔洞而連接至所述第二源極區域，所述第二漏電極通過至少一個孔洞而連接至所述第二漏極區域。
[0019]根據本發明一實施例，所述第一漏電極和所述第二漏電極集成在一起。
[0020]根據本發明一實施例，所述第一晶體管為第一類型晶體管，而所述第二晶體管為第二類型晶體管，且所述第一類型晶體管和所述第二類型晶體管的類型不同。
[0021]根據本發明一實施例，所述第一晶體管為P型薄膜晶體管，而所述第二晶體管為N型薄膜晶體管。
[0022]根據本發明一實施例，所述第一源極區域為P型摻雜區域，所述第一漏極區域為P型摻雜區域;而所述第二源極區域為N型摻雜區域，所述第二漏極區域為N型摻雜區域。
[0023]本發明采用的另一個技術方案是:提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述所述的反相器結構。
[0024]本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況，本發明提供的反相器結構由于設有第一漏極區域和第二漏極區域，第一漏極區域和第二漏極區域相互匹配且設置在同一行中，可以減少反相器結構的高度和面積，從而達到減少顯示面板的高度和面積，以便節約成本。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖，其中:
[0026]圖1是本發明提供的反相器結構第一實施例的版圖設計示意圖；
[0027]圖2是本發明提供的反相器結構第一實施例的電路圖；
[0028]圖3是本發明提供的反相器結構第二實施例的版圖設計示意圖；
[0029]圖4是本發明提供的反相器結構第二實施例的版圖設計示意圖；
[0030]圖5是本發明提供的顯示面板一實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0032]請參閱圖1，圖1是本發明提供的反相器結構第一實施例的版圖設計示意圖。
[0033]如圖1所不，該反相器結構100包括多晶娃層110、柵極金屬層120和漏極金屬層130，其中，柵極金屬層120和漏極金屬層130可以設置在同一層，也可以設置在不同層。
[0034]其中，多晶硅層110包括第一源極區域101、第一漏極區域103、第一溝道區域102、第二源極區域104、第二漏極區域106和第二溝道區域105，第一漏極區域103和第二漏極區域106相互匹配且設置在同一行中，且第一漏極區域103和第二漏極區域106所組成的區域與第一源極區域101和第二源極區域104分別相對，第一溝道區域102位于第一源極區域101與第一漏極區域103和第二漏極區域106所組成的區域之間，而第二溝道區域105位于第二源極區域104與第一漏極區域103和第二漏極區域106所組成的區域之間。
[0035]柵極金屬層120包括第一柵電極121和第二柵電極122，其中，第一柵電極121設置在第一溝道區域102上，而第二柵電極122設置在第二溝道區域105上，且第一柵電極121與第二柵電極122電連接以作為反相器100的輸入端In。
[0036]第一源電極111設置在第一源極區域101上，第一源電極111與高電位VGH連接;第二源電極112設置在第二源極區域104上，第二源電極112與低電位VGL連接。
[0037]漏極金屬層130包括第一漏電極131和第二漏電極132，其中，第一漏電極131設置在第一漏極區域103上，而第二漏電極132設置在第二漏極區域106上，且第一漏電極131和第二漏電極132電連接以作為反相器100的輸出端Out。
[0038]其中，第一源電極111、第一源極區域101、第一溝道區域102、第一漏極區域103、第一漏電極131和第一柵電極121構成第一晶體管150(以虛線表示)；而第二源電極112、第二源極區域104、第二溝道區域105、第二漏極區域106、第二漏電極132和第二柵電極122構成第二晶體管160(以虛線表示)，反相器100由第一晶體管150和第二晶體管160組成，具體電路圖見圖2。
[0039]本發明提供的反相器結構100由于設有第一漏極區域103和第二漏極區域106，第一漏極區域103和第二漏極區域106相互匹配且設置在同一行中，可以減少反相器結構100的高度和面積，從而達到減少顯示面板的高度和面積，以便節約成本。
[0040]在本實施例中，第一漏電極131和第二漏電極132集成在一起;第一源電極111和第二源電極112可以與第一漏電極131和第二漏電極132設置在同一層。其中，第一漏極區域103和第二漏極區域106分別為長條狀結構，且第一漏極區域103和第二漏極區域106排列在同一行中，排列結構可以分為左右排列。
[0041]第一晶體管150為第一類型晶體管，而第二晶體管160為第二類型晶體管，且第一類型晶體管和第二類型晶體管的類型不同；具體的，第一晶體管150為P型薄膜晶體管，而第二晶體管160為N型薄膜晶體管。
[0042]具體的，第一源極區域101為P型摻雜區域，第一漏極區域103為P型摻雜區域，P型摻雜區域為摻入三價雜質元素，如硼、鎵;而第二源極區域104為N型摻雜區域，第二漏極區域106為N型摻雜區域，N型摻雜區域為摻入五價雜質元素，如磷、砷。
[0043]進一步的，反相器結構100包括層間介質層(圖未示)，層間介質層設置在多晶硅層110與柵極金屬層120、第一源電極111、第二源電極112和漏極金屬層130之間。具體的，層間介質層可以設置在多晶硅層110與柵極金屬層120之間；層間介質層可以設置在柵極金屬層120與漏極金屬層130之間；層間介質層設置可以在第一源電極111與第二源電極112之間，即層間介質層可以設置在不同層之間，也可以設置在同層電極之間，從而起到隔離和絕緣作用。
[0044]請參閱圖3，圖3是本發明提供的反相器結構第二實施例的版圖設計示意圖。
[0045]如圖3所示，第一漏極區域203包括第一主體部分2031和第一延伸部分2032，第一延伸部分2032的寬度小于第一主體部分2031的寬度，且第一延伸部分2032從第一主體部分2031靠近第一溝道區域202的邊緣處向第二漏極區域206的方向延伸；第二漏極區域206包括第二主體部分2061和第二延伸部分2062，第二延伸部分的寬度2062小于第二主體部分2061的寬度，且第二延伸部分2062從第二主體部分2061靠近第二溝道區域205的邊緣處向第一漏極區域203的方向延伸;其中，第一主體部分2031與第二主體部分2061至少部分交錯相對，且第一延伸部分2032和第二延伸部分2062的延伸方向彼此相對。第二實施例的版圖設計不僅減少反相器結構200的高度和面積，還可以保證第一晶體管和第二晶體管的溝道區域的有效寬度。
[0046]請參閱圖4，圖4是本發明提供的反相器結構第三實施例的版圖設計示意圖。
[0047]如圖4所示，第一源電極311通過至少一個孔洞307而連接至第一源極區域301，第一漏電極331通過至少一個孔洞307而連接至第一漏極區域303;第二源電極312通過至少一個孔洞307而連接至第二源極區域304，第二漏電極332通過至少一個孔洞307而連接至第二漏極區域306。
[0048]請參閱圖5，圖5是本發明提供的顯示面板一實施例的結構示意圖。
[0049]如圖5所示，該顯示面板40包括多個上述的反相器結構300，反相器結構300設置在顯示面板40周邊電路的線路設計中。
[0050]其中，反相器結構300的結構參見上文，此處不再重復贅述。
[0051]綜上所述，本領域技術人員容易理解，本發明提供的反相器結構由于設有第一漏極區域和第二漏極區域，第一漏極區域和第二漏極區域相互匹配且設置在同一行中，可以減少反相器結構的高度和面積，從而達到減少顯示面板的高度和面積，以便節約成本。
[0052]以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種反相器結構，其特征在于，所述反相器結構包括: 多晶硅層，其中，所述多晶硅層包括第一源極區域、第一漏極區域、第一溝道區域、第二源極區域、第二漏極區域和第二溝道區域，所述第一漏極區域和所述第二漏極區域相互匹配且設置在同一行中，且所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域與所述第一源極區域和所述第二源極區域分別相對，所述第一溝道區域位于所述第一源極區域與所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域之間，而所述第二溝道區域位于所述第二源極區域與所述第一漏極區域和所述第二漏極區域所組成的區域之間； 柵極金屬層，包括第一柵電極和第二柵電極，其中，所述第一柵電極設置在所述第一溝道區域上，而所述第二柵電極設置在所述第二溝道區域上，且所述第一柵電極與所述第二柵電極電連接以作為所述反相器的輸入端； 第一源電極，設置在所述第一源極區域上； 第二源電極，設置在所述第二源極區域上； 漏極金屬層，包括第一漏電極和第二漏電極，其中，所述第一漏電極設置在所述第一漏極區域上，而所述第二漏電極設置在所述第二漏極區域上，且所述第一漏電極和所述第二漏電極電連接以作為所述反相器的輸出端； 其中，所述第一源電極、所述第一源極區域、所述第一溝道區域、所述第一漏極區域、所述第一漏電極和所述第一柵電極構成第一晶體管;而所述第二源電極、所述第二源極區域、所述第二溝道區域、所述第二漏極區域、所述第二漏電極和所述第二柵電極構成第二晶體管。2.根據權利要求1所述的反相器結構，其中，所述第一漏極區域和所述第二漏極區域分別為長條狀結構，且所述第一漏極區域和所述第二漏極區域排列在同一行中。3.根據權利要求1所述的反相器結構，其中，所述第一漏極區域包括第一主體部分和第一延伸部分，所述第一延伸部分的寬度小于所述第一主體部分的寬度，且所述第一延伸部分從所述第一主體部分靠近所述第一溝道區域的邊緣處向所述第二漏極區域的方向延伸； 所述第二漏極區域包括第二主體部分和第二延伸部分，所述第二延伸部分的寬度小于所述第二主體部分的寬度，且所述第二延伸部分從所述第二主體部分靠近所述第二溝道區域的邊緣處向所述第一漏極區域的方向延伸； 其中，所述第一主體部分與所述第二主體部分至少部分交錯相對，且所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的延伸方向彼此相對。4.根據權利要求1所述的反相器結構，其特征在于，所述反相器結構進一步包括: 層間介質層，設置在所述多晶硅層與所述柵極金屬層、第一源電極、第二源電極和所述漏極金屬層之間。5.根據權利要求4所述的反相器結構，其特征在于，所述第一源電極通過至少一個孔洞而連接至所述第一源極區域，所述第一漏電極通過至少一個孔洞而連接至所述第一漏極區域;所述第二源電極通過至少一個孔洞而連接至所述第二源極區域，所述第二漏電極通過至少一個孔洞而連接至所述第二漏極區域。6.根據權利要求1所述的反相器結構，其特征在于，所述第一漏電極和所述第二漏電極集成在一起。7.根據權利要求1所述的反相器結構，其特征在于，所述第一晶體管為第一類型晶體管，而所述第二晶體管為第二類型晶體管，且所述第一類型晶體管和所述第二類型晶體管的類型不同。8.根據權利要求7所述的反相器結構，其特征在于，所述第一晶體管為P型薄膜晶體管，而所述第二晶體管為N型薄膜晶體管。9.根據權利要求8所述的反相器結構，其特征在于，所述第一源極區域為P型摻雜區域，所述第一漏極區域為P型摻雜區域;而所述第二源極區域為N型摻雜區域，所述第二漏極區域為N型摻雜區域。10.—種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1至9任一所述的反相器結構。
【文檔編號】G09G3/36GK106057153SQ201610573440
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月20日
【發明人】田勇, 趙莽
【申請人】武漢華星光電技術有限公司