像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型實施例提供了一種像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置，通過設置用于在充電階段，控制存儲電容第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的充電單元；用于在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容第一端的電位為數據電壓，使存儲電容第二端電壓跳變為數據電壓，與所述第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的和，以便發光單元在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓進行發光的補償跳變單元。從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
【專利說明】像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術領域】，具體涉及一種像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有機發光顯示器(AMOLED)是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與液晶顯示器相比，有機發光二極管(OLED)具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角及響應速度快等優點，目前，在手機、PDA、數碼相機等顯示領域OLED已經開始取代傳統的IXD顯示屏。像素驅動電路設計是AMOLED顯示器核心技術內容，具有重要的研究意義。
[0003]與TFT-LCD利用穩定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅動，需要穩定的電流來控制發光。在原始的AMLOED兩管像素單元電路(2T1C)，如附圖1所示，該電路只有I個驅動薄膜晶體管(TFT)，一個開關薄膜晶體管TFT和一個存儲電容Cs組成，當掃描線選擇某一行時，Vs_為低，開關薄膜晶體管即Tl導通，數據電壓Vdata寫入存儲電容Cs，當該行掃描結束后，Vs_變高，Tl關斷，存儲在Cs上的柵極電壓驅動T2即驅動薄膜晶體管，使其產生電流來驅動0LED，保證OLED在一幀內持續發光，驅動薄膜晶體管飽和電流公式為I_D =K (Ves-Vth)2。
[0004]由于工藝制程和器件老化等原因，各像素點的驅動薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)會漂移，這樣就導致了流過每個像素點OLED的電流因閾值電壓的變化而變化，使得顯示亮度不均，從而影響整個圖像的顯示效果。
實用新型內容
[0005]本實用新型提供一種像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置，可以消除驅動薄膜晶體管的閾值電壓對發光驅動電流的影響，從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0006]本實用新型提供方案如下:
[0007]本實用新型實施例提供了一種像素電路，包括存儲電容、驅動薄膜晶體管以及發光單元，其中，驅動薄膜晶體管源極連接第一電平信號輸入端，驅動薄膜晶體管柵極連接存儲電容的第二端，驅動薄膜晶體管漏極連接發光單元；
[0008]所述像素電路還包括:
[0009]用于在充電階段，控制存儲電容第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的充電單元；
[0010]用于在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容第一端的電位為數據電壓，使存儲電容第二端電壓跳變為數據電壓，與所述第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的和，以便發光單元在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓進行發光的補償跳變單元。
[0011]優選的,所述充電單兀,分別與與第二電平信號輸入端、第一掃描信號輸入端、驅動薄膜晶體管的漏極、存儲電容的第一端和第二端連接。
[0012]優選的,所述充電單元包括:
[0013]第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；其中:
[0014]第一薄膜晶體管的源極與所述第二電平信號輸入端連接，第一薄膜晶體管的柵極與第一掃描信號輸入端連接，第一薄膜晶體管的漏極與存儲電容第一端連接；
[0015]第二薄膜晶體管的源極與驅動薄膜晶體管的漏極連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描信號輸入端連接，第二薄膜晶體管的漏極與存儲電容第二端連接。
[0016]優選的，所述補償跳變單元，分別與數據線、第二掃描信號輸入端以及存儲電容的第一端連接。
[0017]優選的，所述補償跳變單元包括:
[0018]第三薄膜晶體管；
[0019]第三薄膜晶體管的源極與數據線連接，第三薄膜晶體管的柵極與第二掃描信號輸入端連接，第三薄膜晶體管的漏極與存儲電容第一端連接。
[0020]優選的，所述像素電路還包括:
[0021]用于在充電階段之前的重置階段，控制存儲電容第二端電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位的重置單元；
[0022]重置單元分別與第二電平信號輸入端、第三掃描信號輸入端以及存儲電容第二端連接。
[0023]優選的，所述重置單元包括:
[0024]第四薄膜晶體管；
[0025]第四薄膜晶體管的源極與第二電平信號輸入端連接，第四薄膜晶體管的柵極與第三掃描信號輸入端連接，第四薄膜晶體管的漏極與存儲電容第二端連接。
[0026]優選的，所述像素電路還包括:
[0027]用于在充電階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管傳輸至充電單元，以及在發光階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管傳輸至發光單元的控制單兀；
[0028]控制單元分別與第一電平信號輸入端、控制信號輸入端以及驅動薄膜晶體管連接。
[0029]優選的，所述控制單元包括:
[0030]第五薄膜晶體管；
[0031]第五薄膜晶體管的源極與第一電平信號輸入端連接，第五薄膜晶體管的柵極與控制信號輸入端連接，第五薄膜晶體管的漏極與驅動薄膜晶體管的源極連接。
[0032]優選的，所述發光單元包括:
[0033]第六薄膜晶體管以及有機發光二極管；其中:
[0034]第六薄膜晶體管的源極分別與驅動薄膜晶體管的漏極連接，第六薄膜晶體管的柵極與第二掃描信號輸入端連接，第六薄膜晶體管的漏極與有機發光二極管的陽極連接；
[0035]有機發光二極管的陰極與第二電平信號輸入端連接。
[0036]優選的，所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管；
[0037]第一電平信號輸入端輸入的信號為高電平信號；
[0038]第二電平信號輸入端輸入的信號為低電平信號。
[0039]本實用新型實施例還提供了一種有機發光顯示面板，包括上述本實用新型實施例提供的像素電路。
[0040]本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述本實用新型實施例提供的有機發光顯示面板。
[0041]從以上所述可以看出，本實用新型實施例提供的像素電路、有機發光顯示面板及顯示裝置，通過設置用于在充電階段，控制存儲電容第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的充電單元；用于在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容第一端的電位為數據電壓，使存儲電容第二端電壓跳變為數據電壓，與所述第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的和，以便發光單元在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓進行發光的補償跳變單元。可以消除驅動薄膜晶體管的閾值電壓對發光驅動電流的影響，從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0042]圖1為現有技術示意圖。
[0043]圖2為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖一；
[0044]圖3為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖二 ；
[0045]圖4為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖三；
[0046]圖5為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖四；
[0047]圖6為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖五；
[0048]圖7為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖六；
[0049]圖8為本實用新型實施例提供的像素電路示意圖七；
[0050]圖9為本實用新型實施例提供的像素驅動方法流程示意圖；
[0051]圖10為本實用新型實施例提供的信號時序示意圖；
[0052]圖11為本實用新型實施例提供的像素電路狀態示意圖一；
[0053]圖12為本實用新型實施例提供的像素電路狀態示意圖二 ；
[0054]圖13為本實用新型實施例提供的像素電路狀態示意圖三；
[0055]圖14為本實用新型實施例提供的像素電路狀態示意圖四。
【具體實施方式】
[0056]為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本實用新型的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0057]除非另作定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本實用新型所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本實用新型專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也相應地改變。
[0058]本實用新型實施例提供了一種像素電路，如附圖2所示，包括存儲電容Cs、驅動薄膜晶體管DTFT以及發光單元I，其中，驅動薄膜晶體管DTFT源極連接第一電平信號輸入端，驅動薄膜晶體管DTFT柵極連接存儲電容Cs第二端，驅動薄膜晶體管DTFT漏極連接發光單元I ;
[0059]所述像素電路還包括:
[0060]用于在充電階段，控制存儲電容Cs第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容Cs第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管DTFT閾值電壓Vth之間差值的充電單元2 ；
[0061]用于在充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容Cs第一端的電位為數據電壓Vdata,使存儲電容Cs第二端電壓跳變為數據電壓Vdata,與第二電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管DTFT閾值電壓Vth之間差值的和，以便發光單元I在補償跳變階段之后的發光階段，利用數據電壓Vdata進行發光的補償跳變單元3。
[0062]本實用新型實施例所提供的像素電路，可以使有機發光二極管(OLED)的驅動電流I_D不受驅動晶體管閾值電壓Vth的影響，從而使有機發光顯示面板中不同像素單元內的OLED驅動電流一致，可改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0063]本實用新型實施例中，所涉及的第一電平信號輸入端輸入的信號，具體可為高電平號，例如Vdd等。
[0064]而本實用新型實施例中，第二電平信號輸入端輸入的信號具體可為低電平信號，也可以使第二電平信號輸入端直接與地連接，從而使第二電平信號輸入端輸入零電位信號。
[0065]那么，上述存儲電容Cs第二端在充電階段的電位即可為Vdd-Vth,在補償跳階段的電位為 Vdd-Vth+Vdata。
[0066]本實用新型實施例中，如附圖2所示，充電單元2具體可分別與與第一電平信號輸入端、第一掃描信號輸入端Scanl、驅動薄膜晶體管DTFT的漏極、存儲電容Cs的第一端(節點A)和第二端(節點B)連接。
[0067]在一具體實施例中，如附圖3所示，充電單元2具體可以包括:
[0068]第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2 ;其中:
[0069]第一薄膜晶體管Tl的源極與第二電平信號輸入端連接，第一薄膜晶體管Tl的柵極與第一掃描信號輸入端Scanl連接,第一薄膜晶體管Tl的漏極與存儲電容Cs第一端連接;
[0070]第二薄膜晶體管T2的源極與驅動薄膜晶體管DTFT的漏極連接，第二薄膜晶體管T2的柵極與第一掃描信號輸入端Scanl連接,第二薄膜晶體管T2的漏極與存儲電容Cs第二端連接。
[0071]在充電階段，第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2在第一掃描信號輸入端輸入的第一掃描信號Vseanl的控制下處于導通狀態，則第一薄膜晶體管Tl將第一電平信號輸入端輸入信號傳輸至存儲電容Cs第一端即節點A，從而使節點A的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位，例如零，而第二薄膜晶體管T2將第二電平信號輸入端輸入信號，例如Vdd傳輸存儲電容Cs第二端即節點B (在充電階段，驅動晶體管DTFT處于導通狀態)，從而為節點B充電，直至節點B的電位為Vdd-Vth。此時，由于節點A的電位具體可為零，因此，存儲電容Cs兩端即節點A、B間的壓差為(Vdd-Vth)。
[0072]本實用新型實施例中，如附圖2所示，所述補償跳變單元3，分別與數據線、第二掃描信號輸入端Scan2以及存儲電容Cs的第一端連接。
[0073]在一具體實施例中，如附圖3所示，補償跳變單元3具體可以包括:
[0074]第三薄膜晶體管T3;
[0075]第三薄膜晶體管T3的源極與數據線連接，第三薄膜晶體管T3的柵極與第二掃描信號輸入端Scan2連接，第三薄膜晶體管T3的漏極與存儲電容Cs第一端連接。
[0076]在補償跳變階段，第三薄膜晶體管T3在第二掃描信號輸入端輸入的第二掃描信號Vs_2的控制下處于導通狀態，從而將數據線所傳輸的信號傳輸至存儲電容Cs第一端，由于存儲電容Cs第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，如零，從而使存儲電容Cs第一端的電位由O變為Vdata。
[0077]由于在補償跳變階段，存儲電容Cs第二端即節點B為浮接狀態，因此要維持存儲電容Cs兩端即節點A、B原來的壓差(Vdd-Vth)，那么在節點A的電位Vdata的情況下，節點B的電位會發生等壓跳變，即節點B的電位跳變為Vdd - Vth+Vdata,并維持該電位不變，以為后續的發光階段作準備。
[0078]在本實用新型的一個具體實施例中，為了確保存儲電容Cs第二端(即節點B)的電位在充電階段為第一電平信號輸入端輸入信號Vdd的電位和驅動薄膜晶體管DTFT閾值電壓Vth之間的差值，可在充電階段之前的重置階段，對存儲電容Cs第二端進行放電重置操作。
[0079]因此，本實用新型實施例所提供的像素電路，如附圖4所示，具體還可以包括:
[0080]用于在充電階段之前的重置階段，控制存儲電容Cs第二端電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位的重置單元4。
[0081]具體的，如附圖4所示，重置單元4分別與第二電平信號輸入端、第三掃描信號輸入端Scan3以及存儲電容Cs第二端連接。
[0082]在一具體實施例中，如附圖5所示，重置單元4具體可以包括:
[0083]第四薄膜晶體管T4;
[0084]第四薄膜晶體管T4的源極與第二電平信號輸入端連接，第四薄膜晶體管T4的柵極與第三掃描信號輸入端Scan3連接，第四薄膜晶體管T4的漏極與存儲電容Cs第二端連接。
[0085]由于第一電平信號輸入端輸入信號的電位具體可為零，因此，在重置階段可使存儲電容Cs第二端的電位重置歸零。
[0086]并且，存儲電容Cs第二端電位重置歸零，還可使驅動薄膜晶體管DTFT處于導通狀態，直至在充電階段，從而在充電階段使第一電平信號輸入端輸入的信號(例如Vdd)可以經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至充電單元2 (具體可為第二薄膜晶體管T2的源極)，以便充電單兀2在充電階段利用第一電平信號輸入端輸入的信號(例如Vdd),將存儲電容Cs第二端充電至vdd-vth。
[0087]本實用新型實施例中，為了實現對第二電平信號輸入端輸入信號的控制，如附圖6所示，像素電路具體還可以包括:
[0088]用于在充電階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管DTFT,以使所述信號經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至充電單元，以及在發光階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管DTFT，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至發光單元I的控制單元5。
[0089]具體的，如附圖6所示，控制單元5可分別與第二電平信號輸入端、控制信號輸入端EM以及驅動薄膜晶體管DTFT連接。
[0090]在一具體實施例中，如附圖7所示，控制單元5具體可以包括:
[0091]第五薄膜晶體管T5 ；
[0092]第五薄膜晶體管T5的源極與第二電平信號輸入端連接，第五薄膜晶體管T5的柵極與控制信號輸入端EM連接，第五薄膜晶體管T5的漏極與驅動薄膜晶體管DTFT的源極連接。
[0093]需要說明的是，本實用新型實施例中，控制單元5可為可選器件，在本實用新型的其他實施例中，可通過控制第二電平信號的輸入時序，以實現并替代控制單元5的作用。
[0094]本實用新型實施例中，如附圖8所示，發光單元I具體可以包括:
[0095]第六薄膜晶體管T6以及有機發光二極管OLED ;其中:
[0096]第六薄膜晶體管T6的源極分別與驅動薄膜晶體管DTFT的漏極，第六薄膜晶體管T6的柵極與第二掃描信號輸入端Scan2連接,第六薄膜晶體管T6的漏極與有機發光二極管OLED的陽極連接；
[0097]有機發光二極管OLED的陰極與第二電平信號輸入端連接。
[0098]由于在發光階段，控制單元以及第六薄膜晶體管均處于導通狀態，因此，第二電平信號輸入端輸入的信號如Vdd可以傳輸至驅動薄膜晶體管DTFT的源極，從而使驅動薄膜晶體管的柵源電壓 Ves = Vdd-(Vdd - Vth+Vdata)。
[0099]由驅動薄膜晶體管DTFT飽和電流公式可以得到:
[0100]Iqled = K (Vgs - Vth)2
[0101]= K [Vdd - (Vdd - vth+vdata) - Vth]2
[0102]=K(Vdata)2
[0103]其中，Ves為驅動薄膜晶體管DTFT柵源電壓，K為與驅動薄膜晶體管DTFT生產工藝和驅動設計有關的常數。
[0104]通過上述計算結果可以看出，本實用新型實施例所提供的像素電路，可以使有機發光二極管OLED的驅動電流與驅動薄膜晶體管DTFT的閾值電壓Vth無關，而只取決于數據電壓Vdata，因此，本實用新型實施例通過的像素電路可以消除驅動薄膜晶體管的閾值電壓對發光驅動電流的影響，從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0105]在本實用新型一可選實施例中，上述本實用新型實施例所涉及的薄膜晶體管，包括第一薄膜晶體管Tl至第六薄膜晶體管T6，以及驅動薄膜晶體管DTFT，具體均可為P型晶體管，且上述晶體管中的源、漏極可互換。
[0106]那么，為了使P型的驅動薄膜晶體管DTFT在發光階段處于導通狀態，本實用新型實施例中所涉及的數據電壓Vdata具體可為負電壓，從而使計算公式Vdd_Vth+Vdata的值為負值，使P型的驅動薄膜晶體管DTFT在發光階段為導通狀態，以便有機發光二極管(OLED)的驅動電流I_D經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至有機發光二極管0LED，以使有機發光二極管OLED發光。
[0107]本實用新型實施例還提供了一種像素驅動方法，用于驅動上述本實用新型實施例提供的像素電路，如附圖9所示，該方法具體可以包括:
[0108]在充電階段，控制存儲電容Cs第一端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容Cs第二端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管DTFT閾值電壓Vth之間差值；
[0109]在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容Cs第一端的電位為數據電壓Vdata，使存儲電容Cs第二端電壓跳變為數據電壓Vdata,與所述第二電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管DTFT閾值電壓Vth之間差值的和，以便發光單元I在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓Vdata進行發光。
[0110]本實用新型實施例所提供的像素電路，可以使有機發光二極管(OLED)的驅動電流I_D不受驅動晶體管閾值電壓Vth的影響，從而使有機發光顯示面板中不同像素單元內的OLED驅動電流一致，可改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0111]本實用新型實施例中，所涉及的第一電平信號輸入端輸入的信號，具體可為高電平號，例如Vdd等。
[0112]而本實用新型實施例中，第二電平信號輸入端輸入的信號具體可為低電平信號，也可以使第二電平信號輸入端直接與地連接，從而使第二電平信號輸入端輸入零電位信號。
[0113]那么，上述存儲電容Cs第二端在充電階段的電位即可為Vdd-Vth,在補償跳階段的電位為 vdd-vth+vdata。
[0114]在一具體實施例中，所述方法還可以包括:
[0115]在充電階段之前的重置階段，控制存儲電容Cs第二端電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位。
[0116]在一具體實施例中，所述充電階段具體還可以包括:
[0117]將第二電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管DTFT，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至存儲電容Cs第二端；
[0118]在一具體實施例中，所述發光階段具體還可以包括:
[0119]將第二電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管DTFT，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管DTFT傳輸至發光單元I。
[0120]下面，對本實用新型實施例提供的像素驅動方法的一個具體實施例的實現過程進行詳細的描述。
[0121]該實施例中，本實用新型實施例提供的像素驅動方法具體可應用于如附圖8所示的像素電路中，且該電路中，所有的薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管，第一電平信號輸入度輸入的信號為Vdd，第二電平信號輸入端連接地。該實施例所涉及的信號輸入時序圖可如附圖10所示。
[0122]該實施例的具體實現過程可以包括:
[0123]在重置階段(附圖10中I階段)，第三掃描信號輸入端Scan3輸入低電平信號，重置單元4處于導通狀態，即第四薄膜晶體管T4處于導通狀態，第一掃描信號輸入端Scanl、第二掃描信號輸入端Scan2和控制信號輸入端EM輸入高電平信號,發光單兀1、充電單兀
2、補償跳變單元3和控制單元5處于截止狀態，即第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第五薄膜晶體管T5和第六薄膜晶體管T6處于截止狀態，此階段中像素電路的狀態示意圖可如附圖11所示。
[0124]由于在重置階段，第四薄膜晶體管T4導通，因此，將存儲電容Cs第二端即節點B重置接地，節點B的電位為0V，從而實現將節點B之前的電壓信號進行重置。
[0125]在充電階段(附圖10中2階段)，控制信號輸入端EM和第一掃描信號輸入端Scanl輸入低電平信號，控制單元5和充電單元2處于導通狀態，即第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2和第五薄膜晶體管T5處于導通狀態,第二掃描信號輸入端Scan2、第三掃描信號輸入端Scan3輸入高電平信號，重置單元4、補償跳變單元3和發光單元I處于截止狀態，即第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4和第六薄膜晶體管T6處于截止狀態，此階段中像素電路的狀態示意圖可如附圖12所示。
[0126]由于在重置階段節點B的電位已經接地，所以，在充電階段，驅動薄膜晶體管DTFT處于導通狀態，那么，Vdd信號通過第五薄膜晶體管T5 —驅動薄膜晶體管DTFT —第二薄膜晶體管T2，開始對節點B進行充電，一直將節點B充電至Vdd-Vth為止(滿足驅動薄膜晶體管DTFT柵源兩極之間的壓差為Vth)，在充電過程中，由于節點A的電位始終為零，所以當充電階段結束之后，節點B的電位會一直維持在Vdd-Vth。另外，由于在充電階段第六薄膜晶體管T6始終處于關閉狀態，使得電流不會通過有機發光二極管0LED，從而可降低有機發光二極管OLED的壽命損耗，延長了有機發光二極管OLED的使用壽命。
[0127]在補償跳變階段(附圖10中3階段)，第二掃描信號輸入端Scan2輸入低電平信號，補償跳變單元3和發光單元I處于導通狀態，即第三薄膜晶體管T3和第六薄膜晶體管T6處于導通狀態,第一掃描信號輸入端Scanl、第三掃描信號輸入端Scan3和控制信號輸入端EM輸入高電平信號，重置單元4、充電單元2和控制單元5處于截止狀態，即第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5處于截止狀態，此階段中像素電路的狀態示意圖可如附圖13所示。
[0128]由于在補償跳變階段第三薄膜晶體管T3處于導通狀態，因此，節點A的電位由零跳變至Vdata，而由于節點B為浮接狀態，因此要維持存儲電容Cs兩端即節點A、B原來的壓差(Vdd-Vth)，那么在節點A的電位Vdata的情況下，節點B的電位會發生等壓跳變，即節點B的電位跳變為Vdd - Vth+Vdata，并維持該電位不變，以為后續的發光階段作準備。
[0129]在發光階段(附圖10中4階段)，第二掃描信號輸入端Scan2和控制信號輸入端EM輸入低電平信號，控制單元5、補償跳變單元3和發光單元I處于導通狀態，即第三薄膜晶體管T3、第五薄膜晶體管T5和第六薄膜晶體管T6處于導通狀態；第一掃描信號輸入端Scanl和第三掃描信號輸入端Scan3輸入高電平信號，重置單元4和充電單元2處于截止狀態，即第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2和第四薄膜晶體管T4處于截止狀態，此階段中像素電路的狀態示意圖可如附圖14所示。
[0130]由于在發光階段，第一薄膜晶體管Tl處于導通狀態，因此，驅動薄膜晶體管DTFT源極的電位為vdd，電流通過第一薄膜晶體管Tl —驅動薄膜晶體管DTFT —第六薄膜晶體管T6,使得有機發光二極管OLED開始發光。
[0131]由驅動薄膜晶體管DTFT飽和電流公式可以得到:
[0132]Iqled = K (Vgs - Vth)2
[0133]= K [Vdd - (Vdd - Vth+Vdata) - Vth]2
[0134]= K(Vdata)2
[0135]其中，Vgs為驅動薄膜晶體管DTFT柵源電壓，K為與驅動薄膜晶體管DTFT生產工藝和驅動設計有關的常數。
[0136]由上式中可以看到此時工作電流I_D已經不受驅動薄膜晶體管DTFT的閾值電壓Vth的影響，而只與數據電壓Vdata有關，從而徹底解決了驅動薄膜晶體管DTFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓Vth漂移的問題，消除其對1_的影響，保證不同像素單元內有機發光二極管OLED正常工作。從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0137]同時，從附圖10中可以看出，本實用新型實施例中，在充電階段和補償跳變階段，數據電壓Vdata為負電壓，在重置階段和發光階段，數據電壓Vdata為正電壓。
[0138]基于本實用新型實施例提供的像素電路，本實用新型實施例還提供了一種有機發光顯示面板，該有機發光顯示面板具體可以包括上述本實用新型實施例提供的像素電路。
[0139]本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括上述本實用新型實施例提供的有機發光顯示面板。
[0140]該顯示裝置具體可以為液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、OLED面板、OLED顯示器、等離子顯示器或電子紙等顯示裝置。
[0141]本實用新型所述的像素電路、有機發光顯示面板與顯示裝置特別適合LTPS(低溫多晶硅技術)制程下的GOA電路需求，也可適用于非晶硅工藝下的GOA電路。
[0142]本實用新型實施例提供的像素電路及其驅動方法、有機發光顯示面板及顯示裝置，通過設置用于在充電階段，控制存儲電容第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的充電單元；用于在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容第一端的電位為數據電壓，使存儲電容第二端電壓跳變為數據電壓，與所述第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的和，以便發光單元在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓進行發光的補償跳變單元。可以消除驅動薄膜晶體管的閾值電壓對發光驅動電流的影響，從而改善有機發光顯示面板亮度的均勻性，提高顯示裝置的圖像顯示效果。
[0143]同時，本實用新型實施例技術方案中，還可以避免電流長時間通過有機發光二極管0LED，從而可降低有機發光二極管OLED的壽命損耗，延長了有機發光二極管OLED的使用壽命。
[0144]需指出的是，本實用新型實施例所提供的像素電路可適用于非晶硅、多晶硅、氧化物等工藝的薄膜晶體管。同時，盡管上述實施例中，以單一采用P型薄膜晶體管為例進行了說明，然而，上述電路還可以輕易的改成采用單一的N型薄膜晶體管或CMOS管電路。而且，盡管上述實施例中以有源矩陣有機發光二極管為例進行了說明，然而本實用新型不限于使用有源矩陣有機發光二極管的顯示裝置，也可以應用于使用其他各種發光二極管的顯示裝置。
[0145]以上所述僅是本實用新型的實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
【權利要求】
1.一種像素電路，包括存儲電容、驅動薄膜晶體管以及發光單元，其中，驅動薄膜晶體管源極連接第一電平信號輸入端，驅動薄膜晶體管柵極連接存儲電容的第二端，驅動薄膜晶體管漏極連接發光單元； 其特征在于，所述像素電路還包括: 用于在充電階段，控制存儲電容第一端的電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位，控制存儲電容第二端的電位為第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的充電單元； 用于在所述充電階段之后的補償跳變階段，控制存儲電容第一端的電位為數據電壓，使存儲電容第二端電壓跳變為數據電壓，與所述第一電平信號輸入端輸入信號的電位和驅動薄膜晶體管閾值電壓之間差值的和，以便發光單元在補償跳變階段之后的發光階段，利用所述數據電壓進行發光的補償跳變單元。
2.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述充電單元，分別與第二電平信號輸入端、第一掃描信號輸入端、驅動薄膜晶體管的漏極、存儲電容的第一端和第二端連接。
3.如權利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述充電單元包括: 第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；其中: 第一薄膜晶體管的源極與所述第二電平信號輸入端連接，第一薄膜晶體管的柵極與第一掃描信號輸入端連 接，第一薄膜晶體管的漏極與存儲電容第一端連接； 第二薄膜晶體管的源極與驅動薄膜晶體管的漏極連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一掃描信號輸入端連接，第二薄膜晶體管的漏極與存儲電容第二端連接。
4.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述補償跳變單元，分別與數據線、第二掃描信號輸入端以及存儲電容的第一端連接。
5.如權利要求4所述的像素電路，其特征在于，所述補償跳變單元包括: 第三薄膜晶體管； 第三薄膜晶體管的源極與數據線連接，第三薄膜晶體管的柵極與第二掃描信號輸入端連接，第三薄膜晶體管的漏極與存儲電容第一端連接。
6.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括: 用于在充電階段之前的重置階段，控制存儲電容第二端電位為第二電平信號輸入端輸入信號的電位的重置單元； 重置單元分別與第二電平信號輸入端、第三掃描信號輸入端以及存儲電容第二端連接。
7.如權利要求6所述的像素電路，其特征在于，所述重置單元包括: 第四薄膜晶體管； 第四薄膜晶體管的源極與第二電平信號輸入端連接，第四薄膜晶體管的柵極與第三掃描信號輸入端連接，第四薄膜晶體管的漏極與存儲電容第二端連接。
8.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括: 用于在充電階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管傳輸至充電單元，以及在發光階段將第一電平信號輸入端輸入的信號傳輸至驅動薄膜晶體管，以使所述信號經過驅動薄膜晶體管傳輸至發光單元的控制單元;控制單元分別與第一電平信號輸入端、控制信號輸入端以及驅動薄膜晶體管連接。
9.如權利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述控制單元包括: 第五薄膜晶體管； 第五薄膜晶體管的源極與第一電平信號輸入端連接，第五薄膜晶體管的柵極與控制信號輸入端連接，第五薄膜晶體管的漏極與驅動薄膜晶體管的源極連接。
10.如權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發光單元包括: 第六薄膜晶體管以及有機發光二極管；其中: 第六薄膜晶體管的源極分別與驅動薄膜晶體管的漏極連接，第六薄膜晶體管的柵極與第二掃描信號輸入端連接，第六薄膜晶體管的漏極與有機發光二極管的陽極連接； 有機發光二極管的陰極與第二電平信號輸入端連接。
11.如權利要求1至10任一項所述的像素電路，其特征在于，所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管； 第一電平信號輸入端輸入的信號為高電平信號； 第二電平信號輸入端輸入的信號為低電平信號。
12.—種有機發光顯示面板，其特征在于，包括所述權利要求ι-ll任一項的像素電路。
13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求12所述的有機發光顯示面板。
【文檔編號】G09G3/32GK203858845SQ201420283017
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年5月29日 優先權日:2014年5月29日
【發明者】楊盛際, 董學, 王海生 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司