專(zhuān)利名稱(chēng)：一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于 平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其屬于一種有機(jī)發(fā)光顯示器件(Organic Light-Emitting Display)的像素電路。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光顯示器是由NXM個(gè)發(fā)光像素單元按照矩陣結(jié)構(gòu)排列組合而成，每 個(gè)發(fā)光像素單元都包含一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode)和一個(gè)對(duì)應(yīng) 的像素電路。如圖1所示，現(xiàn)有的像素電路主要由兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容組成，其中，開(kāi)關(guān) 晶體管Tl的柵極和源極分別和掃描線SCAN(掃描選擇信號(hào)SCAN)和數(shù)據(jù)線DATA(數(shù)據(jù)信 號(hào)DATA)連接，開(kāi)關(guān)晶體管Tl的漏極和晶體管T2的柵極連接；晶體管T2的漏極和電源線 VDD(電源信號(hào)VDD)連接，源極和有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl連接從而提供用于Dl發(fā)光的電 流；電容器Cl連接在晶體管T2的源極和柵極之間用于在預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持對(duì)晶體管T2所施 加的電壓。上述結(jié)構(gòu)的像素電路的運(yùn)行過(guò)程是當(dāng)開(kāi)關(guān)晶體管Tl根據(jù)施加于其柵極的掃描 選擇信號(hào)SCAN而被導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA被施加于晶體管T2的柵極和電容器Cl上，與數(shù) 據(jù)信號(hào)DATA相匹配的電流被存儲(chǔ)在電容器Cl中，當(dāng)晶體管T2被導(dǎo)通時(shí)，儲(chǔ)存在電容器Cl 中的電流被釋放出來(lái)流經(jīng)有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl并使其發(fā)光。根據(jù)現(xiàn)有的像素電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行實(shí)際的器件布線時(shí)，如圖2所示，以單個(gè)發(fā)光像 素單元為例，掃描線SCAN、數(shù)據(jù)線DATA和電源線VDD、均要占據(jù)發(fā)光像素單元的物理空間， 使發(fā)光單元面積占總像素面積的比例減小，縮小了每個(gè)像素單元的發(fā)光面積，主觀效果上 就是亮度不夠。開(kāi)口率即是單位像素單元的實(shí)際進(jìn)行發(fā)光的面積對(duì)比全體面積的比。在 此種器件布線結(jié)構(gòu)中，電源線VDD占據(jù)的每個(gè)發(fā)光像素單元約20%比率的面積；另外，薄膜 晶體管(TFT)、信號(hào)線(signal line，如數(shù)據(jù)線DATA、掃描線SCAN等)以及氧化錫銦電極 (ITO)在實(shí)際的像素單元布線時(shí)，是要占據(jù)器件的物理空間的，因此，可以清晰地看出，采用 現(xiàn)有的像素電路的發(fā)光像素單元的開(kāi)口率必然較低(約為34% )，也就是說(shuō)在整個(gè)像素單 元中，真正發(fā)光部分只占到整個(gè)像素單元面積的1/3多一點(diǎn)，這是一個(gè)很低的值。在開(kāi)口率 小的情況下，為了達(dá)到相應(yīng)的發(fā)光亮度，則輸入到每個(gè)發(fā)光像素單元的電流強(qiáng)度就必須加 大，帶來(lái)的后果就是器件的功耗急劇增加，同時(shí)，由于電流和功耗的增加，也降低了器件發(fā) 光像素單元的使用壽命和發(fā)光品質(zhì)。
實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本實(shí)用新型提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的像素電 路，可以提高像素單元的開(kāi)口率，從而提高顯示器件的亮度和壽命的同時(shí)，降低器件功耗。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案一種有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，分別和用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線DATA，用于 傳輸掃描選擇信號(hào)的掃描線SCAN，用于提供驅(qū)動(dòng)電源的電源線VDD，用于根據(jù)對(duì)應(yīng)的掃描 選擇信號(hào)而發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl連接；所述像素電路包括[0007]開(kāi)關(guān)晶體管Tl，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的柵極和與數(shù)據(jù)線 DATA連接的源極，用于接收共線的掃描線SCAN和電源線VDD以及數(shù)據(jù)線DATA發(fā)出的信號(hào) 來(lái)控制晶體管T2的電流流動(dòng)；晶體管T2，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的漏極，與開(kāi)關(guān)晶體管Tl 漏極連接的柵極和與有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl連接的源極，用于提供有機(jī)電致發(fā)光二極管 Dl發(fā)光的電流；電容器Cl，連接在晶體管T2的柵極和有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl的接地端之間，用于 在預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持對(duì)晶體管T2所施加的電壓。本實(shí)用新型的有益效果是采用本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)的單個(gè)像素布線，其掃描 線SCAN和電源線VDD共線后其弓丨線整合在一起，從而減少了由于VDD弓丨線單獨(dú)排布所占用 的物理面積，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，該面積約占整個(gè)像素單元面積的20%左右。由此可以看出，此種電 路形態(tài)的布線，將直接使單元像素的開(kāi)口率從原來(lái)的34%左右提高到50%以上，非常明顯 的提高了像素開(kāi)口率。由此，在器件亮度不變的條件下，可以大幅降低用于驅(qū)動(dòng)Dl發(fā)光的 電流強(qiáng)度，減少器件的功耗，必然也能帶來(lái)有機(jī)電致發(fā)光器件壽命和可靠性的提高，降低器 件的成本。
圖1是現(xiàn)有的發(fā)光像素單元的像素電路的電路原理圖。圖2是現(xiàn)有的發(fā)光像素單元的器件布線示意圖。圖3是本實(shí)用新型的發(fā)光像素單元的像素電路的電路原理圖。圖4是本實(shí)用新型的發(fā)光像素單元的器件布線示意圖。圖5是本實(shí)用新型的發(fā)光像素單元的像素電路的掃描選擇信號(hào)的波形圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖3所示，一種有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，分別和用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù) 線DATA，用于傳輸掃描選擇信號(hào)的掃描線SCAN，用于提供驅(qū)動(dòng)電源的電源線VDD，用于根據(jù) 對(duì)應(yīng)的掃描選擇信號(hào)而發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl連接；所述像素電路包括開(kāi)關(guān)晶體 管Tl，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的柵極和與數(shù)據(jù)線DATA連接的源極，用 于接收共線的掃描線SCAN和電源線VDD以及數(shù)據(jù)線DATA發(fā)出的信號(hào)來(lái)控制晶體管T2的 電流流動(dòng)。晶體管T2，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的漏極，與開(kāi)關(guān)晶體管 Tl漏極連接的柵極和與有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl連接的源極，用于提供有機(jī)電致發(fā)光二極 管Dl發(fā)光的電流。電容器Cl，連接在晶體管T2的柵極和有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl的接地端 之間，用于在預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持對(duì)晶體管T2所施加的控制信號(hào)DATA之電壓。
以下結(jié)合附圖說(shuō)明上述具體實(shí)施例的像素電路的工作過(guò)程在如圖5所示的掃描 選擇信號(hào)的作用下，象素電路按照如下流程工作第一階段，當(dāng)共線的掃描線SCAN和電源 線VDD的輸入端的掃描選擇信號(hào)向開(kāi)關(guān)晶體管Tl的柵極輸入低電平信號(hào)(掃描選擇信號(hào) SCAN)時(shí)，晶體管Tl導(dǎo)通，那么施加在Tl源極的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA將會(huì)順利的傳輸?shù)絋l的漏 極，并施加到晶體管T2的柵極和電容器Cl上，最終將數(shù)據(jù)信號(hào)DATA存儲(chǔ)在Cl上，此時(shí)晶體管T2的漏極由于同樣被置為低電平，將不會(huì)有電流通過(guò)T2流到有機(jī)電致發(fā)光二極管Dl，因此，Dl不發(fā)光。之后，在第二階段，當(dāng)共線的掃描線SCAN和電源線VDD的輸入端的掃描選 擇信號(hào)從低電平信號(hào)變成高電平信號(hào)(電源信號(hào)VDD)，開(kāi)關(guān)晶體管Tl截止，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA 不再通過(guò)Tl向T2傳輸，Cl上預(yù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA與Tl源極的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA被已經(jīng) 截止的開(kāi)關(guān)晶體管Tl隔離開(kāi)來(lái)。同時(shí)，電源信號(hào)VDD的電平要施加在晶體管T2的漏極，與 預(yù)先儲(chǔ)存在Cl中并施加在晶體管T2柵極的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA —起，控制晶體管T2導(dǎo)通，使受 數(shù)據(jù)信號(hào)DATA控制的電流通過(guò)晶體管T2進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光二極管D1，從而驅(qū)動(dòng)Dl發(fā)光。在上述具體實(shí)施例所述的方案中，如圖4所示，在單個(gè)像素的器件布線示意圖中， 其掃描線SCAN和電源線VDD共線后其引線整合在一起，從而減少了由于VDD弓丨線單獨(dú)排布 所占用的物理面積，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，該面積約占整個(gè)像素單元面積的20%左右。由此可以看出， 此種電路形態(tài)的布線，將直接使單元像素的開(kāi)口率從原來(lái)的34%左右提高到50%以上，非 常明顯的提高了像素開(kāi)口率。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本實(shí) 用新型的原理，應(yīng)被理解為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。 凡是根據(jù)上述描述做出各種可能的等同替換或改變，均被認(rèn)為屬于本實(shí)用新型的權(quán)利要求 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路，所述像素電路分別和用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線DATA，用于傳輸掃描選擇信號(hào)的掃描線SCAN，用于提供驅(qū)動(dòng)電源的電源線VDD，用于根據(jù)對(duì)應(yīng)的掃描選擇信號(hào)而發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光二極管D1連接；其特征在于，所述像素電路包括開(kāi)關(guān)晶體管T1，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的柵極和與數(shù)據(jù)線DATA連接的源極，用于接收共線的掃描線SCAN和電源線VDD以及數(shù)據(jù)線DATA發(fā)出的信號(hào)來(lái)控制晶體管T2的電流流動(dòng)；晶體管T2，具有與共線的掃描線SCAN和電源線VDD連接的漏極，與開(kāi)關(guān)晶體管T1漏極連接的柵極和與有機(jī)電致發(fā)光二極管D1連接的源極，用于提供有機(jī)電致發(fā)光二極管D1發(fā)光的電流；電容器C1，連接在晶體管T2的柵極和有機(jī)電致發(fā)光二極管D1的接地端之間，用于在預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持對(duì)晶體管T2所施加的電壓。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的像素電路。所述象素電路分別和用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線DATA，用于傳輸掃描選擇信號(hào)的掃描線SCAN，用于提供驅(qū)動(dòng)電源的電源線VDD，用于根據(jù)對(duì)應(yīng)的掃描選擇信號(hào)而發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光二極管D1連接；所述像素電路包括開(kāi)關(guān)晶體管T1、晶體管T2和電容器C1。本實(shí)用新型的有益效果是采用本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)的單個(gè)像素布線，其掃描線SCAN和電源線VDD共線后其引線整合在一起，從而減少了由于VDD引線單獨(dú)排布所占用的物理面積，非常明顯的提高了像素開(kāi)口率，由此也能帶來(lái)有機(jī)電致發(fā)光器件壽命和可靠性的提高，降低器件的成本。
文檔編號(hào)G09G3/20GK201638531SQ200920242610
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月20日
發(fā)明者蔡磊 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司