液晶顯示器及其移位寄存裝置制造方法
【專利摘要】本發明公開一種液晶顯示器及其移位寄存裝置。移位寄存裝置包括多級串接在一起的移位寄存器。本發明通過將移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的晶體管的通道長度制作得比移位寄存器中負責輸出掃描信號的晶體管的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的晶體管受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的晶體管處于次臨界區的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
【專利說明】液晶顯示器及其移位寄存裝置
[0001]本申請為分案申請，其母案的申請號為:200910159002.4，申請日為:2009年7月29日， 申請人:為:友達光電股份有限公司，發明名稱為:液晶顯示器及其移位寄存裝置。
【技術領域】
[0002]本發明涉及一種平面顯示器，且特別是有關于一種液晶顯示器及其移位寄存裝置。
【背景技術】
[0003]近年來，隨著半導體科技蓬勃發展，便攜式電子產品及平面顯示器產品也隨之興起。而在眾多平面顯示器的類型當中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)基于其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優點，隨即已成為各顯示器產品的主流。也亦因如此，無不驅使著各家廠商針對液晶顯示器的開發技術要朝向更微型化及低制作成本發展。
[0004]為了要降低液晶顯示器的制作成本，已有部份廠商研發出在液晶顯示面板采用非晶娃(amorphous silicon, a_Si )工藝的條件下,可將原先配置于液晶顯示面板的掃描側所使用的掃描驅動IC內部的移位寄存器(shift register)轉移直接配置在液晶顯示面板的玻璃基板(glass substrate)上。因此,原先配置于液晶顯不面板的掃描側所使用的掃描驅動IC即可省略，借以達到降低液晶顯示器的制作成本的目的。
[0005]一般而言，直接制作在液晶顯示面板的玻璃基板上的移位寄存器主要會由多顆N型晶體管所組成。其中，部分N型晶體管用以負責在移位寄存器的操作期間輸出掃描信號以開啟液晶顯示面板內對應的一列像素，而其余N型晶體管則用以負責在移位寄存器的非操作期間停止輸出掃描信號。
[0006]然而,在實務上，由于用以負責輸出掃描信號與用以負責停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度(channel length)都相同。因此，在此條件下，用以負責輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區(sub-threshold region)的漏電流的影響而導致無法正常輸出掃描信號。如此一來,移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器無法正常顯示影像畫面。
【發明內容】
[0007]有鑒于此，本發明提供一種移位寄存裝置，其包括多級串接在一起的移位寄存器。其中，第i級移位寄存器包括預充電單元、上拉單元，以及下拉單元，且i為正整數。預充電單元用以接收第(1-1)級移位寄存器所輸出的第一掃描信號，并據以輸出一充電信號。上拉單元耦接預充電單元，用以接收所述充電信號與第一時脈信號，并據以輸出第二掃描信號。下拉單元耦接預充電單元與上拉單元，用以接收第二時脈信號與第(i+1)級移位寄存器所輸出的第三掃描信號，并據以決定是否將所述第二掃描信號下拉至一參考電位。
[0008]于本發明的一示范性實施例中，預充電單元、上拉單元與下拉單元內分別具有至少一晶體管。其中，下拉單元內的晶體管具有第一通道長度，而預充電單元與上拉單元內的
晶體管分別具有第二通道長度，且所述第一通道長度大于所述第二通道長度。
[0009]于本發明的一示范性實施例中，所述第一通道長度實質上為所述第二通道長度的
1.01倍至4倍。
[0010]本發明另提供一種液晶顯示器，其包括液晶顯示面板與用以提供液晶顯示面板所
需的背光源的背光模塊。其中，液晶顯示面板包括基板與上述本發明所提供的移位寄存裝
置，且上述本發明所提供的移位寄存裝置為直接配置在液晶顯示面板的基板上。
[0011]應了解的是，上述一般描述及以下【具體實施方式】僅為例示性及闡釋性的，其并不
能限制本發明所欲主張的范圍。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1繪示為本發明一示范性實施例的液晶顯示器100的系統方塊圖；
[0013]圖2繪示為本發明一示范性實施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖；
[0014]圖3A繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的方塊圖；
[0015]圖3B繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖；
[0016]圖4A繪示為N型晶體管 T3與T4的剖面示意圖；
[0017]圖4B繪示為N型晶體管Tl與T2的剖面示意圖；
[0018]圖5繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi中節點Q的實驗波形圖。
[0019]其中，附圖標記
[0020]
100:液晶顯示器101:顯示面板
103:源極驅動器105:時序控制單元
107:背光模塊301:預充電單元
303:上拉單元305:下拉單元
AA:顯示區SRD:移位寄存裝置
SR1-SRn:移位寄存器Tl~T4: N型晶體管
C:電容Q:節點
Vss:參考電位CV:充電信號
STV:起始信號CK、XCK:時脈信號
SS1-SSn:掃描信號D:漏極
S:源極G:柵極
L1、L2:通道長度Tpre、Tout:時間
A、B、C:曲線【具體實施方式】
[0021]現將詳細參考本發明的示范性實施例，在附圖中說明所述示范性實施例的實例。另外，凡可能之處，在附圖及實施方式中使用相同標號的元件/構件/符號代表相同或類似部分。
[0022]圖1繪示為本發明一示范性實施例的液晶顯示器100的系統方塊圖。請參照圖1,液晶顯示器100包括顯示面板101、源極驅動器103、時序控制單元105，以及用以提供顯示面板101所需的背光源的背光模塊107。顯示面板101的顯示區AA內具有多個以矩陣排列的像素(圖中以MXN來表示，M、N皆為正整數)。另外，顯示面板101的基板(未繪示，例如為玻璃基板)上的一側更直接配置有移位寄存裝置SRD。移位寄存裝置SRD受控于時序控制單元105，用以序列輸出掃描信號SS1?SSn以從顯示區AA內的第一列像素逐一開啟至最后一列像素。
[0023]更清楚來說，圖2繪示為本發明一示范性實施例的移位寄存裝置SRD的方塊圖。請合并參照圖1與圖2，移位寄存裝置SRD包括N級電路結構實質上相同且彼此串接在一起的移位寄存器SR1?SRn。于本示范性實施例中，由于移位寄存器SR1?SRn的電路結構與工作原理實質上相同，故在此僅針對第i級移位寄存器SRi來做說明如下。
[0024]圖3A繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的方塊圖。圖3B繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi的電路圖。請合并參照圖1?圖3B，第i級移位寄存器SRi包括預充電單元301、上拉單元303，以及下拉單元305。其中，預充電單元301用以接收第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSg，并據以輸出充電信號CV。于本示范性實施例中，除了第I級移位寄存器SR1中的預充電單元301為接收時序控制單元105所提供的起始信號STV外，其余移位寄存器中的預充電單元301為接收上一級移位寄存器所輸出的掃描信號。
[0025]舉例來說，第2級移位寄存器SR2中的預充電單元301為接收第I級移位寄存器SR1所輸出的掃描信號SS1，第3級移位寄存器SR3中的預充電單元301為接收第2級移位寄存器SR2所輸出的掃描信號SS2，依此類推至第N級移位寄存器SRn中的預充電單元301為接收第(N-1)級移位寄存器SIV1所輸出的掃描信號SSN_lt)
[0026]請繼續參照圖3A，上拉單元303耦接預充電單元301，用以接收預充電單元301所輸出的充電信號CV與時序控制器105所提供的時脈信號CK，并據以輸出掃描信號SSit5下拉單元305耦接預充電單元301與上拉單元303，用以接收時序控制器105所提供的時脈信號XCK與第(i+Ι)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1,并據以決定是否將掃描信號SSiT拉至參考電位Vss (例如為接地電位，但并不限制于此)。其中，時序控制器105所提供的時脈信號CK與XCK的相位差為180度。
[0027]于此，請繼續參照圖3B,于本示范性實施例中，預充電單元301具有N型晶體管Tl。其中，N型晶體管Tl的柵極與源極耦接在一起以接收第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSp1，而N型晶體管Tl的漏極則用以輸出充電信號CV。
[0028]另外，上拉單元303具有N型晶體管T2與電容C。其中，N型晶體管T2的柵極耦接N型晶體管Tl的漏極、N型晶體管T2的源極用以接收時序控制器105所提供的時脈信號CK，而N型晶體管T2的漏極則用以輸出掃描信號SRitl電容C耦接在N型晶體管T2的柵極與漏極之間。[0029]再者，下拉單元305具有N型晶體管T3與T4。其中，N型晶體管Τ3的柵極用以接收時序控制器105所提供的時脈信號XCK、N型晶體管T3的源極耦接N型晶體管T2的漏極，而N型晶體管T4的漏極則耦接至參考電位Vss。N型晶體管T4的柵極用以接收第(i+1)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1、N型晶體管T4的源極耦接N型晶體管T2的柵極，而N型晶體管T4的漏極則耦接至參考電位Vss。
[0030]于本示范性實施例中，N型晶體管Tl與T2具有相同的通道長度(channellength),而N型晶體管T3與T4具有相同的通道長度。但是，N型晶體管T3與T4的通道長度大于N型晶體管Tl與T2的通道長度。
[0031]更清楚來說，圖4A繪示為N型晶體管T3與T4的剖面示意圖，而圖4B繪示為N型晶體管Tl與T2的剖面示意圖。請合并參照圖4A與圖4B，從圖4A與圖4B可清楚看出，標號D表不為N型晶體管Tl?T4的漏極、標號S表不為N型晶體管Tl?T4的源極,而標號G表不為N型晶體管Tl?T4的棚極。另外，標號LI表不為N型晶體管T3與T4的通道長度，而標號L2表示為N型晶體管Tl與T2的通道長度。
[0032]由此可知，在此所謂的“通道長度”指的是N型晶體管的漏極與源極間的距離，且在較佳狀況下，N型晶體管T3與T4的通道長度LI實質上可以為N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍，但并不限制于此。也就是說，N型晶體管T3與T4的通道長度LI相對于N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的倍數可端視實際設計需求而決定，容后再詳述。
[0033]基于上述，當第i級移位寄存器SRi的預充電單元301接收到第(1-Ι)級移位寄存器SRp1所輸出的掃描信號SSp1時，N型晶體管Tl會被開啟以對節點Q進行預充電。如此一來，當時序控制器105所提供的時脈信號CK致能時，節點Q上的電壓會受時脈信號CK的率禹合效應(coupling effect)的影響而被拉升,借以使得上拉單元303的NMOS晶體管T2會被開啟，從而輸出掃描信號SSi以開啟顯示區AA內相應的第i列像素。
[0034]緊接著，在預充電單元301與上拉單元303負責輸出掃描信號SSi之后，下拉單元305的N型晶體管T3會因為時序控制器105所提供的時脈信號XCK致能而被開啟。如此一來，掃描信號SSi會被下拉至參考電位Vss以關閉顯示區AA內相應的第i列像素。
[0035]另外，當下拉單元305的N型晶體管T3將掃描信號SSi下拉至參考電位Vss之后，由于第(i+1)級移位寄存器SRi+1所輸出的掃描信號SSi+1會反饋至第i級移位寄存器SRJA下拉單元305的N型晶體管T4。如此一來，第i級移位寄存器SRi的下拉單元305的NMOS晶體管T4會被開啟，從而對節點Q進行放電，以避免節點Q在預充電單元301與上拉單元303負責輸出掃描信號SSi之后受時脈信號CK的耦合。由此可知，當預充電單元301與上拉單兀303負責輸出掃描信號SSi之后,下拉單兀305會負責停止輸出掃描信號SSit5
[0036]據此，當時序控制單元105提供起始信號STV給第I級移位寄存器SR1的預充電單元301，且分別提供相位差180度的時脈信號CK與XCK給所有移位寄存器SR1?SRn的上拉單元303與下拉單元305時，移位寄存裝置SRD內的移位寄存器SR1?SRn會序列輸出掃描信號SS1?SSN，以從顯示區AA內的第一列像素逐一開啟至最后一列像素，而源極驅動器103會提供對應的顯示資料給被移位寄存裝置SRD所開啟的列像素。如此一來，再加上背光模塊107所提供的背光源，則顯示面板101即會顯示影像畫面。
[0037]根據現有技術所述及的內容可知，由于用以負責輸出掃描信號與用以負責停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度都相同。因此，在此條件下，用以負責輸出掃描信號的N型晶體管很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區的漏電流的影響而導致無法正常輸出掃描信號。如此一來，移位寄存器會失效以連帶影響液晶顯示器無法正常顯示影像畫面。
[0038]也亦因如此，當移位寄存器SR1~SRn的N型晶體管Tl~T4的通道長度都相同的條件下(亦即L1=L2)，用以負責輸出掃描信號SS1~SSn的N型晶體管Tl與T2很有可能會受到用以負責停止輸出掃描信號SS1~SSn的N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響而導致無法正常輸出掃描信號SS1~SSN。如此一來，移位寄存器SR1~SRn會失效以連帶影響液晶顯示器100無法正常顯示影像畫面。
[0039]有鑒于此，本示范性實施例特別將下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI制作的比預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2還要大(亦即L1>L2)，且下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI實質上可以為預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的1.01倍至4倍。
[0040]更清楚來說，圖5繪示為本發明一示范性實施例的第i級移位寄存器SRi中節點Q的實驗波形圖。請合并參照圖3與圖5，從圖5可以清楚看出，于時間Tpre時，節點Q會被進行預充電。另外，于時間Tout的區間中分別繪示有三條曲線A、B與C。其中，曲線A表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI等于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1=L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響的程度。曲線B表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI略大于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1>L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響的程度。曲線C表示為下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI遠大于 預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2的條件下(亦即L1?L2)，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響的程度。
[0041]由此可知，當下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI等于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響的程度會比較嚴重，亦即曲線A于時間Tout的電壓降(voltage drop)幅度最大。因此,第i級移位寄存器SRi很有可能無法正常輸出掃描信號SSit5
[0042]另外，當下拉單元305的N型晶體管T3與T4的通道長度LI越大于預充電單元301與上拉單元303的N型晶體管Tl與T2的通道長度L2時，N型晶體管Tl與T2受到N型晶體管T3與T4處于次臨界區的漏電流的影響的程度會越趨緩，亦即曲線B與C于時間tout的電壓降幅度相對于曲線A而言會越來越趨緩。因此，即可確保第i級移位寄存器SRi得以正常輸出掃描信號SSiO
[0043]綜上所述，本發明主要是通過將移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度制作的比移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管的通道長度還要大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區的漏電流的影響的程度，從而確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
[0044]另外，雖然上述示范性實施例提出了移位寄存器中預充電單元、上拉單元與下拉單元的某一種電路實施態樣，但是本發明并不限制于此。也就是說，只要移位寄存器中可以被區分有預充電單元、上拉單元與下拉單元的其他電路實施例，本發明就可將其下拉單元中的所有或部分N型晶體管的通道長度加大，借以趨緩移位寄存器中負責輸出掃描信號的N型晶體管受到移位寄存器中負責停止輸出掃描信號的N型晶體管處于次臨界區的漏電流的影響的程度。
[0045]當然，本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發明所附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種移位寄存裝置，其特征在于，包括: 多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器包括: 一預充電單元，至少具有一第一晶體管，接收第i_l級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號，并據以輸出一充電信號，i為正整數； 一上拉單元，至少具有一第二晶體管，耦接該預充電單元，接收該充電信號與一第一時脈信號，并據以輸出一第二掃描信號；以及 一下拉單元，至少具有一第三晶體管與一第四晶體管，耦接該預充電單元與該上拉單元，接收一第二時脈信號與第(i+1)級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據以決定是否將該第二掃描信號下拉至一參考電位， 其中，該下拉單元內的該第三晶體管與該第四晶體管具有一第一通道長度，該預充電單元與該上拉單元內的所述第一晶體管與第二晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度，且所述第一通道長度為所述第二通道長度的1.0l倍至4倍，借以確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號。
2.根據權利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該預充電單元內的該第一晶體管為一第一 N型晶體管， 其中，該第一 N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信號，而該第一 N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
3.根據權利要求2所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內的該第二晶體管為一第二 N型晶體管， 其中，該第二 N型晶體管的柵極耦接該第一 N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時脈信號，而該第二 N型晶體管的漏極則用以輸出該第二掃描信號。
4.根據權利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該上拉單元內更具有一電容，其耦接在該第二 N型晶體管的柵極與漏極之間。
5.根據權利要求3所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內的該第三晶體管為一第三N型晶體管， 其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時脈信號，該第三N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
6.根據權利要求5所述的移位寄存裝置，其特征在于，該下拉單元內的該第四晶體管為一第四N型晶體管， 其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
7.根據權利要求6所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二N型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有該第一通道長度。
8.根據權利要求7所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度實質上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度的1.01倍至4倍。
9.根據權利要求1所述的移位寄存裝置，其特征在于，該第一與該第二時脈信號的相位差為180度。
10.一種液晶顯示器，其特征在于，包括: 一液晶顯示面板，包括一基板與一移位寄存裝置，該移位寄存裝置直接配置在該基板上，且具有多級串接在一起的移位寄存器，其中第i級移位寄存器包括: 一預充電單元，至少具有一第一晶體管，接收第i_l級移位寄存器所輸出的一第一掃描信號，并據以輸出一充電信號，i為正整數； 一上拉單元，至少具有一第二晶體管，耦接該預充電單元，接收該充電信號與一第一時脈信號，并據以輸出一第二掃描信號；以及 一下拉單元，至少具有一第三晶體管與一第四晶體管，耦接該預充電單元與該上拉單元，接收一第二時脈信號與第i+ι級移位寄存器所輸出的一第三掃描信號，并據以決定是否將該第二掃描信號下拉至一參考電位， 其中，該下拉單元內的該第三晶體管與該第四晶體管具有一第一通道長度，該預充電單元與該上拉單元內的所述第一晶體管與第二晶體管分別具有一第二通道長度，該第一通道長度大于該第二通道長度，且所述第一通道長度為所述第二通道長度的1.01倍至4倍，借以確保移位寄存器得以正常輸出掃描信號；以及 一背光模塊，提供該液晶顯示面板所需的背光源。
11.根據權利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于，該預充電單元內的該第一晶體管為一第一 N型晶體管， 其中，該第一 N型晶體管的柵極與源極耦接在一起以接收該第一掃描信號，而該第一 N型晶體管的漏極則用以輸出該充電信號。
12.根據權利要求11所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內的該第二晶體管為一第二 N型晶體管， 其中，該第二 N型晶體管的柵極耦接該第一 N型晶體管的漏極，該第二 N型晶體管的源極用以接收該第一時脈信號，而該第二 N型晶體管的漏極則用以輸出該第二掃描信號。
13.根據權利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于，該上拉單元內更具有一電容，其耦接在該第二 N型晶體管的柵極與漏極之間。
14.根據權利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內的該第三晶體管為一第三N型晶體管， 其中，該第三N型晶體管的柵極用以接收該第二時脈信號，該第三N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的漏極，而該第三N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
15.根據權利要求14所述的液晶顯示器，其特征在于，該下拉單元內的該第四晶體管為一第四N型晶體管， 其中，該第四N型晶體管的柵極用以接收該第三掃描信號，該第四N型晶體管的源極耦接該第二 N型晶體管的柵極，而該第四N型晶體管的漏極則耦接至該參考電位。
16.根據權利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二N型晶體管分別具有該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管分別具有該第一通道長度。
17.根據權利要求16所述的液晶顯示器，其特征在于，該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度大于該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度，而該第三與該第四N型晶體管的該第一通道長度實質上為該第一與該第二 N型晶體管的該第二通道長度的1.01倍至4倍。
18.根據權利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于，該第一與該第二時脈信號的相位差為180度。`
【文檔編號】G09G3/36GK103514851SQ201310409640
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2009年7月29日 優先權日:2009年7月29日
【發明者】蔡東璋, 陳怡君 申請人:友達光電股份有限公司