專利名稱：可鋼化雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍有雙銀層、復合電介質層及吸收層， 具有高效遮陽性能并且能夠實現可鋼化加工的低輻射鍍 膜玻璃。
技術背景
可鋼化雙銀結構的鍍膜玻璃，是在玻璃表面鍍制包括 雙銀層在內的多層金屬或其他化合物組成的具有良好性 能和可鋼化加工能力的膜系產品。由于采用雙銀層結構 使得該產品對可見光有較高的透射率的同時保有良好的 隔熱性能和遮陽性能，并且設置復合結構的多重金屬化 合層的長路徑確保銀層穩定來實現鍍膜后的鋼化再加 工。
采用真空磁控濺射法生產普通雙銀結構低輻射玻璃 的膜層結構一般為玻璃/基層電介質層/銀層/阻隔層/中層 電介質層/銀層/阻隔層/頂層電介質層。
基層電介質層的材料一般為金屬或非金屬的氧化物或
氮化物，如Sn02， ZnO， Nb205， Ti02， Si3N4等； 阻隔層一般為NiCr或'者NiCrOx;
中層和頂層電介質層的材料一般為金屬或非金屬的氧 化物或氮化物，如Sn02， ZnO， Nb205， Ti02， Si3N4等但是，在上述這種傳統結構的雙銀低輻射玻璃加工中， 只能對玻璃采用先鋼化再鍍膜的加工方式，這是因為
1. 先鍍膜后鋼化，加熱過程中玻璃中含有的納離子等 物質活性增強會滲透到膜系中，破壞電介質層和銀 層；
2. 先鍍膜后鋼化，銀層中的銀粒子會受熱遷移，凝聚， 產生霧化現象；
3. 先鍍膜后鋼化，熱環境下氧氣容易滲過化合物保護
層，使銀層部分或者全部氧化。 鈉離子的滲入，銀粒子凝聚和銀層氧化，會使鍍膜玻 璃產生斑點，霧化，降低低輻射性能。
隨著現代建筑的發展，出于美觀節能等考慮，普通的
單銀結構的可鋼化低輻射鍍膜玻璃在光學性能上已經不能
夠滿足客戶和設計師的要求，而越來越多的要求雙銀低輻
射玻璃在鍍膜后也可以進行鋼化處理工藝
發明內容
本發明的目的在于，生產出來的雙銀低輻射玻璃，在
鍍膜后可以進行鋼化處理工藝，而不影響產品的質量；利 用雙極脈沖電源濺射技術生產的Si3N4作為基層電介質層， 輔以陶瓷ZNO的吸收層組成2層復合電介質層(基層和中 間層)，合理選擇其他各層的厚度和膜層成分，生產出可以 進行高溫熱處理的低輻射鍍膜玻璃。
該玻璃的膜層結構自玻璃向外層依次為玻璃、包含吸收層的基層復合電介質層、銀層、阻隔層、包含吸收層
的中層復合電介質層、銀層、阻隔層、頂層電介質層；其 中
包含吸收層的基層復合電介質層為氮化硅Si3N4 +
氧化鋅ZnO鍍層，其總膜層厚度為5nm 75nm; 銀層Ag:膜層厚度為2nm 25nm;
阻隔層 一 般為NiCr， NiCrOx， Ti，Cr或其他金屬元素 膜層厚度為0~ 30nm;
包含吸收層的中層復合電介質層可以為氮化硅
Si3lSU，或氧化錫Sn02，或氧化鈦Ti02，或氧化鈮Kb205, 或氧化鋅錫ZnSnOx，或氧化鋅ZnO材料中的 一 種或者 幾種組合構成，其總膜層厚度為10nm 200nm; 頂層電介質層為金屬或者非金屬的氧化物或氮化物， 氮化硅Si3N4，或氧化錫Sn02，或氧化鈦Ti02,或氧化 鈮Kb205,或氧化鋅錫ZnSnOx， 膜層厚度為 10nm ~ 100nm。
本發明優點是在于，生產出來的雙銀低輻射玻璃， 在鍍膜后可以進行高溫鋼化處理工藝熱處理，而不影響產 品的質量。 '
本發明采用脈沖磁控濺射的方法，控制濺射電源的頻 率和占空比，在每層銀的前后采用復合電介質層來設置長 路徑，借助氮化硅Si3N4在熱處理中穩定的物理、化學性 能，有效的控制和阻隔了鈉離子的滲入，銀粒子凝聚和銀 層氧化等 一 系列的影響雙銀鍍膜玻璃低輻射性能和外觀質量的問題，保證低輻射鍍膜玻璃經過熱鋼化或者熱彎后， 鍍膜玻璃的顏色、透射率、反射率和低輻射率都不會產生 較大的變化，仍然保持的良好外觀效果和光熱性能。
附圖是本實用新型的玻璃層結構示意圖。 圖中標號說明
l-玻璃；2-包含吸收層的基層復合電介質層；3-銀層；4-阻隔層；5-包含吸收層的中層復合電介質層；6-銀層；7-阻隔層；8-頂層電介質層。'
具體實施方
請參閱附圖所示，本發明各個膜層的鍍膜厚度及各層結 構如前所述；各膜層結構自玻璃向外依次是-玻璃1;包 含吸收層的基層復合電介質層2;銀層3;阻隔層4;包含 吸收層的中層復合電介質層5;銀層6;阻隔層7;頂層電 介質層8。
具體生產配置如是用平板玻璃雙端連續式鍍膜機，包
括11個交流陰極，1 0個直流陰極，使用8個交流圓靶， 4個直流單靶，共12個靶位進行生產，制出本發明可鋼 化雙銀結構的鍍膜玻璃。
權利要求1、一種可鋼化雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該玻璃的膜層結構自玻璃向外層依次為玻璃、包含吸收層的基層復合電介質層、銀層、阻隔層、包含吸收層的中層復合電介質層、銀層、阻隔層、頂層電介質層；其中包含吸收層的基層復合電介質層為氮化硅Si3N4+氧化鋅ZnO鍍層，其總膜層厚度為5nm～75nm；銀層Ag膜層厚度為2nm～25nm；阻隔層一般為NiCr，NiCrOx，Ti，Cr；膜層厚度為0～30nm；包含吸收層的中層復合電介質層可以為氮化硅Si3N4，或氧化錫SnO2，或氧化鈦TiO2，或氧化鈮Kb2O5，或氧化鋅錫ZnSnOx，或氧化鋅ZnO材料中的一種或者幾種組合構成，其總膜層厚度為10nm～200nm；頂層電介質層為金屬或者非金屬的氧化物或氮化物，氮化硅Si3N4，或氧化錫SnO2，或氧化鈦TiO2，或氧化鈮Kb2O5，或氧化鋅錫ZnSnOx，膜層厚度為10nm～100nm。
專利摘要本實用新型提供一種可鋼化雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，該玻璃的膜層結構自玻璃向外層依次為玻璃、包含吸收層的基層復合電介質層、銀層、阻隔層、包含吸收層的中層復合電介質層、銀層、阻隔層、頂層電介質層；該死玻璃在鍍膜后可以進行鋼化處理工藝，而不影響產品的質量；利用以氮化硅Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>+ZnO作為基層復合電介質層；選用包括氧化錫SnO<sub>2</sub>，氧化鈦TiO<sub>2</sub>，氮化硅Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>；氧化鈮Kb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>中的一種或幾種輔以ZnO的吸收層組成中層復合電介質層，合理選擇其他各層的厚度和膜層成分，生產出可以進行高溫熱處理的雙銀結構低輻射鍍膜玻璃。
文檔編號B32B9/04GK201376937SQ200920068698
公開日2010年1月6日 申請日期2009年3月11日 優先權日2009年3月11日
發明者斌 吳, 徐佳霖, 方志堅, 李志軍, 王茂良, 葛建軍, 云 顧, 黃一波 申請人:上海耀華皮爾金頓玻璃股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司;上海耀皮建筑玻璃有限公司;天津耀皮工程玻璃有限公司