噴墨打印頭的制作方法

專利名稱：噴墨打印頭的制作方法
噴墨打印頭
本發(fā)明涉及一種熱噴墨打印頭，尤其涉及一種與單獨(dú)的打印噴嘴 有關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。
熱噴墨打印是一種廣泛使用的打印技術(shù)。典型的噴墨打印機(jī)含有
至少一個(gè)打印盒(print catridge),其中形成小的墨滴并噴向紙張或 任何其它打印介質(zhì)以在介質(zhì)上形成圖像。打印盒最接近打印介質(zhì)的部 分通常被稱作打印頭。其含有將微小噴嘴陣列鉆到其中的孔板。具有 與每一個(gè)噴嘴相鄰的墨室，其中在液滴形成之前存儲(chǔ)墨水。每一個(gè)墨 室裝配有產(chǎn)生熱量的歐姆電阻器。通過快速加熱存儲(chǔ)在該室中的墨水 來完成噴墨。墨蒸汽的快速膨脹迫使該室中的一部分墨水以液滴的形 式從噴嘴中噴出。破裂的氣泡在該室中產(chǎn)生真空，這導(dǎo)致使墨水從盒 內(nèi)的儲(chǔ)墨器中重新填充該室，所有室與其流體相通。所補(bǔ)充的墨水冷 卻電阻器、室壁和噴嘴，從而當(dāng)下一次激活加熱電阻器時(shí)重新填充和 冷卻使它們?yōu)橄乱淮涡纬梢旱巫骱脺?zhǔn)備。
以薄膜形式將電阻器沉積在硅基板上或任何其它的基板上，并且 所使用的電阻材料通常是金屬合金。為了避免電阻器和墨水(其在大 部分應(yīng)用中是基于水)之間的化學(xué)反應(yīng)，電阻器及其金屬端子由至少 一種惰性和耐熱鈍化層所覆蓋，其通常由氮化硅構(gòu)成?？梢詫⒖栈瘜?(cavitation layer)沉積在鈍化層的頂部上，以減小對(duì)鈍化層和電阻 器層的機(jī)械損傷，這可能是由于當(dāng)噴射液滴之后墨水重新填充時(shí)進(jìn)入 該室所產(chǎn)生的影響而引起的。
電阻器連接到根據(jù)將被打印的數(shù)據(jù)以特定順序?qū)⑵浣尤牒蛿嚅_ 的驅(qū)動(dòng)晶體管。該驅(qū)動(dòng)晶體管與電阻器相鄰并制造在與電阻器相同的 基板上?？梢允褂枚喾N不同的技術(shù)來形成驅(qū)動(dòng)晶體管。晶體管的溝道 必須足夠?qū)捯员闫鋵?dǎo)通狀態(tài)電阻與加熱電阻器的電阻相比較小。
為了提供高的打印吞吐量和高的打印分辨率，現(xiàn)代打印頭的噴嘴
數(shù)量通常為幾百，而噴嘴節(jié)距通常為20-100nm。高噴嘴數(shù)量和小節(jié) 距的結(jié)合使用于單獨(dú)利用外部邏輯電路來尋址開關(guān)晶體管變得不切 實(shí)際，因?yàn)檫@要求對(duì)于每一個(gè)噴嘴都有一個(gè)接觸墊。因此，現(xiàn)代打印 頭具有嵌在打印頭基板上的邏輯電路，其在與開關(guān)晶體管相同的工藝 中制造。集成邏輯電路具有單個(gè)、串行的打印數(shù)據(jù)輸入，并由此顯著 降低了外部接觸墊的數(shù)量。
關(guān)于噴墨打印頭的制造存在很多困難和問題。
盡管墨盒(inkjet cartridge)的噴嘴數(shù)量在最近這幾年已經(jīng)顯著增
加，但是噴嘴陣列尺寸仍比典型的打印介質(zhì)的尺寸小很多。例如，對(duì) 于辦公應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)打印盒中的噴嘴陣列尺寸大約比A4和B4紙的寬度
小10-20倍。為了補(bǔ)償尺寸的這種差異，噴墨打印器裝備有計(jì)算機(jī)控 制的傳送機(jī)構(gòu)，包括步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，其通過使該盒以蛇形方式在打印介 質(zhì)上移動(dòng)而實(shí)現(xiàn)對(duì)該打印介質(zhì)的完全覆蓋。由于可以得到噴嘴陣列尺 寸與打印介質(zhì)尺寸相等的打印頭，所以將不需要盒傳輸機(jī)構(gòu)。這將簡(jiǎn)
化打印工藝，并且由于這種打印頭的高噴嘴數(shù)量，也將增加打印吞吐
旦 里。
常規(guī)打印頭制造在硅晶片上。市場(chǎng)上的硅晶片的最大直徑為
30cm。因此，在基于30cm晶片的制造工藝中，僅中央部分可以用于
制造其噴嘴陣列尺寸與典型打印介質(zhì)(A4或B4紙)的尺寸相等的打
印頭。大部分的有效晶片面積將不適合于頁(yè)寬(page-wide)打印頭。
實(shí)質(zhì)上，可以制造打印頭的單獨(dú)部分并隨后將這些部分連接到頁(yè)寬打
印頭，但是這在技術(shù)上是困難的、昂貴的，并且導(dǎo)致圖像不自然，這
與相鄰的打印頭部分之間的連接質(zhì)量有關(guān)。
對(duì)于具有非常高噴嘴數(shù)量的改進(jìn)打印頭，已經(jīng)提出了多晶硅(多
晶Si)薄膜晶體管(TFT)技術(shù)。在多晶Si打印頭中，多晶Si島提供 溝道、源極、漏極和場(chǎng)釋放(field relief)區(qū)。它們通過經(jīng)由化學(xué)汽 相沉積(CVD)將非晶硅(a-Si)沉積在基板上、隨后注入摻雜劑并 利用激光或其它本領(lǐng)域中公知的結(jié)晶技術(shù)使a-Si結(jié)晶來形成。由于基 板不是TFT的一部分而僅提供機(jī)械支撐，因此可以使用很寬范圍的基 板材料，例如玻璃、塑料薄片或鋼箔。該處理可以使用較大的矩形基 板，其更適合于打印頭應(yīng)用。
使用多晶Si技術(shù)的問題在于液滴噴射所需的高功率。啟動(dòng)晶體管 (firingtransistor)的溝道必須足夠?qū)捯员惝?dāng)柵極為高電平時(shí)電壓VDD 幾乎全部落在加熱器上。理想地，晶體管的導(dǎo)通電阻應(yīng)該不大于加熱 器電阻的10%。對(duì)于一些打印應(yīng)用，液滴形成所需的功率可以高達(dá)每 噴嘴2瓦特。假設(shè)大部分應(yīng)用中的噴嘴節(jié)距僅在20至200 U m的數(shù)量級(jí) 上，則每噴嘴的功率都很高。該功率需要使用非常寬的晶體管，并且 熱噴墨打印的關(guān)鍵問題之一是將這種晶體管安裝到小的噴嘴節(jié)距中。 對(duì)于其中使用多晶Si技術(shù)而不是常規(guī)的CMOS技術(shù)在硅晶片上制造驅(qū)
動(dòng)晶體管的打印頭尤其是這種情況。這是因?yàn)槎嗑iTFT具有較高的 閾值電壓和較低的遷移率，并因此提供比常規(guī)CMOS晶體管更低的每 溝道寬度電流。
一種減小所需溝道寬度的方法是增加電壓VDD。為了保持功率恒
定，加熱器的電阻必須也增加，并且這意味著具有較小寬度的晶體管 足以保證其導(dǎo)通電阻與加熱器電阻相比仍然較小。由于對(duì)于固定功率
加熱器的電阻與電壓VDD的二次方成比例，所以所需的晶體管寬度隨 Vdd平方的倒數(shù)而降低，因此，增加VoD是一種非常有效的確保晶體 管與小的噴嘴節(jié)距相適應(yīng)的方法。這對(duì)于使用多晶SiTFT來驅(qū)動(dòng)噴嘴 尤其重要。
然而，雖然增加VoD減小了晶體管的尺寸，但是由于溝道兩端上 的較高壓降導(dǎo)致由雪崩、熱載流子效應(yīng)和自加熱引起的晶體管退化，
所以也降低了晶體管的壽命。用于有源矩陣液晶顯示器或有機(jī)電致發(fā)
光顯示器的常規(guī)多晶Si TFT在其所需壽命期間能夠在截止?fàn)顟B(tài)下耐 受通常為10V的最大源漏電壓，而不會(huì)電退化。用于上述顯示器應(yīng)用 的TFT—般具有在柵極之外且與柵極自對(duì)準(zhǔn)的低劑量場(chǎng)釋放區(qū)，以減 小寄生的柵源和柵漏電容。
另一問題涉及加熱室的退化。 一種升溫室(firing chamber)設(shè)計(jì) 非常有效地使用耗散的熱量，在該設(shè)計(jì)中加熱電阻器的整個(gè)有效面積 完全位于該室內(nèi)，由于這種設(shè)計(jì)避免了室壁和相鄰升溫室中的過度溫 度增加。在常規(guī)設(shè)計(jì)中，這是通過延伸超出升溫室的電阻層和沉積在 電阻層之上的導(dǎo)電金屬跡線來完成的，所述導(dǎo)電金屬跡線在接近升溫 壁的升溫室內(nèi)部終止。鈍化和空化層沉積在電阻層和金屬跡線之上。 因此，常規(guī)設(shè)計(jì)在升溫室層內(nèi)在兩個(gè)金屬跡線終止的位置處具有兩個(gè) 突變臺(tái)階。在噴墨打印領(lǐng)域中公知的是，由于打印期間的恒定溫度循 環(huán)和由于由液滴噴射之后重新填充所述室的墨水所引起的沖力而導(dǎo) 致這些臺(tái)階易于退化。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種包括打印頭加熱電路陣列的噴墨打印頭， 每一個(gè)打印頭加熱電路與各自的打印頭噴嘴有關(guān)，其中每一個(gè)加熱電 路包括加熱裝置和用于驅(qū)動(dòng)電流通過加熱裝置的驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū) 動(dòng)晶體管包括頂部柵極多晶硅薄膜晶體管，其在柵極下方具有場(chǎng)釋放 摻雜區(qū)，并且其中加熱裝置包括限定晶體管溝道的多晶硅層的一部 分。
該器件能利用多晶Si TFT技術(shù)在大的矩形基板上制造加熱電阻 器和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)(以及控制邏輯)以及其間的電連接。 在當(dāng)前的多晶Si批量生產(chǎn)設(shè)備中，所使用的基板通常是尺寸在0.5和 21112之間的范圍內(nèi)的玻璃片。這使得能制造頁(yè)寬打印頭，并且由于基 板是矩形而不是如在常規(guī)硅晶片工藝中的圓形，因此對(duì)于打印頭制造
整個(gè)基板面積是可用的。
開關(guān)TFT基于具有注入的場(chǎng)釋放區(qū)(優(yōu)選為低劑量)的結(jié)構(gòu)，所 述場(chǎng)釋放區(qū)位于柵極下方，優(yōu)選與高劑量注入的漏極區(qū)相鄰。該結(jié)構(gòu) 被稱為柵極重疊輕摻雜漏極(GOLDD)結(jié)構(gòu)。與常規(guī)場(chǎng)釋放結(jié)構(gòu)相 比，使用GOLDD導(dǎo)致截止?fàn)顟B(tài)下的最大可容許源漏電壓的顯著增加。 對(duì)于與常規(guī)結(jié)構(gòu)可比的氧化物厚度、溝道長(zhǎng)度和遷移率，GOLDDTFT 在截止?fàn)顟B(tài)下能耐受大約30V的源漏電壓。給定溝道寬度和電源電壓 VDD之間的二次方相關(guān)性，并且使用上述10V和30V的值，則使用 GOLDD使溝道寬度減小大約9倍。這是將該GOLDD結(jié)構(gòu)用于熱噴墨 打印的主要優(yōu)點(diǎn)。
如上所述，每噴嘴的功率通常高達(dá)2瓦特。如果使用常規(guī)TFT， 最大電壓大約為10V，則假設(shè)典型TFT參數(shù)(溝道長(zhǎng)度、遷移率等) 的話，TFT溝道將需要為2-3cm寬。如當(dāng)前打印應(yīng)用所需要的那樣使 寬度為2-3cm的TFT適應(yīng)20-200um的節(jié)距是非常困難的。然而，使用 GOLDD器件能將溝道寬度減小到大約2-3mm。優(yōu)選地，晶體管的溝 道寬度小于5mm。
通過使用晶體管的多晶硅層制造加熱裝置，由于在相同層中制造 電阻器及其端子，因此可以消除升溫室(firingchamber)內(nèi)的突變臺(tái) 階，導(dǎo)致共面結(jié)構(gòu)。這提高了產(chǎn)量并允許使用較薄的鈍化和空化層， 這反過來降低了液滴形成所需的能量。在本發(fā)明的重要實(shí)施例中，對(duì) 升溫室內(nèi)的多晶Si島的區(qū)域進(jìn)行輕摻雜以形成加熱電阻器，并且對(duì)相 鄰的區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s以形成電阻器端子。
優(yōu)選地，加熱裝置包括摻雜的端子部分和端子部分之間的加熱部 分，其由相同層形成。
于是，對(duì)于電阻器和其端子之間的結(jié)相對(duì)于加熱室壁位置的位置 沒有限制，因?yàn)檫@些結(jié)可以簡(jiǎn)單地由多晶Si島內(nèi)的不同注入?yún)^(qū)確定。 因此，電阻器邊界可以盡可能地接近室壁。在常規(guī)的升溫室設(shè)計(jì)中，
最小間隔和其它設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)用在室壁和由與電阻層重疊的金屬跡線 引起的突變臺(tái)階之間。
這也能在升溫室中避免任何臺(tái)階，因?yàn)槎俗硬糠挚梢詮募訜岵糠?延伸到升溫室覆蓋區(qū)域之外的區(qū)域，于是與端子部分的連接在升溫室 覆蓋區(qū)域之外。
在晶體管制造和加熱裝置制造之間可以共享很多摻雜操作。 例如，可以將相同的摻雜應(yīng)用于多晶硅層，以限定場(chǎng)釋放區(qū)和加 熱部分。也可以利用與加熱部分不同的摻雜來?yè)诫s端子部分?？蓪⑴c 驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極接觸部分相同的摻雜應(yīng)用于端子部分。
金屬接觸層優(yōu)選連接到源極和漏極接觸部分以及加熱裝置。該層 可以延伸到加熱室下方的區(qū)域中，并且這能使加熱裝置包括具有均勻 摻雜的多晶島。
驅(qū)動(dòng)晶體管可以具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)，例如與源極和漏極中的每一 個(gè)相鄰的一個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)，或者與漏極相鄰的具有不同摻雜的多個(gè)區(qū) 域。后一種選擇能使節(jié)距進(jìn)一步降低。兩種選擇給出不同的可能處理 步驟。
晶體管可以包括自對(duì)準(zhǔn)或非自對(duì)準(zhǔn)的薄膜晶體管。
本發(fā)明還提供一種制造用于噴墨打印頭的打印頭加熱電路陣列 的方法，所述電路設(shè)置在共同的基板上，該方法包括 在共同的基板上設(shè)置電介質(zhì)層；
在電介質(zhì)層上沉積非晶硅層；
處理非晶硅層以形成多晶部分； 將柵極電介質(zhì)層設(shè)置在摻雜的多晶硅層上； 將柵極導(dǎo)體層設(shè)置在柵極電介質(zhì)層上，并由柵極導(dǎo)體層至少限定 柵極端子；以及
提供另一電介質(zhì)層，
其中進(jìn)行多次摻雜操作，以在多晶硅部分中限定源極、柵極、漏
極和場(chǎng)釋放晶體管區(qū)，將場(chǎng)釋放區(qū)設(shè)置在柵極下方至少與漏極晶體管 區(qū)相鄰，并且其中加熱裝置包括限定驅(qū)動(dòng)晶體管溝道的多晶硅層的一 部分。
現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)例，在附圖中


圖1至3示出用于制造本發(fā)明的打印頭的第一實(shí)例的工藝;
圖4至10示出本發(fā)明的打印頭的其它實(shí)例。
本發(fā)明提供一種噴墨打印頭加熱電路，其使用具有柵極下方的場(chǎng) 釋放摻雜區(qū)的頂部柵極多晶硅薄膜晶體管。多晶硅晶體管層的一部分 形成加熱器。
這允許制造具有高噴嘴數(shù)量的熱噴墨打印頭以使得能迸行頁(yè)寬 打印并具有用于高打印分辨率的小噴嘴節(jié)距。由于使用與大的矩形基
板相兼容的多晶SiTFT工藝，因此使前者成為可能，并且由于使用具
有提高的最大工作電壓的特定晶體管結(jié)構(gòu)，而使后者成為可能。這些
可以提供與常規(guī)多晶Si TFT相同的功率，但是具有顯著降低的溝道寬 度。
由于通過具有不同注入劑量的區(qū)域在相同的多晶Si島中限定電 阻器及其端子，因此可以避免升溫室內(nèi)的層中的突變臺(tái)階。在該室內(nèi) 沒有突變臺(tái)階提高了產(chǎn)量并允許使用較薄的鈍化層。而且，對(duì)于電阻 加熱器、其金屬連接、以及熱絕緣、鈍化和空化層的制造可以避免單 獨(dú)的工藝步驟。所有這些可以使用來自多晶SiTFT工藝流程的步驟。
用于噴墨打印頭噴嘴的加熱電路包括在電源線之間串聯(lián)的薄膜 晶體管和加熱裝置。圖1至3示出用于本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的工藝 流程，并且將晶體管整體示為16，而將加熱器整體示為28。該實(shí)施例 基于非自對(duì)準(zhǔn)n型TFT結(jié)構(gòu)，其場(chǎng)釋放區(qū)與柵極完全重疊。圖1至3示 出制造工藝中的漸進(jìn)步驟，并且為了簡(jiǎn)單起見，在不同附圖中出現(xiàn)的
用于部件的參考標(biāo)記一般不再重復(fù)。
在多晶Si工藝中，基板10僅提供對(duì)多晶Si電路的機(jī)械支撐。與常 規(guī)Si晶片工藝不同，其不形成晶體管的任一部分，因此可以使用一定
范圍的基板，例如玻璃、塑料薄片或金屬箔。在用于顯示器應(yīng)用的多
晶Si批量生產(chǎn)工藝中，使用厚度通常為0.4mm且尺寸在0.5和2r^之間 的玻璃片。
工藝從對(duì)基板10的最初清洗開始，隨后在基板的背面沉積電介質(zhì) 層的疊層(未示出)，通常為SiNx和SiO"在背面以及正面沉積電介 質(zhì)的主要原因在于，在工藝中用作蝕刻劑的HF也蝕刻玻璃，這導(dǎo)致 點(diǎn)蝕。另一個(gè)原因在于基板內(nèi)的雜質(zhì)將污染蝕刻槽。對(duì)于非常薄的基 板，在背面上沉積電介質(zhì)疊層補(bǔ)償了由于沉積在正面上的層而產(chǎn)生的 機(jī)械應(yīng)力。
在基板背面上進(jìn)行沉積之后，將電介質(zhì)層的疊層12沉積在正面 上，通常是SiOx在SiNx之上，隨后是厚度通常為20-100nm的a-Si層14。 通過通常在45(TC下的熱退火將a-Si膜的氫含量通常減小到3X。氮化 物層防止來自基板的組分(例如，B、 P、 Na)擴(kuò)散到所沉積的層中， 尤其是擴(kuò)散到形成TFT的多晶Si島中。TFT溝道中的雜質(zhì)將影響TFT 的電性能。尤其，B和P將改變閾值電壓。SiNx和SiOx的雙層減小了至 基板的針孔密度。
將光刻膠旋涂在a-Si層之上，以光刻的方式將特征限定到其中， 以形成島，用于制造加熱電阻器28和驅(qū)動(dòng)TTT16，以及為了將打印數(shù) 據(jù)分配到啟動(dòng)TFT柵極而集成在相同基板上的邏輯電路所需的任何 其它的n型或p型TFT、電阻器、電容器、MOS電容器或?qū)щ娵E線。使 用利用SF6/HCL/02氣體混合物的RIE來對(duì)a-Si特征進(jìn)行干法蝕刻，但
是本領(lǐng)域技術(shù)人員也可使用其它蝕刻技術(shù)。
在限定島之后，TFT需要通常為l-3Xl(^cm—2的低劑量的硼注 入，以調(diào)整其閾值電壓。然而，對(duì)于低水平的污染，可以省略該步驟。
優(yōu)化n型和p型TFT的閾值電壓所需的摻雜劑濃度可以不同。如果是這 種情況的話，除了圖形化注入之外，還采用無圖形注入(blanket implant) c
對(duì)于集成邏輯電路中的任何n和p溝道TFT以及啟動(dòng)TFT的源極 22、漏極24和場(chǎng)釋放區(qū)20、電阻器及其兩個(gè)端子，以及對(duì)于由邏輯電 路可以使用的摻雜多晶Si制成的任何電容器、MOS電容器或?qū)щ娵E 線，需要另外的掩模限定和離子注入。
TFT場(chǎng)釋放區(qū)20需要處于3X 1012cm—z和3X 10'3cm—2之間(通常為 9X1012cm—2)的磷劑量，以防止TFT退化，并且源極和漏極劑量通常 為10'W2。
P溝道器件的源極和漏極區(qū)需要相同的劑量，但是利用硼作為注 入種類。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，其減少了離子注入和光刻步驟的數(shù) 量，在與p溝道或n溝道TFT的源極和漏極接觸區(qū)(源極22和漏極24) 相同的高劑量注入步驟中摻雜形成電阻器端子29的多晶Si區(qū)。其優(yōu)點(diǎn) 是對(duì)于熱轉(zhuǎn)換器不需要其它的工藝步驟，這極大地簡(jiǎn)化了工藝流程并 增加了制造產(chǎn)量。
在其它因素中，加熱電阻器的電阻由液滴形成所需的能量和將施
加到電阻器的最大電壓VDD所確定。所需值可以通過改變電阻器長(zhǎng)度、
寬度、厚度和片電阻來調(diào)整，后者可以通過改變?cè)搮^(qū)域中的注入劑量 來調(diào)整。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例避免了對(duì)于電阻器使用單獨(dú)的離子注入 步驟。代替地，在與場(chǎng)釋放區(qū)20相同的注入步驟或工藝中可利用的任 何其它適當(dāng)?shù)淖⑷氩襟E中對(duì)電阻器28進(jìn)行摻雜。
電阻器具有下電阻端子29和中心加熱部分。
在離子注入步驟、光刻膠去除和表面清洗之后，利用能量密度通 常為300mJ/ci^的準(zhǔn)分子激光束、或者任何其它的適合于激光結(jié)晶的 激光束，將注入的a-Si島轉(zhuǎn)變成多晶Si島?；蛘撸梢允褂帽绢I(lǐng)域中
公知的其它結(jié)晶技術(shù)，例如金屬誘導(dǎo)激光結(jié)晶或連續(xù)橫向固化。
圖2示出柵極氧化物30。其厚度可以在20和150nm之間的范圍內(nèi)， 并且其可以在結(jié)晶Si島的全表面清洗之后通過CVD來沉積。該氧化物 還用作升溫室中的鈍化層。
柵極金屬32沉積在柵極氧化物之上。厚度通常為200至300nm的 鋁合金可以用作柵極金屬，并且利用干法或濕法蝕刻來限定該金屬。 在隨后的步驟中，層間電介質(zhì)24通過CVD沉積在柵極金屬之上?？梢?使用SiNx，并且對(duì)于200-300nm的柵極金屬典型厚度應(yīng)該為500nm。 該層也用作升溫室中的鈍化層。
通過濕法或干法蝕刻技術(shù)打開至源極和漏極、電阻器端子以及至 柵極金屬的接觸孔。這需要蝕刻穿過電介質(zhì)層34，以連接到柵極金屬， 并且需要蝕刻穿過電介質(zhì)34和柵極氧化物30以連接導(dǎo)源極、漏極和電 阻器端子。至柵極金屬的連接未在圖中示出。
根據(jù)工藝細(xì)節(jié)，打開至柵極金屬的接觸可能需要與用于打開至注 入多晶Si的接觸窗不同的技術(shù)。沉積第二金屬層36并經(jīng)由光刻和濕法
或干法蝕刻將其限定為導(dǎo)電跡線。
圖3示出沉積在源/漏極金屬36之上以允許另一 (第三)金屬層 42用于布線的電介質(zhì)層40。該介電層40還用作升溫室44中的鈍化和空 化層。在該層中經(jīng)由干法和濕法蝕刻打開終止在源/漏極金屬之上的 接觸孔。沉積并以光刻的方式限定第三金屬層42，以連接到啟動(dòng)TFT 的源極22，并連接到加熱電阻器的一個(gè)端子。該金屬還用于集成邏輯 電路內(nèi)的較高層布線。
在圖3所示的最終工藝步驟中，沉積用于升溫室壁的材料50，并 且限定該壁使得加熱電阻器位于升溫室內(nèi)部。將孔板52結(jié)合到該室的 頂部上。
本發(fā)明由此提供具有源極、漏極和柵極的薄膜晶體管(TFT)。 通過經(jīng)由化學(xué)汽相沉積(CVD)將非晶硅(a-Si)沉積在基板上并隨 后利用激光或本領(lǐng)域公知的其它結(jié)晶技術(shù)使a-Si結(jié)晶，來形成提供溝 道、源極和漏極的多晶硅(多晶Si)島。由于基板不是TFT的一部分 而僅是提供機(jī)械支撐，因此可以使用很寬范圍的基板材料，例如玻璃、 塑料薄片或鋼箔。將柵極氧化物和柵極金屬制造在多晶Si島之上。除 了形成源極和漏極區(qū)的高劑量注入?yún)^(qū)之外，TFT還具有與漏極相鄰并 與柵極重疊的低劑量注入?yún)^(qū)。該區(qū)域降低了漏極電場(chǎng)并由此允許在溝 道上施加較高的電壓，而不會(huì)損害TFT穩(wěn)定性和雪崩電流。TFT的源 極連接到地，并且漏極通過金屬互連連接到多晶Si電阻加熱器的一個(gè) 端子29，在與多晶Si島形成TFT的相同工藝步驟中制造所述多晶Si電 阻加熱器。該電阻器的第二端子29經(jīng)由金屬互連連接到電源電壓。鈍 化層覆蓋TFT和電阻器，并且將墨室限定在電阻器之上。
如果TFT是如圖3中的n型晶體管，則在柵極為高電平的情況下 TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)。如果其導(dǎo)通電阻與加熱器電阻相比較小，則外部 電壓VDD將幾乎全部落在電阻器上，這將導(dǎo)致墨水蒸發(fā)和液滴噴射。 如果柵極信號(hào)為低電平，則TFT處于非導(dǎo)通狀態(tài)。在電阻器中沒有熱 消散，并且外部電壓VDD將幾乎全部落在TFT溝道上。在使用p型晶體 管的情況下，如果柵極電壓為低電平則電阻器將消散熱，而如果柵極 電壓為高電平則不存在熱消散。
如果基板是良好的熱導(dǎo)體，例如鋼箔或Si晶片，則重要的是使加 熱器與基板熱絕緣，以便使傳遞到基板中而不是傳遞到室中的墨水的 能量最小化。電介質(zhì)覆蓋層還用作用于電阻器的熱絕緣層，這對(duì)于絕 緣層的制造而言消除了對(duì)單獨(dú)的沉積和掩模的需要。
本發(fā)明的工藝還提供對(duì)用于電阻器制造的TFT結(jié)構(gòu)的不同材料 層的有效使用。尤其，在多晶SiTFT工藝中需要幾個(gè)電介質(zhì)層，這些 包括柵極氧化物、柵極和源/漏極金屬之間的電介質(zhì)層、在源/漏極 金屬之上并用于最常用的基板如玻璃、塑料或鋼箔的電介質(zhì)層、在基 板和多晶Si之間的覆蓋層。需要后者以防止雜質(zhì)從基板遷移到多晶Si
中，其中所述雜質(zhì)會(huì)使TFT的電特性退化，并且需要后者以在使用導(dǎo) 電基板的情況下，使基板與多晶Si絕緣。通常，由于與多晶Si的高質(zhì) 量界面提供最好的TFT電特性，因此選擇氧化硅作為覆蓋層，或者在 使用不止一層的情況下作為頂部覆蓋層。
TFT所需的柵極氧化物和兩個(gè)電介質(zhì)層也可以用作用于多晶Si電 阻器的鈍化和空化層。因此，這些層的制造不需要單獨(dú)的工藝步驟， 例如沉積和光刻掩模步驟。
與常規(guī)Si工藝相比，在多晶SiTFT工藝中柵極氧化物較厚。這是 因?yàn)檠趸锉仨毷浅练e的而不能是熱生長(zhǎng)的，由于這將熔化基板。而 且，由不同尺寸的任意取向的Si晶體構(gòu)成的多晶Si層的粗糙表面需要 厚的氧化物，以防止柵極金屬和多晶Si之間的短路。由于其增加的厚 度，柵極氧化物對(duì)鈍化層的整個(gè)厚度起很大的作用。在常規(guī)Si工藝中， 氧化物厚度僅為幾納米，這太薄了以致不能保護(hù)電阻器，并因此需要 沉積單獨(dú)的厚鈍化層。三層用作鈍化層的優(yōu)點(diǎn)在于這降低了有效針孔 密度，導(dǎo)致了較高產(chǎn)量。然而，對(duì)于一些應(yīng)用，使用頂部電介質(zhì)層是 足夠的，在這種情況下，在柵極金屬之上的柵極氧化物和電介質(zhì)可以 在與接觸孔開口相同的工藝步驟中去除。
因此，不需要專門用于制造加熱元件的工藝步驟，因?yàn)榻^緣層、 電阻器以及鈍化層全部作為多晶SiTFT工藝的一部分形成。
在圖4所示的本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在多晶Si電阻器區(qū)28中去 除柵極金屬之上的柵極氧化物30和電介質(zhì)34，僅留下頂部電介電層 40，其可以由多層組成，以用作鈍化和空化層。在與至摻雜多晶Si 的接觸窗開口相同的工藝中清除電阻器中的柵極氧化物30和電介電 層。與圖3所示的實(shí)施例的不同之處在于，需要在金屬處于電介質(zhì)之 上的區(qū)域中和在其覆蓋注入多晶Si的電阻器區(qū)域中去除源/漏極金 屬。蝕刻技術(shù)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是公知的，其允許利用相同的 工藝步驟在這兩個(gè)區(qū)域中去除金屬。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，與圖3所 示的實(shí)施例相比，其提供了減小鈍化和空化層整個(gè)厚度的機(jī)會(huì)。這使 得能以較低的熱能形成液滴。
在圖5所示的本發(fā)明的另一實(shí)施例中，啟動(dòng)晶體管和電阻器使用 相同的多晶Si島80。尤其，經(jīng)由光刻和離子注入將重?fù)诫s的高導(dǎo)電區(qū) 82制造在該島內(nèi)，其用作TFT源極區(qū)和電連接到TFT源極的電阻器端 子。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，與圖3中的實(shí)施例相比，由于不存在連接 金屬跡線，而使其減小了布圖面積。減小的布圖面積能實(shí)現(xiàn)用于高分 辨率打印應(yīng)用的較小噴嘴節(jié)距。
重?fù)诫s多晶Si的片電阻通常為200歐姆/平方，該值比金屬的片 電阻高很多，對(duì)于鋁或鋁合金，片電阻約為0.1歐姆/平方。因此， 與圖3中的金屬連接相比，圖5中的多晶Si連接將增加很大的串聯(lián)電 阻。然而，由于使用高穩(wěn)定的GOLDD TFT，因此可以利用高的Vdd 值實(shí)現(xiàn)所需的每噴嘴功率，從而可以使用具有高阻的加熱電阻器。因 此，與圖3中的低電阻設(shè)置相比，由于將TFT源極和電阻器端子組合 在一個(gè)多晶Si區(qū)中而導(dǎo)致的任何其它的串聯(lián)電阻與加熱器電阻相比 可以保持得較小，這是由于使用了可以在高壓下工作的GOLDDTFT。
圖6和7示出本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中加熱電阻器經(jīng)由限定在源 /漏極金屬36中的金屬跡線90連接到啟動(dòng)TFT的源極和外部電源電 壓vdd，該金屬跡線卯達(dá)到升溫室44中并接近于室壁而終止。在圖6 中，柵極氧化物和兩個(gè)電介質(zhì)層用作鈍化和空化層，并且在圖7中， 以與圖4中相同的方式去除柵極氧化物和第一電介質(zhì)層。這兩個(gè)實(shí)施 例的優(yōu)點(diǎn)在于它們稍微減小了布圖面積。缺點(diǎn)是在升溫室中存在突變 臺(tái)階，這易于引起如上所述的退化。
圖1至7中的實(shí)施例基于非自對(duì)準(zhǔn)(NSA) GOLDD工藝。存在其 它的GOLDD結(jié)構(gòu)，并且在圖8和9中示出了實(shí)例。其作為啟動(dòng)TFT以 及在用于熱噴墨應(yīng)用的集成邏輯電路中的使用，也旨在處于本發(fā)明的 范圍內(nèi)。由于結(jié)構(gòu)的改變不影響加熱電阻器和升溫室，因此附圖僅示
出加熱電路的TFT部分。
圖8示出自對(duì)準(zhǔn)(SA) GOLDD TFT，其中柵極用作掩模，以將 多晶硅TFT島的源極和漏極摻雜區(qū)對(duì)準(zhǔn)柵極的邊緣。在典型的SA GOLDD工藝中，首先注入用于閾值電壓調(diào)整的低劑量區(qū)域和場(chǎng)釋放 區(qū)，之后使Si島結(jié)晶。然后沉積柵極氧化物，隨后進(jìn)行柵極金屬的沉 積和限定。優(yōu)選通過柵極氧化物，或者在去除柵極氧化物之后以較低 的注入能量利用柵極作為掩模注入源極和漏極區(qū)。
在圖中未示出從不同于柵極下方的區(qū)域中去除柵極氧化物的選 擇，但這是允許使用較低注入劑量的選擇。然而，該劑量需要額外的 工藝步驟。
由于源極和漏極注入損害了這些區(qū)域中的多晶結(jié)構(gòu)，因此需要激 光或熱退火來使這些區(qū)域再結(jié)晶。
與上述的非自對(duì)準(zhǔn)(NSA)工藝相比，SA工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，由 于不存在源極和漏極重疊，而使其制造了較小的TFT，并減小了柵源 和柵漏寄生電容。前者減小噴嘴節(jié)距，而后者提高邏輯電路的工作頻 率。缺點(diǎn)是由于SA GOLDD TFT的較低穩(wěn)定性而使最大工作電壓VoD 減小。穩(wěn)定性降低的原因在于，由于漏極和場(chǎng)釋放區(qū)20之間的結(jié)處的 摻雜分布的突變，而使SAGOLDDTFT在漏極處具有較高電場(chǎng)。上述 NSA結(jié)構(gòu)的特征在于，由于在激光結(jié)晶期間摻雜劑在熔化的Si中的擴(kuò) 散，導(dǎo)致溝道和場(chǎng)釋放區(qū)之間以及場(chǎng)釋放區(qū)和漏極之間的加寬結(jié)。加 寬結(jié)降低了漏極處的場(chǎng)，并由此允許溝道上的較高電壓而不會(huì)出現(xiàn)退 化。在SAGOLDD結(jié)構(gòu)中，如圖8所示，在漏極和場(chǎng)釋放區(qū)之間結(jié) 處沒有摻雜劑擴(kuò)散，因?yàn)樵摻Y(jié)被反射的柵極部分覆蓋，并由此防止在 再結(jié)晶期間熔化該結(jié)處的Si。
圖9中的實(shí)施例基于完全SA GOLDD結(jié)構(gòu)，其中使用導(dǎo)電間隔物 限定場(chǎng)釋放區(qū)IOO。在柵極限定之后，使用柵極作為掩模通過氧化物 30注入場(chǎng)釋放區(qū)。在制造導(dǎo)電間隔物102之后，注入源極和漏極區(qū)。 熱退火使硅再結(jié)晶。該結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于其甚至小于圖8中的SA GOLDD結(jié)構(gòu)，但是缺點(diǎn)在于，由于兩個(gè)結(jié)都具有突變的摻雜分布， 因此最大源漏電壓甚至進(jìn)一步降低。
圖10示出另一實(shí)施例。與圖1一7中一樣，啟動(dòng)TFT基于NSA GOLDD結(jié)構(gòu)。差別僅在于該結(jié)構(gòu)在漏極處具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)110，其 中的每一個(gè)的特征在于一定的注入劑量和長(zhǎng)度。場(chǎng)釋放區(qū)中的至少一 個(gè)在場(chǎng)釋放區(qū)制造期間可以不接受注入。在這種情況下，其注入劑量 要么與閾值電壓調(diào)整所需的劑量相同或者為零，因?yàn)樵搫┝客ǔ?yīng)用 于形成TFT的整個(gè)多晶Si島，要么在污染物水平足夠低以至于不需要 閾值電壓調(diào)整的情況下為零。在優(yōu)選實(shí)施例中，場(chǎng)釋放區(qū)的注入劑量 越高，該區(qū)域與漏極就越近。
多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)的優(yōu)點(diǎn)在于，其降低了漏極處的電場(chǎng)，導(dǎo)致扭結(jié)效 應(yīng)(kink effect)、雪崩電流和電場(chǎng)誘發(fā)的漏電流的減小。由此，具 有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)的GOLDD器件能實(shí)現(xiàn)較高的工作電壓VDD，而不損害 穩(wěn)定性。對(duì)于固定的每噴嘴功率，使用較高的VoD意味著電阻器的電 阻也可以增加。因此，具有較小寬度的TFT將足以保證其導(dǎo)通電阻與 加熱器的電阻相比仍然較小。由于對(duì)于固定功率加熱器電阻與電壓 Vdd的二次方成比例，因此所需TFT寬度隨電壓VDD平方的倒數(shù)而降 低。因此，引入多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)是一種減小噴嘴節(jié)距的有效方法。
GOLDD尤其是具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)的GOLDD具有用于寬或頁(yè)寬 噴嘴陣列的打印應(yīng)用的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)。由分別將所有啟動(dòng)TFT源極和電阻
器連接到公共地或VDD的金屬跡線引入的串聯(lián)電阻在具有大噴嘴數(shù)量 的寬陣列中是大的。為了確保電壓VDD幾乎全部落在電阻器上，源極
跡線的串聯(lián)電阻與TFT導(dǎo)通電阻相比必須較小，并且電阻器跡線的串 聯(lián)電阻與加熱器電阻相比必須較小，否則前者會(huì)降低柵源電壓，這將 增加TFT導(dǎo)通電阻，而后者會(huì)降低電阻器端子處的電壓。對(duì)于基于 GOLDD或具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)的GOLDD的電路，與具有不能在高Vdd
下工作的常規(guī)TFT的電路相比，由于連接跡線而導(dǎo)致的串聯(lián)電阻比 TFT導(dǎo)通電阻和加熱器電阻小得多。
具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)的GOLDD TFT也可以在如圖8和9分別所示的 SA和完全自對(duì)準(zhǔn)工藝中制造。
各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。
權(quán)利要求
1、一種噴墨打印頭，包括打印頭加熱電路陣列，每一個(gè)所述打印頭加熱電路與各自的打印頭噴嘴相關(guān)聯(lián)，其中每一個(gè)加熱電路包括加熱裝置(28)和用于驅(qū)動(dòng)電流通過所述加熱裝置(28)的驅(qū)動(dòng)晶體管(16)，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管(16)包括頂部柵極多晶硅薄膜晶體管，其在柵極下方具有場(chǎng)釋放摻雜區(qū)(20)，并且其中所述加熱裝置包括限定所述驅(qū)動(dòng)晶體管溝道的多晶硅層的一部分。
2、 如權(quán)利要求1所述的打印頭，其中所述場(chǎng)釋放區(qū)(20)設(shè)置 在漏極接觸區(qū)(24)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管(16)的溝道之間。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的打印頭，其中所述加熱裝置包括摻 雜的端子部分(29)和所述端子部分(29)之間的加熱部分，其由相 同層形成。
4、 如權(quán)利要求3所述的打印頭，其中所述加熱裝置(28)和所 述驅(qū)動(dòng)晶體管(16)的多晶硅形成連續(xù)的島。
5、 如權(quán)利要求3或4所述的打印頭，其中將相同的摻雜應(yīng)用于 所述多晶硅層，以限定出所述場(chǎng)釋放區(qū)(20)和所述加熱部分。
6、 如權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中還利用與所 述加熱部分不同的摻雜來?yè)诫s所述端子部分(29)。
7、 如權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中將與所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的源極和漏極接觸部分(22、 24)相同的摻雜應(yīng)用于所述端 子部分(29)。
8、 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中提供連接到所 述源極和漏極接觸部分(22、 24)和連接到所述加熱裝置(28)的金 屬接觸層(36)。
9、 如權(quán)利要求8所述的打印頭，其中將加熱室(44)設(shè)置在所 述加熱裝置上方，并且其中所述金屬接觸層(卯)延伸到所述加熱室(44)下方的區(qū)域中，并且其中所述加熱裝置包括具有均勻摻雜的多 晶硅島。
10、 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)(100; 110)。
11、 如權(quán)利要求10所述的打印頭，其中將場(chǎng)釋放區(qū)(100)設(shè)置 成與所述源極(22)和漏極(24)接觸區(qū)中的每一個(gè)相鄰。
12、 如權(quán)利要求IO所述的打印頭，其中所述場(chǎng)釋放區(qū)包括與所 述漏極接觸區(qū)(24)相鄰的具有不同摻雜的多個(gè)區(qū)(110)。
13、 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體 管設(shè)置在共用基板(10)和電介質(zhì)層疊層(12)的上方，并自所述基 板按順序包括多晶硅層(14); 柵極電介質(zhì)層(30); 柵極導(dǎo)體層(32); 層間電介質(zhì)層(34);以及 由第二金屬層(36)限定的源極和漏極連接。
14、 如權(quán)利要求13所述的打印頭，其中每一個(gè)打印頭加熱電路 包括在所述加熱裝置(28)上方的加熱室(44)，所述加熱室設(shè)置在 所述多晶硅層(14)、所述柵極電介質(zhì)層(30)、所述層間電介質(zhì)層(34)和另一電介質(zhì)層(40)的上方。
15、 如權(quán)利要求13所述的打印頭，其中每一個(gè)打印頭加熱電路 包括在所述加熱裝置(28)上方的加熱室(44)，所述加熱室(44) 設(shè)置在所述多晶硅層(14)和所述另一電介質(zhì)層(40)的上方，從所 述加熱室(44)下方去除所述柵極電介質(zhì)層(30)和所述層間電介質(zhì) 層(34)。
16、 如權(quán)利要求14或15所述的打印頭，其中所述室(44)由室 壁(50)和上覆的孔板(52)限定。
17、 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體 管包括非自對(duì)準(zhǔn)薄膜晶體管。
18、 如權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的打印頭，其中所述驅(qū)動(dòng) 晶體管包括自對(duì)準(zhǔn)薄膜晶體管。
19、 一種制造用于噴墨打印頭的打印頭加熱電路陣列的方法，所 述電路設(shè)置在共用基板(30)的上方，該方法包括在所述共同基板(30)上設(shè)置電介質(zhì)層(32); 在所述電介質(zhì)層(32)上沉積非晶硅層； 處理所述非晶硅層以形成多晶部分；將柵極電介質(zhì)層(50)設(shè)置在摻雜的多晶硅層上；將柵極導(dǎo)體層(52)設(shè)置在所述柵極電介質(zhì)層上，并由所述柵極導(dǎo)體層(52)至少限定柵極端子；以及提供另一電介質(zhì)層(54)，其中進(jìn)行多次摻雜操作，以在多晶硅部分中限定出源極、柵極、 漏極和場(chǎng)釋放晶體管區(qū)，將場(chǎng)釋放區(qū)設(shè)置成在所述柵極下方至少與所 述漏極晶體管區(qū)相鄰，并且其中所述加熱裝置包括限定所述驅(qū)動(dòng)晶體 管溝道的多晶硅層的一部分。
20、 如權(quán)利要求19所述的方法，還包括在所述另一電介質(zhì)層(54) 上方設(shè)置第二金屬層(56)，以限定出源極和漏極連接以及與所述加 熱裝置的連接。
21、 如權(quán)利要求19或20所述的方法，其中所述摻雜操作進(jìn)一步 限定出摻雜的加熱裝置端子部分(29)和所述端子部分(29)之間的 加熱部分。
22、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中將所述加熱裝置(28)和 所述晶體管(16)的多晶硅圖形化為連續(xù)的島。
23、 如權(quán)利要求21或22所述的方法，其中將相同的摻雜應(yīng)用于 所述多晶硅層，以限定出所述場(chǎng)釋放區(qū)(20)和所述加熱部分。
24、 如權(quán)利要求21至23中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述摻雜操 作利用不同于對(duì)所述加熱部分的摻雜進(jìn)一步摻雜所述端子部分(29)。
25、 如權(quán)利要求21至24中任一項(xiàng)所述的方法，其中將與所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的源極和漏極接觸部分(22、 24)相同的摻雜應(yīng)用于所述端 子部分(29)。
26、 如權(quán)利要求19至25中任一項(xiàng)所述的方法，還包括在所述加 熱裝置上方形成加熱室(44)，其中金屬接觸層(90)延伸到所述加 熱室(44)下方的區(qū)域中，并且其中所述加熱裝置包括具有均勻摻雜 的多晶硅島。
27、 如權(quán)利要求19至26中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述摻雜操 作限定出多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)(100; 110)。
28、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述摻雜操作限定出與所 述源極(22)和漏極(24)中的每一個(gè)相鄰的場(chǎng)釋放區(qū)(100)。
29、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述摻雜操作限定出與所 述漏極(24)相鄰的具有不同摻雜的多個(gè)場(chǎng)釋放區(qū)(110)。
全文摘要
一種噴墨打印頭，包括打印頭加熱電路陣列，每一個(gè)所述打印頭加熱電路與各自的打印頭噴嘴有關(guān)。每一個(gè)加熱電路包括加熱裝置(28)和用于驅(qū)動(dòng)電流通過加熱裝置(28)的驅(qū)動(dòng)晶體管(16)。該驅(qū)動(dòng)晶體管(16)包括頂部柵極多晶硅薄膜晶體管，其在柵極下方具有場(chǎng)釋放摻雜區(qū)(20)，并且加熱裝置包括限定驅(qū)動(dòng)晶體管溝道的多晶硅層的一部分。這使得能利用多晶Si TFT技術(shù)在大的矩形基板上制造加熱電阻器和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)(以及控制邏輯)。
文檔編號(hào)B41J2/16GK101098788SQ200680001837
公開日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月6日
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