一種特殊膜系的綠色三銀low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設有Si3N4底層介質層、TiOx介質層、第一Ag層、第一NiCrOx膜層、第一ZnSnO3介質層、第一ZnO膜層、第二Ag層、第二NiCrOx膜層、第二ZnSnO3介質層、第二ZnO膜層、第三Ag層、NiCr膜層、第三ZnSnO3介質層、以及Si3N4頂層介質層。本發明具有如下優點：1、本發明結構簡單，創造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色三銀LOW-E玻璃，生產成本下降20％以上，成本較低。2、具有比傳統LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.02，節能效果顯著。
【專利說明】—種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃
【技術領域】
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[0001]本發明涉及一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃。
【背景技術】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內的多層金屬及其它化合物組成的膜系產品，具有節能減排及裝飾幕墻的雙重功效。
[0003]而綠色玻璃作為鍍膜玻璃的一個非常規品種，深受人們喜愛。隨著節能指標要求越來越嚴，在很多城市雙銀LOW-E玻璃都已無法滿足客戶需求，再加上設計師對綠色產品的熱寵，綠色三銀LOW-E玻璃的市場需求龐大。但目前大多數廠家生產綠色三銀LOW-E玻璃均采用綠色原片作為基底，生產成本較高。
[0004]故有必要對現有的產品作出改進，以提供一種成本較低的綠色三銀LOW-E玻璃。
【發明內容】
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[0005]本發明的目的在于提供一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其結構簡單，成本較低。
[0006]一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設有Si3N4底層介質層、T1x介質層、第一 Ag層、第一 NiCrOx膜層、第一 ZnSnO3介質層、第一 ZnO膜層、第二 Ag層、第二 NiCrOx膜層、第二 ZnSnO3介質層、弟~■ ZnO I吳層、弟二 Ag層、NiCr I吳層、弟二 ZnSnO3介質層、以及Si3N4頂層介質層。
[0007]本發明可通過如下方案進行改進:
[0008]所述Si3N4底層介質層的厚度為8.8nm。
[0009]所述T1x介質層的厚度為6.8nm。
[0010]所述第一 Ag層的厚度為6.7nm,所述第二 Ag層的厚度為12.7nm,所述第三Ag層的厚度為10.6nm。
[0011]所述第一 NiCrOx膜層的厚度為1.2nm，所述第二 NiCrOx膜層的厚度為lnm。
[0012]所述第一 ZnSnO3介質層的厚度為20.7nm,所述第二 ZnSnO3介質層的厚度為62.4nm,所述第三ZnSnO3介質層的厚度為18nm。
[0013]所述第一 ZnO膜層的厚度為32.7nm，所述第二 ZnO膜層的厚度為28.8nm。
[0014]所述NiCr膜層的厚度為lnm。
[0015]所述Si3N4頂層介質層的厚度為17nm
[0016]本發明具有如下優點:1、本發明結構簡單，創造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色三銀LOW-E玻璃，生產成本下降20%以上，成本較低。2、具有比傳統LOff-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.02，節能效果顯著。
【專利附圖】
【附圖說明】
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[0017]圖1為本發明結構剖視圖。【具體實施方式】:
[0018]如圖所示，一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材I，所述玻璃基材I為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設有Si3N4底層介質層2、T1x介質層3、第一 Ag層4、第一 NiCrOx膜層5、第一 ZnSnO3介質層6、第一 ZnO膜層7、第二 Ag層8、第二 NiCrOx膜層9、第二 ZnSnO3介質層10、第二 ZnO膜層11、第三Ag層12、NiCr膜層13、第三ZnSnO3介質層14、以及Si3N4頂層介質層15。
[0019]所述Si3N4底層介質層2的厚度為8.8nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氮氣作反應氣體濺射硅鋁靶(硅鋁比為92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0020]所述T1x介質層3的厚度為6.8nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷陶瓷鈦靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM ?420SCCM): (20 ?40SCCM)。
[0021]所述第一 Ag層4的厚度為6.7nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0022]所述第一 NiCrOx膜層5的厚度為1.2nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0023]所述第一 ZnSnO3介質層6的厚度為20.7nm,作為保護層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應氣體濺射ZnSn(質量百分比Zn:Sn =50:50)靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0024]所述第一 ZnO膜層7的厚度為32.7nm，用于平滑第二 Ag層8。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，為第二 Ag層8作鋪墊，降低輻射率。
[0025]所述第二 Ag層8的厚度為12.7nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0026]所述第二NiCrOx膜層9的厚度為lnm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0027]所述第二 ZnSnO3介質層10的厚度為62.4nm,作為保護層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應氣體濺射ZnSn(質量百分比Zn:Sn=50:50)靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0028]所述第二 ZnO膜層11的厚度為28.8nm，用于平滑第三Ag層12。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶、用氬氣作為濺射氣體、摻入少量氧氣制備而成，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM): (20?40SCCM)，為第三Ag層12作鋪墊，降低輻射率。
[0029]所述第三Ag層12的厚度為10.6nm，為功能層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶、氬氣作為濺射氣體制備而成，氣體流量500?550SCCM。
[0030]所述NiCr膜層13的厚度為lnm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鎳鉻合金靶、用氬氣作為濺射氣體制備而成，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。
[0031]所述第三ZnSnO3介質層14的厚度為18nm，作為保護層。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應氣體濺射ZnSn(質量百分比Zn:Sn =50:50)靶制備而成，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0032]所述Si3N4頂層介質層15的厚度為17nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氮氣作反應氣體濺射硅鋁靶(硅鋁比為92:8)制備而成，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質量。
[0033]本發明結構簡單，創造性地采用普通白色浮法玻璃作為玻璃基材，制造的綠色三銀LOW-E玻璃，生產成本下降20%以上，成本較低。另外，本發明具有比傳統LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.02，節能效果顯著。
[0034]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并非用來限定本發明實施的范圍，凡依本發明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發明專利涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材為白色浮法玻璃，其上表面由下而上依次設有Si3N4底層介質層、T1x介質層、第一 Ag層、第一NiCrOx膜層、第一 ZnSnO3介質層、第一 ZnO膜層、第二 Ag層、第二 NiCrOx膜層、第二 ZnSnO3介質層、第二 ZnO膜層、第三Ag層、NiCr膜層、第三ZnSnO3介質層、以及Si3N4頂層介質層。
2.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Si3N4底層介質層的厚度為8.8nm。
3.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述T1x介質層的厚度為6.8nm。
4.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 Ag層的厚度為6.7nm,所述第二 Ag層的厚度為12.7nm,所述第三Ag層的厚度為10.6nm。
5.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 NiCrOx膜層的厚度為1.2nm，所述第二 NiCrOx膜層的厚度為lnm。
6.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 ZnSnO3介質層的厚度為20.1xm,所述第二 ZnSnO3介質層的厚度為62.4nm,所述第三ZnSnO3介質層的厚度為18nm。
7.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 ZnO膜層的厚度為32.7nm，所述第二 ZnO膜層的厚度為28.8nm。
8.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述NiCr膜層的厚度為lnm。
9.根據權利要求1所述的一種特殊膜系的綠色三銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Si3N4頂層介質層的厚度為17nm。
【文檔編號】B32B17/06GK104290403SQ201410604454
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月30日 優先權日:2014年10月30日
【發明者】禹幸福, 陳圓 申請人:中山市亨立達機械有限公司