本發明涉及制造技術領域，尤其涉及一種標牌的制作方法。
背景技術：
隨著市場品牌的競爭日趨激烈，企業為了加深品牌印象，需要在企業標示和產品標示方面更加凸顯個性化和創新化。標牌是企業和產品的重要視覺識別因素，是視覺傳達的重要媒介，因此，如何制作出視覺效果好的標牌成為企業的一個關注重點。
技術實現要素：
本發明所要解決的技術問題是：提供一種標牌的制作方法，制作得到的標牌的反射強度高。
為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：
一種標牌的制作方法，在用于制作標牌的片材原料的一側面進行uv轉印，形成uv轉印膠層；在所述uv轉印膠層上進行光學鍍膜，依次鍍覆形成順序層疊的第一sio2層、tio2層、al2o3層和第二sio2層，得到所述標牌。
本發明的有益效果在于：通過uv轉印形成uv轉印膠層，通過光學鍍膜形成光學鍍膜層，uv轉印膠層和光學鍍膜層的反射強度高，可以使標牌呈現較好的視覺效果，并且本發明的標牌的制作方法簡單，成本低，有利于批量化生產。
具體實施方式
為詳細說明本發明的技術內容、所實現目的及效果，以下結合實施方式予以說明。
本發明最關鍵的構思在于：在用于制作標牌的片材原料的一側面進行uv轉印，形成uv轉印膠層，在所述uv轉印膠層上進行光學鍍膜。
一種標牌的制作方法，在用于制作標牌的片材原料的一側面進行uv轉印，形成uv轉印膠層；在所述uv轉印膠層上進行光學鍍膜，依次鍍覆形成順序層疊的第一sio2層、tio2層、al2o3層和第二sio2層，得到所述標牌。
從上述描述可知，本發明的有益效果在于：通過uv轉印形成uv轉印膠層，通過光學鍍膜形成光學鍍膜層，uv轉印膠層和光學鍍膜層的反射強度高，可以使標牌呈現較好的視覺效果，并且本發明的標牌的制作方法簡單，成本低，有利于批量化生產。
進一步的，于鍍覆形成的第二sio2層的表面進行絲印，然后于絲印后的片材原料上設置粘接層。
由上述描述可知，進行絲印時，可以根據需要選擇要絲印的圖案，為了增強圖片顯示效果，可以進行多次絲印，設置粘接層可以很方便地將標牌粘接在制定產品上。
進一步的，所述粘接層為3m膠層。
進一步的，還包括步驟：將所述標牌進行切割。
由上述描述可知，當制作得到整版的標牌時，需要對整版的標牌進行切割以得到獨立的標牌，可以采用激光切割的方式進行，其切割精度高。
進一步的，所述片材原料為pet片材。
由上述描述可知，采用pet片材，其成本低并且硬度高。
進一步的，所述uv轉印膠層的厚度為5-8μm。
進一步的，所述uv轉印膠層的主體材料為聚丙烯酸。
由上述描述可知，選用聚丙烯酸作為主體材料，其透明度高，并且與pet片材的結合力好。
進一步的，所述第一sio2層的厚度為60-70nm，所述tio2層的厚度為50-70nm，所述al2o3層的厚度為30-50nm，所述第二sio2層的厚度為50-80nm。
由上述描述可知，光學鍍膜層的厚度可以根據需要進行設置。
本發明的實施例一為：
一種標牌的制作方法，制作得到的標牌的反射強度高，視覺效果好。
首先，選擇進行標牌制作的片材原料，本實施例中選用pet片材，所述pet片材的厚度規格可以是0.125mm或0.188mm，pet片材的表面硬度可達3h以上，且表面無幻彩、無晶點，所述pet片材可以采用韓國mnt公司的單面加硬的pet片材。選擇好pet片材后，需要對其進行沖切，沖切大小為390mm×420mm，當然也可以采用其他的規格大小。
然后在用于制作標牌的片材原料的一側面進行uv轉印，形成uv轉印膠層，所述uv轉印膠層的厚度為5-8μm。進行uv轉印時，采用聚丙烯酸作為主體材料，加入光固化劑進行固化，光固化劑的光固化能量為680-720mj/cm2。
在所述uv轉印膠層上進行光學鍍膜，依次鍍覆形成順序層疊的第一sio2層、tio2層、al2o3層和第二sio2層，所述第一sio2層的厚度為60-70nm，所述tio2層的厚度為50-70nm，所述al2o3層的厚度為30-50nm，所述第二sio2層的厚度為50-80nm。然后于鍍覆形成的第二sio2層的表面進行絲印，本實施例中，先后進行兩次絲印，第一次絲印時，采用精工740系列配套油墨，油墨：固化劑：稀釋劑的比例為10:1.2:1，油墨的顏色可以根據標牌的顏色需求進行調整。第二次絲印的參數與第一次相同。絲印完成后，然后于絲印后的片材原料上設置粘接層，即在pet片材的未進行絲印的那一面設置粘接層，所述粘接層可以為3m膠層。粘接層設置完成后，即得到整版的標牌。然后采用激光切割的方式對所述整版的標牌進行切割，得到獨立的標牌。使用時，只需將標牌與產品進行貼合即可。
綜上所述，本發明提供的一種標牌的制作方法，可以使標牌呈現較好的視覺效果，并且制作方法簡單，成本低，有利于批量化生產。
以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。