有機發(fā)光顯示器的制作方法

專利名稱：有機發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
該領(lǐng)域涉及有機發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器具有輕薄、大視角以及高速度的有益方面。有機發(fā)光顯示器可以通過控制流經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)的電流量來控制各像素的亮度并顯示圖像。在該顯示器中，一旦向有機發(fā)光二極管供給對應于數(shù)據(jù)的電流，有機發(fā)光二極管就發(fā)出對應于所供給電流的光。向有機發(fā)光二極管施加的數(shù)據(jù)具有在預定范圍內(nèi)的經(jīng)量化的灰度值，以便表現(xiàn)灰度。
當具有非晶硅(a-Si)的薄膜晶體管被用作驅(qū)動晶體管時，該驅(qū)動晶體管的缺點在于電流驅(qū)動能力可能相對較弱。然而，它的優(yōu)點在于顯示裝置的均勻性非常好，并且更適合于在大尺寸顯示器中制造。由于有機發(fā)光顯示器的各像素電路的驅(qū)動晶體管可能具有彼此不同的門限電壓，因此顯示面板亮度的均勻性可能較低。進一步，由于在使各像素電路互相連接的電源線(VDD)中發(fā)生IR-降，面板的一部分可能比其他部分更亮。并且，在有機發(fā)光顯示器的像素電路包括許多晶體管的情況下，難以實現(xiàn)面板的高分辨率，因為高度集成變得不可能。在用于對像素電路中的驅(qū)動晶體管的門限電壓進行補償?shù)膫鹘y(tǒng)電路的情況下，形成從驅(qū)動晶體管的控制電極到負電源的路徑，然后泄漏電流可以從該路徑流過。結(jié)果，可能導致有機發(fā)光二極管不正確地發(fā)射。
此外，在使用多路分配器(demux)向像素電路施加RGB數(shù)據(jù)信號的情況下，如果通過連接到像素電路的發(fā)射控制線所施加的發(fā)射控制信號被斷開，那么RGB數(shù)據(jù)信號可能被不正確地存儲在像素電路的存儲電容器中。
當通過驅(qū)動RGB數(shù)據(jù)信號(電壓)向尚未初始化的存儲電容器連續(xù)地施加RGB數(shù)據(jù)信號(電壓)時，實際的RGB數(shù)據(jù)信號(電壓)無法被正確地存儲在該存儲電容器中。
在彩色有機發(fā)光顯示器的情況下，可以通過包括具有發(fā)出紅綠藍三色光的有機發(fā)光二極管的顯示裝置來實現(xiàn)彩色顯示器。然而，用作有機發(fā)光層的材料可能會被發(fā)射期間所生成的熱量退化。由于這種退化，有機發(fā)光二極管的亮度可能降低。結(jié)果，有機發(fā)光二極管的壽命可能縮短。由于形成紅、綠、藍有機發(fā)光層的有機發(fā)光層的被退化程度彼此不同，紅、綠和藍有機發(fā)光層的亮度差異可能隨時間而變得更大。相應地，由于在白平衡相對于初始值變化時發(fā)生顏色數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)變，因此無法精確地再現(xiàn)所期望的色彩。由于對應于紅、綠和藍顏色的各發(fā)光層具有彼此不同的壽命，因此難以在長時間驅(qū)動發(fā)光層時維持白平衡。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是一有機發(fā)光顯示器，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和連接到所述掃描線及數(shù)據(jù)線的像素。該像素包括第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管包括連接到所述掃描線的控制電極和連接到所述數(shù)據(jù)線的第一電極。所述像素還包括連接在第一電源線和第二電源線之間的驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管包括連接到所述第一開關(guān)晶體管的控制電極。所述像素還包括連接到所述第一開關(guān)晶體管、所述第一電源線和所述驅(qū)動晶體管的第一存儲電容器。所述像素還包括連接在所述第一電源線和所述驅(qū)動晶體管之間的第二開關(guān)晶體管，該第二開關(guān)晶體管包括連接到發(fā)射控制線的控制電極。所述像素還包括連接到所述第一開關(guān)晶體管、所述第一存儲電容器、所述第二開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管的第二存儲電容器，以及連接在所述驅(qū)動晶體管和所述第二電源線之間的有機發(fā)光二極管。
本發(fā)明的另一方面是有機發(fā)光顯示器，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和連接到掃描線及數(shù)據(jù)線的像素，該像素被配置為至少部分地補償晶體管門限變化和電源線中的IR-降，其中所述像素包括至多三個晶體管。



圖1是有機發(fā)光二極管顯示器的基本結(jié)構(gòu)的框圖； 圖2是示出根據(jù)有機發(fā)光二極管顯示器一示例性實施例的像素電路的電路圖； 圖3是圖2所示像素電路的驅(qū)動時序圖； 圖4是示出在數(shù)據(jù)寫入時段(T1)期間電流如何流經(jīng)圖2所示像素電路的附圖； 圖5是示出在用于存儲驅(qū)動晶體管門限電壓的時段(T2)期間電流如何流經(jīng)圖2所示像素電路的附圖； 圖6是示出在發(fā)射時段(T3)期間電流如何流經(jīng)圖2所示像素電路的附圖； 圖7是示出根據(jù)另一實施例的像素電路的電路圖； 圖8是示出RGB像素電路和多路分配器如何根據(jù)實施例連接的附圖； 圖9是根據(jù)圖8所示的RGB電路實施例的驅(qū)動時序圖； 圖10是根據(jù)圖8所示的RGB電路實施例的驅(qū)動時序圖； 圖11是示出RGB像素電路和多路分配器如何根據(jù)實施例連接的附圖； 圖12是圖11所示RGB像素電路的驅(qū)動時序圖。

具體實施例方式 參見圖1，以框圖示出有機發(fā)光顯示器。
如圖1所示，有機發(fā)光顯示器100可以包括掃描驅(qū)動器110；數(shù)據(jù)驅(qū)動器120；發(fā)射控制驅(qū)動器130；有機發(fā)光顯示面板140(以下稱為面板140)；第一電源150；和第二電源160。
掃描驅(qū)動器110可以依次通過多條掃描線(S[1]，...S[N])向面板140供給掃描信號。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可以通過多條數(shù)據(jù)線(D[1]，...D[M])向面板140供給數(shù)據(jù)信號。
發(fā)射控制驅(qū)動器130可以依次通過多條發(fā)射控制線(EM[1]，...EM[N])向面板140供給發(fā)射控制信號。
另外，面板140可以包括沿著列方向排列的多條掃描線(S[1]，...S[N])，沿著列方向排列的多條發(fā)射控制線(EM[1]，...EM[N])，沿著行方向排列的多條數(shù)據(jù)線(D[1]，...D[M])，以及由掃描線(S[1]，...S[N])、發(fā)射控制線(EM[1]，...EM[N])和數(shù)據(jù)線(D[1]，...D[M])定義的像素電路(142，像素)。
此處，像素電路(140，像素)可以在由掃描線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域形成。如上所述，可以從掃描驅(qū)動器110向掃描線(S[1]，...S[N])供給掃描信號，從數(shù)據(jù)驅(qū)動器120向數(shù)據(jù)線(D[1]，...D[M])供給數(shù)據(jù)信號，從發(fā)射控制驅(qū)動器130向發(fā)射控制線(EM[1]，...EM[N])供給發(fā)射控制信號。
第一電源150和第二電源160向放置在面板140上的各像素電路142供給第一電源電壓和第二電源電壓。
如圖1所示，掃描驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120、發(fā)射控制驅(qū)動器130、面板140、第一電源150和第二電源160可以形成在一塊基板102上。
特別是，驅(qū)動器和電源電壓供給者110、120、130、150和160可以與掃描線(S[1]，...S[N])、數(shù)據(jù)線(D[1]，...D[M])、發(fā)射控制線(EM[1]，...EM[N])以及像素電路142的晶體管(圖中未示出)在同一層形成。當然，驅(qū)動器和電源電壓供給者110、120、130、150和160也可以在另一基板上(圖中未示出)形成，該基板可以連接到基板102。進一步，驅(qū)動器和電源電壓供給者110、120、130、150和160可以以諸如TCP(薄膜封裝)、FPC(軟性印刷電路)、TAB(卷帶自動結(jié)合)、COG(玻璃上芯片)及其等效的形式形成，這些形式將驅(qū)動器和供給者連接到基板102。然而，驅(qū)動器和供給者110、120、130、150和160的形式和位置不受限制。
參見圖2，示出根據(jù)有機發(fā)光顯示器的一個實施例的像素電路的電路圖。下面將要描述的像素電路意指形成在圖1所示面板140上的像素電路。
如圖2所示，有機發(fā)光顯示器的像素電路可以包括掃描線(S[N])；數(shù)據(jù)線(D[M])；發(fā)射控制線(EM[N])；第一電源線(VDD)；第二電源線(VSS)；第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)；第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)；驅(qū)動晶體管(DR_TR)；第一存儲電容器(C1)；第二存儲電容器(C2)；和有機發(fā)光二極管(OLED)。
掃描線(S[N])向第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極供給掃描信號，該掃描信號選擇將要發(fā)光的有機發(fā)光二極管(OLED)。該掃描線(S[N])可以連接到生成掃描信號的掃描驅(qū)動器110(參見圖1)。
數(shù)據(jù)線(D[M])向第一存儲電容器(C1)的第二電極、第二存儲電容器(C2)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極供給與亮度成比例的數(shù)據(jù)信號(電壓)。數(shù)據(jù)線(D[M])可以連接到生成數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器120(參見圖1)。
發(fā)射控制線(EM[N])在其連接到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時，向第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極供給發(fā)射控制信號。一旦第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)被發(fā)射控制信號導通，來自第一電源線(VDD)的第一電源電壓就可以施加到第一存儲電容器(C1)的第一電極、第二存儲電容器(C2)的第一電極和第一驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極。發(fā)射控制線(EM[N])可以連接到生成發(fā)射控制信號的發(fā)射控制驅(qū)動器130(參見圖1)。
第一電源線(VDD)向有機發(fā)光二極管(OLED)供給第一電源電壓。第一電源線(VDD)可以連接到供給第一電源電壓的第一電源150(參見圖1)。
第二電源線(VSS)向有機發(fā)光二極管(OLED)供給第二電源電壓。第二電源線(VSS)可以連接到供給第二電源電壓的第二電源160(參見圖1)。在此，第一電源電壓通常可以比第二電源電壓具有更高的電壓電平。
另外，第二電源電壓可以使用地電壓。
第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)可以包括連接到數(shù)據(jù)線(D[M])的第一電極(源極或漏極)；連接到驅(qū)動晶體管(DR_TR)控制電極(柵極)、第一存儲電容器(C1)第二電極和第二存儲器第二電極的第二電極(源極或漏極)；和連接到掃描線(S[N])的控制電極(柵極)。第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)可以是P型溝道晶體管。一旦第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)被通過掃描線(S[N])施加到所述控制電極的低電平掃描信號導通，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)通過數(shù)據(jù)線(D[M])將數(shù)據(jù)電壓施加到第一存儲電容器(C1)的第二電極、第二存儲器(C2)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極。
驅(qū)動晶體管(DR_TR)可以包括連接到第二存儲電容器(C2)第一電極和第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)第二電極的第一電極；連接到有機發(fā)光二極管(OLED)陽極的第二電極；以及連接到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)第二電極、第一存儲電容器(C1)第二電極和第二存儲電容器(C2)第二電極的控制電極。驅(qū)動晶體管(DR_TR)可以是P型溝道晶體管。根據(jù)實施例，一旦驅(qū)動晶體管(DR_TR)被施加于控制電極的低電平信號導通，驅(qū)動該驅(qū)動晶體管(DR_TR)的方法就向有機發(fā)光二極管(OLED)供給來自第一電源線(VDD)的電流量。數(shù)據(jù)信號被供給存儲電容器，并且存儲在該存儲電容器中。這樣，即使由于第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)被斷開，與數(shù)據(jù)線(D[M])的電連接中斷而使低電平信號也可以通過存儲電容器中所充的電壓連續(xù)地施加到驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極。
驅(qū)動晶體管(DR_TR)可以是，例如選自非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機薄膜晶體管、納米薄膜晶體管及其等效物的任意一種。然而，驅(qū)動晶體管的材料或種類不受限制。
當驅(qū)動晶體管(DR_TR)是多晶硅薄膜晶體管時，存在多種結(jié)晶方法，例如使用準分子激光器的激光結(jié)晶法(準分子激光器退火ELA)、使用催化金屬的金屬導致結(jié)晶(MIC)、固相結(jié)晶、在高溫高濕環(huán)境下進行結(jié)晶的高壓退火以及使用掩膜作為對傳統(tǒng)激光結(jié)晶的補充的連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(SLS)。
有機發(fā)光二極管(OLED)可以包括連接到驅(qū)動晶體管(DR_TR)第二電極的陽極和連接到第二電源線(VSS)的陰極。當?shù)诙_關(guān)晶體管(SW_TR2)導通時，有機發(fā)光二極管(OLED)以通過驅(qū)動晶體管(DR_TR)控制的電流所確定的亮度發(fā)光。
有機發(fā)光二極管(OLED)包括發(fā)射層(未示出)。該發(fā)射層可以是，例如，選自熒光材料、磷光材料、熒光材料和磷光材料的混合及其等效物的任意一種。然而，發(fā)射層的材料或種類不受限制。
此外，該發(fā)射層可以是，例如，選自紅色發(fā)射材料、綠色發(fā)射材料、藍色發(fā)射材料、紅色、綠色、藍色發(fā)射材料的混合及其等效物的一種。然而，發(fā)射層的材料或種類不受該示例性實施例的限制。
第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)包括連接到第一電源線(VDD)和第一存儲電容器(C1)的第一電極的第一電極；連接到第二存儲電容器(C2)的第一電極和驅(qū)動晶體管(DR-TR)的第一電極的第二電極；以及連接到發(fā)射控制線(EM[N])的控制電極。在本實施例中，第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)是P型溝道晶體管。一旦第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)被通過發(fā)射控制線(EM[N])施加到其控制電極的低電平信號導通，電流就從第一電源線(VDD)流向有機發(fā)光二極管(OLED)。
第一存儲電容器(C1)包括連接到第一電源線(VDD)和第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第一電極的第一電極；連接到第二存儲電容器(C2)的第二電極、第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極的第二電極。
第二存儲電容器(C2)包括連接到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極的第一電極；連接到第一存儲電容器(C1)的第二電極、第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極的第二電極。
第二存儲電容器(C2)將數(shù)據(jù)信號電壓和驅(qū)動晶體管的門限電壓維持一個周期。此外，一旦第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)被導通(當?shù)碗娖叫盘柾ㄟ^發(fā)射控制線(EM[N])施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時)，第二存儲電容器(C2)上的電壓控制一與數(shù)據(jù)信號的強度成比例的電流從第一電源線流向有機發(fā)光二極管。結(jié)果，有機發(fā)光二極管發(fā)光。進一步，下文中將要描述的對IR-降或驅(qū)動晶體管的門限電壓進行的補償，可以通過控制第一存儲電容器與第二存儲電容器的電容比(C1∶C2)來實現(xiàn)。
第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)、驅(qū)動晶體管(DR_TR)和第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)可以，例如，是選自P型溝道晶體管及其等效的任意一種。然而，晶體管的類型不受限制。
參見圖3，示出了圖2所示像素電路的驅(qū)動時序圖。如圖3所示，在有機發(fā)光顯示器的像素電路中，一幀可以被分為第一時段、第二時段和第三時段。更具體地說，一幀可以包括數(shù)據(jù)寫入時段(T1)、存儲驅(qū)動晶體管的門限電壓的時段(T2)和發(fā)射時段(T3)。可以形成數(shù)據(jù)寫入時段(T1)、存儲驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓的時段(T2)與發(fā)射時段(T3)之間的各種比。在某些實施例中，數(shù)據(jù)寫入時段(T1)和存儲驅(qū)動晶體管的門限電壓的時段(T2)比發(fā)射時段(T3)短。
參見圖4，示出了在數(shù)據(jù)寫入時段(T1)中電流如何流經(jīng)圖2所示的像素電路。將參見圖3的時序圖來描述上述像素電路的操作。
當?shù)碗娖降膾呙栊盘柺┘拥降谝婚_關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)導通。然后當發(fā)射控制線(EM[N])的低電平信號施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時，第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)導通。
由于第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)被導通，數(shù)據(jù)線(D[M])的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)被沿著從第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第一電極到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極的方向施加。結(jié)果，數(shù)據(jù)電壓(Vdata)被施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極、第一存儲電容器(C1)的第二電極、第二存儲電容器(C2)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極。
由于第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)被導通，來自第一電源線(VDD)的第一電源電壓被沿著從第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第一電極到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第二電極的方向施加。結(jié)果，第一電源電壓施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第二電極、第二存儲電容器(C2)的第一電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極。
此外，來自第一電源線(VDD)的第一電源電壓還施加到第一存儲電容器(C1)的第一電極。
在上述數(shù)據(jù)寫入時段(T1)期間，驅(qū)動晶體管(DR_TR)被斷開，這樣沒有電流流經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)。結(jié)果，有機發(fā)光二極管(OLED)不發(fā)光。
在數(shù)據(jù)寫入時段(T1)期間，電壓Vdata施加到驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極(柵極)、第二存儲電容器(C2)的第二電極和第一存儲電容器(C1)的第二電極。此外，電壓VDD施加到驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極(源電極)、第二存儲電容器(C2)的第一電極和第一存儲電容器(C1)的第一電極。相應地，電壓(VDD-Vdata)存儲在存儲電容器中。
參見圖5，示出在存儲驅(qū)動晶體管門限電壓的時段(T2)期間電流如何流經(jīng)圖2所示的像素電路。在此，將參見圖3的時序圖來描述該像素電路的操作。
首先，當來自掃描線(S[N])的低電平掃描信號施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)導通；當來自發(fā)射控制線(EM[N])的高電平信號施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時，第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)斷開。
由于第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)被導通，數(shù)據(jù)線(D[M])的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)從第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第一電極施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極。結(jié)果，數(shù)據(jù)電壓(Vdata)可被施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的第二電極、第一存儲電容器(C1)的第二電極、第二存儲電容器(C2)的第二電極和驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極。
在此，由于第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)斷開，來自第一電源線(VDD)的第一電源電壓可以施加到第一存儲電容器(C1)的第一電極。
在上述存儲驅(qū)動晶體管門限電壓的時段(T2)期間，驅(qū)動晶體管(DR_TR)被斷開，這樣沒有電流施加到有機發(fā)光二極管(OLED)。結(jié)果，有機發(fā)光二極管(OLED)不發(fā)光。
在存儲驅(qū)動晶體管(DR_TR)門限電壓的時段(T2)期間，電壓Vdata施加到驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極(柵極)、第二存儲電容器(C2)的第二電極和第一存儲電容器(C1)的第二電極。此外，電壓VDD施加到第一存儲電容器(C1)的第一電極。相應地，電壓(VDD-Vdata)存儲在第一存儲電容器(C1)中。
此處，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極(源極)的電壓(Vs)的值為(Vs＝Vdata+Vth)。相應地，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的電壓(Vth)存儲在第二存儲電容器(C2)中。
參見圖3的時序圖，在第三時段(T3)開始處，當高電平的信號從掃描線(S[N])施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)斷開；當高電平信號從發(fā)射控制線(EM[N])施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時，第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)斷開。
相應地，在第三時段(T3)期間，在第二時段(T2)期間存儲在存儲電容器中的電壓保持不變。
參見圖6，示出在發(fā)射時段(T3)期間電流如何流經(jīng)圖2所示的像素電路。這里，將參見圖3的時序圖描述該像素電路的操作。
當來自掃描線(S[N])的高電平信號施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)斷開；當發(fā)射控制線(EM[N])的低電平信號施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的控制電極時，第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)導通。
由于第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)斷開，數(shù)據(jù)線(D[M])的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)不會進一步施加到像素電路。
這里，由于第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)導通，來自第一電源線(VDD)的第一電源電壓從第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第一電極施加到第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)的第二電極。結(jié)果，第一電源電壓可以施加到驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極(源極)。來自第一電源線(VDD)的電流可以在發(fā)射時段(T3)期間通過有機發(fā)光二極管(OLED)流向第二電源線(VSS)。相應地，有機發(fā)光二極管可以發(fā)光。
在發(fā)射時段(T3)期間，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的第一電極(源極)的電壓(Vs)變?yōu)閂DD。此外，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的控制電極(柵極)的電壓(Vg)，以及驅(qū)動晶體管(DR_TR)的源極和柵極之間的電壓差(Vsg)可以通過以下的公式1計算。
公式1
Vs＝VDD VSg＝Vs-Vg 流經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)的電流可以通過以下的公式2計算。
公式2
也就是說，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓(Vth)在第二時段(T2)期間被存儲在第二存儲電容器(C2)中。然后，在發(fā)射時段(T3)期間，數(shù)據(jù)由數(shù)據(jù)電壓(Vdata)和C1與C2的比來表示。
這里，C1與C2的最優(yōu)比可以隨著包含在各像素電路中的驅(qū)動晶體管的門限電壓(Vth)的變化而變化。例如，如果在有機發(fā)光顯示器的面板處的門限電壓(Vth)變化為0.1V，那么可以說圖像質(zhì)量未受影響。然而，如果在制造過程期間門限電壓(Vth)的變化為0.5V，就可能發(fā)生圖像質(zhì)量的退化。然而，如果C1與C2之比被設(shè)置為1∶5(C1∶C2＝1∶5)，那么即使在制造過程中門限電壓(Vth)的變化為0.5V，面板處的門限電壓(Vth)的有效變化可能小于0.1V。結(jié)果，圖像質(zhì)量沒有問題。
如果，C2被設(shè)置為具有比C1更大的取值(即C2＞＞C1)，則C2除以C1與C2的和得到的商(C2/(C1+C2))可能接近1。這樣，在上述公式1中，Vsg中只剩下Vth。此外，當在公式2中以Vth代替Vsg時，驅(qū)動晶體管的門限電壓(Vth)可以被補償?shù)搅鹘?jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)的電流。
如果C2遠大于C1，那么C2除以C1與C2的和得到的商(C2/(C1+C2))變?yōu)?，Vsg變?yōu)閂th。這里，無論Vdata有多大變化，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的Vsg就是Vth。所以，如公式2所示，在有機發(fā)光二極管的公式中未出現(xiàn)數(shù)據(jù)電壓(Vdata)。相應地，無法產(chǎn)生根據(jù)數(shù)據(jù)電壓(Vdata)所要的電流。所以，數(shù)據(jù)范圍無限地擴展。然而，如果C1被設(shè)置為具有比C2大得多的取值，那么C2除以C1與C2的和得到的商(C2/(C1+C2))變?yōu)榻咏?。結(jié)果，公式1中的Vsg變?yōu)閂DD-Vdata。結(jié)果，可以根據(jù)數(shù)據(jù)電壓(Vdata)生成所要的電流。然而，無法正確地完成對驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓(Vth)的補償或者對第一電源線(VDD)的IR-降的補償。
也就是說，在有機發(fā)光顯示器中，驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓(Vth)和第一電源線(VDD)的IR-降可以通過正確地控制C1與C2的比來補償。
例如，如果C2除以C1與C2的和得到的商(C2/(C1+C2))為0.5V，則Vsg變?yōu)閂DD-Vdata-0.5VDD+0.5Vdata+0.5Vth。結(jié)果，數(shù)據(jù)范圍增加到兩倍，而驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓(Vth)和第一電源線(VDD)的IR-降的影響降低到一半。也就是說，可以通過將C2確定為具有大于C1的取值，來最小化驅(qū)動晶體管(DR_TR)的門限電壓(Vth)和第一電源線(VDD)的IR-降的影響。
并且，用于補償驅(qū)動晶體管的門限電壓和第一電源線的IR-降的傳統(tǒng)電路比圖2的像素電路需要更多的二極管。所以，難以實現(xiàn)高度集成。然而，圖2的像素電路可以實現(xiàn)高度集成，因為其僅僅由三個晶體管和兩個存儲電容器構(gòu)成。結(jié)果，可以實現(xiàn)高分辨率的有機發(fā)光顯示器。
在用于補償驅(qū)動晶體管的門限電壓的某些電路中，由于從驅(qū)動晶體管的控制電極到負電源電壓之間形成了路徑，所以泄漏電流可能流經(jīng)該路徑。在圖2的電路中，如果泄漏電流(驅(qū)動晶體管的截止電流)很大，那么雖然所要表現(xiàn)的是黑色圖像，但是流入有機發(fā)光二極管(OLED)的泄漏電流可能產(chǎn)生不正確地發(fā)射。由于面板中驅(qū)動晶體管的泄漏特性彼此不同，雖然所要表現(xiàn)的是黑色圖像，但是某些具有大泄漏特性的像素可能發(fā)出一些光?？梢酝ㄟ^讓驅(qū)動晶體管經(jīng)歷反向老化(reverse aging)來減小上述不正確的發(fā)射，因為反向老化可以減少驅(qū)動晶體管的泄漏電流。然而，圖2的像素電路幾乎沒有泄漏。這樣，就不需要上述對驅(qū)動晶體管進行反向老化。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)寫入時段(T1)和存儲驅(qū)動晶體管門限電壓的時段(T2)應該比發(fā)射時段(T3)更短，從而使有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光的時間變得最大化。
參見圖7，示出根據(jù)有機發(fā)光顯示器另一實施例的像素電路。圖7所示的像素電路類似圖2所示的像素電路。然而，圖7所示的像素電路還包括一附加的發(fā)射控制開關(guān)晶體管(EM_TR)。
該發(fā)射控制開關(guān)晶體管(EM-TR)包括連接到發(fā)射控制線(EM[N])的控制電極、連接到驅(qū)動晶體管第二電極的第一電極和連接到有機發(fā)光二極管(OLED)陽極的第二電極。該發(fā)射控制開關(guān)晶體管控制從第一電源線(VDD)經(jīng)由機發(fā)光二極管(OLED)流向第二電源線(VSS)的電流。在發(fā)射時段(T3)期間，當來自發(fā)射控制線(EM[N])的低電平信號施加到發(fā)射控制開關(guān)晶體管(EM_TR)的控制電極時，發(fā)射控制信號開關(guān)晶體管(EM_TR)被導通。結(jié)果，有機發(fā)光二極管(OLED)根據(jù)從第一電源線(VDD)經(jīng)有機發(fā)光二極管(OLED)流向第二電源線(VSS)的電流而發(fā)光。
如圖7所示，P型溝道晶體管可以用作發(fā)射控制開關(guān)晶體管(EM_TR)。
參見圖8，根據(jù)一個實施例連接RGB像素電路和多路分配器。
多路分配器可以具有與有機發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的各RGB數(shù)據(jù)信號對應的布局結(jié)構(gòu)。
由于要求高分辨率，所以有機發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)線數(shù)目增加，而且驅(qū)動有機發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動器包括更多的集成電路。為了解決數(shù)據(jù)線過多的問題，可以使用包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器較少輸出線的多路分配器。多路分配器包括多個數(shù)據(jù)供給開關(guān)元件，這些開關(guān)元件共同連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器的輸出線，并且各數(shù)據(jù)供給開關(guān)元件連接到分離的數(shù)據(jù)線。因此，多路分配器通過所述數(shù)據(jù)供給開關(guān)元件的操作來依次向各數(shù)據(jù)線供給數(shù)據(jù)信號。
這里，RGB意指紅色(R)，綠色(G)和藍色(B)。在圖8中，三個像素電路連接到多路分配器1000，然而，像素電路的數(shù)目不受限制。此外，可以通過使用多個多路分配器向像素電路施加數(shù)據(jù)信號，所使用的多路分配器的數(shù)目不受限制。
在多路分配器1000中，每條紅色數(shù)據(jù)線、綠色數(shù)據(jù)線和藍色數(shù)據(jù)線均連接到相應像素電路的數(shù)據(jù)線(D[M])。此外，各條RGB數(shù)據(jù)線連接到RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)。RGB開關(guān)晶體管可以由紅色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3R)、綠色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3G)和藍色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3B)組成。RGB控制信號可以分別通過RGB控制線(CR、CG和CB)施加到RGB開關(guān)晶體管的控制電極。
一旦RGB開關(guān)晶體管被RGB控制信號(CR、CG和CB)導通，正確的數(shù)據(jù)信號(電壓)就可以通過多路分配器從數(shù)據(jù)驅(qū)動器施加到各RGB像素電路。
RGB開關(guān)晶體管可以是P型溝道晶體管，但是RGB開關(guān)晶體管的種類不受限制。
參見圖9和圖10，示出圖8的RGB像素電路的驅(qū)動時序圖。
首先，將參見圖9的驅(qū)動時序圖來描述圖8所示的RGB像素電路的操作。
一旦通過掃描線(S[N])施加低電平的掃描信號，RGB像素電路的各第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)導通。并且，一旦通過發(fā)射控制線(EM[N])施加低電平發(fā)射控制信號，RGB像素電路的各第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)導通。
在如圖9所示的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法中，通過在掃描信號和發(fā)射控制信號為低電平的時段期間，經(jīng)RGB控制線(CR、CG和CB)施加低電平信號，來導通RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)。結(jié)果，可以施加RGB數(shù)據(jù)信號。
當如圖8所示使用P型溝道晶體管時，RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)在被施加以低電平信號時導通，如上所述。然而，如果使用N型溝道晶體管，則RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)在被施加以高電平信號時導通。因此，驅(qū)動時序圖可能不同。然而，晶體管類型和驅(qū)動時序圖不限于所描述的特定示例。
參見圖10的驅(qū)動時序圖來描述圖8所示的RGB像素電路的操作。
當通過掃描線(S[N])施加高電平信號時，RGB像素電路的各第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)斷開。并且，當通過掃描線(S[N])施加低電平信號時，RGB像素電路的各第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)導通。
在圖10所示的有機發(fā)光顯示器驅(qū)動方法中，通過在掃描信號為高電平且發(fā)射控制信號為低電平的時段期間，經(jīng)RGB控制線(CR、CG和CB)施加低電平信號，來導通RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)。結(jié)果，可以施加RGB數(shù)據(jù)信號。
當高電平掃描信號施加到像素電路的第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)斷開。這樣，在施加斷開掃描信號的時段期間，RGB數(shù)據(jù)信號未施加到像素電路的存儲電容器。在由數(shù)據(jù)線(D[M])形成的寄生電容器(Cd)對數(shù)據(jù)信號(電壓)進行充電后，當導通掃描信號施加到第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)的控制電極時，一旦第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)導通，就通過第一開關(guān)晶體管(SW_TR1)施加在寄生電容器(Cd)中所充的數(shù)據(jù)信號。寄生電容器(Cd)的電容可以大于像素電路中所包括的第一存儲電容器(C1)和第二存儲電容器(C2)的電容。
在如圖8所示使用P型溝道晶體管的情況下，RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)在被施加以低電平信號時導通。然而，如果使用N型溝道晶體管，RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)在被施加以高電平信號時導通。因此，驅(qū)動時序圖可能不同。然而，晶體管類型和驅(qū)動時序圖不限于說明書中所公開的。
如上所述，通過在從發(fā)射控制線(EM[N])施加低電平信號期間，經(jīng)RGB控制線(CR、CG和CB)施加低電平信號來導通RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)，不管從掃描線(S[N])施加的是高電平還是低電平。結(jié)果，存儲有前一數(shù)據(jù)電壓的存儲電容器可以在其連接到第一電源線(VDD)時被初始化。進一步，當從發(fā)射控制線(EM[N])施加的低電平信號導通像素電路的第二開關(guān)晶體管(SW_TR2)時，存儲電容器可以連接到第一電源線(VDD)。這樣，通過在存儲電容器初始化后施加新的RGB數(shù)據(jù)信號，可以將正確的數(shù)據(jù)寫入存儲電容器。
圖11示出RGB像素電路和多路分配器如何連接。
多路分配器1000具有與有機發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動器的各RGB數(shù)據(jù)信號對應的布局結(jié)構(gòu)，并且其類似圖8所示的多路分配器。然而，多路分配器1000還包括初始化電源電壓線(Vrst)和將初始化電源電壓線(Vrst)連接到RGB數(shù)據(jù)電壓線的初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4)。
在圖11中，三個像素電路連接到多路分配器1000，然而，連接到多路分配器的像素電路的數(shù)目不受限制。此外，可以通過使用多個多路分配器將數(shù)據(jù)信號施加到像素電路，所使用的多路分配器的數(shù)目不受限制。
在圖11所示的多路分配器1000中，每條紅色數(shù)據(jù)線、綠色數(shù)據(jù)線和藍色數(shù)據(jù)線均連接到相應像素電路的數(shù)據(jù)線(D[M])。此外，各RGB數(shù)據(jù)線連接到RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)。RGB開關(guān)晶體管可以包括紅色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3R)、綠色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3G)和藍色數(shù)據(jù)線開關(guān)晶體管(SW_TR3B)。RGB控制信號可以分別通過RGB控制線(CR、CG和CB)施加到RGB開關(guān)晶體管的控制電極。
一旦RGB開關(guān)晶體管被相應的RGB控制信號(CR、CG和CB)導通，來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的正確的數(shù)據(jù)信號(電壓)就可以通過多路分配器施加到相應的RGB像素電路。
此外，初始化電源電壓線(Vrst)通過初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4)連接到相應的RGB數(shù)據(jù)線。一旦導通的初始化信號(Rst)施加到初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4)，初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4R、SW_TR4G和SW_TR4B)就被導通，然后初始化電源電壓就從初始化電源電壓線(Vrst)施加到各RGB數(shù)據(jù)線。由于施加初始化電源電壓，所以施加到RGB數(shù)據(jù)線的以前的數(shù)據(jù)電壓被初始化。這樣，就可以施加新的RGB數(shù)據(jù)信號(電壓)。
RGB開關(guān)晶體管和初始化開關(guān)晶體管可以是P型溝道晶體管，但是晶體管的種類不受限制。
薄膜晶體管可以用作圖8所示的RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3)和圖11所示的初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4)。進一步，使用準分子激光器的激光結(jié)晶法(ELA)、使用催化金屬的金屬導致結(jié)晶(MIC)和固相結(jié)晶，可以用作薄膜晶體管的結(jié)晶方法。此外，還可以使用在高溫高濕環(huán)境下進行結(jié)晶的高壓退火(HPA)和使用掩膜作為對傳統(tǒng)激光結(jié)晶的補充的連續(xù)側(cè)向結(jié)晶。
激光結(jié)晶方法是一種廣泛使用的結(jié)晶方法，其中薄膜晶體管被結(jié)晶成為多晶硅。該方法不僅可以直接使用已有的用于多晶硅液晶顯示裝置的結(jié)晶過程，而且該過程十分簡單，并且該過程的技術(shù)已經(jīng)完整地建立起來了。
參見圖12，示出圖11所示的RGB像素電路的驅(qū)動時序圖。
將參見圖12的驅(qū)動時序圖描述圖11所示的RGB像素電路的操作。
一旦通過初始化信號線(Rst)施加低電平的初始化信號，多路分配器中的初始化開關(guān)晶體管(SW_TR4)就被導通。這樣，來自初始化電源電壓線(Vrst)的初始化電源電壓就初始化數(shù)據(jù)線。
一旦通過發(fā)射控制線(EM[N])施加低電平的發(fā)射控制信號，并且從掃描線(S[N])施加低電平的掃描信號，當通過RGB控制信號線施加低電平信號時，RGB開關(guān)晶體管(SW_TR3R、SW_TR3G和SW_TR3B)就可以導通。
以綠色控制信號、紅色控制信號和藍色控制信號的順序施加RGB控制信號。這樣，RGB數(shù)據(jù)電壓就依次施加到相應的綠色、紅色和藍色像素電路。
如圖12所示，從施加綠色發(fā)射控制信號的時段到從發(fā)射控制線(EM[N])施加高電平發(fā)射控制信號的時段，綠色有機發(fā)光二極管(OLED Green)在電流流經(jīng)該綠色有機發(fā)光二極管(OLED Green)時發(fā)光。
從施加紅色發(fā)射控制信號的時段到從發(fā)射控制線施加高電平發(fā)射控制信號的時段，紅色有機發(fā)光二極管(OLED Red)在電流流經(jīng)紅色有機發(fā)光二極管(OLED Red)時發(fā)光。
此外，從施加藍色發(fā)射控制信號的時段到從發(fā)射控制線(EM[N])施加高電平發(fā)射控制信號的時段，藍色有機發(fā)光二極管(OLED Blue)在電流流經(jīng)該藍色有機發(fā)光二極管(OLED Blue)時發(fā)光。
如圖12所示，在補償白平衡的時段期間，電流流過綠色有機發(fā)光二極管的時間最長，流過紅色有機發(fā)光二極管的時間次之，流過藍色有機發(fā)光二極管的時間最短。
在本實施例中，補償白平衡的時間按照綠色、紅色和藍色的順序安排的原因在于，綠色OLED比紅色和藍色OLED具有更高的發(fā)光效率。為了調(diào)整白平衡，在非發(fā)射時段(補償白平衡的時段)，電流流經(jīng)具有最高發(fā)光效率的綠色有機發(fā)光二極管的時間最長。接下來，以紅色和藍色的順序，形成補償白平衡的時段。這樣，可以實現(xiàn)均勻的亮度。在某些實施例中，在補償白平衡的時段期間流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流比在發(fā)射時段期間流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流更大。
在某些實施例中，在顯示幀的時段，補償白平衡的時段可以比發(fā)射時段更短。
如上所述，有機發(fā)光顯示器可以將顯示一幀的時段分為第一時段(T1)、第二時段(T2)和第三時段(T3)。各時段都由數(shù)據(jù)寫入時段(T1)、存儲驅(qū)動晶體管的門限電壓的時段(T2)和發(fā)射時段(T3)組成。
在有機發(fā)光顯示器中，可以通過使用三個晶體管來實現(xiàn)高度集成，三個晶體管少于傳統(tǒng)像素電路的晶體管數(shù)目。這樣，高分辨率就變得可行。
可以通過補償門限電壓(Vth)和正確地控制第一存儲電容器與第二存儲電容器的比(C1∶C2)來改善亮度的均勻性。進一步，可以通過控制第一存儲電容器與第二存儲電容器的電容比來改善第一電源線(VDD)的IR-降。
在該像素電路中，由于不存在泄漏電流可以從驅(qū)動晶體管的控制電極流到負電源電壓的電連接，故可以抑制有機發(fā)光二極管的不正確發(fā)射。
在驅(qū)動方法的情況下，通過使用多路分配器來施加RGB數(shù)據(jù)信號，在發(fā)射控制信號被導通的時段期間，不管掃描信號是導通還是斷開，都可以施加RGB數(shù)據(jù)信號。這樣，RGB數(shù)據(jù)可以正確地存儲在各存儲電容器中。由于在RGB數(shù)據(jù)施加到相應像素電路的各存儲電容器之前相應的存儲電容器被第一電源線的第一電源電壓初始化，所以新的RGB數(shù)據(jù)可以正確地存儲在存儲電容器中。
進一步，在一種驅(qū)動方法的情況下，通過使用多路分配器來在非發(fā)射時段(補償白平衡的時段)施加RGB數(shù)據(jù)信號。在該時段期間，電流流經(jīng)具有最長壽命的發(fā)光二極管的時間應該最長。接下來，以紅色和藍色有機發(fā)光二極管的順序，進行補償白平衡的時段。結(jié)果，可以延長均勻亮度水平的壽命。相應地，由于進行補償白平衡的時段，因此隨著時間流逝保持了白平衡，所以就可以重現(xiàn)所要的色彩。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器，包括
掃描線；
數(shù)據(jù)線；和
連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的像素；
其中，所述像素包括
包括連接到所述掃描線的控制電極和連接到所述數(shù)據(jù)線的第一電極的第一開關(guān)晶體管；
連接在第一電源線和第二電源線之間的驅(qū)動晶體管，該驅(qū)動晶體管包括連接到所述第一開關(guān)晶體管的控制電極；
連接到所述第一開關(guān)晶體管、所述第一電源線和所述驅(qū)動晶體管的第一存儲電容器；
連接在所述第一電源線和所述驅(qū)動晶體管之間的第二開關(guān)晶體管，該第二開關(guān)晶體管包括連接到發(fā)射控制線的控制電極；
連接到所述第一開關(guān)晶體管、所述第一存儲電容器、所述第二開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管的第二存儲電容器；和
連接在所述驅(qū)動晶體管和所述第二電源線之間的有機發(fā)光二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一開關(guān)晶體管包括連接到所述驅(qū)動晶體管控制電極的第二電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一開關(guān)晶體管被配置為，在所述第一開關(guān)晶體管的控制電極從所述掃描線接收掃描信號時，從所述第一電極向所述第二電極傳遞數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述驅(qū)動晶體管的控制電極連接到所述第一開關(guān)晶體管的第二電極，所述驅(qū)動晶體管包括連接到所述第二開關(guān)晶體管第二電極的第一電極和連接到所述有機發(fā)光二極管陽極的第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述驅(qū)動晶體管被配置為，根據(jù)所述驅(qū)動晶體管的控制電極處的數(shù)據(jù)信號，控制來自所述第一電源線的驅(qū)動電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一存儲電容器包括連接到所述第一電源線的第一電極，和一連接到所述第一開關(guān)晶體管第二電極及所述驅(qū)動晶體管控制電極的第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一存儲電容器包括連接到所述第一電源線的第一電極和連接到所述第二存儲電容器第二電極的第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二開關(guān)晶體管的控制電極連接到所述發(fā)射控制線，并且所述第二開關(guān)晶體管包括連接到所述第一電源線的第一電極和連接到所述驅(qū)動晶體管第一電極的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二開關(guān)晶體管的控制電極連接到所述發(fā)射控制線，并且所述第二開關(guān)晶體管包括連接到所述第一電源線的第一電極和連接到所述第二存儲電容器第一電極的第二電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二存儲電容器包括連接到所述第二開關(guān)晶體管第二電極和所述驅(qū)動晶體管第一電極的第一電極，和連接到所述第一存儲電容器第二電極、所述第一開關(guān)晶體管第二電極和所述驅(qū)動晶體管控制電極的第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二存儲電容器連接在所述驅(qū)動晶體管的控制電極和所述驅(qū)動晶體管的第一電極之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述有機發(fā)光二極管包括連接到所述驅(qū)動晶體管第二電極的陽極和連接到所述第二電源線的陰極。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二電源線的第二電源電壓低于所述第一電源線的第一電源電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第二電源線的第二電源電壓為地電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中在顯示一幀的時段期間，當所述第一開關(guān)晶體管和所述第二開關(guān)晶體管導通時，來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓施加到所述第一存儲電容器的第二電極、所述第二存儲電容器的第二電極和所述驅(qū)動晶體管的控制電極，然后，來自所述第一電源線的第一電源電壓施加到所述第一存儲電容器的第一電極和所述第二存儲電容器的第一電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中在顯示一幀的時段期間，當所述第一開關(guān)晶體管導通而所述第二開關(guān)晶體管斷開時，來自所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓施加到所述第一存儲電容器的第二電極、所述第二存儲電容器的第二電極和所述驅(qū)動晶體管的控制電極，然后，來自所述第一電源線的第一電源電壓施加到所述第一存儲電容器的第一電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中在顯示一幀的時段期間，當所述第一開關(guān)晶體管斷開而所述第二開關(guān)晶體管導通時，所述第一電源線、所述驅(qū)動晶體管和所述有機發(fā)光二極管彼此耦連，而且電流從該有機發(fā)光二極管的陽極流向該有機發(fā)光二極管的陰極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中在所述驅(qū)動晶體管和所述有機發(fā)光二極管之間還包括發(fā)射控制開關(guān)晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述發(fā)射控制開關(guān)晶體管包括連接到所述發(fā)射控制線的控制電極、連接到所述驅(qū)動晶體管第二電極的第一電極，和連接到所述有機發(fā)光二極管陽極的第二電極。
全文摘要
公開一種有機發(fā)光顯示器。該顯示器包括掃描線、數(shù)據(jù)線和連接到所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的像素。該像素被配置為至少部分地補償晶體管門限變化和電源線上的IR-降，其中所述像素包括至多三個晶體管和至多兩個電容器。
文檔編號G09G3/32GK101226719SQ200810002740
公開日2008年7月23日 申請日期2008年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月16日
發(fā)明者金陽完 申請人:三星Sdi株式會社