驅動有機場致發光發射部分的方法

專利名稱：驅動有機場致發光發射部分的方法
技術領域：
本發明涉及驅動有機場致發光發射部分的方法。
背景技術：
在將有機場致發光元件(下文在應用時為簡略起見，簡稱為"有才幾EL元
簡稱為"有機EL顯示器件")中，依照使其流過有機EL元件的電流的值控制 有機EL元件的亮度。此外，與液晶顯示器件的情況類似，簡單矩陣系統和 有源矩陣系統也被公認為有機EL顯示器件中的驅動方法。盡管有源矩陣系 統存在結構比基于簡單矩陣系統的結構復雜的缺點，但它也具有可以獲得具 有光亮度的圖像等的各種各樣優點。
來自已
公開日本專利第2006-215213號的由五個晶體管和一個電容器組 成的驅動電路(叫做5Tr/lC驅動電路)被公認為驅動構成有機EL元件的有 機場致發光發射部分(下文在應用時簡稱為"場致發光部分")的電路。如圖 16所示，5Tr/lC驅動電路由寫入晶體管TRw、驅動晶體管TRD、第一晶體管 TRp第二晶體管TR2和第三晶體管TR3的五個晶體管和一個電容器部分C！ 組成。這里，驅動晶體管TRD—側的源極/漏極區構成第二節點ND2，并且驅 動晶體管TRD的柵極構成第一節點NDj。
例如，寫入晶體管TRw、驅動晶體管TRo、第一晶體管TR!、第二晶體 管TR2和第三晶體管TR3中的每一個由n溝道薄膜晶體管(TFT)組成，并 且場致發光部分ELP配備在為了覆蓋驅動電路而形成的層間絕緣膜等上。場 致發光部分ELP的陽極與驅動晶體管TRo—側的源極/漏極區連接。另一方 面，將電壓Vcat(例如，0 V)施加到場致發光部分ELP的陰極上。在圖16中，標號CEL表示驅動晶體管TRo的電容。
如圖17的概念圖所示，有機EL顯示器件包括 (1 )掃描電路101; (2)信號輸出電路102;
(3 )每一個包括場致發光部分ELP和驅動場致發光部分ELP的驅動電 路的(MxN)個有機EL元件；
(4)每一條與掃描電路101連接和沿著第一方向延伸的M條掃描線
SCL;
(5 )每一條與信號輸出電路102連接和沿著與第一方向不同的第二方向 (尤其，沿著與第一方向垂直相交的方向)延伸的N條數據線DTL;
(6) 電源部分100;
(7) 第一晶體管控制電路lll;
(8) 第二晶體管控制電路112;和
(9) 第三晶體管控制電路113。
這里，沿著第一方向布置N個有機EL元件10,并且沿著第二方向布置 M個有機EL元件，也就是說，在二維矩陣中布置(MxN)個有機EL元件。 應該注意到，盡管為了簡便起見，在圖17中示出了 (3x3)個有機EL元件 10, 4旦這僅<又是舉例。
圖18示意性地示出了有機EL元件10中驅動操作的時序圖；此外，圖 19A到191示意性地示出了寫入晶體管TRW、驅動晶體管TRD、第一晶體管 TR,、第二晶體管TR2和第三晶體管TR3的接通/關斷狀態等。如圖18所示， 在[時間間隔-TP(5)d內進行進行閾電壓消除處理的預處理。也就是說，依照 第二晶體管控制電路112的第三晶體管控制電路112的操作，將第二晶體管 控制線AZ2和第三晶體管控制線AZ3的每個電位設置在高電平上。其結果是， 如圖19B所示，接通第二晶體管TR2和第三晶體管TR3中的每一個，以便將 第一節點ND!上的電位設置在V他上(例如，0V)。另一方面，將第二節點 ND2上的電位設置在Vss上(例如，-10 V)。其結果是，驅動晶體管TRd的 柵極與場致發光部分ELP側的源極/漏極區之間的電位差變成等于或高于驅 動晶體管TRo的閾電壓Vth (例如，3 V)。此外，驅動晶體管TRd保持在接 通狀態。
接著，如圖18所示，在[時間間隔-TP(5)2]內進行閾電壓消除處理。在[時間間隔-TP(5)J內和結束之前，將第二晶體管控制線AZ2的電位設置在低電 平上，從而如圖19C所示，關斷第二晶體管TR2。在保持第三晶體管TR3的 導通狀態的同時，在[時間間隔-TP(5)2]開始時，依照第一晶體管控制電路111 的操作將第一晶體管控制線CL!的電位設置在高電平上。其結果是，如圖19D 所示，導通第一晶體管TR!。其結果是，第二節點ND2上的電位朝從第一節 點ND,上的電位中減去驅動晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。 也就是說，保持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位升高了。此外，當驅動 晶體管TRo的柵極與場致發光部分ELP側的源極/漏極區之間的電位差達到 驅動晶體管TRo的閾電壓Vth時，關斷驅動晶體管TRD。在這種狀態下，第 二節點ND2上的電位近似保持在(Vofs-Vth)上。此后，在[時間間隔-TP(5)3] 內，在第三晶體管TR3保持在導通狀態的同時，依照第一晶體管控制電路111 的操作將第一晶體管控制線CI^的電位設置在低電平上。其結果是，如圖19E 所示，關斷第一晶體管TRt。接著，在[時間間隔-TP(5)4]內，依照第三晶體 管控制電路113的操作將第三晶體管控制線AZ3設置在低電平上，從而如圖 IOF所示，關斷第三晶體管TR3。
接著，如圖18所示，在[時間間隔-TP(5)5]內進行將數據寫入驅動晶體 管TRo的處理。具體地說，如圖19G所示，在第一晶體管TRp第二晶體管 TR2和第三晶體管TR3中的每一個保持在關斷狀態的同時，將相應一條數據 線DTL的電位設置在與視頻信號相對應的電壓[用于控制場致發光部分ELP 中的亮度的視頻信號(驅動信號、亮度信號)的電壓VsiJ上。接著，將相應 一條掃描線SCL的電位-沒置在高電平上，從而導通寫入晶體管TRw。其結果 是，第一節點NDt上的電位升高到VSig。將基于第一節點ND,上的電位的變 化的電荷分配給電容器部分Ct、場致發光部分ELP的電容CEL和驅動晶體管 TRD的柵極與場致發光部分ELP側的源極/漏極區之間的寄生電容。因此，第 二節點ND2上的電位發生變化，以便跟隨第 一節點ND,上的電位變化。但是， 第二節點ND2上的電位變化隨場致發光部分ELP的電容CEL的電容值變大而 變小。 一般說來，場致發光部分ELP的電容CEL的電容值大于電容器部分C, 和驅動晶體管TRo的寄生電容每一個的電容值。然后，當假設第二節點ND2 上的電位幾乎不變時，驅動晶體管TRD中的柵極與場致發光部分ELP側的源 極/漏極區之間的電位差Vp通過表達式(1 )表達
<formula>formula see original document page 7</formula> …(1)此后，如圖18所示，在[時間間隔-TP(5)6]內進行遷移率校正處理。在 遷移率校正處理中，使驅動晶體管TRD的場致發光部分ELP側的源極/漏極區 上的電位(即第二節點ND2的電位)依照驅動晶體管TRD的特性(譬如，遷 移率ILi的幅度)升高。具體地說，如圖19H所示，在寫入晶體管TRw保持在 導通狀態的同時，依照第一晶體管控制線111的操作導通第一晶體管TR,。 接著，在經過了預定時間(to)之后，關斷寫入晶體管TRw。其結果是，當 驅動晶體管TRD的遷移率p的值大時，在驅動晶體管TRo中的場致發光部分 ELP側的源極/漏極區上升高的電位量AV (電位校正值)變大。另一方面，當 驅動晶體管TRo的遷移率iLi的值小時，在驅動晶體管TRo中的場致發光部分 ELP側的源極/漏極區上升高的電位量AV (電位校正值)變小。這里，驅動晶 體管TRD中的柵極與場致發光部分ELP側的源極/漏極區之間的電位差Vgs從 表達式(1)轉變成表達式(2):
Vgs VSig - (V0fs - Vth) - AV …(2)
應該注意到，當設計有機EL顯示器件時，必須事先計算進行遷移率校 正處理所需的預定時間([時間間隔-TP(5)6]的總時間t0 )作為設計值。
通過進行上面的對乘作，全面完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率 校正處理。此外，在隨后的[時間間隔-TP(5)7]內，寫入晶體管TRw保持在關 斷狀態，并且第一節點ND!，即，驅動晶體管TRo的柵極保持在浮置狀態。 另一方面，第一晶體管TR,保持在導通狀態，因此，第一晶體管TR1的源極 /漏極區之一保持在與電源部分(例如，電壓Vcc20 V)連接以便控制場致發 光部分ELP的場致發光的狀態。因此，作為上文的結果，如圖18所示，第 二節點ND2上的電位升高，以便在驅動晶體管TRo的柵極中發生與所謂自舉 電路中相同的現象。因此，第一節點ND,上的電位也升高。其結果是，驅動 晶體管TRD中的柵極與場致發光部分ELP側的源極/漏極區之間的電位差Vgs 保持表達式(2)中的值。另外，使其流過場致發光部分ELP的電流是使其 從驅動晶體管TRD的漏極區流到源極區的漏極電流Ids。因此，當假設驅動晶 體管TRo在飽和區中理想地工作時，漏極電流Ids可以通過表達式(3)給出
Ids = k卞.(Vgs - Vth)2
=k.|a'(Vgs-Vth-AV)2 …(3)
如圖19I所示，使漏極電流Ids流過場致發光部分ELP。此外，場致發光 部分ELP發出亮度與漏極電流Ids的值相對應的光。

發明內容
在閾電壓消除處理完成之前有必要對構成驅動電路的晶體管進行導通狀 態/關斷狀態的切換。但是，在掃描電路等中消耗的功率與切換晶體管的導通
狀態/關斷狀態的次數相對應地增加。另外，除了使場致發光部分ELP發光的 驅動晶體管和視頻信號寫入晶體管之外，如圖16所示的驅動電路進一步需要 三個晶體管。因此，該驅動電路的配置是復雜的。從使有機EL顯示器件易 于制造和提高合格率的觀點來看，有機EL元件的驅動電路的配置最好簡單 些。
因此，根據上文，大家的愿望是提供一種能夠使驅動電路的配置簡單些， 并且減少切換構成驅動電路的晶體管的導通狀態/關斷狀態的次數，而不會對 閾電壓消除處理造成問題的驅動有機場致發光發射部分的方法。
為了實現上述愿望，提供了 一種按照本發明的實施例驅動有機場致發光 發射部分的方法，其中，驅動有機場致發光發射部分的電路包括
(A) 包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的驅動晶體管；
(B) 包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的寫入晶體管；和
(C) 包括一對電極的電容器部分； 在驅動晶體管中，
(A-l)將源極/漏極區之一與電源部分連接；
(A-2 )將源極/漏極區的另 一個與配備在有機場致發光發射部分中的陽
極連接，并且與電容器部分的一對電極之一連接，從而形成第二節點；和
(A-3)將柵極與寫入晶體管的源極/漏極區的另一個連接，并且與電容
器部分的一對電極的另一個連接，從而形成第一節點； 在寫入晶體管中，
(B-l)將源極/漏極區之一與相應一條數據線連接；和 (B-2)將柵極與相應一條掃描線連接； 通過使用驅動電路，執行如下步驟
(a)進行預處理以初始化第一節點上的電位和第二節點上的電位，以便 第 一節點與第二節點之間的電位差超過驅動晶體管的闊電壓，并且第二節點
與配備在有機場致發光發射部分中的陰極之間的電位差不超過有機場致發光
發射部分的闊電壓；(b) 進行閾電壓消除處理以在保持第一節點上的電位的狀態下，將比從 第 一節點上的電位中減去驅動晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從電源部 分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上，從而至少 一次地朝從第 一節點上 的電位中減去驅動晶體管的閾電壓獲得的電位的方向改變第二節點上的電
位；
(c) 進行寫入處理以通過寫入晶體管將視頻信號從相應一條數據線供應 給第一節點；和
(d) 關斷寫入晶體管，將第一節點設置在浮置狀態下，從而使與第一節 點和第二節點之間的電位差的值相對應的電流通過驅動晶體管從電源部分流 到有機場致發光發射部分；
該驅動方法包括如下步驟
在至少連續三個掃描時間間隔內執行從步驟(a)到步驟(c)的步驟；
在每個掃描時間間隔內，將第一節點初始化電壓施加到相應一條數據線 上，并且供應視頻信號取代第一節點初始化電壓；
在步驟(a)中，通過保持在導通狀態的寫入晶體管將第一節點初始化電 壓從相應一條數據線施加到第一節點上，從而初始化第一節點上的電位；和
在步驟(b)中，保持通過保持在導通狀態的寫入晶體管將第一節點初始 化電壓從相應一條數據線施加到第一節點上的狀態，從而保持第一節點上的 電位。
少執行一次輔助自舉處理以在從預處理完成到打算正好在執行寫入處理之前 執行使第二節點上的電位升高的閾電壓消除處理開始的時間間隔內，將比在 步驟(b)中從施加到第一節點上的第一節點初始化電壓中減去驅動晶體管的 閾電壓獲得的電壓高的電壓從電源部分施加到源極/漏極區之一上的狀態下， 在一個掃描時間間隔內關斷寫入晶體管，從而使保持在浮置狀態的第一節點 上的電位升高。
在本發明的驅動方法中，在從預處理完成到打算正好在執行寫入處理之 前執行的閣電壓消除處理開始的時間間隔內至少執行一次輔助自舉處理。在 輔助自舉處理中，寫入晶體管在一個掃描時間間隔內保持在關斷狀態。因此， 如后所述，與不包括輔助自舉處理的驅動方法相比，可以減少切換構成驅動 電路的晶體管的導通狀態/關斷狀態的次數。另外，當在執行了輔助自舉處理
10之后執行閾電壓消除處理時，第二節點上的電位基本上朝目標電位(更具體
地說，與在步驟(b)中從施加到第一節點上的第一節點初始化電壓中減去驅
動晶體管的閾電壓獲得的電壓相對應的電位)的方向變化，以便跟隨進行輔 助自舉處理升高的電位。因此，除非第二節點上的電位隨輔助自舉處理升得 過高，不致于妨礙閾電壓消除處理的操作。應該注意到，在輔助自舉處理中， 保持在浮置狀態的第一節點上的電位也升高。但是，在閾電壓消除處理中， 將第一節點初始化電壓從相應一條數據線施加到第一節點上。因此，即使第 一節點上的電位在輔助自舉處理中升高，閾電壓消除處理的操作也不致于受 到妨礙。
在閾電壓消除處理中，將比從第一節點上的電位(換句話說，第一節點
初始化電壓)中減去驅動晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓(例如，20 V) 從電源部分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上。在輔助自舉處理中，也 將相同的電壓從電源部分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上。這里，將 在將像第一節點初始化電壓(例如，0V)那樣的低壓施加到第一節點上的狀 態下第二節點上的電位的上升速度與第一節點處在浮置狀態時第二節點上的
電位的上升速度相比，后者定量地高于前者。因此，進行輔助自舉處理可以 使第二節點上的電位更迅速升高。其結果是，還提供了可以在短時間間隔內 進行閾電壓消除處理的優點。
在按照本發明實施例的驅動方法中，從步驟(a)到步驟(c)的步驟可 以在連續三個掃描時間間隔內執行，或者可以在比連續三個掃描時間間隔長 的時間間隔內執行。例如，在從預處理完成到打算正好在執行寫入處理之前 執行的閾電壓消除處理開始的時間間隔內執行的輔助自舉處理的次數可以依
設置。另外，當多次進行輔助自舉處理時，可以連續多次地進行輔助自舉處 理，或可以在輔助自舉處理與下一次輔助自舉處理之間進行另一種處理。例 如，可以在初始化完成之后進行第一次輔助自舉處理，接著，可以連續兩次 地進行輔助自舉處理，此后，可以進行打算正好在寫入處理之前執行的閾電 壓消除處理。或者，可以示范在初始化完成之后進行第一次閾電壓消除處理 的結構。接著，進行一次輔助自舉處理，此后，進行第二次閾電壓消除處理， 接著，再進行一次輔助自舉處理，然后進行打算在寫入處理之前執行的閾電 壓消除處理。按什么次序多次進行輔助自舉處理必須依照應用按照本發明實
ii施例的驅動方法的有機場致發光顯示器件的設計適當地設置。
(1) 掃描電路；
(2) 信號輸出電路；
(3) 布置在二維矩陣中的(NxM)個有機場致發光元件，沿著第一方向 布置N個有機場致發光元件，沿著與第一方向不同的第二方向布置M個有才幾 場致發光元件，(NxM )個有機場致發光元件中的每一個包括有機場致發光發 射部分和驅動有機場致發光發射部分的驅動電路；
(4) 每一條與掃描電路連接以便沿著第一方向延伸的M條掃描線；
(5) 每一條與視頻信號輸出電路連接以便沿著第二方向延伸的N條數 據線；和
(6) 電源部分。
在按照本發明實施例的驅動方法中，在預定掃描時間間隔內，將第一節 點初始化電壓施加到相應一條數據線上，接著，將視頻信號施加到相應一條 數據線上，取代施加第一節點初始化電壓。當執行步驟(a)時，可以在施加 到相應一條數據線上的電壓切換成第一節點初始化電壓之后導通寫入晶體 管。或者，可以在執行步驟(a)的掃描時間間隔開始之前依照通過相應一條 掃描線發送的信號導通寫入晶體管，并且在這種狀態下，可以執行步驟(a)。 在后一種結構的情況下，第一節點初始化電壓一施加到相應一條數據線上就 初始化第一節點上的電位。在施加到相應一條數據線上的電壓切換成第一節 點初始化電壓之后導通寫入晶體管的前一種結構的情況下，必須將時間分配 給預處理，包括等待切換所需的時間。另一方面，在后一種結構的情況下， 因為不需要等待切換所需的時間，所以可以在較短時間間隔內進行預處理。 其結果是，可以將較長的時間分配給為了跟隨預處理而執行的閾電壓消除處 理等。
在按照本發明實施例的驅動方法中，當通過進行打算正好在寫入處理之 前執行的閾電壓消除處理，使第二節點上的電位達到從第 一 節點上的電位中 減去驅動晶體管的閾電壓獲得的電位時，關斷驅動晶體管。另一方面，當第 二節點上的電位未達到從第一節點上的電位中減去驅動晶體管的閾電壓獲得 的電位時，第一節點與第二節點之間的電位差大于驅動晶體管的閾電壓，因 此不關斷驅動晶體管。在按照本發明實施例的驅動方法中，作為進行打算正好在進行寫入處理之前執行的閾電壓消除處理的結果，未必要求關斷驅動晶 體管。應該注意到， 一完成閾電壓消除處理就可以進行寫入處理，或者可以 隔 一段時間進行寫入處理。
在按照本發明實施例的驅動方法中，在步驟(d)中，依照來自相應一條 掃描線的信號關斷寫入晶體管。這個定時與將預定電壓(下文在應用時簡稱 為"驅動電壓")從電源部分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上以便使電 流流過有機場致發光發射部分的定時之間的前后關系沒有特別限制。例如， 在關斷寫入晶體管之后，可以馬上或隔預定時間將驅動電壓施加到驅動晶體 管的源極/漏極區之一上。或者，可以在將驅動電壓施加到驅動晶體管的源極 /漏極區之一上的狀態下關斷寫入晶體管。在后一種情況下，在將驅動電壓施 加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上的狀態下，存在將視頻信號從相應一條 數據線供應給第一節點的時間間隔。在這個時間間隔內，執行使第二節點上 的電位與驅動晶體管的特性相對應地升高的遷移率校正處理的操作。
如上所述的驅動電壓和在步驟(b)中施加到驅動晶體管的源極/漏極區 之一上的電壓可以相互不同。但是，從減少電源部分供應的電壓種類的觀點
來看，電源部分最好在步驟(b)和步驟(d)中將相同驅動電壓施加到驅動 晶體管的源極/漏極區之一上。
另外，在按照本發明實施例的驅動方法中，可以在將驅動電壓施加到驅 動晶體管的源極/漏極區之一上的狀態下執行步驟(c)。對于這種結構，與上 述的遷移率校正處理一起進行寫入處理。
盡管后面將描述驅動電路的細節，但有關驅動電路可以配置成驅動電路 由兩個晶體管和一個電容器部分(叫做2Tr/lC驅動電路)，三個晶體管和一 個電容器部分(叫做3Tr/lC驅動電路)，或四個晶體管和一個電容器部分(叫 做4Tr/lC驅動電路)組成的形式。在任何一種驅動電路中，與如圖16所示 的驅動電路相比，晶體管的數量都減少了，因此，簡化了驅動電路的配置。
(1 )掃描電路；
(2) 信號輸出電路；
(3) 布置在二維矩陣中的(NxM)個有機場致發光元件，沿著第一方向 布置N個有機場致發光元件，沿著與第一方向不同的第二方向布置M個有機 場致發光元件，(NxM )個有機場致發光元件中的每一個包括有機場致發光發射部分和驅動有機場致發光發射部分的驅動電路；
(4)每一條與掃描電路連接以便沿著第一方向延伸的M條掃描線； (5 )每一條與信號輸出電路連接以便沿著第二方向延伸的N條數據線；
和
(6)電源部分。
此外，每個有機場致發光元件(下文在應用時簡稱為"有機EL元件")由 包括驅動晶體管、寫入晶體管和電容器部分的驅動電路和有機場致發光發射 部分組成。
機EL顯示器件，，)可以采用適用于所謂單色顯示的配置，或一個像素由多個 子像素組成的配置，具體來說， 一個像素由紅光發射子像素、綠光發射子像 素和藍光發射子像素的三個子像素組成的形式。此外， 一個像素也可以由將 一種或數種子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素(例如，將發出白 光以便提高亮度的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像素、將發出補 色光以便擴大顏色再現范圍的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子像 素、或將分別發出黃光和青色光的子像素加入這三種子像素中獲得的一組子 像素)組成。
在本發明的有機EL顯示器件中，像掃描電路和信號輸出電路那樣各種 類型的電路、像掃描線和數據線那樣的連線、電源部分和有機場致發光發射 部分(下文在應用時簡稱為"場致發光部分，，)可以具有眾所周知的配置和結 構。具體地說，例如，場致發光部分可以由陽極、空穴輸運層、場致發光層、 電子輸運層和陰極等組成。
可以給出n溝道薄膜晶體管(TFT)作為構成驅動電路的晶體管。驅動 電路可以是增強型的或耗盡型的。在n溝道晶體管的情況下，可以在其中形 成輕度摻雜漏極(LDD)結構。在一些情況下，可以非對稱地形成LDD結構。 例如，當有機EL元件發光時，使大電流流過驅動晶體管。因此，驅動晶體 管可以采用以這樣的方式非對稱地形成LDD結構的結構，即只在源極/漏極 區的一側形成LDD結構，在場致發光階段成為漏極區側。應該注意到，視情 況而定，例如，p溝道薄膜晶體管也可以用作寫入晶體管等。
構成驅動電路的電容器部分可以由一個電極、相對電極和夾在它們之間 的介電層(絕緣層)組成。例如，構成驅動電路的上述晶體管和電容器部分在某個平面內形成(例如，在支承體上形成)，并且通過層間絕緣層在構成驅 動電路的晶體管和電容器部分上形成場致發光部分。另外，例如，驅動晶體 管的源極/漏極區的另 一個通過接觸孔與配備在場致發光部分中的陽極連接。 應該注意到，也可以采用在半導體基底等上形成晶體管的結構。
在按照本發明實施例的驅動方法中，在從預處理完成到打算正好在寫入 處理之前執行的閾電壓消除處理開始的時間間隔內至少執行一次輔助自舉處 理。在輔助自舉處理中，寫入晶體管在一個掃描時間間隔內保持在關斷狀態。 因此，與不包括輔助自舉處理的驅動方法的情況相比，可以減少切換構成驅 動電路的晶體管的導通狀態/關斷狀態的次數。另外，當在完成了輔助自舉處 理之后執行閾電壓消除處理時，第二節點上的電位基本上朝目標電位的方向 變化，以便跟隨進行輔助自舉處理升高的電位。因此，除非第二節點上的電 位因進行輔助自舉處理而升得過高，闊電壓消除處理的操作不致于受到妨礙。 應該注意到，在輔助自舉處理中，保持在浮置狀態的第一節點上的電位也升 高。但是，在閾電壓消除處理中，將第一節點初始化電位從相應一條數據線 施加到第一節點上。因此，即使第一節點上的電位在輔助自舉處理中升高， 閾電壓消除處理的操作也不致于受到妨礙。
在閾電壓消除處理中，將比從第一節點上的電位(換句話說，第一節點
初始化電壓)中減去驅動晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓(例如，20V) 從電源部分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上。在輔助自舉處理中，也 將相同的電壓從電源部分施加到驅動晶體管的源極/漏極區之一上。這里，將 在將像第一節點初始化電壓(例如，0V)那樣的低壓施加到第一節點上的狀 態下第二節點上的電位的上升速度與第一節點保持在浮置狀態時第二節點上
的電位的上升速度相比，后者定量地高于前者。因此，進行輔助自舉處理可 以使第二節點上的電位更迅速升高。其結果是，還提供了可以在短時間間隔
內進行閾電壓消除處理的優點。


圖1是第1實施例中由2個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路的等 效電^各圖2是第1實施例中的有機EL顯示器件的概念圖3是第1實施例中的有機EL元件的一部分的示意性局部截面圖；圖4是示意性地說明第1實施例中的有機EL元件中的驅動操作的時序
圖5A到圖5M分別是示意性地示出構成第1實施例中的有機EL元件的 驅動電路的晶體管的導通/關斷狀態等的電路圖6是示意性地說明比較例子的有機EL元件中的驅動操作的時序圖7A和圖7B分別是示意性地示出構成比較例子的有機EL元件的驅動 電路的晶體管的導通/關斷狀態等的電路圖8是第2實施例中由4個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路的等 效電if各圖9是第2實施例中的有機EL顯示器件的概念圖IO是示意性地說明第2實施例中的有機EL元件中的驅動操作的時序
圖IIA到圖IIN分別是示意性地示出構成第2實施例中的有機EL元件 的驅動電路的晶體管的導通/關斷狀態等的電路圖12是第3實施例中由3個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路的等 歲丈電路圖13是第3實施例中的有機EL顯示器件的概念圖14是示意性地說明第3實施例中的有機EL元件中的驅動操作的時序'
圖15A到圖150分別是示意性地示出構成第3實施例中的有機EL元件 的驅動電路的晶體管的導通/關斷狀態等的電路圖16是現有技術中由5個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路的等效 電路圖17是現有技術中的有機EL顯示器件的概念圖18是示意性地說明現有技術中的有機EL元件中的驅動操作的時序 圖；和
圖19A到圖191分別是示意性地示出構成現有技術中的有機EL元件的 驅動電路的晶體管的導通/關斷狀態等的電路圖。
具體實施例方式
盡管在下文中將參照附圖描述本發明的實施例，但在此之前將描述用在
16每個實施例中的有機EL顯示器件的概況。
適合用在每個實施例中的有機EL顯示器件是包括多個像素的有機EL顯 示器件。此外， 一個像素由多個子像素(在每個實施例中，發出紅光的子像 素、發出綠光的子像素和發出藍光的子像素作為三個子像素)組成。每個子 像素由具有將驅動電路11和與驅動電路11連接的有機場致發光發射部分(場 致發光部分ELP)疊在一起獲得的結構的有機EL元件IO組成。圖1示出了 第1實施例中的驅動電路的等效電路圖，并且圖2示出了有機EL顯示器件 的概念圖。圖8示出了第2實施例中的驅動電路的等效電路圖，并且圖9示 出了有機EL顯示器件的概念圖。此外，圖12示出了第3實施例中的驅動電 路的等效電路圖，并且圖13示出了有機EL顯示器件的概念圖。注意，如圖 1所示的驅動電路是主要由2個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路，如 圖8所示的驅動電路是主要由4個晶體管/1個電容器部分組成的驅動電路， 并且如圖12所示的驅動電路是主要由3個晶體管/1個電容器部分組成的驅動 電路。
這里，第1到第3實施例每一個中的有機EL顯示器件包括 (1 )掃描電路101; (2)信號輸出電路102; (3 ) ( MxN )個有機EL元件10;
(4) 每一條與掃描電路101連接和沿著第一方向(在每個實施例中，水 平方向)延伸的M條掃描線SCL;
(5) 每一條與信號輸出電路102連接和沿著第二方向(尤其，在每個實 施例中，沿著與第一方向垂直相交的方向，即，垂直方向)延伸的N條lt據 線DTL;和
(6) 電源部分100。
在這種情況下，沿著第一方向布置N個有機EL元件10，并且沿著第二 方向布置M個有機EL元件10，也就是說，在二維矩陣中布置(MxN)個有 機EL元件IO。應該注意到，盡管在圖2、 9和13中的每一個例示了 (3x3) 個有機EL元件10,但這僅僅是舉例。
場致發光部分ELP具有含有陽極、空穴輸運層、場致發光層、電子輸運 層和陰極等的眾所周知結構。掃描電路101、信號輸出電路102、掃描線SCL、 數據線DTL和電源部分IOO可以具有眾所周知的配置和結構。另外，如圖$和13所示的第一晶體管控制電路111和第一晶體管控制線CL和如圖9所示 的第二晶體管控制電路112和第二晶體管控制線AZ2也可以分別具有眾所周 知的配置和結構。
假定驅動電路含有最少組成元件，驅動電路至少包括(A)驅動晶體管 TRD、 (B)寫入晶體管TRw和含有一對電極的電容器部分d。驅動晶體管 TRo由包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的n溝道TFT組成。另外，寫入 晶體管TRw也由包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的n溝道TFT組成。 應該注意到，寫入晶體管TRw也可以由p溝道TFT組成。
這里，在驅動晶體管TRo中， (A-l )將源極/漏極區之一與電源部分100連接；
(A-2)將源極/漏極區的另一個與配備在場致發光部分ELP中的陽極連 接，并且與電容器部分d的一對電極之一連接，從而形成第二節點ND2;和
(A-3)將柵極與寫入晶體管TRw的源極/漏極區的另一個連接，并且與 電容器部分d的一對電極的另一個連接，從而形成第一節點ND!; 另外，在寫入晶體管TRw中，
(B-l)將源極/漏極區之一與相應一條數據線DTL連接；和 (B-2 )將柵極與相應一條掃描線SCL連接。
圖3示出了有機EL元件10的一部分的示意性局部截面圖。在支承體20 上形成構成有機EL元件10的驅動電路11的寫入晶體管TRw和驅動晶體管 TRo和電容器部分d。例如，通過層間絕緣層40在構成驅動電路11的寫入 晶體管TRw和驅動晶體管TRo和電容器部分d上形成場致發光部分ELP。 另夕卜，驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一個通過接觸孔與配備在場致發光 部分ELP中的陽極連接。應該注意到，圖3只例示了驅動晶體管TRD。因此， 看不到其它晶體管。
更具體地說，驅動晶體管TRo由柵極31、柵極絕緣層32、半導體層33、 配備在半導體層33中的源極/漏極區35和源極/漏極區35之間的一部分半導 體層33與相對應的溝道形成層34組成。另一方面，電容器部分d由相對電 極36、由柵極絕緣層32的延伸部分構成的介電層和一個電極37 (與第二節 點ND2相對應)組成。柵極31、 一部分柵極絕緣層32和構成電容器部分d 的相對電極36都在支承體20上形成。驅動晶體管TRD的源極/漏極區35之 一與連線38連接，并且驅動晶體管TRo的源極/漏極區35的另一個與一個電極37 (與第二節點ND2相對應)連接。驅動晶體管TRD和電容器部分d等 被層間絕緣膜40覆蓋。此外，在層間絕緣層40上形成由陽極51、空穴輸運 層、場致發光層、電子輸運層和陰極53組成的場致發光部分ELP。應該注意 到，在圖3中，以一層52的形式例示了空穴輸運層、場致發光層和電子輸運 層。在未配備場致發光部分ELP的一部分層間絕緣膜40上配備第二層間絕 緣層54。此外，在第二層間絕緣層54和陰極53上布置透明基底21,以便從 場致發光層發出的光穿過透明基底21發射到外部。應該注意到， 一個電極 37 (第二節點ND2)和陽極51通過在層間絕緣膜40中形成的接觸孔相互連 接。另外，陰極53通過分別在第二層間絕緣層54和第一層間絕緣層40中形 成的通孔56和55與配備在柵極絕緣層32的延伸部分上的連線39連接。
有機EL顯示器件由布置在二維矩陣中的(N/3)xM個像素組成。 一個像素 由三個子像素(發出紅光的子像素、發出綠光的子像素和發出藍光的子像素) 組成。假設依照行順序制驅動構成各個像素的有機EL元件10,并且顯示幀 速率是FR(次每秒)。也就是說，同時驅動構成布置在第m行(m- 1, 2， 3，…， M)中的(N/3)個像素(N個子像素)的有機EL元件IO。換句話說，在構 成一行的有機EL元件10中，以它們所屬的行為單位控制它們的場致發光/ 非場致發光的定時。注意，將視頻信號寫入構成一行的像素中的處理可以是 同時將視頻信號寫入所有像素中的處理(下文在應用時簡稱為"同時寫入處 理")或每個像素順序寫入視頻信號的處理(下文在應用時簡稱為"順序寫入 處理")。視驅動電路的配置而定，適當地進行同時寫入處理與順序寫入處理 之間的選才奪。
這里，盡管原則上描述位于第m行和第n列(n=l， 2, 3,…，N)的 有機EL元件10的驅動和操作，但這樣的有機EL元件10在下文中也^皮稱為 第(n， m)有機EL元件10或第(n, m)子像素。此外，在布置在第m行 中的有機EL元件10的水平掃描時間間隔(更具體地說，當前顯示幀中的第 m水平掃描時間間隔(下文在應用時簡稱為"第m水平掃描時間間隔"))結束 之前進行各種類型的處理(閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理)。 應該注意到，寫入處理和遷移率校正處理需要基本上在第m水平掃描時間間 隔內執行。另一方面，閾電壓消除處理和跟隨其后的預處理也可以在第m水 平掃描時間間隔之前#1行。
此外，在完成了上述所有各種類型處理之后，分別使構成布置在第m行中的各個有機EL元件10的場致發光部分發光。應該注意到，可以在完成了 上述所述各種類型處理之后，馬上分別使場致發光部分發光，或者，可以在 經過了預定時間間隔(例如，多個預定行的預定時間間隔)之后分別使場致 發光部分發光。視有機EL顯示器件的規范和驅動電路的配置等而定，可以 適當地設置預定時間間隔。應該注意到，在如下的描述中，為了便于描述起 見，假設可以在完成了上述所述各種類型處理之后，馬上分別使場致發光部 分發光。此外，連續進行來自構成布置在第m行中的各個有機EL元件10的 場致發光部分的發光，直到正好在布置在第(m + m')行中的有機EL元件10 的水平掃描時間間隔開始之前。這里，"m'"是根據有機EL顯示器件的設計規 范確定的。也就是說，連續進行某個顯示幀的來自構成布置在第m行中的各 個有機EL元件10的場致發光部分的發光，直到第(m + m' - 1 )水平掃描時 間間隔結束。另一方面，在從第(m + m')水平掃描時間間隔開始到第m水 平掃描時間間隔的寫入處理和遷移率校正處理完成的時間間隔內，通常，構 成布置在第m行中的各個有機EL元件10的場致發光部分每一個都保持非場 致發光狀態。上述非場致發光狀態的時間間隔(下文在應用時簡稱為"非場致 發光時間間隔")的設置導致有源矩陣驅動之后的殘余圖像模糊減輕，因此可 以使運動圖像的漸變更卓越。但是，每個子像素(有機EL元件10)的場致 發光/非場致發光狀態決不會局限于上述狀態。另外，水平掃描時間間隔的時 間長度是比(l/FR)x(l/M)秒短的時間長度。當(m + m')的值超過M時，在 下一個顯示幀中進行(m + m')值超出部分的水平掃描時間間隔操作。
一個晶體管的兩個源極/漏極區中的"源極/漏極區之一"的術語在一些情 況下用于指與電源側連接那一側的源極/漏極區。另外，措詞"晶體管保持在 導通狀態，，指的是在源極/漏極區之間形成溝道。在這種情況下，是否讓電流 從這樣晶體管的源極/漏極區之一流到它的源極/漏極區的另一個不是目的。另 一方面，措詞"晶體管保持在關斷狀態，，指的是在源極/漏極區之間未形成溝道。 另外，措詞"某個晶體管的源極/漏極區與另 一個晶體管的源極/漏極區連接" 內含地指某個晶體管的源極/漏極區和另 一個晶體管的源極/漏極區占據相同 區域的形式。此外，源極/漏極區可以由金屬、合金或導電粒子形成，以及由 像內含雜質的多晶硅或非晶硅那樣的導電材料形成。或者，源極/漏極區可以 以它的發光結構，即由有機材料(導電聚合物分子)形成的層的形式構成。 另外，在用在如下描述中的每個時序圖中，代表時間間隔的橫坐標軸的長度(時間長度)是示意性長度，因此不代表時間間隔的時間長度的比例。
通過使用上述驅動電路，第1到第3實施例每一個中的驅動方法包含如
下步驟
(a)進行初始化第一節點ND,上的電位和第二節點ND2上的電位，以 便第一節點ND,與第二節點ND2之間的電位差超過驅動晶體管TRD的閾電壓 (如后所述的Vth )，并且第二節點ND2與有機場致發光發射部分ELP的陰極 之間的電位差不超過有機場致發光發射部分ELP的閾電壓(如后所述的 Vth_EL)的預處理；接著
(b )進行在保持第 一節點上的電位的狀態下，將比從第 一節點ND,上的 電位中減去驅動晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100 施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上，從而至少一次地朝從第一節點 ND,上的電位中減去驅動晶體管TRu的閾電壓Vth獲得的電位的方向改變第 二節點ND2上的電位的閾電壓消除處理；
(c )進行通過寫入晶體管TRw將視頻信號從相應一條數據線DTL供應 給第一節點NDt的寫入處理；和
(d)關斷寫入晶體管，將第一節點ND,設置在浮置狀態下，從而使與第 一節點NDi和第二節點ND2之間的電位差的值相對應的電流通過驅動晶體管 TRo從電源部分100流到有機場致發光發射部分ELP.
此外，在至少連續三個掃描時間間隔內執行從步驟(a)到步驟(c)的 步驟，在每個掃描時間間隔內，將第一節點初始化電壓(如后所述的Vofs) 施加到相應一條數據線DTL上，接著施加視頻信號(如后所述的Vsig)取代 施加第一節點初始化電壓VOfs。
在步驟(a)中，通過保持在導通狀態的寫入晶體管TRw將第一節點初 始化電壓從相應一條數據線DTL施加到第一節點NDi上，從而初始化第一節 點ND上的電位；和
在步驟(b)中，保持通過保持在導通狀態的寫入晶體管TRw將第一節 點初始化電壓從相應一條數據線DTL施加到第一節點ND!上的狀態，從而保 持第一節點ND,上的電位。
至少執行一次在在從預處理完成到打算正好在執行寫入處理之前執行使第二 節點上的電位升高的閾電壓消除處理開始的時間間隔內，將比在步驟(b)中
21從施加到第 一節點上的第 一節點初始化電壓中減去驅動晶體管TRW的閾電壓 獲得的電壓高的電壓從電源部分施加到源極/漏極區之一上的狀態下，在一個 掃描時間間隔內關斷寫入晶體管，從而使保持在浮置狀態的第一節點上的電 位升高的輔助自舉處理。
應該注意到，盡管在第1到第3實施例中的每一個中，在正好在打算執 行步驟(a)的掃描時間間隔之前的掃描時間間隔內導通寫入晶體管TRw，并 且在這種狀態下，接著執行步驟(a)，但本不發明決不會局限于此。
在下文中，將根據第1到第3實施例描述驅動場致發光部分ELP的方法。
第1實施例
第1實施例涉及本發明驅動有機場致發光發射部分的方法。在第1實施 例中，驅動電路以2Tr/lC驅動電路的形式配置。在第1實施例和如后所述的 其它實施例中，應該注意到，以在至少連續三個掃描時間間隔內才丸行從步驟 (a)到步驟(c)的步驟為前提給出描述。
圖1示出了 2Tr/lC驅動電路的等效電路圖，并且圖2示出了有機EL顯 示器件的概念圖。此外，圖4示意性地示出了驅動操作的時序圖，圖5A到 5M示意性地示出了晶體管的導通/關斷狀態等，圖6示出了比較例子中的驅 動操作的時序圖，并且圖7A和7B示意性地示出了比較例子中的每個晶體管 的導通/關斷狀態等。
2Tr/1 C驅動電路由寫入晶體管TRw和驅動晶體管TRD的兩個晶體管和一 個電容器部分Ci組成。
如上所述，驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一與電源部分100連接。另 一方面，驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一個與如下連接 [l]場致發光部分ELP的陽極；和 [2]電容器部分d的一對電極之一，
從而形成第二節點ND2。另一方面，驅動晶體管TRD的柵極與如下連接 [l]寫入晶體管TRw的源極/漏極區的另一個；和 [2]電容器部分d的一對電極的另 一個， 從而形成第 一節點ND!。 [寫入晶體管TRw]
如上所述，寫入晶體管TRW的源極/漏極區的另一個與驅動晶體管TRD的柵極連接。另一方面，寫入晶體管TRw的源極/漏極區之一與相應一條數據 線DTL連接。此外，通過相應一條數據線DTL將用于控制場致發光部分ELP 中的亮度的視頻信號(驅動信號、亮度信號)Vsig和第一節點初始化電壓V胎 從信號輸出電路102供應給寫入晶體管TRw的源極/漏極區之一。應該注意到， 可以將除了視頻信號Vsig和第一節點初始化電壓V。ft之外的其它各種類型的 信號和電壓(像用于預充電驅動器的信號和各種類型的驅動電壓那樣)供應 給寫入晶體管TRW的源極/漏極區之一。另外，依照來自與寫入晶體管TRW 的柵極連接的相應一條掃描線SCL的信號控制導通/關斷寫入晶體管TRw的 操作。
在有機EL元件10的場致發光狀態下，依照表達式(4)驅動驅動晶體 管TRd,以便使漏極電流Ids流過。在有機EL元件10的場致發光狀態下，驅 動晶體管TRD的源極/漏極區之一用作漏極區，并且它的源極/漏極區的另 一個 用作源極區。為了便于描述起見，在如下描述中，在一些情況下，將驅動晶 體管TRD的源極/漏極區之一簡稱為漏極區，并且將它的源極/漏極區的另 一個 簡稱為源才及區
Ids = k.n.(Vgs-Vth)2 …(4)
其中，fi是有效遷移率，Vgs是柵極與源極區之間的電位差，Vth是閾電壓， 并且k ^ (1/2).(W/L).C。X,其中，L是溝道長度，W是溝道寬度，并且Cox通 過(柵極絕緣層的相對介電常數)x(真空介電常數)/(柵極絕緣層的厚度)表達。
使漏極電流I&流過有機EL元件10的場致發光部分ELP導致有機EL元 件10的場致發光部分ELP發光。此外，依照漏極電流Ids的值的幅度控制有 機EL元件10的場致發光部分ELP中的場致發光狀態(亮度)。
如上所述，場致發光部分ELP的陽極與驅動晶體管TRo的源極性連接。 另 一方面，將電壓Vcat施加到場致發光部分ELP的陰極上。場致發光部分ELP 的電容用標號C^表示。另外，使場致發光部分ELP發光所需的閾電壓用標
號Vth-el表示。當將大于或等于閾電壓Vth-el的電壓施加在場致發光部分ELP
的陽極與陰極兩端時，場致發光部分ELP發光。
盡管在第1到第3實施例中的每一個描述中按如下設置電壓或電位的值， 但它們僅僅是用于描述的值，本發明決不會局限于這些值。
VSig:用于控制場致發光部分ELP中的亮度的視頻信號，…從0到10 V;
Vcc-h:作為用于使電流流過場致發光部分ELP的驅動電壓的第一電壓， …20V;
VCC_L:作為第二節點初始化電壓的第二電壓， …-10V;
Vofs:用于初始化驅動晶體管TRD的柵極上的電位(第一節點ND,上的 電位)的第一節點初始化電壓， …0V;
Vth:驅動晶體管TRD的閾電壓， …3 V;
VCat:施加到場致發光部分ELP的陰才及上的電壓， …0 V;
Vth_EL:場致發光部分ELP的閾電壓， …3 V。
在下文中，將針對利用2Tr/lC驅動電路驅動場致發光部分ELP的方法給 出描述。應該注意到，盡管以如上所述，場致發光狀態在完成了所有各種類 型處理(閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處理)的執行之后馬上開 始為前提給出描述，但本發明決不會局限于此。這也適用于如后所述的其它 第2和第3實施例的描述。是在完成了最后各種類型處理的執行之后，形 成最后顯示幀的操作和第(n， m)有機EL元件IO保持在場致發光狀態的操 作時間間隔。也就是說，使基于如后所述的表達式(8)的漏極電流I'ds流過 構成第(n， m)子像素的有機EL元件10中的場致發光部分ELP。在這種情 況下，構成第(n， m)子像素的有機EL元件10的亮度具有與有關漏極電流 I;相對應的值。這里，寫入晶體管TRw保持在關斷狀態，而驅動晶體管TRo 保持在導通狀態。第(n， m)有機EL元件IO的場致發光狀態持續到正好在 布置在第(m + m')行中的有機EL元件10的水平掃描時間間隔開始之前。
應該注意到，在如圖18所示和在"背景技術"的段落中提到的[時間間隔 -TP(5)J內執行的操作基本上與在[時間間隔_ TP(2)-,]內執行的操作相同。
從如圖4所示的[時間間隔-TP(2)o]到[時間間隔-TP(2)s]的時間間隔是從完成了最后各種類型處理的執行之后的場致發光狀態結束之后的時間點到 正好在進行下一次處理之前的時間點的操作時間間隔。此外，在從[時間間隔
-TP(2)o]到[時間間隔-TP(2)8]的時間間隔內，第(n, m)有機EL元件10 通常保持在非場致發光狀態。
在第1實施例中，在多個掃描時間間隔內，具體地說，從第(m-2)水 平掃描時間間隔到第m水平掃描時間間隔執行從步驟(a)到步驟(c)的步驟。
應該注意到，為了便于說明，以[時間間隔-TP(2)2]的開始和[時間間隔-TP(2)4]的終止分別與第 (m-2)水平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提 給出描述。進一步，以[時間間隔-TP(2)s]的開始和[時間間隔-TP(2)6]的終止 分別與第(m-l)水平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。更 進一步，以[時間間隔-TP(2)7]的開始和[時間間隔-TPP)9]的終止分別與第m 水平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。
在下文中，將詳細描述[時間間隔-TP(2)o]到[時間間隔_ TP(2)9]的時間間 隔。應該注意到，視有機EL顯示器件的設計而定，必須適當地設置[時間間 隔- TP(2、]的開始和[時間間隔-TP(2)!]到[時間間隔_ TP(2)9]的長度。(參照圖4和圖5B和5C )
例如，[時間間隔-TP(2)o]是從最后幀到當前顯示幀的操作時間間隔。也 就是說，[時間間隔-TP(2)。]是從最后顯示幀中的第(m + m')水平掃描時間 間隔到當前顯示幀中的第(m-3)水平掃描時間間隔的中間的時間間隔。此 夕卜,在[時間間隔一 TP(2)0]內，第(n， m )有機EL元件10通常保持在非場 致發光狀態。電源部分100供應的電壓在時間間隔從[時間間隔- TP(2)J轉到 [時間間隔-TP(2)。]的時間點上從第一電壓Vcc.h轉換到第二電壓Vcc-l。其結 果是，第二節點ND2(驅動晶體管TRD的源極區或場致發光部分ELP的陽極) 上的電位下降到第二電壓Vcc-l，致使場致發光部分ELP保持在非場致發光 狀態。另外，保持在浮置狀態的第一節點NDi (驅動晶體管TRo的柵極)上 的電位也下降，以便跟隨第二節點ND2上的電位的下降。
如后所述，在每個水平掃描時間間隔內，信號輸出電路102將第一節點 初始化電壓V她施加到相應一條數據線DTL上，接著將視頻信號Vsig施加 到相應一條數據線DTL上，取代施加第一節點初始化電壓V她。更具體地說， 與當前顯示幀中的第(m-3)水平掃描時間間隔相對應地將第一節點初始化電壓V他施加到相應一條數據線DTL上。接著，將與第(n， m-3)子像素
相對應的視頻信號(為了方便起見，用標號VSig—m-3表示。這也適用于任何其
它視頻信號)施加到相應一條數據線DTL上，取代施加第一節點初始化電壓 Vofs。因此，如圖5B所示，在[時間間隔-TP(2)o]內的第(m-3)水平掃描 時間間隔內將第一節點初始化電壓V他施加到相應一條數據線DTL上。接著，
如圖5C所示，將視頻信號VSig—:n-3施加到相應一條數據線DTL上。由于寫入
晶體管TRw保持在關斷狀態，即使相應一條數據線DTL的電位(電壓)發 生變化，第 一節點NDt上的電位和第二節點ND2上的電位也都不會發生變化 (盡管實際上，可能發生由基于寄生電容等的靜電耦合引起的電位變化，但 通常可以忽略這種變化)。盡管在圖4中省略了例示，但即使在當前顯示幀中 的第(m-3)水平掃描時間間隔之前的每個水平掃描時間間隔內，也可以將 第一節點初始化電壓V她和視頻信號Vsig中的每一個施加到相應一條數據線 DTL上。
應該注意到，如圖18所示和在"背景技術"的段落中提到的[時間間隔-TP(5)()]是與上述的[時間間隔-TP(2)。]相對應的時間間隔。 在圖18中，在時 間間隔/人[時間間隔-TP(5).,]轉到[時間間隔_ TP(5)o]的時間點關斷第一晶體 管TR^其結果是，第二節點ND2 (驅動晶體管TRo的源極區或場致發光部 分ELP的陽極)上的電位下降到(Vth-EL + VCat),致使場致發光部分ELP保 持在非場致發光狀態。另外，保持在浮置狀態的第一節點(驅動晶體管 TRd的柵板)上的電位也下降，以便跟隨第二節點ND2上的電位的下降。 [時間間隔- TP(2)d到[時間間隔-TP(2)2](參照圖4和圖5D和5E) 如后所述，在[時間間隔-TP(2)2]內執行上述的步驟(a)，即，上述的預 處理。在執行步驟(a)的掃描時間間隔(即，第(m-2)水平掃描時間間 隔)開始之前，依照來自相應一條掃描線SCL的信號導通寫入晶體管TRW。 在這種狀態下，接著執行步驟(a)。更具體地說，在正好在第(m-2)水平 掃描時間間隔之前的掃描時間間隔(即，第(m-3)水平掃描時間間隔)內， 導通寫入晶體管TRw，并且在這種狀態下，執行步驟(a)。在下文中，將詳
細描述這種#:作。(參照圖4和圖5D )
在第(m-3)水平掃描時間間隔終止時和之前，依照掃描電路101的操 作將相應一條掃描線SCL的電位設置在高電平上。其結果是，通過事先依照來自相應一條數據線DTL的信號導通的寫入晶體管TRW，將電壓從相應一條 數據線DTL施加到第一節點ND1上。在第1實施例中，以在將視頻信號Vsig—m-3 施加到相應一條數據線DTL的時間間隔內導通寫入晶體管TRw為前提給出 描述。
其結果是，第一節點ND,上的電位被設置在VSig—m-3上。但是，第二節點 ND2上的電位被設置在Vcc七上(-10V)。因此，第二節點ND2與配備在場致 發光部分ELP中的陰極之間的電位差是-10 V。這個電壓未超過場致發光部分 ELP的閾電壓Vth-EL。其結果是，場致發光部分ELP不發光。
當前顯示幀中的第(m - 2 )水平掃描時間間隔從[時間間隔- TP(2)2]開始。 在從[時間間隔-TP(2)2]開始到如后所述的[時間間隔-TP("3]終止的時間間 隔內，依照信號輸出電路102的操作將第一節點初始化電壓Voft施加到相應 一條數據線DTL上。(參照圖4和圖5E )
如上所述，在[時間間隔-TP(2)2]內執行上述的步驟(a)，即，上述的預 處理。在保持將第二電壓Vcc丄從電源部分100施加到源極/漏極區之一上的 狀態下，在[時間間隔-TP(2)2]開始時將施加到相應一條數據線DTL上的電 壓從VSig—^切換到第一節點初始化電壓VQfs,并且依照來自相應一條掃描線 SCL的信號保持寫入晶體管TRw的導通狀態。寫入晶體管TRw是在相應一條 數據線DTL的電壓變化之前導通的。因此，第一節點初始化電壓V他一施加 到相應一條數據線DTL上就初始化第一節點ND!上的電位。其結果是，第一 節點ND!上的電位被設置在VQfs (0V)上。另一方面，第二節點ND2上的電 位被設置在Vcc丄(-10 V)上。因為第一節點ND,與第二節點ND2之間的電 位差是10V，并且驅動晶體管TRD的閾電壓Vth是3V，所以驅動晶體管TR。 保持在導通狀態。應該注意到，第二節點ND2與配備在場致發光部分ELP中 的陰極之間的電位差是-10 V,因此未超過場致發光部分ELP的閾電壓Vth_EL。 其結果是，完成了初始化第一節點ND!上的電位和第二節點ND2上的電位中 的每一個的預處理。(參照圖4和圖5F )
在[時間間隔-TP(2)3]內執行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處 理。也就是說，在依照來自相應一條掃描線SCL的信號，通過保持在導通狀 態的寫入晶體管TRW將第一節點初始化電壓V。ft從相應一條數據線DTL施加
27到第一節點ND,上的狀態下，將電源部分100供應的電壓從第二電壓VCC_L 切換到第一電壓Vcc-h。其結果是，在保持第一節點ND!上的電位的狀態下， 將第一電壓Vcc-h作為比從第一節點NDi上的電位VQfs中減去驅動晶體管TRD 的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅動晶體管TRd的 源極/漏極區之一上。其結果是，盡管第一節點ND,上的電位沒有變化(保持 Vofs = 0 V),但第二節點ND2上的電位朝從第一節點ND!上的電位中減去驅 動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是說，保持在浮置 狀態的第二節點ND2上的電位升高了。
如果[時間間隔-TP(2)3]充分長，驅動晶體管TRD的柵極與源極/漏極區 的另一個之間的電位差達到驅動晶體管TRo的閾電壓Vth，致使驅動晶體管 TRD關斷。也就是說，保持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位接近(Vofs -Vth = -3 V )，最后變成(V0fs — Vth )。但是，第1實施例中的[時間間隔—TP(2)3] 的長度不足以充分改變第二節點ND2上的電位。因此，在[時間間隔-TP(2)3] 終止時，第二節點薦2上的電位達到滿足關系Vcc丄〈VA〈(Voft-Vth)的某個電位 VA。(參照圖4和圖5G )
在[時間間隔-TP(2)4]開始時，將相應一條數據線DTL上的電壓從第一 節點初始化電壓Voft切換到視頻信號的電壓Vsig—m-2。為了避免將視頻信號
VSig—m-2施加到第一節點NDi上，在[時間間隔-TP(2)4]開始時，依照通過相應
一條掃描線SCL發送的信號關斷寫入晶體管TRW。其結果是，驅動晶體管 TRd的柵板(即，第一節點NDJ變成浮置狀態。
因為將第一電壓Vcc.h從電源部分100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏 極區之一上，所以第二節點ND2上的電位從電位VA升高到某個電壓VB。另 一方面，因為驅動晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態，并且因此存在電容器 部分Q，所以在驅動晶體管TRD的柵極中發生自舉操作。因此，第一節點 ND!上的電位升高，以^(更跟隨第二節點ND2上的電位的變化。
應該注意到，如圖4所示，依照在如后所述的[時間間隔-TP(2)5]和[時間 間隔-TP(2)6]內執行的自舉操作，在[時間間隔-TP(2)6]終止時，第二節點 ND2上的電位達到某個電位VD。基本上，第二節點ND2上的電位隨執行自 舉操作的時間間隔變長而升高。但是，作為在如后所述的[時間間隔-TP(2)7] 中執行的操作的前提，要求在[時間間隔-TP(2)6]終止時，第二節點ND2上的電位低于(V。fs-L-Vth)。在設計有機EL顯示器件期間，必須事先確定從[時 間間隔-TP(2)4]開始到[時間間隔-TP(2)6]終止的時間間隔的長度作為設計
值，以便滿足VD〈V他-L-Vth的條件。
如下所述的[時間間隔-TP("4]內的自舉操作、[時間間隔-TP(2)s]和[時 間間隔-TP(2)6]內的自舉操作和[時間間隔-TP(2)1()]內的自舉操作基本上彼 此相同。因此，這些時間間隔內第一節點ND,等上的電位的瞬時變化基本上 彼此相同。但是，為了便于例示起見，圖4示出了在未考慮從[時間間隔-TP(2)4]到[時間間隔-TP(2)6]的時間間隔內第一節點NDi等上的電位的瞬時 變化與[時間間隔-TP(2)H)]內第一節點ND,等上的電位的瞬時變化之間的一 致性的情況下，有機EL元件中的驅動操作。這也適用于如后所述的圖8、圖 12和圖18的情況。和[時間間隔-TP(2)6](參照圖4和圖5H和圖51) 如后所述，在這些時間間隔內，將比在步驟(b)中從施加到第一節點 ND,上的第一節點初始化電壓VQfs中減去驅動晶體管TRD的閾電壓Vth獲得的 電壓高的電壓從電源部分100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上。 在這種狀態下，寫入晶體管TRw在一個水平掃描時間間隔內保持在關斷狀態， 使第二節點ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態的第 一節點ND,上的 電位升高。這樣，就執行了輔助自舉處理。在下文中，將詳細描述輔助自舉 處理。(參照圖4和圖5H)
依照掃描電路101的操作使相應一條掃描線SCL上的電壓保持在低電平 上，從而保持寫入晶體管TRW的關斷狀態。盡管在[時間間隔-TP(2)s]開始時， 相應一條數據線DTL上的電壓從視頻信號的電壓Vsig,2切換到第一節點初 始化電壓VQfs,但因為寫入晶體管TRw保持在關斷狀態，所以驅動晶體管TRD 的柵極(即，第一節點ND。保持在浮置狀態。將第一電壓Vcc-h從電源部分 IOO施加到驅動晶體管TRd的源板/漏板區之一上。因此，在驅動晶體管TRo 的柵極中繼續發生自舉操作，以便跟隨在[時間間隔-TP(2)4]內執行的自舉操 作。其結果是，第二節點ND2上的電位從電位VB升高到某個電壓Vc,并且 保持在浮置狀態的第一節點ND!上的電位也升高。(參照圖4和圖51)
依照掃描電路101的操作使相應一條掃描線SCL上的電壓保持在低電平上，從而保持寫入晶體管TRw的關斷狀態。盡管在[時間間隔-TP(2)6]開始時， 相應一條數據線DTL上的電壓從第一節點初始化電壓V她切換到視頻信號的 電壓V^—m_P但因為寫入晶體管TRw保持在關斷狀態，所以驅動晶體管TRo 的柵極(即，第一節點ND。保持在浮置狀態。將第一電壓Vcc-h從電源部分 100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上。因此，在驅動晶體管TRD 的柵極中繼續發生自舉操作，以便跟隨在[時間間隔-TP(2)5]內執行的自舉操 作。其結果是，第二節點ND2上的電位從電位Vc升高到某個電位Vd，并且 保持在浮置狀態的第 一節點ND,上的電位也升高。
正如到目前為止已經描述過的那樣，在構成第(m-1)水平掃描時間間 隔的[時間間隔-TP(2)5]和[時間間隔_ TP(2)6]內寫入晶體管TRW保持在關斷 狀態。此外，在第(m-l)水平掃描時間間隔內，在驅動晶體管TRo中繼續 發生自舉操作，從而進行輔助自舉處理。(參照圖4和圖5J )
在[時間間隔-TP(2)7]內也執行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除 處理。在[時間間隔-TP(2)7]內執行的閾電壓消除處理對應于打算正好在執行 寫入處理之前執行的閾電壓消除處理。
在[時間間隔-TP(2)7]內執行的操作基本上與針對[時間間隔-TP(2)3]描 述的操作相同。在[時間間隔-TP(2)7]開始時，將相應一條數據線DTL上的 電壓從視頻信號的電壓VSig—^切換到第一節點初始化電壓V。fs。此外，在[時 間間隔-TP(2》]開始時，依照通過相應一條掃描線SCL發送的信號導通寫入 晶體管TRW。
這導致通過保持在導通狀態的寫入晶體管TRW將第一節點初始化電壓 V她從相應一條數據線DTL施加到第一節點ND,上。另夕卜，將第一電壓Vcoh 從電源部分IOO施加到驅動晶體管TRd的源板/漏板區之一上。因此，與針對 [時間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，第二節點ND2上的電位朝從第一節點 ND!上的電位中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化， 以便跟隨依照在[時間間隔-TP(2)6]內執行的自舉操作升高的電位。此外，當 驅動晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區的另一個之間的電位差達到驅動 晶體管TRD的閾電壓Vth時，關斷驅動晶體管TRD。具體地說，保持在浮置 狀態的第二節點ND2上的電位接近(V他-Vth = -3 V )，最后變成(VQfs _ Vth )。 這里，只要表達式(5)得到保證，換句話說，只要將電位選擇和確定成滿足表達式(5),場致發光部分ELP就不發光。
(Vofs - Vth)<(Vofs.EL + VCat) ... (5)
第二節點ND2上的電位在[時間間隔-TP(2)7]內最后變成(V0fs-Vth)。
也就是說，只視驅動晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅動晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節點初始化電壓Voft而定，確定第二節點M)2上的電
位。此外，第二節點ND2上的電位與場致發光部分ELP的閾電壓Vth.el無關。
到目前為止已經描述了直到打算正好在執行寫入處理之前執行的閾電壓 消除處理的步驟。這里，與上述的第1實施例中的操作對照，描述如圖6所 示的第1比較例子中的操作。第1比較例子與第1實施例的不同之處在于， 還在第(m-1)水平掃描時間間隔內進行閾電壓消除處理。具體地說，除了 在從如圖6所示的[時間間隔-TP(2)'s]到[時間間隔-TP(2)'6]的時間間隔內執 行的操作之外，第1比較例子中的操作與第1實施例中的操作相同。從如圖 6所示的[時間間隔-TP(2)'s]到[時間間隔-TP(2)'6]的時間間隔分別對應于從 如圖4所示的[時間間隔-TP(2)5]到[時間間隔-TP(2)6]的時間間隔。
在第1比較例子中，在[時間間隔-TP(2)'5]開始時，依照掃描電路101的 操作將相應一條掃描線SCL上的電壓從低電平切換到高電平。此外，將寫入 晶體管TRw的操作狀態從關斷狀態切換到導通狀態(參照圖6和圖7A)。也 就是說，依照通過相應一條掃描線SCL發送的信號，通過保持在導通狀態的 寫入晶體管TRw將第一節點初始化電壓V他從相應一條數據線DTL施加到第 一節點ND,上。在這種狀態下，在[時間間隔-TP(2)4]內依照自舉操作升高的 第一節點ND,上的電位下降到第一節點初始化電壓V。fs ( =0V)。
寫入晶體管TRw在[時間間隔-TP(2)'5]內保持在導通狀態。另外，電源 部分IOO施加的電壓是第一電壓Vcc.h。因此，與前面針對[時間間隔-TP(2)3] 所述的情況類似，在保持第一節點ND!上的電位的同時，將第一電壓Vcc-H 作為比從第一節點ND,上的電位Vofs中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲 得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一 上。其結果是，盡管第一節點ND,上的電位沒有變化(保持VQfs = 0 V),但 第二節點ND2上的電位從第一節點NDi上的電位開始朝從第一節點ND,上的 電位中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就是i兌， 保持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位升高了 。
在[時間間隔-TP(2)'6]開始時，依照掃描電路101的操作將相應一條掃描線SCL上的電壓從高電平切換到低電平。此外，將寫入晶體管TRw的操作狀 態從導通狀態切換到關斷狀態(參照圖6和圖7B )。因為寫入晶體管TRw保 持在關斷狀態，所以驅動晶體管TRo的柵極(即，第一節點ND。變成浮置 狀態。將第一電壓Vcc-h從電源部分100施加到驅動晶體管TRd的源板/漏板 區之一上。其結果是，在驅動晶體管TRD的柵極中發生自舉操作，使第二節 點ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態的第一節點ND,上的電位從第 一節點初始化電壓V她開始升高。
在也在上述第1比較例子中的操作中，在[時間間隔-TP(2)7]中和之后的 時間間隔中執行的操作基本上不會受到妨礙。但是，在第(m-l)水平掃描 時間間隔內有必要進行寫入晶體管TRw的導通狀態/關斷狀態的切換。其結果 是，在掃描電路中消耗的功率與上述第1實施例中的操作相比增大了。(參照圖4和圖5K)
接著，現在繼續描述第l實施例。在[時間間隔-TP(2)8]開始時，依照通 過相應一條掃描線SCL發送的信號關斷寫入晶體管TRw。另外，將施加到相 應一條數據線DTL上的電壓從第一節點初始化電壓V他切換到視頻信號的電 壓VSig—m。如果驅動晶體管TRD在閾電壓消除處理中到達關斷狀態，第一節 點NDt上的電位和第二節點ND2上的電位基本上都不會發生變化。在驅動晶 體管TRD在閾電壓消除處理中未到達關斷狀態的情況下，在[時間間隔-TP(2)8]內也發生自舉操作，第一節點ND!上的電位和第二節點ND2上的每個 電位有點升高。在圖4中以未發生自舉操作為前提說明有機EL元件中的驅 動操作。(參照圖4和圖5L )
在這個時間間隔內，執行上述的步驟(c),即，上述的寫入處理。在施 加到相應一條數據線DTL上的電壓從第一節點初始化電壓V他切換到視頻信 號的電壓Vsig^之后，依照來自相應一條掃描線SCL的信號導通寫入晶體管 TRW。此外，通過寫入晶體管TRw將視頻信號VSig—m從相應一條數據線DTL 施加到第一節點ND!上。其結果是，第一節點ND!上的電位升高到VSigm。 驅動晶體管TRo保持在導通狀態。應該注意到，視情況而定，寫入晶體管TRW 在[時間間隔-TP(2)8]內可以保持在導通狀態。對于這種結構，在[時間間隔-TP(2)8]內，施加到相應一條數據線DTL上的電壓一從第一節點初始化電壓 V他切換到視頻信號的電壓Vsig^就開始執行寫入處理。這里，電容器部分C!具有電容值Cp并且場致發光部分ELP的電容C^ 具有電容值c機。此外，驅動晶體管TRD的柵極與源極/漏極區的另一個之間 的寄生電容用標號％表示。當驅動晶體管TRo的柵極上的電位從第一節點初 始化電壓V他變化到視頻信號的電壓Vsigm (>V。fs)時，電容器部分d的相 對端上的電位(第一節點ND,上的電位和第二節點ND2上的電位)通常也發 生變化。也就是說，將基于驅動晶體管TRo的柵極上的電位(=第一節點NDj 上的電位)的變化(VSig—m-VQfs)的電荷分配給電容器部分C,、場致發光部 分ELP的電容CEL和驅動晶體管TRD的柵極與源極/漏極區的另 一個之間的寄
生電容。但是，當數值CEL比數值d和數值Cgs中的每一個大得多時，基于驅
動晶體管TRD的柵極上的電位的變化(VSig—m - V她)的驅動晶體管TRD的源 極/漏極區的另一個(第二節點ND2)上的電位的變化不大。此外， 一般說來， 場致發光部分ELP的電容CEL的電容值cEL大于電容器部分C,的電容值Cl和 驅動晶體管TRD的寄生電容的電容值Cgs中的每一個。于是，在上面說明的描 述中，未考慮第一節點ND!上的電位的變化引起的第二節點ND2上的電位的 變化地給出描述。此外，除了特別必要的情況之外，未考慮第一節點ND,上 的電位的變化引起的第二節點ND2上的電位的變化地給出描述。這也適用于 任何其它第2和第3實施例。應該注意到，除了如后所述的圖14之外，都未 考慮第一節點ND!上的電位的變化引起的第二節點ND2上的電位的變化地示 出驅動操作的流程圖。
對于第1實施例中的驅動方法，在將第一電壓VcoH從電源部分IOO施加 到驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一上的狀態下，將視頻信號Vsig—m施加到 驅動晶體管TRo的柵極上。由于這個原因，如圖4所示，第二節點ND2上的 電位在[時間間隔-TP(2)9]內升高。后面將描述升高的電位量(如圖4所示的 AV)。當驅動晶體管TRo的柵極(第一節點ND。上的電位是Vg，并且驅動 晶體管TRo的源極/漏極區的另一個(第二節點ND2)上的電位是Vs時，如 果不考慮第二節點ND2上的電位的上述升高，按如下表達Vg的值和Vs的值。 第一節點ND!與第二節點M)2之間的電位差，即，驅動晶體管TRo的柵極與 源極/漏極區的另一個之間的電位差Vgs可以通過表達式(6)表達
vs v0fs 一 vth
Vgs VSig—m - (Vofs - Vth) …(6)
33在為驅動晶體管TRo執行的寫入處理中獲得的電位差Vp只取決于用于 控制場致發光部分ELP中的亮度的視頻信號VSig—m、驅動晶體管TRo的閾電 壓Vth和用于初始化驅動晶體管TRo的柵極上的電位的第一節點初始化電壓 V0fs。另外，電位差Vgs與場致發光部分ELP的閾電壓Vth孔無關。
接著，將針對上述在[時間間隔_ TP(2)9]內第二節點ND2上的電位的升高 給出描述。對于第1實施例中的驅動方法，與使源極/漏極區的另一個上的電 位(即，第二節點ND2上的電位)與驅動晶體管TRo的特性(例如，遷移率 ia的幅度等)相對應地升高的遷移率校正處理一起執行寫入處理。
當以多晶硅薄膜晶體管等的形式制造驅動晶體管TRD時，在多晶硅薄膜 晶體管之間難以避免出現遷移率fi的偏差。因此，即使將具有相同值的視頻信 號Vsig施加到具有不同遷移率n的多個驅動晶體管TRd的柵板上，在使其流 過具有大遷移率p的驅動晶體管TRD的漏極電流Ids與使其流過具有小遷移率p 的驅動晶體管TRD的漏極電流Ids之間也會出現差異。此外，出現這樣的差異 會危害有機EL顯示器件的畫面的均勻性。
正如上面所述的那樣，對于第1實施例中的驅動方法，在將第一電壓Vcc-H
從電源部分IOO施加到驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一上的狀態下，將視 頻信號Vsig一m施加到驅動晶體管TRr)的柵極上。由于這個原因，如圖4所示， 第二節點ND2上的電位在[時間間隔-TP(2)9]升高。當驅動晶體管TRD具有大 遷移率H時，驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一個上升高的電位(即，第 二節點ND2上的電位)的增量AV (電位校正值)增大。相反，當驅動晶體管 TRD具有小遷移率p時，驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一個上升高的電 位(即，第二節點ND2上的電位)的增量AV (電位校正值)減小。這里，驅 動晶體管TRD的柵極與用作源極區的它的源極/漏極區的另一個之間的電位 差Vgs從表達式(6)轉變成表達式(7):
Vgs VSig—m - (Vofs - Vth) - AV …(7 )
應該注意到，在設計有機EL顯示器件期間，必須事先確定進行寫入處 理所需的預定時間([時間間隔-TP(2)9]的總時間to)作為設計值。另夕卜，將[時 間間隔-TP(2)9]的總時間to確定成此時驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一 個上的電位(V他-Vth + AV)滿足表達式(8 )。其結果是，場致發光部分ELP 在[時間間隔-TP(2)9]內不發光。此外，通過進行遷移率校正處理同時校正系 數k (三(l/2).(W/L)-Cox)的偏差。
34(Vofs - Vth + AV)〈(V紐+ VCat) …(8 )(參照圖4和圖5M )
通過進行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處 理的執行。此后，在這個時間間隔內按如下執行上述的步驟(d)。也就是i兌， 在保持將第一電壓Vcc-H從電源部分100施加到驅動晶體管TRD的源極/漏極 區之一上的狀態下，依照掃描電路101的操作將相應一條掃描線SCL的電位 設置在低電平上，以關斷寫入晶體管TRw。其結果是，第一節點NDp即， 驅動晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態。因此，作為上文的結果，第二節點
ND2上的電位升高。
這里，如上所述，驅動晶體管TRD的柵極保持在浮置狀態，除此之外， 在驅動電路ll中存在電容器部分d。其結果是，在驅動晶體管TRo的柵極 中發生與所謂自舉電路中相同的現象，并且第一節點NDi上的電位也升高。 其結果是，驅動晶體管TRd的棚-極與它用作源極區的源極/漏極區的另一個之 間的電位差Vgs保持根據表達式(7)給出的值。
另外，因為第二節點ND2上的電位升高到超過(Vth-EL + VCat),所以場致 發光部分ELP開始發光。此時，使其流過場致發光部分ELP的電流可以通過 表達式(4)表達，因為它是使其從驅動晶體管TRd的漏板區流到源板區的漏 極電流Ids。這里，表達式(4)可以轉變成基于表達式(4)和表達式(7)的 表達式(9):
Ids = k^(VSig—m _ V他—AV)2 …(9) 因此，例如，當將第一節點初始化電壓V他設置在0 V上時，使其流過 場致發光部分ELP的電流Ids與從用于控制場致發光部分ELP中的亮度的視 頻信號Vsig一m的值中減去由驅動晶體管TRD的遷移率p引起的第二節點ND2 (驅動晶體管TRD的源極/漏極區的另一個)中的電位校正值AV獲得的值的 平方成正比。換句話說，使其流過場致發光部分ELP的電流1&與場致發光部 分ELP的閾電壓Vth-EL和驅動晶體管TRD的闊電壓Vth無關。也就是說，場致 發光部分ELP的發光量不受場致發光部分ELP的閾電壓Vth-EL影響，并且不 受驅動晶體管TRD的閾電壓Vth影響。此外，第(n， m)有機EL元件10的 亮度具有與有關電 流Ids
相對應的值。
此外，因為電位校正值AV隨驅動晶體管TRo的遷移率jLi變大而變大，所 述表達式(7)中左側項中的電位差Vgs的值變小。因此，即使在表達式(9)中給出變大的遷移率p的值時，(VSig—m-V0fs-AV)2的值也變小。其結果是， 可以校正漏極電流Ids。也就是說，即使在具有不同遷移率p的驅動晶體管TRD
中，只要視頻信號VSigm的值彼此相同，漏極電流Ids也變成彼此近似相等。
其結果是，分別使其流過場致發光部分ELP控制場致發光部分ELP中的亮度 的電流Ids是一致的。也就是說，可以校正由遷移率p的偏差(此外，k的偏差) 引起的場致發光部分ELP中的亮度的偏差。
此外，繼續保持場致發光部分ELP的場致發光狀態，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時間間隔。這個時間點對應于[時間間隔-TP(2)J的結束。
根據上文，完成了使構成第(n， m)子像素的有機EL元件IO場致發光 的操作。
第2實施例
第2實施例也涉及本發明驅動有機場致發光(EL)部分的方法。在第2 實施例中，驅動電路以4Tr/lC驅動電路的形式配置。
圖8示出了 4Tr/lC驅動電路的等效電路圖，并且圖9示出了有機EL顯 示器件的概念圖。此外，圖10示意性地示出了驅動操作的時序圖，并且圖 11A到11N示意性地示出了四個晶體管的導通狀態/關斷狀態等。
與上述2Tr/lC驅動電路的情況類似，4Tr/lC驅動電路也包括寫入晶體管 TRw和驅動晶體管TRD的兩個晶體管和一個電容器部分Q。此外，4Tr/lC驅 動電路進一步包括第一晶體管TR,和第二晶體管TR2。
第一晶體管由包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的n溝道TFT組 成。另外，第二晶體管TR2也由包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的n溝 道TFT組成。應該注意到，第一晶體管TRi和第二晶體管TR2中的每一個可 以以p溝道TFT的形式配置。
在第一晶體管TR!中，源極/漏極區之一與電源部分100連接，并且它的 另一個與驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一連接。柵極與第一晶體管控制線 CI^連接。
依照來自第一晶體管控制線CLi的信號控制第一晶體管TRt的導通/關斷 狀態。更具體地說，第一晶體管控制線CL,與第一晶體管控制電路111連接。 此外，依照第一晶體管控制電路111的操作將第一晶體管控制線CL!的電位 設置在低電平或高電平上，從而導通或關斷第一晶體管TRi。[第二晶體管TR2]
在第二晶體管TR2中，源極/漏極區之一與第二節點初始化電壓供應線 PSnd2連接，并且它的另一個與第二晶體管控制線AZ2連接。通過保持在導通
狀態的第二晶體管TR2，將用于初始化第二節點ND2上的電位的電壓Vss從
第二節點初始化電壓供應線PSND2施加到第二節點ND2上。電壓Vss將在后
面描述。
依照來自第二晶體管控制線AZ2的信號控制第二晶體管TR2的導通/關斷 狀態。更具體地說，第二晶體管控制線AZ2與第二晶體管控制電路112連接。 此外，依照第二晶體管控制電路112的操作將第二晶體管控制線AZ2的電位 設置在低電平或高電平上，從而導通或關斷第二晶體管TR2。
在第1實施例中，將第二電壓Vcc.l從電源部分100施加到驅動晶體管 TRD的源極/漏極區之一上，從而初始化第二節點ND2上的電位。另一方面， 在第2實施例中，如后所述，通過使用第二晶體管TR2初始化第二節點ND2 上的電位。因此，在第2實施例中，就初始化第二節點ND2上的電位來說， 沒有必要從電源部分100施加第二電壓Vcc-l。另外，在第2實施例中，電源 部分100和驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一通過第一晶體管TR!相互連 接。因此，利用第一晶體管TRi控制場致發光部分ELP的場致發光/非場致發 光。由于這個原因，在第2實施例中，電源部分100施加預定電壓Vcc。
盡管在如下描述中，按如下設置電壓Vcc的值和電壓Vss的值，但這些 值僅僅是用于描述的值，因此，本發明決不會局限于此。
Vcc:用于^f吏電流流過控制場致發光部分ELP的驅動電壓， …20 V;
Vss:用于初始化第二節點ND2上的電位的第二節點初始化電壓， …-10 V;
由于該驅動晶體管TRD的配置與在2Tr/lC驅動電路中描述的驅動晶體管 TRd的配置相同，為了筒單起見，這里省略對它的詳細描述。 [寫入晶體管TRw]
由于該寫入晶體管TRw的配置與在2Tr/lC驅動電路中描述的寫入晶體管 TRw的配置相同，為了簡單起見，這里省略對它的詳細描述。 [場致發光部分ELP]由于該場致發光部分ELP的配置與在2Tr/lC驅動電路中描述的場致發光 部分ELP的配置相同，為了簡單起見，這里省略對它的詳細描述。
在下文中，將描迷利用4Tr/lC驅動電路驅動場致發光部分ELP的方法。 [時間間隔-TP(4乂,](參照圖IO和圖11A)
例如，[時間間隔-TP(4)-，]是最后顯示幀內的操作時間間隔，因此，基本 上是與前面在第1實施例中所述的[時間間隔-TP(2).,]的操作時間間隔相同 的操作時間間隔。
從如圖10所示的[時間間隔-TP(4)o]到[時間間隔-TP(4)9]的時間間隔是 與從如圖4所示的[時間間隔-TP(2)o]到[時間間隔-TP(2)8]的時間間隔相對 應的時間間隔。因此，這個時間間隔是從完成了最后各種類型處理之后的場 致發光狀態結束之后的時間點到正好在進行下一次寫入處理之前的時間點的 操作時間間隔。此外，在從[時間間隔-TP(4)o]到[時間間隔-TP(4)9]的時間間 隔內，第(n, m)有機EL元件IO保持在非場致發光狀態。應該注意到，以 [時間間隔-TP(4)3]的開始和[時間間隔-TP(2)s]的終止分別與第(m-2)水 平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。進一步，以[時間間隔-TP(4)6]的開始和[時間間隔-丁？(4)7]的終止分別與第(m- 1 )水平掃描時間間 隔的開始和終止一致為前提給出描述。更進一步，以[時間間隔-TP(4)8]的開 始和[時間間隔-TP(4)n)]的終止分別與第m水平掃描時間間隔的開始和終止 一致為前提給出描述。
在下文中，將描述[時間間隔-TP(4)o]到[時間間隔-TP(4)u)]的時間間隔。 應該注意到，視有機EL顯示器件的設計而定，必須適當地設置[時間間隔-TP(4、]的開始和[時間間隔-TP(4)d到[時間間隔-TP(4)K)]的長度。(參照圖10和圖11B)
如上所述,第(n, m )有機EL元件10在[時間間隔-TP(4)o]內保持在 非場致發光狀態。寫入晶體管TRw和第二晶體管TR2中的每一個保持在關斷 狀態。另外，在時間間隔從[時間間隔-TP(^h]轉到[時間間隔-TP("o]的時 間點關斷第一晶體管TR!。因此，第二節點ND2上的電位下降到(Vth-EL + VCat), 致使場致發光部分ELP保持在非場致發光狀態。另外，保持在浮置狀態的第 一節點NDi上的電位也下降，以便跟隨第二節點ND2上的電位的下降。應該 注意到，[時間間隔-TP(4)o]內第一節點ND!上的電位:取決于[時間間隔-TP(4).,]內第一節點ND!上的電位(視最后幀中視頻信號Vsig的值而定)，因此不呈現給定值。到[時間間隔-TP(4)3](參照圖IO和圖11C、11D、11E 和11F)
如后所述，在[時間間隔-TP(4)3]內執行上述的步驟(a)，即，上述的預 處理。在打算執行上述的步驟(a)的時間間隔(即，第(m-2)水平掃描 時間間隔)開始之前，依照來自相應一條掃描線SCL的信號導通寫入晶體管 TRw。在這種狀態下，執行上述的步驟(a)。在第2實施例中，與在第1實 施例中所述的情況類似，在正好在第(m-2)水平掃描時間間隔之前的時間 間隔(即，第(m-3)水平掃描時間間隔)內，導通寫入晶體管TRw。在這 種狀態下，執行步驟(a)。在下文中，將給出對它的詳細描述。(參照圖IO和圖11C和11D)
在保持寫入晶體管TRw和第 一 晶體管TR,每一個的關斷狀態的同時，在 第(m-3)水平掃描時間間隔內，依照第二晶體管控制電路112的操作將第 二晶體管控制線AZ2的電位設置在高電平上。其結果是,導通第二晶體管TR2。 在第2實施例中，以在將第一節點初始化電壓Vofs施加到相應一條數據線 DTL，此后，將相應一條數據線DTL的電壓從第一節點初始化電壓V他切換 到視頻信號VSig—m-3的時間間隔內，將第二晶體管TR2從關斷狀態切換到導通 狀態為前提給出描述。第二節點ND2上的電位被設置在Vss (-10 V)上。另 外，保持在浮置狀態的第一節點ND!上的電位也下降，以便跟隨第二節點ND2 上的電位的下降。應該注意到，[時間間隔-TP(4;hA]內第一節點ND!上的電 位取決于[時間間隔-TP(4、]內第一節點ND上的電位，因此不呈現給定值。(參照圖10和圖11E )
在保持第一晶體管TR!的導通狀態的同時，在第(m-3)水平掃描時間 間隔終止時和之后，依照掃描電路101的操作，將相應一條掃描線SCL的電 位設置在高電平上。其結果是，通過依照來自相應一條掃描線SCL的信號導 通的寫入晶體管TRW，將電壓從相應一條數據線DTL施加到第一節點ND! 上。在第2實施例中，與在第1實施例中描述的情況類似，以在將視頻信號 Vsig^3施加到相應一條數據線DTL上的時間間隔內導通寫入晶體管TRw為 前提給出描述。
其結果是，盡管第一節點ND,上的電位被設置在Vsig—m-3上，但第二節點
ND2上的電位被設置在Vss (-10 V)上。因此，第二節點ND2與配備在場致發光部分ELP中的陰極之間的電位差被設置在-10 V上，因此，不超過場致 發光部分ELP的閾電壓Vth.EL。因此，場致發光部分ELP不發光。 [時間間隔-TP(4)3](參照圖IO和圖11F)
在[時間間隔-TP(4)3]內執行上述的步驟(a)，即，上述的預處理。在第 2實施例中，在根據第一晶體管控制電路lll的操作，依照來自第一晶體管控 制線CLi的信號保持第一晶體管TR,的關斷狀態的狀態下，根據第二晶體管 控制電路112的操作，通過依照來自第二晶體管控制線AZ2的信號導通的第 二晶體管TR2,將第二節點初始化電壓Vss從第二節點初始化電壓供應線 PSM)2施加到第二節點ND2上。接著，在[時間間隔-TP(4)3]終止時，依照第 二晶體管控制線AZ2的信號關斷第二晶體管TR2，從而初始化第二節點ND2 上的電位。
另一方面，與在1實施例中所述的情況類似，在依照來自相應一條掃描 線SCL的信號保持寫入晶體管TRw的導通狀態的狀態下，在[時間間隔-TP(4)3]開始時將相應一條數據線DTL的電壓從視頻信號的電壓VSig—m-3切換 到第一節點初始化電壓V他。寫入晶體管TRw在相應一條數據線DTL的電壓 變化之前保持在導通狀態。因此，第一節點初始化電壓V她一施加到相應一 條數據線DTL上就初始化第一節點ND，上的電位。其結果是，第一節點ND! 上的電位被設置在VQfs (0V)上。另一方面，第二節點ND2上的電位被設置 在Vss(-10V)上。因為第一節點M人與第二節點ND2之間的電位差是10 V， 并且驅動晶體管TRD的閾電壓Vth是3 V，所以驅動晶體管TRo保持在導通狀 態。應該注意到，第二節點ND2與配備在場致發光部分ELP中的陰極之間的 電位差是-10V，因此未超過場致發光部分ELP的閾電壓Vth-EL。其結果是， 完成了初始化第一節點NDi上的電位和第二節點ND2上的電位的預處理。
與在第1實施例中所述的情況類似，寫入晶體管TRw在相應一條數據線 DTL的電壓變化之前保持在導通狀態。因此，第一節點初始化電壓Voft—施 加到相應一條數據線DTL上就初始化第一節點ND,上的電位。其結果是，由 于可以在較短時間內進行預處理，可以將較長的時間分配給為了跟隨預處理 而執行的閾電壓消除處理。(參照圖IO和圖11G)
在[時間間隔-TP(4)4]內執行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處 理。也就是說，在依照來自相應一條掃描線SCL的信號，通過保持在導通狀態的寫入晶體管TRw將第一節點初始化電壓V他從相應一條數據線DTL施加 到第一節點ND,上的狀態下，根據第一晶體管控制電路111的操作，通過依 照來自第一晶體管控制線CL,的信號導通的第一晶體管TRi，使驅動晶體管 TRo的源極/漏極區之一與電源部分100通電。此外，將電壓Vcc作為比從第 一節點ND!上的電位V他中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電壓高 的電壓從電源部分IOO施加到驅動晶體管TRd的源板/漏板區之一上。應該注 意到，電壓Vcc連續地施加在上面，直到第(m-m'-1 )水平掃描時間間峰 終止。其結果是，盡管第一節點ND,上的電位沒有變化(保持V。fs = 0 V)， 但第二節點ND2上的電位從第一節點NDi上的電位開始朝從第一節點ND, 上的電位中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電位的方向變化。也就 是說，保持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位升高了。
與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，如果[時間間 隔-TP(4)4]充分長，驅動晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區的另 一個之間 的電位差達到閾電壓Vth,因此使驅動晶體管TRD關斷。也就是說，保持在浮 置狀態的第二節點ND2上的電位接近(V他-Vth =-3 V)，最后變成(V0fs-Vth)。但是，第2實施例中的[時間間隔-TP(4)4]的長度不足以充分改變第二 節點ND2上的電位。其結果是，在[時間間隔-TP(4)4]終止時，第二節點ND2 上的電位達到滿足關系Vss〈VA〈(V。fe-Vth)的某個電位VA。
在[時間間隔-TP(4)5]中和之后的時間間隔內執行的操作基本上與在針 對從[時間間隔-TP(2)4]到[時間間隔-TP(2)k)]的時間間隔給出的描述中用電
壓Vcc取代電壓Vcc-h的操作相同。在下文中，將描述這些時間間隔。 [時間間隔-TP(4)s](參照圖IO和圖11H)
在[時間間隔-TP(4)5]開始時，將相應一條數據線DTL上的電壓從第一 節點初始化電壓V胎切換到視頻信號的電壓VSig—m-2。為了避免將視頻信號
VSig—m-2施加到第 一節點NDt上，在[時間間隔-TP(4)s]開始時，依照通過相應
一條掃描線SCL發送的信號關斷寫入晶體管TRW。在[時間間隔-TP(4)5]內 執行的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)4]所述的操作相同。因此， 第二節點ND2上的電位從電位Va升高到某個屯位VB。另外，第一節點ND, 上的電位也升高，以便跟隨第二節點ND2上的電位的變化。和[時間間隔_ TP(4)7](參照圖10和圖11I和11J) 在[時間間隔-TP(4)6]和[時間間隔-TP(4》]內，將比^^人第一節點初始化^壓V。fs中減去驅動晶體管TR。的閾電壓Vth獲得的電壓高的電壓從電源部分 100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上。在這種狀態下，寫入晶體 管TRW在一個水平掃描時間間隔內保持在關斷狀態，使第二節點ND2上的電 位升高，從而使保持在浮置狀態的第一節點ND,上的電位升高。這樣，就執 行了輔助自舉處理。
在[時間間隔-TP(4)6]內執行的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)5]所述的操作相同。因此，第二節點ND2上的電位從電位Vb升高到某 個電位Vc。另外，第一節點ND,上的電位也升高，以便跟隨第二節點ND2 上的電位的變化。在[時間間隔-TP(4)7]內執行的操作與在第1實施例中針對 [時間間隔-TP(2)6]所述的操作相同。因此，第二節點ND2上的電位從電位 Vc升高到某個電位Vo。另外，第一節點ND!上的電位也升高，以便跟隨第 二節點ND2上的電位的變化。(參照圖IO和圖11K)
在[時間間隔-TP(4)8]內，也執行上述的步驟(b),即，上述的閾電壓消 除處理。在[時間間隔-TP(4)8]內執行的閾電壓消除處理對應于打算正好在執 行寫入處理之前執行的閾電壓消除處理。在[時間間隔-TP(4)8]內執行的操作 與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)7]所述的操作相同。因此，保持在浮 置狀態的第二節點M)2上的電位接近(Vof廠Vth = -3 V)，最后變成(V0fs-Vth)。這里，只要表達式(5)得到保證，換句話說，只要將電位選擇和確定 成滿足表達式(5)，場致發光部分ELP就不發光。
第二節點ND2上的電位在[時間間隔-TP(4)s]內最后變成(V0fs-Vth)。 也就是說，只視驅動晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅動晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節點初始化電壓Voft而定，確定第二節點M)2上的電
位。此外，第二節點ND2上的電位與場致發光部分ELP的閾電壓Vth-EL無關。 [時間間隔-TP(4)9](參照圖IO和圖11L)
在[時間間隔-TP(4)9]開始時，依照通過相應一條掃描線SCL發送的信號 關斷寫入晶體管TRw。此外，將施加到相應一條數據線DTL上的電壓^^第一
節點初始化電壓Voft切換到視頻信號的電壓Vsig—m。如果驅動晶體管TRd在
閾電壓消除處理中到達關斷狀態，第一節點NDi上的電位和第二節點ND2上 的電位基本上都不會發生變化。在驅動晶體管TRD在閾電壓消除處理中未到 達關斷狀態的情況下，在[時間間隔-TP(4)9]內也發生自舉操作，第一節點上的電位和第二節點ND2上的電位有點升高。在圖10中以未發生自舉操 作為前提說明有機EL元件中的驅動操作。(參照圖IO和圖11M)
在[時間間隔-TP(4一]內，執行上述的步驟(c)，即，上述的寫入處理。 由于在[時間間隔-TP(4)u)]內執行的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)9]所述的操作相同，為了簡單起見，這里省略對它的描述。與在第1實 施例中所述的情況類似，在第2實施例的驅動方法中，也與使源極/漏極區的 另 一個上的電位(即，第二節點ND2上的電位)與驅動晶體管TRD的特性(例 如，遷移率iu的幅度等)相對應地升高的遷移率校正處理一起執行寫入處理。
應該注意到，與在第1實施例中所述的情況類似，視情況而定，寫入晶 體管TRw在[時間間隔-丁？(4)9]內可以保持在導通狀態。對于這種結構，在[時 間間隔-TP(4)9]內，施加到相應一條凝:據線DTL上的電壓一>^人第一節點初始 化電壓V他切換到視頻信號的電壓VSig—m就開始執行寫入處理。(參照圖IO和圖11N)
通過進行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處 理的執行。此后，在這個時間間隔內執行上述的步驟(d)。也就是說，寫入 晶體管TRw保持在關斷狀態，并且第一節點NDp即，驅動晶體管TRo的柵 極保持在浮置狀態。保持第一晶體管TR4的導通狀態，并且保持將電壓Vcc 從電源部分100施加到驅動晶體管TRD的源極/漏極區之一上的狀態。因此，
作為上文的結果，由于第二節點ND2上的電位升高到超過(Vth-EL + Vcat)，場
致發光部分ELP開始發光。此時，因為可以根據表達式(9)獲得，所以使 流過場致發光部分ELP的電流Ids與場致發光部分ELP的閾電壓Vth_EL和驅動 晶體管TRD的閾電壓Vth無關。
此外，繼續保持場致發光部分ELP的場致發光狀態，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時間間隔。這個時間點對應于[時間間隔-TP(4).,]的結束。
根據上文，完成了使構成第(n， m)子像素的有機EL元件IO場致發光
的操作。
第3實施例
第3實施例也涉及本發明驅動有機場致發光部分的方法。驅動電路以 3Tr/lC驅動電路的形式配置。
圖12示出了 3Tr/lC驅動電路的等效電路圖，并且圖13示出了有機EL
43顯示器件的概念圖。另外，圖14示意性地示出了驅動操作的時序圖。此外，
圖15A到150示意性地示出了三個晶體管的導通狀態/關斷狀態等。
與上述2Tr/lC驅動電路的情況類似，3Tr/lC驅動電路也包括寫入晶體管
TRw和驅動晶體管TRo的兩個晶體管和一個電容器部分d。此外，3Tr/lC驅
動電路進一步包括第一晶體管TR,。 [寫入晶體管TRW]
由于該寫入晶體管TRw的結構與前面在第1實施例中所述的寫入晶體管 TRw的結構相同，為了簡單起見，這里省略對它的詳細描述。但是，盡管寫 入晶體管TRw的源極/漏極區之一與相應一條數據線DTL連接，但不僅將用 于控制場致發光部分ELP中的亮度的視頻信號VSig,而且將兩種類型的電壓
(更具體地說，如后所述的電壓Voft-h和電壓Vofs-l)作為第一節點初始化電
壓供應給寫入晶體管TRw,以便初始化第一節點ND,上的電位。第3實施例 中的寫入晶體管TRw的操作在這一點上與在第1和第2實施例中的每一個中 所述的寫入晶體管TRw的操作不同。例如，可以將Voft-h-大約30V和Vo" =大約0 V示范成電壓V她.h和電壓Vofe丄的值。但是，本發明決不會局限于 此。應該注意到，如后所述，施加電壓VQfs-H只是為了初始化第二節點ND2 上的電位。在將電壓V版l施加到相應一條數據線DTL上同時，執行上述的 步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處理。 [Cel但與d值之間的關系]
如后所述，在第3實施例中，與第一節點NDi上的電位的變化相對應地 改變第二節點M)2上的電位，從而初始化第二節點ND2上的電位。在上述第 1和第2實施例中的每一個中，以場致發光部分ELP中的電容CELj的電容值 c^比電容器部分d的電容值d和驅動晶體管TRo的沖冊極與源極區之間的寄
生電容的電容值Cgs中的每一個大得多為前提給出了描述。因此，所做描述也
未考慮基于驅動晶體管TRo的柵極(第一節點ND,)上的電位的變化的驅^ 晶體管TRd的源板區(第二節點ND2)上的電位的變化。另一方面，在第3 實施例中，就設計而言，將電容值d設置成大于每個其它驅動電路中的電容 值(例如，將電容值q設置在電容C^的大約1/4到大約1/3)。因此，第一 節點ND i上的電位的變化引起的第二節點ND2上的電位的變化程度較大。由 于這個原因，在第3實施例中，所做描述考慮第一節點ND!上的電位的變化 引起的第二節點ND2上的電位的變化。應該注意到，也考慮第一節點ND,上
44的電位的變化引起的第二節點ND2上的電位的變化地示出圖14的驅動操作 的時序圖。
該第一晶體管TR1的結構與前面在第2實施例中所述的第一晶體管TRi 的結構相同。也就是說，在第一晶體管TR,中，源極/漏極區之一與電源部分 100連接，并且它的另一個與驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一連接。它的 柵極與第一晶體管控制線CL,連接。
依照來自第一晶體管控制線CL,的信號控制第一晶體管TR,的導通/關斷 狀態。更具體地說，第一晶體管控制線CL!與第一晶體管控制電路111連接。 此外，依照第一晶體管控制電路111的操作將第一晶體管控制線CLi的電位 設置在低電平或高電平上，從而導通或關斷第一晶體管TRi。
由于該驅動晶體管TRd的結枸與前面在第1實施例中所述的驅動晶體管 TRD的結構相同，為了簡單起見，這里省略對它的詳細描述。應該注意到， 與第2實施例的情況類似，電源部分100和驅動晶體管TRo的源極/漏極區之 一通過第一晶體管TRi相互連4妄，并且利用第一晶體管TR!控制場致發光部 分ELP的場致發光/非場致發光。與第2實施例的情況類似，電源部分100施 加纟會定電壓Vcc。
由于該場致發光部分ELP的結構與前面在第1實施例中所述的場致發光 部分ELP的結構相同，為了簡單起見，這里省略對它的詳細描述。
這里，將針對利用3Tr/lC驅動電路驅動場致發光部分ELP的方法給出描述。的^:作時間間隔相同 的操作時間間隔。
從如圖14所示的[時間間隔-TP(3)o]到[時間間隔-TP(3)u)]的時間間隔 是與從如圖4所示的[時間間隔-TP(2)o]到[時間間隔-TP(2)8]的時間間隔相 對應的時間間隔。因此，這個時間間隔是正好在進行下一次寫入處理執行之 前的操作時間間隔。此外，在從[時間間隔-TP(3)o]到[時間間隔-TP(3)!o]的時間間隔內，第(n, m)有機EL元件IO通常保持在非場致發光狀態。應該 注意到，現在以[時間間隔-TP(3)2]的開始和[時間間隔-TP(3)4]的終止分別與 第(m-2)水平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。進一步，.: 以[時間間隔-TP(3)6]的開始和[時間間隔-TP(3)7]的終止分別與第(m- 1 ) 水平掃描時間間隔的開始和終止一致為前提給出描述。更進一步，以[時間間 隔-TP(3)8]的開始和[時間間隔-TP(3)n]的終止分別與第m水平掃描時間間 隔的開始和終止一致為前提給出描述。
在下文中，將描述[時間間隔-TP(3)o]到[時間間隔-TP(3)n]的時間間隔。 應該注意到，視有機EL顯示器件的設計而定，必須適當地設置[時間間隔-TP(3)]的開始和[時間間隔-TP(3)!]到[時間間隔—TP(3)n]的長度。(參照圖14和圖15B)
例如，[時間間隔-TP(3)o]是從最后顯示幀到當前顯示幀的操作時間間 隔，因此，基本上是與前面在第2實施例中所述的[時間間隔-TP(4)o]的操作 時間間隔相同的^t喿作時間間隔。到[時間間隔-TP(3)3](參照圖14和圖15C到15E) 如后所述，在[時間間隔-TP(3)3]內執行上述的步驟(a),即，上述的預 處理。在打算執行步驟(a)的掃描時間間隔(即，第(m-2)水平掃描時 間間隔)開始之前，依照來自相應一條掃描線SCL的信號導通寫入晶體管 TRw。在這種導通狀態下，接著執行步驟(a)。在第3實施例中，與前面在 第1實施例中所述的情況類似，在正好在第(m-2)水平掃描時間間隔之前 的掃描時間間隔(即，第(m-3)水平掃描時間間隔)內，導通寫入晶體管 TRw。在這種導通狀態下，接著執行步驟(a)。在下文中，將給出對它的詳(參照圖14和圖15D)
當前顯示幀中的第(m - 2 )水平掃描時間間隔從[時間間隔-TP(3)2]開始。 在根據第一晶體管控制電路111的操作，依照來自第一晶體管控制線CLi的 信號保持第一晶體管TR!的關斷狀態的同時，在[時間間隔-TP(3)2]開始時， 依照信號輸出電路102的操作將相應一條數據線DTL的電壓從視頻信號的電 壓VSig—m-3切換到作為第一節點初始化電壓的Vofs.H (30V)。其結果是，第一 節點ND!上的電位被設置在V(^h上。如上所述，由于就設計而言，使電容 器部分d的電容值Cl大于每個其它驅動電路中的電容值，源極區上的電位(第 二節點ND2上的電位)升高。應該注意到，盡管當場致發光部分ELP的相對 端上的電位差超過場致發光部分ELP的閾電壓Vth-EL時，場致發光部分ELP 保持在導電狀態，但驅動晶體管TRD的源極區上的電位再次下降到(Vth-EL + VCat)。盡管場致發光部分ELP在這個過程中可以發光，但因為場致發光一閃 而過，所以實際上不成問題。另一方面，在驅動晶體管TRo的柵極中保持電 壓Vofs_H。(參照圖14和圖15E )
在[時間間隔-TP(3)3]內，執行上述的步驟(a)，即，上述的預處理。在 根據第一晶體管控制電路111的操作，依照來自第一晶體管控制線CL!的信 號保持第一晶體管TR,的關斷狀態的同時，將施加到第一節點ND,上的第一 節點初始化電壓的值從V他.h切換到Voft丄。其結果是，依照第一節點NDi上 的電位的變化改變第二節點ND2上的電位，從而初始化第二節點M)2上的電 位。具體地說，將相應一條數據線DTL的電位從電壓Voft-h切換到電壓Vofs-L， 以便第一節點ND,上的電位從電壓V他-h (30 V)切換到電壓V。fs_L (0 V)。 此外，第二節點ND2上的電位也下降，以便跟隨第一節點ND，上的電位的下
降。也就是說，將基于驅動晶體管TRD的柵極上的電位的變化(Vofs丄-VGfs-H)
的電荷分配給電容器部分Cp場致發光部分ELP的電容CEL和驅動晶體管 TRD的柵極與源極/漏極區的另一個之間的寄生電容。應該注意到，作為在如 后所述的[時間間隔-TP(3)4]內的操作的前提，要求第二節點ND2上的電位低 于[時間間隔-TP(3)3]終止時的電位差(Vofs-L - Vth )。將Vofs-H等的值設置成 滿足這個條件。也就是說，通過進行上述處理，驅動晶體管TRo的柵極與源 極區之間的電位差變成大于或等于驅動晶體管TRo的閾電壓Vth，因此導通驅 動晶體管TRo。
47[時間間隔-TP(3)4](參照圖14和圖MF)
在[時間間隔-TP(3)4]內執行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消除處 理。也就是說，依照通過相應一條掃描線SCL發送的信號，通過保持在導通 狀態的寫入晶體管TRw將第一節點初始化電壓V。f化從相應一條數據線DTL 施加到第一節點ND,上。在這種狀態下，依照第一晶體管控制電路111的操 作，通過依照通過相應一條第一晶體管控制線CL,發送的信號導通的第一晶 體管TRp使驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一與電源部分100通電。此外， 將電壓Vcc作為比從第一節點ND!上的電位V。ft丄中減去驅動晶體管TRd的 闊電壓V也獲得的電壓高的電壓從電源部分100施加到驅動晶體管TRd的源 極/漏極區之一上。應該注意到，連續地施加電壓Vcc，直到第(m-m'-1) 水平掃描時間間隔終止。其結果是，盡管第一節點ND，上的電位沒有變化(保 持V他丄=0 V),但第二節點ND2上的電位從第一節點ND上的電位開始朝從 第一節點NDi上的電位中減去驅動晶體管TRo的閾電壓V也獲得的電位的方 向變化。也就是說，保持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位升高了。
與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)3]所述的情況類似，如果[時間間 隔-TP(3)4]的長度充分長，驅動晶體管TRD的柵極與它的源極/漏極區的另一 個之間的電位差達到閾電壓Vth,因此使驅動晶體管TRo關斷。也就是說，保 持在浮置狀態的第二節點ND2上的電位接近(V他-Vth = -3 V),最后變成(Vofs _Vth)。但是，第3實施例中的[時間間隔-TP(3)4]的長度不足以充分改變第 二節點ND2上的電位。其結果是，在[時間間隔-丁？(3)4]終止時，第二節點 ND2上的電位達到滿足關系W(V他丄-Vth)的某個電位VA。
在[時間間隔-TP(3)s]中和之后的時間間隔內的操作基本上與在第1實施 例中針對從[時間間隔-TP(2)4]到[時間間隔-TP(2)u]的時間間隔給出的描述
中用電壓Vcc取代電壓Vcc-h和基本上用V胎Wofs-l取代電壓V他的操作相
同，但第3實施例與第1實施例的不同之處在于，在如后所述的[時間間隔-TP(3)8]內，寫入晶體管TRw保持在關斷狀態。在下文中，將描述這些時間間隔。(參照圖14和圖15G)
在[時間間隔-TP(3)s]開始時，將相應一條數據線DTL上的電壓從第一 節點初始化電壓V他丄切換到視頻信號的電壓VSig—m_2。為了避免將視頻信號 Vs^m-2施加到第一節點ND,上，在[時間間隔_ TP(3)5]開始時，依照通過相應
48一條掃描線SCL發送的信號關斷寫入晶體管TRW。在[時間間隔-TP(3》]內 執行的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)4]所述的操作相同。因此， 第二節點ND2上的電位從電位VA升高到某個電位VB。另外，第一節點NDj 上的電位也升高，以便跟隨第二節點ND2上的電位的變化。和[時間間隔-TP(3)7](參照圖14和圖15H到15J)
在[時間間隔-TP(3)6]內，將比在上述步驟(b )中從施加到第一節點ND! 上的第一節點初始化電壓Vofs-L中減去驅動晶體管TRo的閾電壓Vth獲得的電 壓高的電壓從電源部分100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上。在 這種狀態下，寫入晶體管TRw在一個水平掃描時間間隔內保持在關斷狀態， 使第二節點ND2上的電位升高，從而使保持在浮置狀態的第 一節點ND!上的 電位升高。這樣，就執行了輔助自舉處理。
在[時間間隔-TP(3)6]內執行的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)5]所述的操作相同。因此，第二節點ND2上的電位從電位Va升高到某 個電位Vc。另外，第一節點ND!上的電位也升高，以便跟隨第二節點ND2 上的電位的變化。在[時間間隔-TP(3)7]內執行的操作與在第1實施例中針對 [時間間隔-TP(2)6]所述的操作相同。因此，第二節點ND2上的電位從電位 Vc升高到某個屯位Vd。另外，第一節點NDi上的電位也升高，以便跟隨第 二節點ND2上的電位的變化。(參照圖14和圖15K)
在[時間間隔-TP(3)8]開始時，將相應一條數據線DTL上的電壓從視頻 信號的電壓VSig—m.,切換到作為第一節點初始化電壓的電壓VGfs_H。如前所述， 電壓V他.H是用于在上述步驟(a)中，即，在上述的預處理中初始化第二節
點ND2上的電位的電壓。在執行了預處理之后，沒有必要將電壓V。fs-H施加
到第一節點ND,上。因此，為了避免將電壓V他-H施加到第一節點NDi上， 依照掃描電路101使相應一條掃描線SCL上的電位保持在低電平上。此外， 使寫入晶體管TRw保持在關斷狀態。因此，在[時間間隔-TP(3)8]內，也保持 自舉操作，因此,第二節點ND2上的電位從電位V。升高到某個電位VE。另 夕卜，第一節點ND!上的電位也升高，以便跟隨第二節點M)2上的電位的變化。 應該注意到，作為[時間間隔-TP(3)9]內的操作的前提，要求第二節點 ND2上的電位低于(V她-Vth)。基本上，只要在[時間間隔-TP(3)8]終止時第 二節點ND2上的電位Ve低于(Vofs-Vth)，就不會妨礙在[時間間隔-TP(3)9]內執行的操作。與在第1實施例中所述的情況類似，在設計有機EL顯示器 件期間，必須事先設置從[時間間隔-TP(3)s]開始到[時間間隔-TP(3)8]終止的 長度作為設計值，以便滿足條件VE<V。fs-L - Vth。 [時間間隔-TP(3)9](參照圖14和圖15L)
在[時間間隔-TP(3)9]內，也執行上述的步驟(b)，即，上述的閾電壓消 除處理。在[時間間隔-TP(3)9]內執行的閾電壓消除處理對應于打算正好在執 行寫入處理之前執行的闊電壓消除處理。在[時間間隔-TP(3)9]內執行的操作 與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)7]所述的操作相同。因此，保持在浮 置狀態的第二節點ND2上的電位接近(V他-l _ Vth =-3 V),最后變成(V0fs-L -Vth)。這里，只要通過在表達式(5)中用V他丄取代Voft獲得的表達式得到 保證，換句話說，只要將電位選擇和確定成滿足通過在表達式(5)中用Voft丄 取代Voft獲得的表達式，場致發光部分ELP就不發光。
第二節點ND2上的電位在[時間間隔-TP(3)9]內最后變成(V她丄-Vth )。 也就是說，只視驅動晶體管TRo的閾電壓Vth和用于初始化驅動晶體管TRD
的柵極上的電位的第一節點初始化電壓V他-l而定，確定第二節點M)2上的電
位。此外，第二節點ND2上的電位與場致發光部分ELP的閾電壓Vth-el無關。 [時間間隔-TP(3)u)](參照圖14和圖15M)
在[時間間隔-TP(3)k)]開始時，依照通過相應一條掃描線SCL發送的橫 號關斷寫入晶體管TRw。此外，將施加到相應一條數據線DTL上的電壓從第 一節點初始化電壓Voft-l切換到視頻信號的電壓Vsig—m。如果驅動晶體管TRD 在閾電壓消除處理中到達關斷狀態，第 一 節點ND t上的電位和第二節點ND2 上的電位基本上都不會發生變化。在驅動晶體管TRo在閾電壓消除處理中未 到達關斷狀態的情況下，在[時間間隔-TP(3)h)]內也發生自舉操作，并且第一 節點ND,上的電位和第二節點ND2上的電位有點升高。在圖14中以未發生 自舉操作為前提說明有機EL元件中的驅動操作。(參照圖14和圖15N)
在[時間間隔-TP(3)u]內，執行上述的步驟(c)，即，上述的寫入處理。 由于[時間間隔-TP(3)u]內的操作與在第1實施例中針對[時間間隔-TP(2)9] 所述的操作相同，為了簡單起見，這里省略對它的描述。與在第1實施例書 所述的情況類似，在第3實施例的驅動方法中，也與使驅動晶體管TRd的源 極/漏極區的另一個上的電位(即，第二節點ND2上的電位)與驅動晶體管TRd的特性(例如，遷移率p的幅度等)相對應地升高的遷移率校正處理一起 執行寫入處理。
應該注意到，與在第1實施例中所述的情況類似，視情況而定，寫入晶 體管TRw在[時間間隔-TP(3一]內可以保持在導通狀態。對于這種結構，在[時 間間隔-TP(3)h)]內，相應一條數據線DTL上的電壓一從第一節點初始化電 壓V。"切換到視頻信號的電壓VSig—m就開始執行寫入處理。(參照圖14和圖150)
通過進行上述操作，完成了閾電壓消除處理、寫入處理和遷移率校正處 理的^L行。此后，在[時間間隔-TP(3)i2]內執行上述的步驟(d)。也就是說， 寫入晶體管TRw保持在關斷狀態，因此，第一節點NDp即，驅動晶體管TRo 的柵極保持在浮置狀態。保持第一晶體管TR!的導通狀態，并且保持將電壓 Vcc從電源部分100施加到驅動晶體管TRo的源極/漏極區之一上的狀態。因
此，作為上文的結果，因為第二節點ND2上的電位升高到超過(Vth-el-VCat)，
所以場致發光部分ELP開始發光。此時，因為可以根據V他-l取代V他的表 達式(8 )獲得，所以使其流過場致發光部分ELP的電流Ids與場致發光部分 ELP的閾電壓Vth-el和驅動晶體管TRD的閾電壓Vth無關。
此外，繼續保持場致發光部分ELP的場致發光狀態，直到第(m + m' - 1 ) 水平掃描時間間隔。這個時間點對應于[時間間隔-TP(3h]的結束。
根據上文，完成了使構成第(n, m)子像素的有機EL元件IO場致發光 的操作。 、
盡管到此為止已經根據優選實施例描述了本發明，但本發明決不會局限 于此。在第1到第3實施例中所述的構成有機EL顯示器件、有機EL元件和 驅動電路的各種類型組成元件的配置和結構和驅動場致發光部分的方法中的 進程僅僅是舉例，因此可以適當地改變。
盡管在第1實施例中，在[時間間隔-TP(2)2]內執行了預處理之后，在[時 間間隔-TP(2)3]內執行閾電壓消除處理，但本發明決不會局限于此。視情況 而定，寫入晶體管TRw在[時間間隔-TP(2)3]內可以保持在關斷狀態。對于這 種結構，正好在執行寫入處理之前一次性地執行閾電壓消除處理。這也適應 于第2實施例和第3實施例中的每一個。
另外，盡管在第2實施例和第3實施例中的每一個中，與第1實施例的 情況類似，與遷移率校正處理一起執行寫入處理，但本發明決不會局限于此。可以相互分開地執行寫入處理和遷移率校正處理。具體地說，以第一晶體管
TRi保持在關斷狀態，并且通過保持在導通狀態的寫入晶體管TRw將^L頻信 號的電壓VSig—m從相應一條數據線DTL施加到第一節點ND!上的方式執行寫 入處理。接著，以第一晶體管TR,保持在導通狀態，并且在預定時間間隔內 保持將視頻信號Vsig^施加到第一節點ND,上的狀態的方式執行遷移率校正 處理。
本領域的普通技術人員應該明白，視設計要求和其它因素而定，可以作 出各種各樣的修改、組合、子組合和變更，它們都在所附權利要求書或它的 等效物的范圍之內。
權利要求
1. 一種驅動有機場致發光發射部分的方法，其中，驅動有機場致發光發射部分的驅動電路包括(A)包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的驅動晶體管；(B)包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的寫入晶體管；和(C)包括一對電極的電容器部分；在所述驅動晶體管中，(A-1)將所述源極/漏極區之一與電源部分連接；(A-2)將所述源極/漏極區的另一個與配備在所述有機場致發光發射部分中的陽極連接，并且與所述電容器部分的所述一對電極之一連接，從而形成第二節點；和(A-3)將所述柵極與所述寫入晶體管的所述源極/漏極區的另一個連接，并且與所述電容器部分的所述一對電極的另一個連接，從而形成第一節點；在所述寫入晶體管中，(B-1)將所述源極/漏極區之一與相應一條數據線連接；和(B-2)將所述柵極與相應一條掃描線連接；通過使用所述驅動電路，執行如下步驟(a)進行預處理以初始化所述第一節點上的電位和所述第二節點上的電位，以便所述第一節點與所述第二節點之間的電位差超過所述驅動晶體管的閾電壓，并且所述第二節點與配備在所述有機場致發光發射部分中的陰極之間的電位差不超過所述有機場致發光發射部分的閾電壓；(b)進行閾電壓消除處理以在保持所述第一節點上的電位的狀態下，將比從所述第一節點上的電位中減去所述驅動晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從所述電源部分施加到所述驅動晶體管的所述源極/漏極區之一上，從而至少一次地朝從所述第一節點上的電位中減去所述驅動晶體管的閾電壓獲得的電位的方向改變所述第二節點上的電位；(c)進行寫入處理以通過所述寫入晶體管將視頻信號從所述相應一條數據線供應給所述第一節點；和(d)關斷所述寫入晶體管，將所述第一節點設置在浮置狀態下，從而使與所述第一節點和所述第二節點之間的電位差的值相對應的電流通過所述驅動晶體管從所述電源部分流到所述有機場致發光發射部分；所述驅動方法包括如下步驟在至少連續三個掃描時間間隔內執行從所述步驟(a)到所述步驟(c)的步驟；在每個掃描時間間隔內，將第一節點初始化電壓施加到所述相應一條數據線上，并且供應視頻信號取代第一節點初始化電壓；在所述步驟(a)中，通過保持在接通狀態的所述寫入晶體管將第一節點初始化電壓從所述相應一條數據線施加到所述第一節點上，從而初始化所述第一節點上的電位；和在所述步驟(b)中，通過保持在接通狀態的所述寫入晶體管將第一節點初始化電壓從所述相應一條數據線施加到所述第一節點上，從而保持所述第一節點上的電位；其中，至少執行一次輔助自舉處理以在從完成預處理的執行到開始執行打算正好在寫入處理之前執行使所述第二節點上的電位升高的閾電壓消除處理的時間間隔內，將比在所述步驟(b)中從施加到所述第一節點上的第一節點初始化電壓中減去所述驅動晶體管的閾電壓獲得的電壓高的電壓從所述電源部分施加到所述源極/漏極區之一上的狀態下，在一個掃描時間間隔內使所述寫入晶體管保持在關斷狀態，從而使保持在浮置狀態的所述第一節點上的電位升高。
2. 根據權利要求1所述的驅動有機場致發光發射部分的方法，其中，在 所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節點上的電位，通過所述驅動晶體管 將第二節點初始化電壓從所述電源部分施加到所述第二節點上。
3. 根據權利要求1所述的驅動有機場致發光發射部分的方法，其中，所 述驅動電路進一步包含(D) 包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的第一晶體管；和(E) 包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的第二晶體管； 在所述第一晶體管中，(D-l )將所述源極/漏極區之一與所述電源部分連接； (D-2 )將所述源極/漏極區的另 一個與所述驅動晶體管的所述源極/漏極 區之一連4矣；和(D-3)將所述柵極與第 一 晶體管控制線連接；在所述第二晶體管中，(E-l)將所述源極/漏極區之一與第二節點初始化電壓供應線連接； (E-2)將所述源極/漏極區的另一個與所述第二節點連接；和 (E-3)將所述柵極與第二晶體管控制線連接；在所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節點上的電位，在依照來自所 述第一晶體管控制線的信號保持所述第一晶體管的關斷狀態，并且依照來自所述第二晶體管控制線的信號關斷所述第二晶體管的狀態下，通過依照來自 所述第二晶體管控制線的信號接通的所述第二晶體管，將第二節點初始化電 壓從所述第二節點初始化電壓供應線施加到所述第二節點上；和在所述步驟(b)中，通過依照來自所述第一晶體管控制線的信號接通的 所述第一晶體管，使所述驅動晶體管的所述源極/漏極區之一與所述電源部分 通電。
4.根據權利要求1所述的驅動有機場致發光發射部分的方法，其中，所 述驅動電路進一步包含(D)包括源極/漏極區、溝道形成區和柵極的第一晶體管； 在所述第一晶體管中，(D-l)將所述源極/漏極區之一與所述電源部分連接； (D-2 )將所述源極/漏極區的另 一個與所述驅動晶體管的所述源極/漏極 區之一連4妄；和(D-3)將所述柵極與第一晶體管控制線連接；在所述步驟(a)中，為了初始化所述第二節點上的電位，在依照來自所 述第一晶體管控制線的信號保持所述第一晶體管的關斷狀態的狀態下，改變施加到所述第一節點上的第一節點初始化電壓的值，以便依照所述第一節點 上的電位的變化改變所述第二節點上的電位；和在所述步驟(b)中，通過依照來自所述第一晶體管控制線的信號接通的 所述第一晶體管，使所述驅動晶體管的所述源極/漏極區之一與所述電源部分 通電。
全文摘要
本文公開了驅動有機場致發光發射部分的方法，該驅動方法包括如下步驟在至少連續三個掃描時間間隔內執行從預處理步驟到寫入步驟的步驟；在每個掃描時間間隔內，將第一節點初始化電壓施加到相應一條數據線上，和供應視頻信號取代第一節點初始化電壓；通過保持在導通狀態的寫入晶體管將第一節點初始化電壓從相應一條數據線施加到第一節點上，從而初始化第一節點上的電位；和通過保持在導通狀態的寫入晶體管將第一節點初始化電壓從相應一條數據線施加到第一節點上，從而保持第一節點上的電位。
文檔編號G09G3/30GK101425257SQ20081017041
公開日2009年5月6日 申請日期2008年11月3日 優先權日2007年11月2日
發明者豐村直史, 內野勝秀, 山本哲郎 申請人:索尼株式會社