一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法。該方法將熒光半導體納米晶均勻分散在載體溶液中，然后將載體溶液均勻涂布于紙張上，將納米晶載入紙頁中，保留半導體納米晶獨特的熒光防偽性能，制備出納米晶防偽紙。本發明提供的熒光半導體納米晶防偽紙，半導體納米晶具有良好的光化學穩定性，保持了納米晶良好的熒光特性，具有比常規熒光防偽紙更加穩定的熒光防偽效果，且更加難以仿制。
【專利說明】一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于防偽紙制備【技術領域】，特別涉及一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著社會經濟的發展，防偽技術得到迅速發展，納米防偽技術是防偽【技術領域】的前沿科學技術。熒光半導體納米晶，通常由I1-VI族或II1-V族元素組成(如ZnS，ZnSe,CdS, CdSe, CdTe等)，直徑I?20 nm，具有獨特的電學，光學性能；其吸收光譜寬，發射光譜窄而對稱，通過調節組成和大小可以使其發射出不同顏色的光，如直徑3nm的CdSe量子點發綠色熒光，直徑6nm的CdSe量子點具有較小的帶隙能，而發紅色熒光；且不同顏色熒光可以被同一單色光源同時激發，具有一兀激發多兀發射，光學穩定性高，突光壽命長，摩爾消光系數較大，熒光量子產率較高，具有良好的光化學穩定性，是發展防偽標記編碼的良好材料。
[0003]半導體納米晶熒光性質受其表面結構影響較大，條件改變或其他物質的引入會使納米晶發生物理、化學作用，而改變納米晶表面的電荷和組成，甚至會引起核心電子空穴的重組，使納米晶熒光發生熒光猝滅。
[0004]開發合適的載體，使納米晶均勻分散在載體里，并以紙張涂布的方式通過載體將熒光納米晶載入到紙頁中，保留納米晶獨特的熒光特性，賦予紙張獨特的納米晶防偽性能，是一種新型的納米晶防偽紙，具有技術先進，防偽能力強，造假難度大等特點。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種新型的防偽紙，將熒光半導體納米晶均勻分散在合適的載體中，通過紙張涂布的方法，將納米晶通過載體載入紙頁中，保留半導體納米晶獨特的熒光性能，使紙張具有明顯的熒光防偽效果，具有技術先進，防偽能力強，造假難度大等特點。
[0006]本發明的技術方案為:一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，將熒光半導體納米晶均勻分散在載體溶液中，然后將載體溶液通過紙張涂布的方法均勻涂布于紙張上，將納米晶載入紙頁中，制備出納米晶防偽紙。
[0007]本發明所用半導體納米晶為CdTe和CdTe/CdS，納米晶成球狀，大小分布均勻，分散性好，尺寸在l_20nm，不同尺寸的半導體納米晶在受到激發時，會發出不同波長、不同顏色的熒光，納米晶的發射波長可以通過控制他們粒徑的大小來調諧，而獲得多種可分辨的熒光，不同尺寸大小的CdTe熒光可涵蓋整個可見光譜，優選地，本發明制備的防偽紙，納米晶分散在載體的濃度為0.1-0.5mg/ml。
[0008]本發明所用的載體為納米羧甲基淀粉、納米氧化淀粉，平均粒徑80_350nm，在85-95°C糊化30min，載體濃度為8_12%，納米晶在該載體中分散，具有良好的熒光化學穩定性。[0009]本發明提供的防偽紙，載體加載的納米晶可以同時使用兩種及兩種以上的不同尺寸大小的納米晶進行熒光標記，具有難以仿制的熒光防偽效果。
[0010]本發明提供的防偽紙，加載半導體納米晶的載體溶液，采用紙張涂布的方法，將載體溶液均勻涂布于紙頁的表面。
[0011]本發明提供的熒光半導體納米晶防偽紙具有的優點:采用載體加載熒光半導體納米晶制備防偽紙，納米晶具有良好的光化學穩定性，保持了納米晶良好的熒光特性，具有比常規熒光防偽紙更加穩定的熒光防偽效果，且更加難以仿制。
【具體實施方式】
[0012]實施例1:
采用納米羧甲基淀粉載體在90-95°C糊化30min，載體濃度為10%，分別加入粒徑為4nm和8nm的CdTe半導體納米晶，均勻分散在納米羧甲基淀粉溶液，納米晶濃度為0.2mg/ml，將含有納米晶的納米羧甲基淀粉溶液，采用涂布的方法，均勻涂布于紙頁的表面，干燥后，得到含有兩種不同尺寸的熒光半導體納米晶的防偽紙。采用紫外熒光燈對納米晶防偽紙進行照射，防偽紙顯示黃色和橙色熒光，可以明顯辨別出防偽紙中的半導體納米晶的熒光防偽效果。
[0013]實施例2:
采用納米氧化淀粉載體在90-95°C糊化30min，載體濃度為12%，分別加入粒徑為4nm和8nm的CdTe半導體納米晶，均勻分散在納米氧化淀粉溶液，納米晶濃度為0.4mg/ml，將含有納米晶的納米氧化淀粉溶液，采用涂布的方法，均勻涂布于紙頁的表面，干燥后，得到含有兩種不同尺寸的熒光半導體納米晶的防偽紙。采用紫外熒光燈對納米晶防偽紙進行照射，防偽紙顯示黃色和橙色熒光，可以明顯辨別出防偽紙中的半導體納米晶的熒光防偽效果。
[0014]實施例3:
采用納米氧化淀粉載體在90-95 °C糊化30min，載體濃度為10%，分別加入粒徑為4nm和IOnm的CdTe半導體納米晶，均勻分散在納米氧化淀粉溶液，納米晶濃度為0.3mg/ml，將含有納米晶的納米氧化淀粉溶液，采用涂布的方法，均勻涂布于紙頁的表面，干燥后，得到含有兩種不同尺寸的熒光半導體納米晶的防偽紙。采用紫外熒光燈對納米晶防偽紙進行照射，防偽紙顯示黃色和紅色熒光，可以明顯辨別出防偽紙中的半導體納米晶的熒光防偽效果。
【權利要求】
1.一種熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，其特征在于:將熒光半導體納米晶均勻分散在載體溶液中，然后將載體溶液均勻涂布于紙張上，將納米晶載入紙頁中，保留半導體納米晶獨特的熒光特性，制備出納米晶防偽紙。
2.根據權利要求1所述的熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，其特征在于:所述的半導體納米晶為CdTe和CdTe/CdS，納米晶成球狀，大小分布均勻，分散性好，尺寸在l-20nm，納米晶分散在載體的濃度為0.1-0.5mg/ml。
3.根據權利要求1所述的熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，其特征在于:所述的載體為納米羧甲基淀粉、納米氧化淀粉，平均粒徑80-350nm,在85_95°C糊化30min,載體濃度為8-12%。
4.根據權利要求1所述的熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，其特征在于:載體加載的半導體納米晶可以同時使用兩種及兩種以上的不同尺寸大小的CMTe和(MTe/CdS納米晶進行熒光標記。
5.根據權利要求1所述的熒光半導體納米晶防偽紙的制備方法，其特征在于:加載半導體納米晶的載體溶液，采用的是紙張涂布的方法，將載體溶液均勻涂布于紙頁的表面。
【文檔編號】D21H21/30GK103669111SQ201310717991
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月24日 優先權日:2013年12月24日
【發明者】陳啟杰, 王萍, 晏永祥 申請人:長沙理工大學