專利名稱：：被加工物的加工方法
技術領域：
：本發明涉及一種被加工物的加工方法。進而涉及由該方法獲得的半導體裝置。本發明的被加工物的加工方法尤其適用于硅半導體、化合物半導體晶圓、半導體封裝件、玻璃等被加工物。
背景技術：
：在半導體裝置的制造方法中具有下述工序首先，在半導體晶圓的電路形成面上貼合保護片之后，對半導體晶圓的背面進行研磨等加工。在實施該工序之后，將半導體晶圓轉印到切割用粘著片上，對半導體晶圓進行切割。在剝離保護片后將半導體晶圓單體貼合到半導體晶圓間的切割用粘著片上，或者在由保護片支承半導體晶圓的狀態下將半導體晶圓貼合在半導體晶圓間的切割用粘著片上。作為上述切割用粘著片例如如日本特開2001—234136號7>才艮所/>示。但是，在半導體晶圓逐漸薄化、脆弱化的近年來，該半導體晶圓變得容易破損。因此，根據上述方法，即使貼合在切割用粘著片上的半導體晶圓產生翹起，矯正該翹起也較為困難。若難以矯正翹起，則使半導體晶圓吸附在吸附臺上時，有時不能使該半導體晶圓緊密貼合在該吸附臺上而出現吸附錯誤。另外，由于輸送中微小的沖擊導致半導體晶圓破損的情況也變得顯著。因此，從保護半導體晶圓的方面考慮，研究如下這樣的所謂臺座方式，即、通過雙面粘著片將支承片等機械強度較大的支承板貼合在半導體晶圓上，增強半導體晶圓的機械強度的同時，將該半導體晶圓轉印到切割用粘著片上。在臺座方式中，由于需要用低應力從半導體晶圓上剝離雙面粘著片，因此，通常雙面粘著片采用熱剝離型或者輻射線固化型材料。使用熱剝離型或者輻射線固化型的雙面粘著片時，在剝離該雙面粘著片時，對雙面粘著片進行加熱或者照射輻射線，降低雙面粘著片的粘著力，使剝離變得容易。但是，由于以往的切割用粘著片的耐熱性差，所以通過熱(在照射輻射線時為輻射線輻射熱)會增大切割用粘著片的粘著力。因此，存在切割后半導體芯片的拾取變得困難，還殘留粘漿的問題。
發明內容本發明是為解決上述以往問題而作出的，其目的在于提供一種使用了在對半導體晶圓等被加工物進行轉印、切割時表現出足夠的粘著性、在拾取半導體芯片等被加工物小片時表現出易剝離性的、耐熱性優良的切割用粘著片的被加工物加工方法以及由該方法獲得的半導體裝置。本申請發明人為了解決上述問題，對;故加工物的加工方法以及由該方法獲得的半導體裝置進行了研究。其結果發現，可以通過采用下述構成來達到上述目的，以至完成了本發明。即，為了解決上述問題，本發明的^c加工物的加工方法，包括如下工序在切割用粘著片上貼合通過具有熱剝離型或輻射線固化型粘著層的雙面粘著片固定在支7義才反上的5^皮加工物的工序；對上述雙面粘著片進行加熱或者照射輻射線而從上述被加工物剝離該雙面粘著片的工序；對貼合有上述切割用粘著片的上述被加工物進行切割而形成被加工物小片的工序；以及對上述被加工物小片進行拾取的工序，上述切割用粘著片是在基材膜上至少設置粘著劑層而構成的，上述切割用粘著片使用如下這樣的粘著劑層上述粘著劑層含有丙烯酸類聚合物，且粘著劑層的厚度為1~50pm，其中，該丙烯酸類聚合物含有5重量％以上的在側鏈上具有烷氧基的單體。在上述方法中使用的切割用粘著片具有含丙烯酸類聚合物的粘著劑層，其中，該丙烯酸類聚合物含有5重量％以上的在側鏈上具有烷氧基的單體。若為上述構成的粘著劑層，則即使由于在從被加工物剝離雙面粘著片時進行加熱或者照射輻射線而被加熱(在照射輻射線時為輻射線輻射熱)，也可以抑制粘著力的增大。雖然其機理未必明確，但是可以看出其原因為，通過丙烯酸類聚合物以及稍微表面偏析的低分子量成分的玻璃化轉變點高溫位移，可以提高內聚力等。因此，由于在拾取被加工物小片時表現出良好的剝離性，減少發生拾取不良，所以，變得可以成品率較高地制作半導體裝置。另外，由于切割用粘著片的粘著劑層厚度為150iim,因此，可以抑制切割;陂加工物時產生的"t展動的振幅變大，減少發生在被加工物小片上產生破片(碎屑)。另一方面，通過將粘著劑層的厚度設定為llim以上，可以可靠地保持被加工物，從而使被加工物在切割時不容易剝離。優選是上述粘著劑層含有5重量％以上的在側鏈上具有氮的單體。優選是上述粘著劑層表面相對于水的接觸角為90度以下。上述方法所使用的切割用粘著片的粘著劑層，由于具有相對于水的接觸角處于上述范圍內的物性，因此，具有在切割時可靠固定被加工物的粘著力、以及在拾取時可以容易剝離的剝離性。因此，若為使用上述切割用粘著片的上述方法，則可以進一步提高成品率。優選是上述粘著劑層在25。C時的損耗角正切tan5為0.5以下，并且在5(TC時的損耗角正切tan5為0.15以下。上述方法所使用的切割用粘著片的粘著劑層，由于具備25。C時的tan5為0.5以下、50°C時的tan5為0.15以下的物性，因此，表現出在拾取時能容易剝離的剝離性。因此，若為使用上述切割用粘著片的上述方法，則可以進一步提高成品率。在上述方法中，作為上述切割用粘著片，使用上述丙烯酸類聚合物在分子內全部側鏈中1/100以上的側鏈上分別具有1個碳-碳雙鍵的物質，在拾取上述被加工物小片時，可以向上述粘著劑層照射輻射線。若上述粘著劑層含有輻射線固化型丙烯酸類聚合物，其中，該輻射線固化型丙烯酸類聚合物其全部側鏈的1/100以上具有1個碳-碳雙鍵，則可以通過照射輻射線使粘著劑層固化而降低粘著性。因此，在拾取被加工物小片時向粘著劑層照射輻射線，從而可以使被加工物小片的剝離變得更加容易，提高生產率。優選是上述粘著劑層含有在l個分子中具有平均6個以上碳-碳雙鍵的輻射線固化型粘著劑，并且，將切割用粘著片貼合在鏡面硅片上，在150。C加熱1分鐘，再以23mJ/cn^的照射強度照射20秒鐘輻射線之后，在測定溫度為23±3。C、粘著劑層表面與鏡面硅片表面的夾角為180。、拉伸速度為300mm/分鐘的條件下進行剝離時的粘著力為0.5N/25mm帶寬以下。.粘著劑層含有輻射線固化型粘著劑，其中，該輻射線固化型粘著劑平均在一個分子中具有6個以上碳-碳雙鍵，并且，使用在上述條件中粘著劑層粘著力為0.5N/25mm帶寬以下的切割用粘著片，從而可以防止在拾取^皮加工物小片時的拾取不良。優選是上述丙烯酸類聚合物的重均分子量為50萬以上。優選是上述切割用粘著片中的粘著劑層具有從被加工物剝離后、該被加工物貼著面上的表面有機物污染增加量△C為5%以下的剝離性。若粘著劑層具有上述剝離性，則可以減少所謂的粘漿殘留，進一步提高被加工物的加工方法的成品率。優選是作為上述雙面粘著片，在基材的兩面分別具有上述粘著層，至少其中任一粘著層為熱剝離型粘著層。為了解決上述問題，本發明所涉及的半導體裝置的特征在于，通過上述記載的^C加工物的加工方法可以獲得。通過上述方法，本發明可以起到下述效果。即，對本發明;陂加工物的加工方法，由于作為切割用粘著片使用含丙烯酸類聚合物的粘著劑層，其中，該丙烯酸類聚合物含有5重量％以上的在側鏈上具有烷氧基的單體，因此，對具有熱剝離型或者輻射線固化型粘著層的雙面粘著片進行加熱或照射輻射線而降低粘著層的粘著力時，可以抑制切割用粘著片的粘著劑層的粘著力增大。由此，具有在切割被加工物時可以可靠固定該被加工物的粘著力、并在拾取被加工物小片時也能維持良好的剝離性。其結果是，減少發生切割不良、拾取不良，可以成品率較高地加工被加工物。本發明的其他目的、特征及優點將通過以下所述能夠得到充分說明。另外，參照附圖，通過接下來的說明能使本發明的優點更明了。圖l為概略表示本發明中一實施方式的切割用粘著片的截面示意圖。圖2為用于說明使用了上述切割用粘著片的半導體晶圓的加工方法的工序圖。具體實施例方式對于本發明的實施方式，以采用了半導體晶圓作為被加工物的情況為例進行以下說明。首先，對本實施方式的切割用粘著片(以下簡稱為"粘著片，，)進行說明。圖l為概略表示上述粘著片的截面示意圖。如圖l所示，粘著片10具有在基材膜11上層疊粘著劑層12及分隔片13的結構。粘著片10可以做成片狀、巻狀等形狀、根據用途形成合適的形狀。例如在半導體晶圓切割中使用時，優選使用預先切割加工成規定形狀的粘著片。而且，在本實施方式中，以只在基材膜11的單面上設置粘著劑層12的狀態為例進行說明，但本發明不限于此。例如，也可以是在基材膜ll的兩面設置粘著劑層12的狀態。基材膜ll為粘著片IO的強度基體。對于基材膜ll沒有特殊限制，尤其適宜使用塑料膜。作為塑料膜的構成材料，可以列舉例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-醋酸乙烯共聚物、離子鍵樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二曱酸乙二酯、聚對苯二曱酸丁二酯、聚對萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟樹脂、硅酮樹脂、纖維素類樹脂以及上述材料的交聯體等的聚合物。而且，根據需要，上述構成材料也可以接枝官能團、功能性單體或改性單體來使用。為了提高基材膜ll表面與同其相鄰的層之間的密合性、保持性等，可以對基材膜ll表面實施慣用的表面處理，例如實施鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學處理或物理處理、通過底層涂料(例如后述的粘著物質)實施的涂層處理。基材膜ll可以適當選擇使用相同種類或者不同種類的材料。另外，根據需要還可以采用混合多種材料而成的混合物。另外，為了使基材膜ll具有抗靜電能力，可以在上述基材膜ll上設置由金屬、合金、它們的氧化物等構成的厚度為30500A左右的導電性物質的蒸鍍層。基材膜ll可以為單層或者2層以上的多層。而且，粘著劑層12為輻射線固化型粘著劑層時，采用至少一部分透過X線、紫外線、電子束等輻射線的材料。對于基材膜11的厚度沒有特別限制，可以進行適當確定，通常是10~300iim,優選是25~200pm，更優選是30~200,。作為基材膜ll的制膜方法，可以采用以往公知的方法。具體地說，可以優選使用例如壓延制膜、澆注制膜、膨脹(inflation)擠壓、T型模具擠壓等方法。基材膜ll也可以是單層膜或者多層膜中任一種。另外，也可以是將上述2種以上的樹脂進行干摻合而成的混合基材。多層膜采用上述樹脂等，可以通過共擠法、干式層壓法等慣用的膜層疊法進行制造。另外，基材膜ll也可以在不拉伸的狀態下使用，根據需要也可以進行單軸或二軸的拉伸處理。對于這樣制造出的基材膜ll的表面，根據需要可以實施無光澤處理、電暈放電處理、底涂處理、交聯處理等慣用的物理處理或者化學處理。粘著劑層12含有丙烯酸類聚合物。丙烯酸類聚合物起到基本聚合物的作用，含有5重量％以上的單體，其中，該單體在側鏈上具有烷氧基。丙烯酸類聚合物含有在側鏈上具有烷氧基的單體從而抑制由熱(在照射輻射線時為輻射線輻射熱)引起的粘著力增大的機理未必明確。但是，可認為是通過丙烯酸類聚合物以及稍微表面偏析的低分子量成分的玻璃化轉變點高溫位移而可以提高內聚力等。另外，若為上述粘著劑層12的構成，則即使在剛實施完研磨工序之后等，半導體晶圓的貼著面上存在活性原子時，也可以抑制在該原子與構成粘著劑層12的丙烯酸類聚合物之間產生化學性結合。其結果是，即使在長時間貼合后，也可以防止粘著劑層12的粘著力過于增大，可將拾取(pick-up)性維持在理想狀態。粘著劑層12的厚度優選在1~50tim范圍內。通過將粘著劑層12的厚度設定為501im以下，可以防止在對半導體晶圓進行切割時產生的振動的振幅變得過于大。其結果是，可以減少半導體芯片產生破裂，即減少碎屑。另一方面，通過將粘著劑層12的厚度設定為lnm以上，可以可靠保持半導體晶圓，從而使半導體晶圓在切割時很難剝離。另外，粘著劑層12的厚度更優選在3~20pim范圍內。通過使該粘著劑層12的厚度在該范圍內，可以進一步減少碎屑，而且也可以在切割時更加可靠地固定半導體晶圓，可以防止發生切割不良。對于粘著劑層12的表面，優選是使該粘著劑層12的表面相對于水的接觸角為90度以下，更優選是大于40度且87度以下。通過使該粘著劑層12的表面相對于水的接觸角處于該范圍內，可以維持能夠可靠保持半導體晶圓的粘著力，從而使切割時的半導體晶圓難以剝離，同時，使進行切割后的半導體晶圓(半導體芯片)的剝離變得容易，維持良好的拾取性。而且，若該粘著劑層12的表面相對于水的接觸角為40度以下，則有時構成粘著劑層12的聚合物的聚合變得不夠充分。另外，例如通過調整構成聚合物的單體組成及/或組成比例，可以在上述范圍內增大或者減少接觸角的值。優選是粘著劑層12在25。C、頻率為1Hz中的損耗角正切tan5為0.5以下，并且在50。C、頻率為1Hz中的損耗角正切tan5為0.15以下。由于使粘著劑層12的上述參數處于上述范圍內，即使在長時間貼合后，也可以維持良好的拾取性。另外，在上述范圍內，通過將粘著劑層12在25。C、頻率為lHz中的損耗角正切tan5設定為0.01以上，且將粘著劑層12在5CTC、頻率為lHz中的損耗角正切tan5設定為0.001以上，可以良好地保持粘著劑層12相對于半導體晶圓的濡濕性，還可以減少產生空隙。而且，將粘著劑層12的儲藏彈性模量設為G，、將損失彈性模量設為G"時，損耗角正切tan5用tan5-G"/G,表示。粘著劑層12的粘著力優選是0.5N/25mm帶寬以下，更優選是0.05~0.3N/25mm帶寬。若粘著力為0.5N/25mm帶寬以下，則拾取性良好，可以減少產生殘留粘漿。例如，通過調整構成聚合物的單體組成及/或組成比例、或者調整粘著劑層12的厚度，可以在上述范圍內增大或減少粘著劑層12粘著力的值。粘著劑層12的粘著力的值為下述情況的值將該粘著劑層12貼合在鏡面娃片(siliconmirrorwafer)上，在150。C力口熱l分鐘，再以23mJ/cn^的照射強度照射20秒鐘輻射線之后，在23±3°C的測定溫度，使粘著劑層12表面與鏡面硅片表面的夾角為180°，使拉伸速度為300mm/分鐘，剝離粘著片IO。另外，使用鏡面硅片規定粘著劑層12的粘著力是由于，鏡面硅片表面的粗糙狀態為一定程度的平滑，且該鏡面硅片與作為切割及拾取對象的半導體晶圓、即半導體晶圓等為同樣材質的材料。另外，以測定溫度為23±3°C時的粘著力為基準是由于，通常拾取是在室溫(23°C)下進行的。優選是粘著劑層12具有剝離性，使由硅構成的半導體晶圓的貼著面上的表面有機物污染增加量△C為5%以下。由于粘著劑層12具有這樣的剝離性，所以，可以使拾取后的半導體芯片上減少殘留粘漿。而且，表面有機物污染增加量AC(%)的值為d(%)減去半導體晶圓的表面有機物污染量值C2(%)而得出的值，其中，d(%)為在23。C時將粘著片IO貼合在半導體晶圓上、在切割了半導體晶圓之后且將要進行拾取之前、在23。C剝離了粘著片IO時的表面有機物污染量的值。另外，粘著劑層12含有后述的輻射線固化型粘著劑時，表面有機物污染增加量△C表示為在照射輻射線后進行剝離后的值。△C二表面碳元素比例d(%)-表面碳元素比例C2(%)作為上述的在側鏈上含有烷氧基的單體，可以列舉例如(曱基)丙烯酸曱氧基乙酯、(曱基)丙烯酸乙氧基乙酯等。而且，(曱基)丙烯酸酯的意思為含有丙烯酸酯和曱基丙烯酸酯兩種。另外，本發明的(甲基)都是相同的意思。上述丙烯酸類聚合物優選含有5重量份以上的單體，其中，該單體在側鏈上含有氮。作為在側鏈上含有氮的單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酰胺，(曱基)丙烯酸N-羥曱基酰胺，(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，曱基丙烯酸二曱氨基乙酯、曱基丙烯酸叔丁氨基乙酯等)，N-乙烯吡咯烷酮，丙烯酰嗎啉，丙烯腈，N，N-二曱基丙烯酰胺等。以內聚力、耐熱性等的改性為目的，根據需要，丙烯酸類聚合物可以含有對應其他單體成分的單元，其中，上述其他單體成分可以與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或者環烷基酯共聚。作為(曱基)丙烯酸烷基酯或者環烷基酯的烷基，可以列舉例如曱酯、乙酯、丁酯、2-乙基己酯、辛酯等。另外，作為其他單體成分，可以列舉例如丙烯酸、曱基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(曱基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體，馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體，(曱基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(曱基)丙烯酸12-羥十二烷基酯、(曱基)丙烯酸(4-羥曱基烷己基)曱酯等含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯酰胺-2-曱基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體，2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基單體，丙烯酰胺，丙烯腈等。這些可共聚的單體成分可以使用1種或者2種以上。理想的是，這些可共聚的單體的使用量優選為全部單體成分的40重量％。以交聯為目的，根據需要，上述丙烯酸類聚合物還可以含有作為共聚用單體成分的多官能性單體等。作為這樣的多官能性單體，可以列舉例如二(曱基)丙烯酸己二醇酯、二(曱基)丙烯酸(多)乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸(多)丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三羥甲基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、三(曱基)丙烯酸季戊四醇酯、六(曱基)丙烯酸二季戊四醇酯、(甲基)丙烯酸環氧酯、聚酯(曱基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用l種或者2種以上。從粘著特性等方面來看，多官能性單體的使用量優選為全部單體成分的30重量％以下。上述丙烯酸類聚合物通過聚合單一的單體或者2種以上單體混合物而獲得。可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等中任意一種方式進行聚合。從防止半導體晶圓等受到污染等方面來看，粘著劑層12優選低分子量物質的含有量小。從該點來看，丙烯酸類聚合物的重均分子量優選為50萬以上，更優選為80萬~300萬左右。另外，為了增大基本聚合物、即丙烯酸類聚合物等的重均分子量，還可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體方法，可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、密胺樹脂、尿素樹脂、酸酐、聚氨、含羧基聚合物等所謂的交聯劑并使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與應交聯的基本聚合物的平衡，再根據粘著劑的使用用途進行適當決定。通常，優選相對于100重量份上述基本聚合物配合O.Ol~IO重量份上述外部交聯劑。而且，根據需要，除了上述成分之外，還可以含有現在眾所周知的各種增粘劑、防老化劑、填充劑、著色劑等慣用添加劑。為了防止切割時芯片剝離，并提高拾取時從芯片剝離的剝離性，優選是由輻射線固化型粘著劑形成粘著劑層12。使用輻射線固化型粘著劑，照射輻射線，增大其交聯度，從而可以容易降低粘著劑層12的粘著力。作為輻射線，可以列舉例如紫外線、電子束等。輻射線固化型粘著劑可以沒有特殊限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性的官能團并且體現粘著性的粘著劑。特別優選在一個分子中具有平均6個以上碳-碳雙鍵的輻射線固化型粘著劑。作為輻射線固化型粘著劑，可以列舉在上述丙烯酸類聚合物中配合了輻射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型輻射線固化型粘著劑。作為配合的輻射線固化性單體成分或低聚物成分，可以列舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(曱基)丙烯酸季戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、(曱基)丙烯酸l，6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、六(曱基)丙烯酸二季戊四醇酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物，丙烯酸酯低聚物、2-丙烯基-3-丁烯基異氰脲酸酯、三(2-曱基丙烯酰氧乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯或者異氰脲酸酯化合物等。另外，作為平均在一個分子中具有6個以上碳-碳雙鍵的輻射線固化型粘著劑，可以列舉DPHA-40H(商品名稱，日本化藥(抹)生產)等。對于上述輻射線固化性單體成分或者低聚物成分的配合量沒有特殊限制，若考慮到降低對拾取時、即照射輻射線后對半導體晶圓的剝離粘著力，則優選在粘著劑中配合IO~200重量%,更優選為25~100重量％。對于輻射線固化性單體成分或者低聚物成分的粘度沒有特殊限制。另外，輻射線固化性單體成分或低聚物成分也可以混合1種或者2種以上。另外，輻射線固化型粘著劑可以使用基本聚合物，即在聚合物的側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物。這情況下，也可以不用特別添加輻射線固化性單體或者低聚物成分，該使用是任意的。另外，上述丙烯酸類聚合物優選為在其分子內全部側鏈中1/100以上的側鏈上分別具有一個碳-碳雙鍵的雙鍵導入型丙烯酸類聚合物。但是，在丙烯酸類聚合物的主鏈中或者主鏈末端也可以具有碳-碳雙鍵。具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物沒有必要含有或較少含有低分子成分、即低聚物成分等。因此，低聚物成分等不會隨著時間的變化在粘著劑中移動，可以形成層結構穩定的粘著劑層12。對于在上述丙烯酸類聚合物中導入碳-碳雙鍵的方法沒有特殊限制，可以采用各種方法。從分子設計方面來看，將碳-碳雙鍵導入丙烯酸類聚合物側鏈是有利的。作為上述方法，可以列舉例如下述方法預先在丙烯酸系聚合物中共聚具有官能團的單體之后，在維持碳-碳雙鍵輻射線固化性的狀態下，使具有能與該官能團反應的官能團及碳-碳雙鍵的化合物進行縮合或者加成反應。作為將導入的碳-碳雙鍵控制為全部側鏈的1/100以上的方法，例如，通過適當調節縮合或者加成反應的上述化合物添加量而實施。作為這些官能團的組合的例子，可以列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與吖丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。從反應追蹤的容易性出發，在這些官能團的組合中，羥基與異氰酸酯基的組合是合適的。另外，若組合是通過上述官能團的組合，生成具有上述碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸系聚合物和上述化合物的任意一側，而在上述的優選的組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基時是理想的。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如曱基丙烯酰異氰酸酯、2-曱基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-oc，a-二曱基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可以使用將上述例舉的含羥基單體、2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇一乙烯基醚的醚類化合物等進行共聚后的物質。在輻射線固化型粘著劑中，可以單獨使用具有上述碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物。另外，可以在不使特性惡化的程度下，配合上述輻射線固化性單體成分、低聚物成分進行使用。通常相對于100重量份丙烯酸類聚合物，輻射線固化性低聚物成分等的配合量為10IOO重量份的范圍內，優選為20~75重量份的范圍。使上述輻射線固化型粘著劑在利用紫外線等固化時含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如苯偶姻曱醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚類，苯偶酰、苯偶姻、二苯曱酮、a-羥基環己基苯酮類等芳香族酮類，苯偶酰二曱基縮酮等芳香族縮酮類，聚乙烯二苯甲酮、氯代瘞噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等逸噸酮類等。光聚合引發劑的配合量相對于構成粘著劑的100重量份丙烯酸類聚合物，光聚合引發劑的配合量例如為0.1IO重量份，優選是0.5~5左右重量份左右。另外，除了輻射線固化型粘著劑之外，粘著劑層12也可以使用熱剝離型粘著劑。即使使用熱剝離型粘著劑，也容易剝離半導體晶圓，可以使拾取性良好。作為熱剝離型粘著劑，可以列舉在丙烯酸類聚合物等中配合有熱膨脹性微粒的熱發泡型粘著劑。在達到半導體晶圓的粘接目的后，對含有熱膨脹性微粒的粘著劑層12進行加熱，從而粘著劑層12發泡或者膨脹，使粘著劑層12表面變化成凹凸狀。其結果是，減少了該粘著劑層12與半導體晶圓的粘接面積，降低了粘著力，使剝離變得容易。對于上述熱膨脹性微粒沒有特殊限制，可以選擇使用各種無機類或者有機類的熱膨脹性微小球。另外，也可以使用使熱膨脹性物質微嚢化而成的膨脹'性微粒。在本實施方式中，以粘著劑層12是單層時為例進行了說明。但是，本發明不限于此，粘著劑層12也可以是層疊了多層的結構。作為在基材膜11上形成粘著劑層12的方法，可以采用以往公知的方法。例如，可以采用在基材膜ll上直接涂敷粘著劑層12的構成材料的方法，以及在涂敷了脫膜劑的片上涂敷上述構成材料使其干燥而形成粘著劑層12之后，將該粘著劑層12轉印到基材膜ll上的方法等適當方法。分隔片13具有保護粘著劑層12、標簽加工以及使粘著劑層12表面變平滑的功能，另外，為了達到上述目的，可以適當地根據需要進行設置。作為分隔片13的構成材料，可以列舉紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂膜等。為了提高從粘著劑層12剝離的剝離性，可以根據需要對分隔片13表面實施硅酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。另外，根據需要，為了防止粘著劑層12因環境紫外線產生反應，也可以實施防紫外線處理。分隔片13的厚度通常為10~200nm,優選是25100nm左右。接著，對本實施方式的被加工物的加工方法進行說明。圖2(a)~2(f)為用于說明上述加工方法的工序圖。如圖2(a)所示，將通過雙面粘著片2固定于支承片(支承板)3上的半導體晶圓l貼合在粘著片IO上，并將其固定在切割架4上(安裝工序)。一邊以使粘著劑層12—側作為貼合面的方式疊合半導體晶圓l與粘著片10,并用壓接輥等按壓裝置進行按壓，一邊進行安裝工序。另外，在可以加壓的容器(例如高壓鍋等)中，也可以如上述那樣地疊合半導體晶圓l與粘著片IO,并對容器內進行加壓來使其相粘貼。這時，也可以一邊用按壓裝置進行按壓，一邊進行粘貼。另外，在真空容器內，也可以與上述同樣地進行粘貼。在進行粘貼時的粘貼溫度沒有任何限制，優選是2080。C。優選是雙面粘著片2可靠地保持半導體晶圓1，可在所希望的階段進行剝離。作為這樣的雙面粘著片2，適合使用至少在基層材料一面上具有熱剝離性粘著劑層或紫外線固化型粘著劑層等低應力剝離型粘著劑層的構造。在本實施方式中，可以在基材的兩面設置熱剝離性粘著劑層。尤其優選使用在上述低應力剝離型粘著劑層中含有可以自然剝離的熱膨脹性微小球的熱剝離性雙面粘著片2。作為含有上述熱膨脹性微小球的熱剝離性雙面粘著片，例如，可以列舉日東電工(抹式會社)制"卩A7，，(商品名稱)。另外，作為設置在上述基材的另一面上的粘著層，可以根據目的而任意設置壓敏型、紫外線固化型、熱剝離性、熱固化型、熱熔化型等的粘著層。雙面粘著片中的熱剝離性粘著劑層或者紫外線固化型粘著劑層可以貼合在半導體晶圓一側或者支承片一側中任一側。接著，如圖2(b)所示，在支承片3上載置吸附式加熱塊5，并對雙面粘著片2進行加熱。由此，雙面粘著片2的熱剝離性粘著層中含有的熱膨脹性微小球發生熱膨脹，減小了該雙面粘著片2與半導體晶圓l及支承片3的粘接面積，使剝離容易。另夕卜，對于加熱條件沒有特殊限制，可根據構成雙面粘著片中粘著層的構成材料進行適當設定。具體來說，使用例如吸附式加熱塊時，可以在100。C溫度加熱1分鐘。接著，如圖2(c)所示，從雙面粘著片2剝離支承片3。進而，使用剝離帶7剝離殘留在半導體晶圓l上的雙面粘著片2(參照圖2(d))。作為剝離所使用的裝置，有例如日東精機制PM-8500II、MA-3000II等。此外，在雙面粘著片2也可以與支承片3—起從半導體晶圓l剝離下時，也可以同時剝離該雙面粘著片2與支承片3。另外，從粘著片10除去吸附式加熱塊5(圖2(f)),對半導體晶圓進行切割。切割是用于使半導體晶圓l形成單片而制造半導體芯片(被加工物小片)。切割是這樣進行的按照常規方法，例如從半導體晶圓l的電路面一側進行切割。采用刀片切割、激光切割、等離子切割、或者軋列等公知的方法，將半導體晶圓l切割成規定尺寸。另外，在本工序中，可以采用例如一直切入到粘著片10的、稱作全切的切割方式等。作為本工序所使用的切割裝置沒有特殊限制，可以使用以往公知的裝置。另外，由于通過粘著片IO粘接固定半導體晶圓1,因此，可抑制芯片破裂或芯片碎裂，并且也可以抑制半導體晶圓l的破損。接著，對通過切割形成的半導體芯片進行拾取。作為拾取方法沒有特殊限制，可以采用以往公知的各種方法。可以列舉例如下述方法等用針從粘著片IO—側將每個半導體芯片推上去，通過拾取裝置拾取被推上去的半導體芯片。粘著片10中的粘著劑層12具有耐熱性，抑制由于加熱或者輻射線輻射熱引起的粘著力增強。因此，也可以由厚度為100nm以下的薄型半導體晶圓、機械強度小的化合物晶圓、MEMS(微電子機械系統)晶圓等高效率地獲得半導體芯片。在此，使用具有輻射線固化型粘著劑層或者熱剝離型粘著劑層的粘著片IO時，也可以對粘著劑層12進行輻射線照射或者加熱處理。由此可以降低粘著性、并使拾取容易。使用輻射線固化型粘著劑層時，輻射線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特殊限制，可以根據要求適當進行設定。另外，使用熱剝離型粘著劑層時，當對其進行加熱時，由于熱發泡性或者熱膨脹性成分而使粘著劑層發生膨脹，可以顯著減少該粘著劑層與半導體芯片的粘接面積。與此，降低了粘著片IO相對于半導體芯片的粘著力，從半導體芯片容易剝離粘著片10。其結果是，可以不損壞半導體芯片地進行拾取。進行加熱處理時的加熱溫度、加熱時間等加熱條件沒有特殊限制，也可以根據需要適當進行設定。在上述說明中，以使用半導體晶圓作為被加工物時為例進行了說明。但是，本發明不限于此，對半導體封裝件、玻璃、陶瓷等被加工物也可適用。下面，以本發明的優選實施例為例進行詳細說明。但是，對于該實施例所記載的材料和配合量等，只要沒有特別限制，本發明的范圍不限于上述，只不過是說明例而已。(實施例1)使用厚度為501im的、由聚對苯二曱酸乙二酯形成的膜作為基材膜。對該膜的單面實施電暈處理。采用常規方法，在乙酸乙酯中共聚75重量份丙烯酸甲酯、IO重量份丙烯酸曱氧基乙酯、IO重量份N-乙烯吡咯烷酮、以及10重量份丙烯酸2-羥乙酯。由此，獲得一種含有重均分子量為50萬的丙烯酸系共聚物的溶液，其中，該丙烯酸系共聚物在丙烯酸2-羥乙酯側鏈末端OH基的90%中加成反應2-甲基丙烯酰氧乙烯異氰酸酯的NCO基、并在末端附加碳-碳雙鍵。接著，在含有丙烯酸系共聚物的溶液中，加入70重量^f分五官能團輻射線固化性低聚物(25°C時的粘度為lOPa'sec)、3重量份光聚合引發劑(商品名稱為"IRGACURE651"、CibaSpecialityChemicalsInc.制造)、以及2重量份多異氰酸酯化合物(商品名稱為"CoronateL",NIPPONPOLYURETHANEINDUSTRYCO.，LTD.制造)，獲得丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液。將上述調整出的丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液涂敷在上述膜的電暈處理面上，在80。C加熱交聯10分鐘。由此，形成厚度為10pm的紫外線固化型粘著劑層。接著，在該輻射線固化型粘著劑層的表面貼合分隔片，制造成紫外線固化型切割用粘著片。(比較例1)使用常規方法，在乙酸乙酯中共聚85重量份丙烯酸丁酯、223重量份丙烯酸、15重量份丙烯腈。由此，獲得含有重均分子量為85萬的丙烯酸系共聚物的溶液。接著，在含有丙烯酸系共聚物的溶液中，加入20重量份五官能團輻射線固化性低聚物(25X:時的粘度為10Pa'sec)、3重量份光聚合引發劑(商品名稱為"IRGACURE651"、CibaSpecialityChemicalsInc.制造)、以及0.1重量4分環氧交聯劑(商品名稱為"TETRADC"，MITSUBISHIGASCHEMICALCOMPANY,INC.制造)，獲得丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液。接著，除了使用上述調整出的丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液之外，與實施例1同樣地制造出本比較例的紫外線固化型切割用粘著片。(t匕壽交侈j2)使用常規方法，在乙酸乙酯中共聚70重量份丙烯酸曱酯、30重量份丙烯酸2-乙基己酯、IO重量份丙烯酸。由此，獲得含有重均分子量為70萬的丙烯酸系共聚物的溶液。接著，在含有丙烯酸系共聚物的溶液中，加入100重量份五官能團輻射線固化性低聚物(25°C時的粘度為10Pasec)、3重量份光聚合引發劑(商品名稱為"IRGACURE651"、CibaSpecialityChemicalsInc.制造)、以及2重量份多異氰酸酯化合物(商品名稱為"CoronateL"，NIPPONPOLYURETHANEINDUSTRYCO.，LTD.制造)，獲得丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液。接著，除了使用上述調整出的丙烯酸系紫外線固化型粘著劑溶液之外，與實施例l同樣地制造成本比較例的紫外線固化型切割用粘著片。(評價方法)常態粘著力將由實施例及比較例得到的切割用粘著片切成長度為200mm、寬度為25mm，在室溫(23。C)下粘貼在硅片(商品名稱CZM〈100〉2.5-3.5(4英寸)、信越半導體林式會社)的鏡面上。靜置30分鐘之后，對切割用粘著片照射(照射時間為20秒，照射強度為23mJ/cm2)紫外線。之后，在23。C的恒溫室中進行剝離(拉伸速度為300mm/分鐘)，使切割用粘著片的粘著劑層面與硅片的貼著面之間的角度為180。，測量這時的(常態)粘著力。結果示于表l。力口熱后粘著力將由實施例及比較例得到的切割用粘著片粘貼在硅片上，放置30分鐘之后，在150。C熱板上加熱1分鐘，自然冷卻30分鐘，除此之外，與上述同樣地測定(加熱后)粘著力。結果示于表表l<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>權利要求1.一種被加工物的加工方法，其特征在于，包括如下工序在切割用粘著片上貼合通過具有熱剝離型或輻射線固化型粘著層的雙面粘著片固定在支承板上的被加工物的工序；對上述雙面粘著片進行加熱或者照射輻射線而從上述被加工物剝離該雙面粘著片的工序；對貼合有上述切割用粘著片的上述被加工物進行切割而形成被加工物小片的工序；以及對上述被加工物小片進行拾取的工序，上述切割用粘著片被構成為在基材膜上至少設置粘著劑層，該粘著劑層含有丙烯酸類聚合物，且粘著劑層的厚度為1～50μm，其中，該丙烯酸類聚合物含有5重量％以上的在側鏈上具有烷氧基的單體。2.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述粘著劑層含有5重量％以上的在側鏈上具有氮的單體。3.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述粘著劑層表面相對于水的接觸角為90度以下。4.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述粘著劑層在25。C時的損耗角正切tan5為0.5以下，并且在50。C時的損耗角正切tan5為0.15以下。5.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，作為上述切割用粘著片，使用上述丙烯酸類聚合物在分子內全部側鏈中1/100以上的側鏈上分別具有1個碳-碳雙鍵的物質；在拾取上述被加工物小片時，對上述粘著劑層照射輻射線。6.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述粘著劑層含有平均在l個分子中具有6個以上碳-碳雙鍵的輻射線固化型粘著劑，并且，將切割用粘著片貼合在鏡面硅片上，在150。C加熱1分鐘，再以23mJ/cm2的照射強度照射20秒鐘輻射線之后，在測定溫度為23±3°C、粘著劑層表面與鏡面硅片表面的夾角為180°、拉伸速度為300mm/分鐘的條件下進行剝離時的粘著力為0.5N/25mm帶寬以下。7.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述丙烯酸類聚合物的重均分子量為50萬以上。8.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，上述切割用粘著片中的粘著劑層具有從被加工物剝離后的該被加工物貼著面上的表面有機物污染增加量△C為5%以下的剝離性。9.根據權利要求l所述的被加工物的加工方法，其特征在于，作為上述雙面粘著片，在基材的兩面分別具有上述粘著層，至少其中任一方為熱剝離型粘著層。10.—種半導體裝置，其特征在于，通過權利要求l所述的:帔加工物的加工方法獲得。全文摘要本發明提供一種被加工物的加工方法，包括如下工序在切割用粘著片上貼合通過具有熱剝離型或輻射線固化型粘著層的雙面粘著片固定在支承板上的被加工物的工序；對雙面粘著片進行加熱或者照射輻射線而從被加工物剝離該雙面粘著片及支承板的工序；對貼合有切割用粘著片的被加工物進行切割而形成被加工物小片的工序；以及對被加工物小片進行拾取的工序，切割用粘著片被構成為在基材膜上至少設置粘著劑層，該粘著劑層含有丙烯酸類聚合物，且粘著劑層的厚度為1～50μm，其中，該丙烯酸類聚合物含有5重量％以上的在側鏈上具有烷氧基的單體。文檔編號B26D7/01GK101104781SQ20071013631公開日2008年1月16日申請日期2007年7月13日優先權日2006年7月13日發明者木內一之,高橋智一申請人:日東電工株式會社