像素驅動電路、方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供了一種像素驅動電路、方法和顯示裝置。像素驅動電路包括預充電控制單元、存儲電容、驅動晶體管和閾值補償單元，預充電控制單元預充電階段通過電源電壓對存儲電容充電；閾值補償單元在閾值補償階段，在控制信號的控制下與驅動晶體管一起控制存儲電容放電直到驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，在發光階段控制驅動晶體管的柵源電壓補償Vth；Vdata為數據線上的數據信號的電壓，Vth為驅動晶體管的閾值電壓。本發明在對驅動晶體管的閾值電壓進行補償時，采用數據信號直接控制驅動晶體管，可以節省晶體管數目，從而能夠減小電路設計的空間，增加像素間距。
【專利說明】像素驅動電路、方法和顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種像素驅動電路、方法和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]由于工藝偏差，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de，有源矩陣有機發光二極管面板)上的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的閾值電壓Vth會發生偏移，導致不同的像素的電流出現不均勻的現象。現有的具有閾值補償功能的像素驅動電路大多是在預充電階段通過數據線上的數據信號的電壓Vdata對存儲電容進行充電，在補償階段通過存儲電容放電來達到閾值補償，之后在發光階段驅動OLED (Organic LightEmitting D1de，有機發光二極管)發光，這樣的設置會導致結構相對復雜，采用的控制信號多，從而使得像素間距小。
【發明內容】
[0003]本發明的主要目的在于提供一種像素驅動電路、方法和顯示裝置，解決現有技術中采用較多的晶體管來實現對驅動晶體管閾值電壓進行補償從而使得像素間距小的問題。
[0004]為了達到上述目的，本發明提供了一種像素驅動電路，包括預充電控制單元、存儲電容、驅動晶體管和閾值補償單元，其中，
[0005]所述驅動晶體管，柵極通過所述與預充電控制單元與數據線連接，第一極與發光元件連接，第二極與所述存儲電容的第一端連接；
[0006]所述預充電控制單元，分別接入第一掃描信號、第二掃描信號和電源電壓Vdd，分別與所述存儲電容的第一端、所述驅動晶體管的柵極和數據線連接，并通過所述閾值補償單元與所述存儲電容的第二端連接；
[0007]所述閾值補償單元，接入控制信號，分別與所述驅動晶體管的柵極、所述驅動晶體管的第一極、所述存儲電容的第二端和地端連接，用于在預充電階段在所述控制信號的控制下導通所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第二端的連接；
[0008]所述預充電控制單元，用于在預充電階段，在所述第一掃描信號和第二掃描信號的控制下通過所述電源電壓Vdd對所述存儲電容充電，使得所述存儲電容的第一端的電位為Vdd，在閾值補償階段在所述第二掃描信號的控制下控制所述驅動晶體管的柵極接入所述數據線在閾值補償階段輸出的數據信號，在發光階段在所述第一掃描信號的控制下控制所述驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd;
[0009]所述閾值補償單元，進一步用于在閾值補償階段，在所述控制信號的控制下與所述驅動晶體管一起控制所述存儲電容放電直到所述驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發光階段導通所述驅動晶體管的柵極與所述存儲電容的第二端的連接，從而控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth ;Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓。
[0010]實施時，所述預充電控制單元包括:
[0011]第一預充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號，第一極與所述存儲電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0012]以及，第二預充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號，第一極與所述數據線連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接。
[0013]實施時，所述閾值補償單元包括:
[0014]第一補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極與所述存儲電容的第二端連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接；
[0015]以及，第二補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極接地，第二極與所述驅動晶體管的第一極連接。
[0016]實施時，所述第一預充電晶體管、所述第二預充電晶體管、所述第二補償晶體管和所述驅動晶體管都為NMOS管，所述第一補償晶體管為PMOS管。
[0017]實施時，所述第一預充電晶體管、所述第二預充電晶體管、所述第二補償晶體管和所述驅動晶體管都為PMOS管，所述第一補償晶體管為NMOS管。
[0018]本發明還提供了一種像素驅動方法，應用上述的像素驅動電路，所述像素驅動方法包括:
[0019]在預充電階段，數據線輸出零電平，閾值補償單元在控制信號的控制下導通驅動晶體管的柵極和存儲電容的第二端的連接，預充電控制單元在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下通過電源電壓Vdd對存儲電容充電，使得存儲電容的第一端的電位為Vdd ；
[0020]在閾值補償階段，數據線輸出數據信號，驅動晶體管導通，預充電控制單元在第二掃描信號的控制下控制驅動晶體管的柵極接入所述數據信號，閾值補償單元在控制信號的控制下與驅動晶體管一起控制存儲電容放電直到驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓；
[0021]在發光階段，預充電控制單元在第一掃描信號的控制下控制驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補償單元導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
[0022]本發明還提供了一種像素驅動方法，應用上述的像素驅動電路，所述像素驅動方法包括:
[0023]在預充電階段，數據線輸出零電平，在控制信號的控制下，第一閾值補償晶體管導通，在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下，第一預充電晶體管和第二預充電晶體管都導通，通過電源電壓對存儲電容充電；
[0024]在閾值補償階段，所述第一掃描信號控制所述第一預充電晶體管斷開，所述第二掃描信號繼續控制所述第二預充電晶體管導通；數據線輸出數據信號，以控制驅動晶體管導通，控制信號控制第二補償晶體管導通，所述存儲電容通過所述驅動晶體管和所述第二補償晶體管向地端放電，直至驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓；
[0025]在發光階段，第一掃描信號控制第一預充電晶體管導通，使得驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號控制第一補償晶體管導通而第二補償晶體管斷開，以導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管導通以驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
[0026]本發明還提供了一種顯示裝置，包括上述的像素驅動電路。
[0027]與現有技術相比，本發明所述的像素驅動電路、方法和顯示裝置，在對驅動晶體管的閾值電壓進行補償時，采用數據信號直接控制驅動晶體管，可以節省晶體管數目，從而能夠減小電路設計的空間，增加像素間距。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1是本發明實施例所述的像素驅動電路的電路圖；
[0029]圖2是本發明另一實施例所述的像素驅動電路的電路圖；
[0030]圖3是本發明該實施例所述的像素驅動電路的信號時序圖；
[0031]圖4A是本發明該實施例所述的像素驅動電路在預充電階段SI的工作示意圖；
[0032]圖4B是本發明該實施例所述的像素驅動電路在閾值補償階段S2的工作示意圖；
[0033]圖4C是本發明該實施例所述的像素驅動電路在發光階段S3的工作示意圖；
[0034]圖5是本發明又一實施例所述的像素驅動電路的信號時序圖。
【具體實施方式】
[0035]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0036]本發明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應管或其他特性相同的器件。在本發明實施例中，將晶體管除柵極之外的兩極分別稱為第一極和第二極。
[0037]如圖1所示，本發明實施例所述的像素驅動電路，包括預充電控制單元11、存儲電容Cs、驅動晶體管DTFT和閾值補償單元12，其中，
[0038]所述驅動晶體管DTFT，柵極通過所述預充電控制單元11與數據線Data連接，第一極與發光元件Dl的陽極連接，第二極與所述存儲電容Cs的第一端A連接；發光元件Dl的陰極與地端GND連接；
[0039]所述預充電控制單元11，分別接入第一掃描信號Scanl、第二掃描信號Scan2和電源電壓Vdd，還分別與所述存儲電容Cs的第一端A、所述驅動晶體管的柵極和數據線Data連接，并通過所述閾值補償單元與所述存儲電容Cs的第二端B連接；
[0040]所述閾值補償單元12，接入控制信號EN，分別與所述驅動晶體管DTFT的柵極、所述驅動晶體管DTFT的第一極、所述存儲電容Cs的第二端B和地端GND連接，用于在預充電階段在所述控制信號EN的控制下導通所述驅動晶體管DTFT的柵極與所述存儲電容Cs的第二端B的連接；
[0041]所述預充電單元，用于在預充電階段，在所述第一掃描信號Scanl和所述第二掃描信號Scan2的控制下通過所述電源電壓Vdd對所述存儲電容Cs充電，使得所述存儲電容Cs的第一端的電位為Vdd，在閾值補償階段在所述第二掃描信號Scan2的控制下控制所述驅動晶體管DTFT的柵極接入所述數據線Data在閾值補償階段輸出的數據信號，在發光階段在所述第一掃描信號Scanl的控制下控制所述驅動晶體管DTFT的第二極接入所述電源電壓Vdd;所述閾值補償單元12，用于在閾值補償階段，在所述控制信號EN的控制下與所述驅動晶體管DTFT —起控制所述存儲電容Cs放電直到所述驅動晶體管DTFT的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發光階段導通所述驅動晶體管DTFT的柵極與所述存儲電容Cs的第二端B的連接，從而控制所述驅動晶體管DTFT的柵源電壓補償Vth ;Vdata為所述數據信號的電壓，Vth為驅動晶體管DTFT的閾值電壓。
[0042]本發明實施例所述的像素驅動電路采用數據線Data上的數據信號直接控制驅動晶體管DTFT，可以在補償驅動晶體管的閾值電壓的同時，節省晶體管數目，從而能夠減小電路設計的空間，增加像素間距。
[0043]在具體實施時，所述預充電控制單元可以包括:
[0044]第一預充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號，第一極與所述存儲電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓；
[0045]以及，第二預充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號，第一極與所述數據線連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接。
[0046]在具體實施時，所述閾值補償單元可以包括:
[0047]第一補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極與所述存儲電容的第二端連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接；
[0048]以及，第二補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極接地，第二極與所述驅動晶體管的第一極連接。
[0049]下面通過具體實施例來說明本發明所述的像素驅動電路。
[0050]如圖2所示，在本發明一具體實施例所述的像素驅動電路中，所述發光元件為發光二極管OLED ；
[0051]所述預充電控制單元包括:
[0052]第一預充電晶體管T11，柵極接入所述第一掃描信號Scanl，第一極與所述存儲電容Cs的第一端A連接，第二極接入所述電源電壓Vdd;
[0053]以及，第二預充電晶體管T12，柵極接入所述第二掃描信號Scan2，第一極與數據線Data連接，第二極與所述驅動晶體管DTFT的柵極連接。
[0054]所述閾值補償單元包括:
[0055]第一補償晶體管T21，柵極接入所述控制信號EN，第一極與所述存儲電容Cs的第二端B連接，第二極與所述驅動晶體管DTFT的柵極連接；
[0056]以及，第二補償晶體管T22，柵極接入所述控制信號EN，第一極與地端GND連接，第二極與所述驅動晶體管DTFT的第一極連接；
[0057]所述驅動晶體管DTFT，柵極與數據線Data連接，第一極與發光二極管OLED的陽極連接，第二極與第一預充電晶體管Tll的第一極連接；
[0058]發光二極管OLED的陰極與地端GND連接。
[0059]在圖2所示的像素驅動電路的實施例中，所述第一預充電晶體管、所述第二預充電晶體管、所述第二補償晶體管和所述驅動晶體管都為NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor, N型金屬-氧化物-半導體)管，所述第一補償晶體管為PMOS (P-Mental-Oxide-Semiconductor，P型金屬-氧化物-半導體)管；
[0060]其中，將所述第一補償晶體管和所述第二補償晶體管設置為類型相反的MOS管，從而可以減少控制信號的個數，方便電路設計。
[0061]本發明如圖2所示的像素驅動電路的實施例采用5T1C結構來實現對驅動晶體管的閾值電壓的補償，采用數據信號直接控制驅動晶體管，節省晶體管數，比起6T1C結構來說減少了一個晶體管，并且采用一個控制信號即可以控制類型相反的兩個補償晶體管，減少了控制信號的數目，從而可以能夠節省電路設計的空間，增加像素間距。
[0062]如圖2所示的像素驅動電路在工作時(圖3是第一掃描信號Scanl、第二掃描信號Scan2、控制信號EN和Vdata在預充電階段S1、閾值補償階段S2和發光階段S3的時序圖):
[0063]如圖4A所不，在預充電階段SI，第一掃描信號Scanl和第二掃描信號Scan2都為高電平，數據線Data輸出零電平，控制信號EN為低電平，第一預充電晶體管Tll和第二預充電晶體管T12都導通，第一補償晶體管T21導通，通過電源電壓Vdd對存儲電容Cs充電；
[0064]如圖4B所示，在閾值補償階段S2，第一掃描信號Scanl跳變為低電平，第二掃描信號Scan2仍為高電平，控制信號EN跳變為高電平，所述第一預充電晶體管Tll斷開，所述第二預充電晶體管T12繼續導通，此時數據線Data輸出數據信號，以控制驅動晶體管DTFT導通，第二補償晶體管T22導通，所述存儲電容Cs通過所述驅動晶體管DTFT和所述第二補償晶體管T22向地端GND放電，直至驅動晶體管DTFT的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管DTFT的閾值電壓，Vdata為數據線Data上的數據信號的電壓；
[0065]在發光階段S3，第一掃描信號Scanl跳變為高電平，第二掃描信號Scan2跳變為低電平，如圖4C所示，所述第一預充電晶體管Tll導通，所述第二預充電晶體管T12斷開，使得驅動晶體管DTFT的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號EN跳變為低電平，所述控制信號EN控制第一補償晶體管T21導通而所述第二補償晶體管T22斷開，以導通驅動晶體管DTFT的柵極與存儲電容的第二端B的連接，此時DTFT的柵極電位被存儲電容自舉為Vdd-(Vdata+Vth)，驅動晶體管導通以驅動發光元件發光，此時流過OLED的電流I =K X (Vdd- (Vdd-Vdata-Vth) -Vth)2 = K X Vdata2，所述驅動晶體管 DTFT 的柵源電壓補償 Vth。
[0066]在圖4A、圖4B和圖4C中，用虛線框起來的晶體管是導通的。
[0067]在具體實施時，在如圖2所示的像素驅動電路的實施例中，所述第一預充電晶體管T11、所述第二預充電晶體管T12、所述第二補償晶體管T22和所述驅動晶體管DTFT也可以都為PMOS管，所述第一補償晶體管T21可以為NMOS管，在實際操作時，如圖5所示，只需將圖3中的第一掃描信號Scan2、第二掃描信號Scan2、數據線Data上的數據信號和控制信號EN設置為反相即可實施，以上晶體管類型的變化和各信號的時序的變化為本領域技術人員所公知，在此不再贅述。
[0068]本發明實施例所述的像素驅動方法，應用上述的像素驅動電路，包括:
[0069]在預充電階段，數據線輸出零電平，閾值補償單元在控制信號的控制下導通驅動晶體管的柵極和存儲電容的第二端的連接，預充電控制單元在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下通過電源電壓Vdd對存儲電容充電，使得存儲電容的第一端的電位為Vdd ；
[0070]在閾值補償階段，數據線輸出數據信號，驅動晶體管導通，預充電控制單元在第二掃描信號的控制下控制驅動晶體管的柵極接入所述數據信號，閾值補償單元在控制信號的控制下與驅動晶體管一起控制存儲電容放電直到驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓；
[0071]在發光階段，預充電控制單元在第一掃描信號的控制下控制驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補償單元導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
[0072]本發明實施例所述的像素驅動方法，應用上述的像素驅動電路，包括:
[0073]在預充電階段，數據線輸出零電平，在控制信號的控制下，第一閾值補償晶體管導通，在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下，第一預充電晶體管和第二預充電晶體管都導通，通過電源電壓對存儲電容充電；
[0074]在閾值補償階段，所述第一掃描信號控制所述第一預充電晶體管斷開，所述第二掃描信號繼續控制所述第二預充電晶體管導通；數據線輸出數據信號，以控制驅動晶體管導通，控制信號控制第二補償晶體管導通，所述存儲電容通過所述驅動晶體管和所述第二補償晶體管向地端放電，直至驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓；
[0075]在發光階段，第一掃描信號控制第一預充電晶體管導通，使得驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號控制第一補償晶體管導通而第二補償晶體管斷開，以導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管導通以驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
[0076]本發明實施例所述的顯示裝置，包括上述的像素驅動電路。
[0077]該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、OLED (Organic Light-EmittingD1de，有機電致發光二極管)顯示面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0078]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種像素驅動電路，其特征在于，包括預充電控制單元、存儲電容、驅動晶體管和閾值補償單元，其中， 所述驅動晶體管，柵極通過所述與預充電控制單元與數據線連接，第一極與發光元件連接，第二極與所述存儲電容的第一端連接； 所述預充電控制單元，分別接入第一掃描信號、第二掃描信號和電源電壓Vdd，分別與所述存儲電容的第一端、所述驅動晶體管的柵極和數據線連接，并通過所述閾值補償單元與所述存儲電容的第二端連接； 所述閾值補償單元，接入控制信號，分別與所述驅動晶體管的柵極、所述驅動晶體管的第一極、所述存儲電容的第二端和地端連接，用于在預充電階段在所述控制信號的控制下導通所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第二端的連接； 所述預充電控制單元，用于在預充電階段，在所述第一掃描信號和第二掃描信號的控制下通過所述電源電壓Vdd對所述存儲電容充電，使得所述存儲電容的第一端的電位為Vdd，在閾值補償階段在所述第二掃描信號的控制下控制所述驅動晶體管的柵極接入所述數據線在閾值補償階段輸出的數據信號，在發光階段在所述第一掃描信號的控制下控制所述驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd ; 所述閾值補償單元，進一步用于在閾值補償階段，在所述控制信號的控制下與所述驅動晶體管一起控制所述存儲電容放電直到所述驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth，還用于在發光階段導通所述驅動晶體管的柵極與所述存儲電容的第二端的連接，從而控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth ;Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓。
2.如權利要求1所述的像素驅動電路，其特征在于，所述預充電控制單元包括: 第一預充電晶體管，柵極接入所述第一掃描信號，第一極與所述存儲電容的第一端連接，第二極接入所述電源電壓； 以及，第二預充電晶體管，柵極接入所述第二掃描信號，第一極與所述數據線連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接。
3.如權利要求2所述的像素驅動電路，其特征在于，所述閾值補償單元包括: 第一補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極與所述存儲電容的第二端連接，第二極與所述驅動晶體管的柵極連接； 以及，第二補償晶體管，柵極接入所述控制信號，第一極接地，第二極與所述驅動晶體管的第一極連接。
4.如權利要求3所述的像素驅動電路，其特征在于，所述第一預充電晶體管、所述第二預充電晶體管、所述第二補償晶體管和所述驅動晶體管都為NMOS管，所述第一補償晶體管為PMOS管。
5.如權利要求3所述的像素驅動電路，其特征在于，所述第一預充電晶體管、所述第二預充電晶體管、所述第二補償晶體管和所述驅動晶體管都為PMOS管，所述第一補償晶體管為NMOS管。
6.一種像素驅動方法，應用如權利要求1至5中任一權利要求所述的像素驅動電路，其特征在于，所述像素驅動方法包括: 在預充電階段，數據線輸出零電平，閾值補償單元在控制信號的控制下導通驅動晶體管的柵極和存儲電容的第二端的連接，預充電控制單元在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下通過電源電壓Vdd對存儲電容充電，使得存儲電容的第一端的電位為Vdd ； 在閾值補償階段，數據線輸出數據信號，驅動晶體管導通，預充電控制單元在第二掃描信號的控制下控制驅動晶體管的柵極接入所述數據信號，閾值補償單元在控制信號的控制下與驅動晶體管一起控制存儲電容放電直到驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓； 在發光階段，預充電控制單元在第一掃描信號的控制下控制驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，閾值補償單元導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
7.一種像素驅動方法，應用如權利要求3至5中任一權利要求所述的像素驅動電路，其特征在于，所述像素驅動方法包括: 在預充電階段，數據線輸出零電平，在控制信號的控制下，第一閾值補償晶體管導通，在第一掃描信號和第二掃描信號的控制下，第一預充電晶體管和第二預充電晶體管都導通，通過電源電壓對存儲電容充電； 在閾值補償階段，所述第一掃描信號控制所述第一預充電晶體管斷開，所述第二掃描信號繼續控制所述第二預充電晶體管導通；數據線輸出數據信號，以控制驅動晶體管導通，控制信號控制第二補償晶體管導通，所述存儲電容通過所述驅動晶體管和所述第二補償晶體管向地端放電，直至驅動晶體管的第一極的電位為Vdata+Vth ；Vth為驅動晶體管的閾值電壓，Vdata為所述數據信號的電壓； 在發光階段，第一掃描信號控制第一預充電晶體管導通，使得驅動晶體管的第二極接入所述電源電壓Vdd，控制信號控制第一補償晶體管導通而第二補償晶體管斷開，以導通驅動晶體管的柵極與存儲電容的第二端的連接，使得驅動晶體管導通以驅動發光元件發光，并控制所述驅動晶體管的柵源電壓補償Vth。
8.—種顯示裝置，包括如權利要求1至5中任一權利要求所述的像素驅動電路。
【文檔編號】G09G3/32GK104485074SQ201410841476
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年12月30日 優先權日:2014年12月30日
【發明者】周茂秀 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司