阻隔膜和采用所述阻隔膜的真空隔熱板的制作方法
【專利摘要】本發明提供了一種真空隔熱板包層，所述真空隔熱板包層具有基材、低熱導率有機層和低熱導率無機疊層。所述低熱導率無機疊層包括低熱導率非金屬無機材料和/或低熱導率金屬材料。
【專利說明】
阻隔膜和采用所述阻隔膜的真空隔熱板
技術領域
[0001]本公開涉及耐用的阻隔膜。本公開還提供了采用這些阻隔膜的真空隔熱板。
【背景技術】
[0002]真空隔熱板(VIP)是一種隔熱形式，由圍繞芯的基本氣密的包層構成，其中空氣已被排空。它用于例如電氣用具和建筑建造中，以提供比常規隔熱材料更好的隔熱性能。因為空氣漏入包層最終會降低VIP的隔熱值，因此已知的設計使用與可熱密封的材料層合的金屬薄片作為包層以提供阻氣性能。然而，由于熱橋效應，金屬薄片的高熱導率會降低VIP的總體熱隔熱性能。在另一方面，金屬化聚合物基材(如那些用于食品級包裝膜的金屬化聚合物基材)具有低熱導率，但并不能滿足VIP的阻隔要求。需要這樣的包層膜，所述包層膜將高阻隔能力與低熱導率以及低比輻射率特性結合。
【發明內容】
[0003]本公開提供了一種實用性強的阻隔膜，用作真空隔熱板的包層。它結合了抗穿刺性、低比輻射率和低熱導率。
[0004]因此，在一個方面，本公開提供了一種真空隔熱板包層，其包括:具有兩個相對的主表面的基材;與基材的相對主表面之一直接接觸的第一層，其中第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層;與第一層直接接觸的第二層，其中第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中第二層與第一層中所選的材料不相同。
[0005]在一些實施方案中，低熱導率無機疊層將包括低熱導率非金屬無機材料，和/或低熱導率金屬材料。在這些實施方案及其他實施方案中，低熱導率無機疊層還可具有低熱導率金屬材料和低比輻射率金屬材料。此外，低熱導率金屬本身可包含具有低比輻射率的金
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[0006]在一些實施方案中，可存在附加的低熱導率有機層。還可存在任選的熱密封層。線性低密度聚乙烯和低密度聚乙烯的共混物被視為合適的。熱密封層可通過擠壓、涂布或層合方式施加至阻隔膜。可能便利的是，所述包層具有阻燃特性。例如，所述基材本身可包含阻燃材料，或者可將單獨的阻燃層定位成與基材的與第一層相對的相對主表面直接接觸。可能便利的是，真空隔熱板還包括芯層。根據本公開的真空隔熱板包層有利地具有低于0.lcc/m2/日的氧透過率和低于0.lg/m2/日的濕蒸汽透過率。本公開的一些實施方案具有低于0.005cc/m2/日的氧透過率和低于0.005g/m2/日的濕蒸汽透過率。
[0007]在另一方面，本公開提供了一種阻隔膜，其包括:具有兩個相對的主表面的基材；與基材的相對主表面之一直接接觸的第一層，其中第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層；以及與第一層直接接觸的第二層，其中第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中第二層與第一層中所選的材料不相同，并且其中低熱導率無機疊層包括至少一種低熱導率非金屬無機材料和至少一種低熱導率金屬材料。
[0008]已總結了本公開的示例性實施方案的多個方面和優勢。以上
【發明內容】
并非旨在描述本公開的每個例舉的實施方案或每種實施方式。另外的特征和優點在如下實施方案中公開。下面的附圖和【具體實施方式】更具體地例示使用本文所公開的原理的某些實施方案。
【附圖說明】
[0009]結合附圖來考慮本公開各種實施方案的以下詳細描述可以更完全地理解本公開，其中:
[0010]圖1是根據本發明的示例性真空隔熱板包層的側視圖。
[0011]圖2是采用圖1包層的示例性真空隔熱板的前視圖。
[0012]雖然可不按比例繪制的以上附圖示出了本公開的各種實施方案，但還可以想到其他的實施方案，如在【具體實施方式】中所指出的。在所有情況下，本公開通過示例性實施方案的表示而非通過表達限制來描述當前公開的發明。應當理解，本領域的技術人員可以設計出許多其他的修改形式和實施方案，這些修改形式和實施例也在本公開的實質和范圍之內。
【具體實施方式】
[0013]如本說明書所使用，由端值表述的數值范圍包括該范圍內所包含的所有數值(如，I至 5包括1、1.5、2、2.75、3、3.8、4和5等)。
[0014]除非另外指明，否則說明書和實施方案中所使用的所有表達數量或成分、特性量度等的數值在一切情況下均應理解成由術語“約”所修飾。因此，除非有相反的說明，否則前述說明書和所附實施方案列表中示出的數值參數可根據本領域技術人員使用本公開的教導內容尋求獲得的所需特性而變化。在最低程度上，并且不試圖將等同原則的應用限制到受權利要求書保護的實施方案的范圍的條件下，至少應該根據所記錄的有效數位的數值和通過應用慣常的四舍五入法來解釋每一個數值參數。
[0015]對于以下給出定義的術語，除非基于以下術語表中使用的術語的修改形式的具體引用，在權利要求書或在說明書中的其他地方提供了不同的定義，否則整個說明書、包括權利要求都應該以這些定義為準:
[0016]術語表
[0017]詞語“一個”、“一種”和“所述”與“至少一個”可互換使用，意指一個或多個所描述元素。
[0018]術語“層”是指在基材上的或涂覆基材的任何材料或材料的組合。
[0019]術語“疊層”是指這樣的布置，其中特定層被置于至少一個其他層之上，但這兩層并不一定直接接觸，并且這兩層之間可能存在中間層。
[0020]用于描述各層位置的取向詞語，諸如“在頂上”、“之上”、“覆蓋”、“最上方”、“鋪蓋”、“下面的”等，是指相對于水平設置的、面向上的基材的層的相對位置。非預期的是，在制造期間或之后，基材、層或涵蓋該基材和層的制品應該具有任何特別的空間取向。
[0021]描述一層相對于另一層和基底或兩個其他層的位置的術語“由...分離”意思是所述層在其他層和/或基底之間，但非必需與其他層和/或基底鄰接。
[0022]術語“(共)聚合物”或“(共)聚合物的”包括均聚物和共聚物，以及可例如通過共擠出法或通過反應(包括例如，酯交換反應)以混溶共混物形式形成的均聚物或共聚物。術語“共聚物”包括無規、嵌段、接枝和星型共聚物。
[0023]本公開提供了阻隔膜、由這些阻隔膜形成的VIP包層和包含這些包層的VIP。現在參見圖1，示出了根據本公開的示例性阻隔膜20。阻隔膜20包括基材22，該基材具有第一主表面24和第二主表面26。第一層30與基材22的第一主表面24直接接觸，該第一層繼而與第二層40接觸。作為第一層30在下文描述的層和作為第二層40在下文描述的層實際上可以任何順序施加于基材22，并仍獲得合適的阻隔特性，并且任何順序被視為處于本公開的范圍內。
[0024]在一些實施方案中，諸如所示實施方案中，第一層30為低熱導率有機層32。此外，良好的柔性、韌性和對所選基材的粘附性被視為可取的。可采用諸如輥涂(例如，凹版輥涂)或噴涂(例如，靜電噴涂)單體的常規涂布方法來制備低熱導率有機層32，然后使用例如紫外光輻射進行交聯。還可通過單體的瞬間蒸發、氣相沉積來制備低熱導率有機層32，然后進行交聯，如下列美國專利所述:美國專利號4，842，893(￥1&1匕丨8等人)；美國專利號4，954，371(Yializis);美國專利號 5，032，461(Shaw 等人)；美國專利號 5，440，446(Shaw 等人)；美國專利號5，725，909(Shaw等人)；美國專利號6，231，939(Shaw等人)；美國專利號6，045，864(Lyons等人)；美國專利號6，224，948(Affinito)以及美國專利申請2008/0292810(Anderson等人)，所有這些專利以引用方式并入本文。
[0025]在一些實施方案中，諸如所示實施方案中，第二層40為低熱導率無機疊層(在所示實施方案中44、46和48的統稱)。這種低熱導率無機疊層包括至少一種低熱導率非金屬無機材料44和至少一種低熱導率金屬無機材料46。低熱導率非金屬無機材料44優選地具有不超過0.5或甚至為0.015胃/(111.°K)的熱導率。
[0026]低熱導率金屬無機材料46優選地具有不超過I，或甚至為0.2W/(m.°K)的熱導率。合適的低熱導率金屬無機材料46的另一可用特性為低比輻射率水平，其中小于0.6或甚至為0.1的值被視為可取的。
[0027]在一些所示實施方案中，存在任選的第二低熱導率金屬無機材料48以提供所需的物理特性。具體地講，例如，硅鋁層提供柔性特性，并且比剛討論的硅鋁氧化物層沉積更快。通過濺射便利地施加此類層，并且介于約10和50nm之間的厚度被視為便利的，其中大約20nm的厚度被視為特別合適的。
[0028]一些實施方案，諸如所示實施方案還包括施加至遠離基材22側上的第二層40的可選聚合物層50。可采用這種層以物理保護非金屬無機材料44。一些實施方案可包括附加層，以便獲得所需特性。例如，如果附加的阻隔特性被視為可取的，則可任選地施加包括例如以上保護性第二聚合物層的非金屬無機材料的附加層。
[0029]現在參見圖2，示出采用圖1包層的完整真空隔熱板100的前視圖。便利地已通過熱焊接將兩片阻隔膜20a和20b面對面地附接，以形成真空隔熱板包層102。包層102內部為芯104，參見本視圖中的略圖。芯104被真空密封于包層102內。
[0030]基材
[0031]基材22便利地為聚合物層。雖然可使用各種聚合物，但當阻隔膜用于真空隔熱板時，抗穿刺性和熱穩定性為特別珍貴的特性。可用的聚合物抗穿刺膜的示例包括諸如下列的聚合物:聚乙烯(PE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚醚酰亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、商品名為ARTON的聚合物(可得自日本東京的日本合成橡膠公司(Japanese Synthetic RubberC0.))、商品名為AVATREL的聚合物(可得自俄亥俄州布雷克斯維爾市的百路馳公司(B.F.Goodrich C0.))、聚乙烯-2，6_萘二甲酸、聚偏二氟乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚氯乙烯(PVC)和乙烯-乙烯醇(EVOH)。可用的還為熱固性聚合物，諸如聚酰亞胺、聚酰亞胺苯并噁唑、聚苯并噁唑和纖維素衍生物。厚度約為0.002英寸(0.05mm)的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)被視為便利的選擇，同樣地，雙軸取向聚丙烯(BOPP)膜也是便利的選擇。雙軸取向聚丙烯(BOPP)可從若干供應商處商購獲得:德克薩斯州休斯頓的埃克森美孚化學公司(ExxonMobil Chemical Company of Houston，Tex.);英國史云頓的大陸聚合物公司(Continental Polymers of Swindon，UK);臺灣臺北市的凱盛國際公司(KaisersInternat1nal Corporat1n of Taipei City ,Taiwan)以及印度尼西亞雅加達的PTIndopoly Swakarsa工業公司(ISI) (PT Indopoly Swakarsa Industry(ISI)of Jakarta,Indonesia)。在標題為 “Cloth-like Polymeric Films”(布樣聚合物膜)(Jackson等人)的WO 02/11978中提出了合適膜材料的其他示例。在一些實施方案中，所述基材可為兩個或更多個聚合物層的層合。
[0032]低熱導率有機層
[0033]當通過單體的瞬間蒸發、氣相沉積然后交聯來形成低熱導率有機層32時，可揮發丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯(在本文中稱為“(甲基)丙烯酸酯”)單體為可用的，其中優選可揮發丙烯酸酯單體。合適的(甲基)丙烯酸酯單體具有足夠的蒸汽壓力以在蒸發器中蒸發，并在蒸汽涂布機中冷凝為液體或固體涂層。
[0034]合適的單體的示例包括，但不限于:二丙烯酸己二醇酯、丙烯酸乙氧基乙酯、(單)丙烯酸氰乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、丙烯酸十八烷基酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸月桂酯、
羧乙基丙烯酸酯、丙烯酸四氫糠基酯、二腈丙烯酸酯、丙烯酸五氟苯基酯、丙烯酸硝基苯基酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧乙酯、(甲基)丙烯酸2，2，2_三氟甲酯、二丙烯酸二乙二醇酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二丙烯酸四乙二醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、丙氧基化二丙烯酸新戊二醇酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二丙烯酸四乙二醇酯、雙酸A環氧二丙烯酸酯、二甲基丙烯酸I，6_己二醇酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三(2-羥乙基)-異氰脲酸酯三丙烯酸酯、三丙烯酸赤蘚糖醇酯、丙烯酸苯硫基乙酯、丙烯酸萘氧基乙酯、產品編號為RDX80094的環氧丙稀酸酯(可得自新澤西州費爾菲爾德的RadCure公司(RadCure Corp.,Fairfield,N.J.))以及它們的混合物。聚合物層中可以包括多種其他固化材料，諸如例如乙烯基醚、乙烯基萘、丙烯腈以及它們的混合物。
[0035]具體地講，三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯被視為合適的。其便利地通過例如濃縮的有機涂層，然后通過UV引發的自由基乙稀基聚合來施加。介于約250和1500nm之間的厚度被視為便利的，其中大約750nm的厚度被視為特別合適的。
[0036]低比輻射率金屬無機材料
[0037]可用于例如至少一種低熱導率金屬無機材料46和/或48的低比輻射率金屬無機材料包括鋁，但優選為銀、金、銅、錫、鉻、鎳、鉑、鎢、鋅、鎂、鉬、銠和/或它們的合金或組合。金屬以足夠的厚度沉積以得到非常低的比輻射率，優選小于0.6，或甚至小于0.1。具體地講，銅錫合金CusoSrm(按重量計)被視為便利的，其可作為濺射靶從加利福尼亞州洛杉磯的DHF公司(DHF of Los Angeles,CA)商購獲得，并且其比輻射率“ε”為0.07，熱導率“k”為0.26W/(πι.°Κ)。硅鋁合金也是可用的。
[0038]在一些實施方案中，可能便利的是，部分氧化低比輻射率金屬材料。在一些實施方案中，低比輻射率金屬無機材料可伴有低熱導率金屬材料(其也可或不可具有低比輻射率)的另外夾層。
[0039]低熱導率非金屬無機材料
[0040]低熱導率非金屬無機材料44可便利地由金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物，以及氧化物、氮化物和氧氮化物的金屬合金形成。在一個方面，低熱導率非金屬無機材料44包括金屬氧化物。優選的金屬氧化物包括氧化鋁、二氧化硅、硅鋁氧化物、硅鋁氮化物和硅鋁氧氮化物工仙^池^^^丨必^^冗沾?氧化鋁鋅^抑彿氧化釔穩定的氧化鋯^于其阻燃特性，計劃使用Ca2S14t3低熱導率非金屬無機材料44可通過多種方法制備，諸如在美國專利號5，725，909(Shaw等人)和美國專利號5，440，446(Shaw等人)中所描述的那些方法，其公開內容以引用方式并入。低熱導率非金屬無機材料通常可通過反應蒸發、反應濺射、化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積和原子層沉積來制備。優選的方法包括真空制備法，諸如反應濺射和等離子體增強化學氣相沉積。
[0041]將低熱導率非金屬無機材料44便利地作為薄層施加。硅鋁氧化物被視為特別便利的，因為其為可選的第二聚合物層50提供良好的阻隔特性，以及良好的界面粘附性。通過濺射便利地施加此類層，介于約5和10nm之間的厚度被視為便利的，其中大約20nm的厚度被視為特別合適的。
[0042]
[0043]再次參見圖2，在一些實施方案中，真空隔熱板100包括芯104，其便利地為具有小(例如尺寸大約為4微米)開孔的硬質泡沫塑料的形式。微孔泡沫芯的一個來源為密歇根州米德蘭的陶氏化學公司(Dow Chemical Company ,Midland, Ml)。在一些實施方案中，在芯面中切割或形成平行間隔排空通道或溝槽。有關如何可將芯真空密封于包層中的信息公開于美國專利6，106，449(Wynne)中，該專利以引用方式并入本文。其他可用的材料包括熱解法二氧化硅、玻璃纖維和氣凝膠。
[0044]熱密封層
[0045]還可存在任選的熱密封層。聚乙烯或線性低密度聚乙烯和低密度聚乙烯的共混物被視為合適的。熱密封層可通過擠壓、涂布或層合方式施加至阻隔膜。包含高密度聚乙烯的共擠出復合材料層也被視為合適的。
[0046]阻燃層
[0047]可能便利的是，所述包層具有阻燃特性。例如，所述基材本身可包含阻燃材料，或者可將單獨的阻燃層定位成與基材的與第一層相對的相對主表面直接接觸。有關適用于分層產品的阻燃材料的信息見于美國專利申請2012/0164442(Ong等人)，其公開內容以引用方式并入本文。
[0048]在組裝期間最小化對隔熱特性損害的設計考慮
[0049]如上所述阻隔膜20包括一些層，尤其是低熱導率無機疊層40，最尤其是低熱導率非金屬無機材料44，其可在一定程度上易碎。如果其提供的真空密封出現損壞，則阻隔膜20將失去其一些良好的(低)熱導率特性。在成品VIP的制造過程中，尤其在真空抽吸步驟中，使阻隔膜經受高應變和應力。考慮到膜作為經受彎曲的梁，其具有中性平面，在那梁整個厚度上的壓縮應力變為零，并轉換為拉伸應力。因此，希望評估為阻隔膜20(包括任何可選的熱密封和阻燃層)所選材料的機械性能，并調整每種材料的厚度大小，使得低熱導率無機疊層40對于使膜彎曲遠離其平坦狀態的移動，位于或靠近膜的中性平面。如果相對于低熱導率非金屬無機材料44的層的厚度，中心線位于所有層(包括可選層)的總厚度的±10%內，所有層包括阻隔膜20，來自阻隔膜20的所計算中性平面，則可以說阻隔膜滿足這一標準。在一些便利的實施方案中，相對于低熱導率非金屬無機材料層44厚度的中心線位于所有層(包括可選層)的總厚度的±5%內，所有層包括阻隔膜20，來自阻隔膜20的計算的中性平面。
[0050]各種非限制性的示例性實施方案和實施方案的組合如下:
[0051]實施方案A。一種制品，其包括真空隔熱板包層，所述包層包括:
[0052](a)具有兩個相對主表面的基材；
[0053](b)與基材的相對主表面之一直接接觸的第一層，其中第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層；
[0054](C)與第一層直接接觸的第二層，其中第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中第二層與第一層中所選的材料不相同。
[0055]實施方案B。根據實施方案A所述的制品，其中低熱導率無機疊層包括低熱導率非金屬無機材料。
[0056]實施方案C。根據實施方案A至B所述的制品，其中低熱導率無機疊層包括低熱導率金屬材料。
[0057]實施方案D。根據實施方案A至C所述的制品，其中低熱導率無機疊層包括低熱導率金屬材料和低比輻射率金屬材料。
[0058]實施方案E。根據實施方案C或D所述的制品，其中低熱導率金屬包括具有低比輻射率的金屬合金。
[0059]實施方案F。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其還包括附加的低熱導率有機層。
[0060]實施方案G。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其還包括熱密封層。
[0061]實施方案H。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其中所述基材包括阻燃材料。
[0062]實施方案I。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其還包括與基材的與第一層相對的相對主表面直接接觸的阻燃層。
[0063]實施方案J。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其中真空隔熱板包層還包括芯層。
[0064]實施方案K。根據實施方案B和實施方案F至J中任一項所述的制品，其中低熱導率非金屬無機材料選自下列物質中的至少一者:氧化鋁、二氧化硅、硅鋁氧化物、硅鋁氮化物和硅鋁氧氮化物工仙^⑴^工扣^丨…^^^叾…?氧化鋁鋅^…^氧化釔穩定的氧化鋯和Ca2S14o
[0065]實施方案L。根據實施方案C至J中任一項所述的制品，其中低熱導率金屬材料選自T1、Sr、V、Mn、N1、Cr、Sn 和 Co 中的至少一者。
[0066]實施方案Μ。根據實施方案D至J中任一項所述的制品，其中低比輻射率金屬材料選自下列物質中的至少一者:鋁、銀、金、銅、錫、鉻、鎳、鉑、鎢、鋅、鎂、鉬、銠、硅和/或它們的合金或組合。
[0067]實施方案N。根據實施方案E至M中任一項所述的制品，其中金屬合金選自鋁/硅、銅/錫中的至少一者。
[0068]實施方案O。根據前述實施方案中任一項所述的制品，其中真空隔熱板包層具有低于0.lcc/m2/日的氧透過率和低于0.lg/m2/日的濕蒸汽透過率。
[0069]實施方案P。一種阻隔膜，其包括:
[0070](a)具有兩個相對主表面的基材；
[0071](b)與基材的相對主表面之一直接接觸的第一層，其中第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層；
[0072](C)與第一層直接接觸的第二層，其中第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中第二層與第一層中所選的材料不相同，
[0073]其中，低熱導率無機疊層包括至少一種低熱導率非金屬無機材料和至少一種低熱導率金屬材料。
[0074]實施方案Q。根據實施方案P所述的膜，其中低熱導率金屬材料包括低比輻射率金屬材料。
[0075]實施方案R。根據實施方案Q所述的膜，其中低熱導率金屬材料包括具有低比輻射率的金屬合金材料。
[0076]實施方案S。根據實施方案P至R中任一項所述的膜，其還包括熱密封層。
[0077]實施方案T。根據實施方案P至S中任一項所述的膜，其中所述基材包括阻燃材料。
[0078]實施方案U。根據實施方案P至T中任一項所述的膜，其還包括與基材的與第一層相對的相對主表面直接接觸的阻燃層。
[0079]實施方案V。根據實施方案P至U中任一項所述的制品，其中低熱導率非金屬無機材料選自下列物質中的至少一者:氧化鋁、二氧化硅、硅鋁氧化物、硅鋁氮化物和硅鋁氧氮化物、Cu0、Ti02、IT0、Si3N4、TiN、Zn0、氧化鋁鋅、Zr02、氧化釔穩定的氧化鋯和Ca2Si04。
[0080]實施方案W。根據實施方案P至V中任一項所述的制品，其中低熱導率金屬材料選自T1、Sr、V、Mn、N1、Cr、Sn 和 Co 中的至少一者。
[0081]實施方案X。根據實施方案Q至W中任一項所述的制品，其中低比輻射率金屬材料選自下列物質中的至少一者:鋁、銀、金、銅、錫、鉻、鎳、鉑、鎢、鋅、鎂、鉬、銠、硅和/或它們的合金或組合。
[0082]實施方案Y。根據實施方案R至X中任一項所述的制品，其中金屬合金選自鋁/硅和銅/錫中的至少一者。
[0083]實施方案Z。根據實施方案A至O中任一項所述的制品，其中低熱導率無機疊層位于或靠近制品的中性平面。
[0084]實施方案AA。根據實施方案P至Y中任一項所述的阻隔膜，其中低熱導率無機疊層位于或靠近阻隔膜的中性平面。
[0085]本公開的示例性實施方案已在上文中描述，且進一步通過以下實施例的方式在下文中進行說明，不應當以任何方式將這些實施例理解為對本公開范圍的強加限制。相反，應當清楚地理解，可以采取各種其他實施方案、修改形式及其等同物，本領域的技術人員在閱讀本文說明書之后，在不脫離本公開的實質和/或所附權利要求書的范圍的前提下，這些其他實施方案、修改形式及其等同物將顯而易見。
[0086]實施例
[0087]如下實施例旨在說明在本公開范圍內的示例性實施方案。雖然闡述本公開的廣義范圍的數值范圍和參數是近似值，但在具體實施例中所列出的數值盡可能精確地記錄。然而，任何數值都固有地包含一定的誤差，在它們各自的試驗測定中存在的標準偏差必然會引起這種誤差。在最低程度上，并且不試圖將等同原則的應用限制到權利要求書的范圍內的條件下，至少應該根據所記錄的有效數位的數值和通過應用慣常的四舍五入法來解釋每個數值參數。
[0088]測試方法
[0089]水蒸氣透過率
[0090]在可以PERMATRAN W700從明尼蘇達州明尼阿波利斯的Mocon公司(Mocon ofMinneapoliS，MN)商購獲得的蒸氣透過測試上，測試以下實施例中一些的阻隔特性。測試體系為 50°C 和 100%RH。
[0091]抗彎性測試
[0092]使用得自北卡羅來納州葛蘭姆的Vinatoru企業公司(Vinatoru Enterprises, Incof Graham，NC)的gelbo-f lex測試一些實施例的抗彎性。將(200mmX 280mm)大小的樣品附接到彎曲測試機的芯軸。撓曲作用包括扭轉運動與水平運動(壓縮)結合，從而重復扭轉和粉碎膜。測試裝置在前90mm行程上進行440°的扭轉運動，然后是65mm的直的水平運動。速度為45次循環/分鐘。
[0093]實施例
[0094]在類似于美國專利號5，440，446(51^￥等人)和7，018，713(?3(1丨73讓等人)中所述涂布機的真空涂布機上制備阻隔膜的以下實施例。該涂布機卷起可從弗吉尼亞州切斯特的杜邦-帝人薄膜公司(DuPont-Teijin Films of Chester,VA)商購獲得的0.05mm厚、14英寸(35.6cm)寬PET膜的不定長度卷筒形式的基材。該基材隨后以16fpm(4.9m/min)的恒定線速度前進。通過使其經受氮等離子體處理來制備用于涂覆的基材，以改善低熱導率有機層的粘附性。
[0095]實施例1
[0096]通過以下方式在基材上形成低熱導率有機層:通過超聲霧化和瞬間蒸發施加三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(可以商品名SARTOMER SR833S從賓夕法尼亞州埃克斯頓的沙多瑪公司(Sartomer USA of Exton，PA)商購獲得)，得到寬度為12.5英寸(31.8cm)的涂層。隨后立即在下游使用以7.0kV和4.0mA操作的電子束固化槍將單體涂層固化。液體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60SCCm，蒸發器溫度設定為260°C。處理筒溫度為_10°C。
[0097]在該低熱導率有機層的頂部上施加低熱導率無機疊層，首先施加低熱導率金屬無機材料。更具體地講，采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將15nm厚的銅層沉積到現聚合的低熱導率有機層(銅熱導率的書面值為3.9W/(m.°K)、比輻射率ε為0.03)上。然后，通過采用40kHz AC電源的反應濺射沉積方法，鋪設低熱導率非金屬無機材料。陰極具有得自緬因州比迪福德的So I eras先進涂料公司(So I eras Advanced Coatings US , ofBiddeford’MEW^SKgO^O/AKlO^ )革巴。在派射過程中，陰極的電壓由反饋控制回路控制，該回路監控電壓并控制氧氣流，使得電壓保持在高位的同時目標電壓不崩潰。該系統在16kW功率下操作，以將20nm厚硅鋁氧化物層沉積到銅層之上。
[0098]進一步使用內嵌式工藝將第二聚合物層沉積在硅鋁氧化物層的頂部上。通過霧化和蒸發，由單體溶液制備該聚合物層。然而，施加以形成該頂層的材料為3重量％的0_(正丁基)-3_氨基丙基三甲氧基硅烷(可以DYNASILAN 1189從德國埃森市的贏創公司(Evonikof Essen，DE)商購獲得)、l重量％的l-羥基-環己基-苯基-酮(可以IRGACURE 184從德國路德維希港的巴斯夫公司(BASF of Ludwigshafen，DE)商購獲得)與其余的SARTOMER SR833S的混合物。該混合物進入霧化器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60sccm，蒸發器溫度為260°C。一旦冷凝在硅鋁氧化物層上，便用UV光將該涂布混合物固化到成品聚合物。
[0099]經發現，所得制品具有低比輻射率和低熱導率功能。根據上面討論的測試方法，測試水蒸汽透過性。經發現，在本實驗中水蒸汽透過率低于設備的檢測限。
[0100]實施例2
[0101]根據實施例1所述的過程來制備阻隔膜，不同的是基材為0.05mm厚的雙軸取向的聚丙烯。根據上面討論的測試方法，測試水蒸汽透過性，經發現，水蒸汽透過率低于設備的檢測限。
[0102]實施例3
[0103]在實施例1的設備上制備阻隔膜。該涂布機卷起可從明尼蘇達州圣保羅的3M公司(3M Company,St.PauI ,MN)商購獲得的0.0014英寸(0.036mm)厚PET膜的不定長度卷筒形式的基材。該基材隨后以16fpm(4.9m/min)的恒定線速度前進。通過使其經受等離子體處理來制備用于涂覆的基材，以改善低熱導率有機層的粘附性。
[0104]通過以下方式在基材上形成低熱導率有機層:通過超聲霧化和瞬間蒸發施加三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(可以商品名SARTOMER SR833S從賓夕法尼亞州埃克斯頓的沙多瑪公司(Sartomer USA of Exton，PA)商購獲得)，得到寬度為12.5英寸(31.8cm)的涂層。隨后立即在下游使用以7.0kV和4.0mA操作的電子束固化槍將單體涂層固化。液體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60SCCm，蒸發器溫度設定為260°C。處理筒溫度為_10°C。
[0105]在該低熱導率有機層的頂部上施加低熱導率無機疊層，首先施加低熱導率金屬無機材料。更具體地講，采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將15nm厚的銅層沉積到現聚合的低熱導率有機層上。然后，通過采用40kHz AC電源的反應濺射沉積陰極，鋪設低熱導率非金屬無機材料。陰極具有得自美國SoIeras先進涂料公司(Soleras AdvancedCoatings US)的Si(90%)/Al(10%)革巴。在派射過程中，陰極的電壓由反饋控制回路控制，該回路監控著電壓并控制氧氣流速，使得電壓保持在高位的同時目標電壓不崩潰。該系統在16kW功率下操作，以將20nm厚硅鋁氧化物層沉積到銅層之上。
[0106]經發現，所得制品具有低比輻射率和低熱導率功能。根據上面討論的測試方法，測試水蒸汽透過性。經發現，在本實驗中水蒸汽透過率低于設備的檢測限。
[0107]實施例4
[0108]通常根據實施例3的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。單體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，在5kW功率下沉積硅鋁層。
[0109]實施例5
[0110]通常根據實施例3的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。單體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，沉積氧化物所用的功率為4kW。此外，在低熱導率無機疊層之上，進一步使用內嵌式工藝將第二聚合物層沉積在硅鋁氧化物層的頂部上。通過霧化和蒸發，由單體溶液制備該聚合物層。然而，施加以形成該頂層的材料為3重量％的0-(正丁基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(可以DYNASILAN 1189從德國埃森市的贏創公司(Evonik of Essen,DE)商購獲得)、1重量％的1_羥基-環己基-苯基-酮(可以IRGA⑶RE 184從德國路德維希港的巴斯夫公司(BASF of Ludwigshafen，DE)商購獲得)與其余的SARTOMER SR833S的混合物。該混合物進入霧化器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60sccm，蒸發器溫度為260°C。一旦冷凝在娃鋁氧化物層上，便用UV光將該涂布混合物固化到成品聚合物。
[0111]實施例6
[0112]通常根據實施例3的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。在第二聚合物層之上，通過AC反應濺射沉積陰極鋪設第二硅鋁氧化物層。陰極具有得自美國Soleras先進涂料公司(Soleras Advanced Coatings US)的Si(90% )/Α1(10%)革E。該系統在 16kW功率下操作，以將大約25nm厚硅鋁氧化物層沉積到第二聚合物層上。
[0113]實施例7-10
[0114]通常分別根據實施例3至6的過程制備四種阻隔膜，不同的是，用于這些實施例的基材為0.00092英寸(0.023mm)厚的低密度聚乙烯/PET層合物。該層合物的聚乙烯部分可從印第安納州埃文斯維爾的貝瑞塑料公司(Berry Plastics of Evansville，IN)商購獲得。該層合物的PET側朝向低熱導率有機層。
[0115]實施例11
[0116]在實施例1的設備上制備阻隔膜。基材為0.00092英寸(0.023mm)厚的PET膜，可以LUMIRROR F7S從日本東京的東麗公司(Toray of Tokyo ,Japan)商購獲得。該基材隨后以16fpm(4.9m/min)的恒定線速度前進。通過使其經受等離子體處理來制備用于涂覆的基材，以改善低熱導率有機層的粘附性。
[0117]通過以下方式在基材上形成低熱導率有機層:通過超聲霧化和瞬間蒸發施加三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(可以商品名SARTOMER SR833S從賓夕法尼亞州埃克斯頓的沙多瑪公司(Sartomer USA of Exton，PA)商購獲得)，得到寬度為12.5英寸(31.8cm)的涂層。隨后立即在下游使用以7.0kV和4.0mA操作的電子束固化槍將單體涂層固化。液體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60SCCm，蒸發器溫度設定為260°C。處理筒溫度為_10°C。
[0118]在該低熱導率有機層的頂部上施加低熱導率無機疊層，首先施加低熱導率金屬無機材料。更具體地講，采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將20nm厚的硅鋁合金層沉積到現聚合的低熱導率有機層上。所采用的90%Si/10%Al濺射靶得自加利福尼亞州洛杉磯的DHF公司(DHF of Los Angeles ,CA)。然后，通過采用40kHz AC電源的反應濺射沉積陰極，鋪設低熱導率非金屬無機材料。陰極具有得自緬因州比迪福德的Soleras先進涂料公司(Soleras Advanced Coatings US,of
程中，陰極的電壓由反饋控制回路控制，該回路監控著電壓并控制氧氣流速，使得電壓保持在高位的同時目標電壓不崩潰。該系統在16kW功率下操作，以將25nm厚硅鋁氧化物層沉積到銅層之上。
[0119]進一步使用內嵌式工藝將第二聚合物層沉積在硅鋁氧化物層的頂部上。通過霧化和蒸發，由單體溶液制備該聚合物層。然而，施加以形成該頂層的材料為3重量％的0_(正丁基)-3_氨基丙基三甲氧基硅烷(可以DYNASILAN 1189從德國埃森市的贏創公司(Evonikof Essen，DE)商購獲得)、l重量％的l-羥基-環己基-苯基-酮(可以IRGACURE 184從德國路德維希港的巴斯夫公司(BASF of Ludwigshafen，DE)商購獲得)與其余的SARTOMER SR833S的混合物。該混合物進入霧化器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60sccm，蒸發器溫度為260°C。一旦冷凝在硅鋁氧化物層上，便用UV光將該涂布混合物固化到成品聚合物。
[0120]經發現，所得制品具有低熱導率功能。根據上面討論的測試方法，測試水蒸汽透過性。經發現，在本實驗中水蒸汽透過率低于設備的檢測限。
[0121]實施例12
[0122]通常根據實施例11的過程制備阻隔膜，不同的是，線速度加倍至32英尺/分鐘(9.8m/min)，并且制備低熱導率有機層和第二聚合層的單體流也加倍。這使得低熱導率有機層和第二聚合物層的厚度保持為約750nm，而硅鋁層的厚度減小至10nm，并且硅鋁氧化物層的厚度減小至12nm ο
[0123]實施例13
[0124]通常根據實施例11的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。在第二聚合物層之上，通過AC反應濺射沉積陰極鋪設第二硅鋁氧化物層。陰極具有得自美國Soleras先進涂料公司(Soleras Advanced Coatings US)的Si(90% )/Α1(10%)革E。該系統在 16kW功率下操作，以將25nm厚的硅鋁氧化物層沉積到第二聚合物層上。
[0125]實施例14
[0126]通常根據實施例3的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將20nm厚的鈦層沉積到低熱導率有機層之上，而并非使用銅作為低熱導率金屬無機材料。
[0127]實施例15
[0128]通常根據實施例3的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將20nm厚的銅錫合金CusoSrm(按重量計)層沉積到低熱導率有機層之上，而并非使用銅作為低熱導率金屬無機材料。
[0129]實施例16
[0130]通常根據實施例15的過程制備阻隔膜，但有以下細節不同。在沉積銅錫合金層步驟與沉積硅鋁氧化物層步驟之間，通過在4kW功率下操作的常規AC濺射方法沉積20nm厚的欽夾層。
[0131]實施例17
[0132]在類似于美國專利號5，440，446(51^￥等人)和7，018，713(?3(1丨73讓等人)中所述涂布機的真空涂布機上制備阻隔膜。該涂布機卷起可從弗吉尼亞州切斯特的杜邦-帝人薄膜公司(DuPont-Teijin Films of Chester，VA)商購獲得的0.024mm厚、14英寸(35.6cm)寬PET膜的不定長度卷筒形式的基材。該基材隨后以16fpm(4.9m/min)的恒定線速度前進。通過使其經受氮等離子體處理來制備用于涂覆的基材，以改善低熱導率有機層的粘附性。
[0133]通過以下方式在基材上形成低熱導率有機層:通過超聲霧化和瞬間蒸發施加三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(可以商品名SARTOMER SR833S從賓夕法尼亞州埃克斯頓的沙多瑪公司(Sartomer USA of Exton，PA)商購獲得)，得到寬度為12.5英寸(31.8cm)的涂層。隨后立即在下游使用以7.0kV和4.0mA操作的電子束固化槍將單體涂層固化。液體進入蒸發器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60SCCm，蒸發器溫度設定為260°C。處理筒溫度為_10°C。
[0134]在該低熱導率有機層的頂部上施加低熱導率無機疊層，首先施加低熱導率金屬無機材料。更具體地講，采用在4kW功率下操作的常規AC濺射方法，將1nm厚的硅鋁合金層沉積到現聚合的低熱導率有機層上。所采用的90%Si/10%Al濺射靶得自加利福尼亞州洛杉磯的DHF公司(DHF of Los Angeles ,CA)。然后，通過采用40kHz AC電源的反應濺射沉積方法，鋪設低熱導率非金屬無機材料。陰極具有得自緬因州比迪福德的Soleras先進涂料公司(Soleras Advanced Coatings US,of
程中，陰極的電壓由反饋控制回路控制，該回路監控著電壓并控制氧氣流速，使得電壓保持在高位的同時目標電壓不崩潰。該系統在16kW功率下操作，以將20nm厚硅鋁氧化物層沉積到硅鋁合金層之上。
[0135]進一步使用內嵌式工藝將第二聚合物層沉積到硅鋁氧化物層的頂部上。通過霧化和蒸發，由單體溶液制備該聚合物層。然而，施加以形成該頂層的材料為3重量％的0_(正丁基)-3_氨基丙基三甲氧基硅烷(可以DYNASILAN 1189從德國埃森市的贏創公司(Evonikof Essen，DE)商購獲得)、l重量％的l-羥基-環己基-苯基-酮(可以IRGACURE 184從德國路德維希港的巴斯夫公司(BASF of Ludwigshafen，DE)商購獲得)與其余的SART0MER SR833S的混合物。該混合物進入霧化器的流速為1.33ml/min，氣體流速為60sccm，蒸發器溫度為260°C。一旦冷凝在硅鋁氧化物層上，便用UV光將該涂布混合物固化到成品聚合物。
[0136]然后用雙組分層合粘合劑體系涂覆第二聚合物層，該雙組分層合粘合劑體系結合異氰酸酯基封端的聚酯型聚氨酯與共反應劑，可以ADCOAT 577從密歇根州米德蘭的陶氏化學公司(Dow Chemical of Midland，M1.)商購獲得。采用的涂層重量為0.5格令/4〃 X 6〃矩形(2.lg/m2)。然后將熱密封層層合到層合粘合劑中，具體地講，該層合粘合劑是厚度為1.8密耳(0.045mm)、拉伸模量為135，000psi(931MPa)的高密度聚乙烯(HDPE)膜，可從佐治亞州亞特蘭大的Printpack公司(Printpack, Inc.0f Atlanta ,GA)商購獲得。計算這種材料的作為熱密封層的使用，使得低熱導率非金屬無機材料位于或靠近總膜的中性平面。
[0137]然后使用這種構造的兩層膜來制造VIP，其中每層膜的熱密封層在芯周圍熱密封在一起。經發現，所得VIP具有增強的機械和阻隔特性。根據上面討論的測試方法，測試這種構造單層膜的水蒸汽透過性能。經發現，在本實驗中水蒸汽透過率低于設備的檢測限。
[0138]此外，使這種構造的單層膜經受抗彎性測試，并在此之前和之后測試WVTR。測試根據ASTM F392(2011)“調節柔性阻隔材料進行彎曲耐久性測試的標準實踐(StandardPractice for Condit1ning Flexible Barrier Materials for Flex Durability)，，進行。根據本方案，在經受20次扭轉/粉碎運動循環之后，包層的WVTR僅從低于0.005g/m2/日增加至0.65g/m2/日。
[0139]實施例18
[0140]根據實施例17的過程制備阻隔膜和VIP，不同的是，熱密封層是厚度為3.2密耳(0.081mm)、拉伸模量為30，OOOpsi(207MPa)的低密度聚乙烯(LDPE)，可從Printpack公司(Printpack, Inc)商購獲得。計算這種材料作為熱密封層的使用，使得低熱導率非金屬無機材料位于或靠近總膜的中性平面。
[0141]這種阻隔膜也用于VIP制造過程中的熱密封過程。此外，使這種構造的單層膜經受抗彎性測試，并在此之前和之后測試WVTR。根據ASTM F392，在經受20次扭轉/粉碎運動循環之后，該膜示出0.7g/m2/日的WVTR。
[0142]實施例19
[0143]根據實施例17的過程制備阻隔膜和VIP，不同的是，熱密封層是厚度為3.2密耳(0.081mm)、拉伸模量為27，000psi(186MPa)的線性低密度聚乙烯(LLDPE)，可從Printpack公司(Printpack, Inc)商購獲得。計算這種材料作為熱密封層的使用，使得低熱導率非金屬無機材料位于或靠近總膜的中性平面。
[0144]雖然以某些示例性實施方案詳細描述了說明書，但應當理解，本領域的技術人員在理解上述內容后，可以很容易地想到這些實施方案的改變、變型和等同物。因此，應當理解，本公開不應不當地受限于以上給出的示例性實施方案。此外，本文引用的所有出版物、公開的專利申請和公布的專利均以引用方式全文并入本文，在相同的程度上猶如被特別地和單獨地指出的各個出版物或專利都以引用方式并入。已對各個示例性實施方案進行了描述。這些和其他實施方案在以下列出的公開的實施方案的范圍內。
【主權項】
1.一種制品，所述制品包括真空隔熱板包層，所述真空隔熱板包層包括: (a)具有兩個相對主表面的基材； (b)與所述基材的所述相對主表面之一直接接觸的第一層，其中所述第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層； (C)與所述第一層直接接觸的第二層，其中所述第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中所述第二層與所述第一層中所選的材料不相同。2.根據權利要求1所述的制品，其中所述低熱導率無機疊層包括低熱導率非金屬無機材料。3.根據權利要求1所述的制品，其中所述低熱導率無機疊層包括低熱導率金屬材料。4.根據權利要求1所述的制品，其中所述低熱導率無機疊層包括低熱導率金屬材料和低比輻射率金屬材料。5.根據權利要求3或4所述的制品，其中所述低熱導率金屬包括具有低比輻射率的金屬I=IO6.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其還包括附加的低傳導率有機層。7.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其還包括熱密封層。8.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其中所述基材包括阻燃材料。9.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其還包括與所述基材的與所述第一層相對的相對主表面直接接觸的阻燃層。10.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其中所述真空隔熱板包層還包括芯層。11.根據權利要求2和權利要求6至10中任一項所述的制品，其中所述低熱導率非金屬無機材料選自下列物質中的至少一者:氧化鋁、二氧化硅、硅鋁氧化物、硅鋁氮化物和硅鋁氧氮化物、Cu0、Ti02、IT0、Si3N4、TiN、Zn0、氧化鋁鋅、Zr02、氧化釔穩定的氧化鋯和Ca2Si04。12.根據權利要求3至10中任一項所述的制品，其中所述低熱導率金屬材料選自T1、Sr、￥、]^、祖、0、511和(:0中的至少一者。13.根據權利要求4至10中任一項所述的制品，其中所述低比輻射率金屬材料選自下列物質中的至少一者:鋁、銀、金、銅、錫、鉻、鎳、鉑、鎢、鋅、鎂、鉬、銠、硅和/或它們的合金或組入口 ο14.根據權利要求5至13中任一項所述的制品，其中所述金屬合金選自鋁/硅和銅/錫中的至少一者。15.根據前述權利要求中任一項所述的制品，其中所述真空隔熱板包層具有低于0.lcc/m2/日的氧透過率和低于0.lg/m2/日的濕蒸汽透過率。16.—種阻隔膜，其包括: (a)具有兩個相對主表面的基材； (b)與所述基材的所述相對主表面之一直接接觸的第一層，其中所述第一層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層； (C)與所述第一層直接接觸的第二層，其中所述第二層為低熱導率有機層或低熱導率無機疊層，并且其中所述第二層與所述第一層中所選的材料不相同， 其中，所述低熱導率無機疊層包括至少一種低熱導率非金屬無機材料和至少一種低熱導率金屬材料。17.根據權利要求16所述的阻隔膜，其中所述低熱導率金屬材料包括低比輻射率金屬材料。18.根據權利要求17所述的阻隔膜，其中所述低熱導率金屬材料包括具有低比輻射率的金屬合金材料。19.根據權利要求16至18中任一項所述的阻隔膜，其還包括熱密封層。20.根據權利要求16至20中任一項所述的阻隔膜，其中所述基材包括阻燃材料。21.根據權利要求16至19中任一項所述的阻隔膜，其還包括與所述基材的與所述第一層相對的相對主表面直接接觸的阻燃層。22.根據權利要求16至21中任一項所述的阻隔膜，其中所述低熱導率非金屬無機材料選自下列物質中的至少一者:氧化鋁、二氧化硅、硅鋁氧化物、硅鋁氮化物和硅鋁氧氮化物、Cu0、Ti02、IT0、Si3N4、TiN、Zn0、氧化鋁鋅、Zr02、氧化釔穩定的氧化鋯和Ca2Si04。23.根據權利要求16至22中任一項所述的阻隔膜，其中所述低熱導率金屬材料選自T1、5『、￥、]?11、祖、0、511和(:0中的至少一者。24.根據權利要求17至23中任一項所述的阻隔膜，其中所述低比輻射率金屬材料選自下列物質中的至少一者:鋁、銀、金、銅和/或它們的合金或組合，鋁、銀、金、銅、錫、鉻、鎳、鉑、鎢、鋅、鎂、鉬、銠、硅和/或它們的合金或組合。25.根據權利要求18至24中任一項所述的阻隔膜，其中所述金屬合金選自鋁/硅和銅/錫中的至少一者。26.根據權利要求1至15中任一項所述的制品，其中所述低熱導率無機疊層位于或靠近所述制品的中性平面。27.根據權利要求16至25中任一項所述的阻隔膜，其中所述低熱導率無機疊層位于或靠近所述阻隔膜的中性平面。
【文檔編號】E04B1/80GK105829622SQ201480068692
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2014年12月16日
【發明人】克里斯托弗·S·萊昂斯, 唐娜·W·班格, 賽德利克·貝多亞, 保萊·T·恩根, 彼得·B·赫格頓, 約瑟夫·M·皮珀, 艾米·普雷斯勒普林斯, 余大華, 聶其紅, 唐納德·J·穆克盧爾
【申請人】3M創新有限公司