專利名稱：玻璃織物的表面處理方法
技術領域：
本發明涉及一種對用于纖維增強復合材料，如多層電路板的玻璃織物的表面處理方法。
以往，用涂有有機化合物的玻璃紗徑編織以獲得一種用于纖維增強復合材料、例如，多層電路板的玻璃織物。該有機化合物稱作尺寸穩定劑，起著一種玻璃紗的保護膜的作用。在編織之后，將該玻璃織物在約400℃加熱數十小時，將該有機化合物從玻璃織物上除去。該熱處理即為已知的熱清洗處理。接著，用一偶合劑處理該已去除了有機化合物的玻璃織物，以便在所述多層電路板的后道制造工序中，增強該玻璃織物和一種樹脂之間的粘合力。該偶合劑可使用一種有機硅烷化合物。例如，可將上述玻璃織物浸于包括一種被有機溶劑或水所稀釋的偶合劑的溶液中。將該經處理的玻璃織物用所述樹脂浸飽，形成一預浸料坯。將多層銅箔和預浸料坯經過疊層和緊壓后即可制得多層電路板。
如果，上述熱清洗處理未能將所述的有機化合物從玻璃織物上充分地去除，則會因該玻璃織物未能用偶合劑作均勻處理而發生玻璃織物與樹脂間的粘結力下降的問題。另外，如有碳作為該有機化合物的殘余物留于所述玻璃織物上，則有可能給纖維增強復合材料的絕緣性能帶來不良影響。
這樣，上述熱清洗處理乃是一個制造優良多層電路板所必需的重要步驟。然而，如上所述，由于該熱清洗處理要求將該玻璃織物在約400℃下加熱數十小時的一段時間，盡管使用了相當大量的能量，生產不附有有機化合物的玻璃織物的低效率成為一個問題。為改善生產率，在日本專利的早期公布(公開)號62—11493和64—1733至1735號專利上，提出了一種在減壓下用等離子體處理該玻璃織物，以從該玻璃織物上除去有機化合物，或在進行熱清洗處理過程的同時，作等離子體處理的方法。但是，因是在減壓下進行等離子體處理，上述處理方法就需要一個帶真空裝置的昂貴、復雜的爐。
另一方面，對于小型的電子設備和為該設備提供高性能，就需制造具有高密度線路的印刷電路板或多層印刷電路板。特別是，為了形成高密度線路，多層印刷板上的通孔與通孔之間的距離或該多層印刷電路板的內層的導電圖紋和一個通孔之間的距離變得更短，這樣，也導致了其間絕緣性能變差的不理想現象發生。作為這種現象的原因之一，應考慮銅遷移的影響。這種銅遷移可解釋如下即，當在高濕度條件下，在銅質電路之間施加電壓時，線路的相當于正(陽)極的銅被溶解，該溶解的銅滲過一絕緣部位并沉積于線路的相當于負(陰)極的銅上。這樣，該電路間的絕緣被破壞。當銅遷移發生在樹脂和玻璃織物之間的界面上時，該玻璃織物處于通孔與通孔之間或通孔與內層的導電圖紋之間，該銅遷移稱為CAF(導電陽極絲)。可以認為，該CAF是由于所述樹脂和玻璃織物之間的不充分粘結而引起的。換句話說，可以認為，當樹脂和玻璃織物間因粘結力差，或由于穿孔時的損壞而形成間隙時，就會在其中發生CAF。因而，可通過改善樹脂和玻璃織物之間的粘結力而防止CAF的發生。
因此，需要一種更有效的玻璃織物的表面處理法去解決上述問題。
本發明的首要目的是為解決上述問題提供一種玻璃織物的表面處理方法。即，該方法包括以下步驟將玻璃織物暴露于一包括反應氣體的混合氣體的一大氣壓的等離子區，以獲得該玻璃織物的經等離子體處理過的表面；對該經等離子體處理過的玻璃織物表面涂覆一種有機硅烷化合物。
通過將包含一種作為尺寸穩定劑的有機化合物的玻璃織物暴露于一大氣壓等離子區中，可有效地從該玻璃織物除去所述有機化合物。另一方面，通過將在本發明的上述暴露工序之前已進行了一次熱清洗處理過程的玻璃織物暴露于一大氣壓等離子區，可以除去在熱清洗處理之后殘留于該玻璃織物的穩定劑殘余物，如碳。另外，也可通過上述暴露處理除去在熱清洗處理之后吸附于玻璃織物之上的水份或雜質。因此，本發明的暴露處理可用于改善有機硅烷化合物和玻璃織物之間的粘結力，防止CAF(導電陽極絲)的發生。由于所述混合氣體在等離子體激發之前已經預熱，這就可能對玻璃織物均勻地提供該暴露過程的上述效果。
較好的是，所述反應氣體至少是氧化氣體和含氟氣體之一種。同樣較好的是，所述反應氣體為含氫氣體及含氫氣體和含氟氣體之混合氣體中之一種。特別是，當反應氣體含有該含氟氣體時，所述玻璃織物的表面由一大氣壓等離子體所蝕刻，形成微細地被打毛的表面。該微細地打毛的表面可改善偶合劑與玻璃織物之間的粘結性能。
另一較好的是，所述暴露過程包括以下幾步將玻璃織物先暴露于含氧化氣體的第一反應氣體的第一個一大氣壓等離子體區，以獲得玻璃織物的預處理表面；再將該經預處理過的表面暴露于含氟氣體的第二反應氣體的第二個一大氣壓等離子區，以獲得該玻璃織物的經等離子體處理過的表面。
通過所附附圖和下面更詳細的說明，本發明的其它特征、優點及效果將是顯而易見的。
圖1為本發明的等離子體反應裝置的示意圖；圖2為有助于理解樹脂和玻璃織物之間的粘結強度的測量方法的示意圖；又圖3為用于估算抗CAF(Conductivc Anodic Filaments)性能的覆銅層壓板的平面圖。
下面，詳述本發明的玻璃織物的表面處理方法。該方法包括下述第一和第二步驟，第一步驟的特征在于將玻璃織物暴露于一含有反應氣體的混合氣體的一大氣壓等離子區，以獲得一玻璃織物上的被等離子體處理過的表面。在第一步驟中，所述混合氣體在進行等離子體激發之前作了預熱處理。第二步驟的特征在于，在該玻璃織物的被等離子體處理過的表面上涂覆一種有機硅烷化合物。
為均勻、有效地進行第一步驟，上述混合氣體的預熱是非常重要的。即，在減壓下對基片進行等離子體處理時，由于從等離子區提供至該基片的熱能能量較小，通常需加熱基片以強化等離子體處理。然而，由于該基片尺寸較大，均勻加熱上述基片將是較困難的，也即對基片作均勻的等離子體處理是較困難的。
在減壓下對基片作等離子體處理時，所需用于加熱基片的熱能可以由氣體對流提供。但在減壓下卻無法由氣體對流獲得該熱傳遞。從而，即使該基片尺寸較大，仍可不用加熱器等對所述基片均勻進行等離子體處理。
例如，圖1所示的等離子體反應裝置可用于本發明的第一步驟。該裝置包括一管狀反應室1；一用于向反應室1供應混合氣體的進氣口7；一對用于激發混合氣體的一大氣壓等離子區11的上、下電極2和3。上電極2與下電極3平行設置，且按所需距離與下電極3隔開而置。電極2和3與反應室1絕緣。一固體電介質6置于電極2、3之間、且在下電極3之上。該固體電介質6用于防止任何電弧放電的發生并在等離子體的激發過程中保持輝光放電。該固體電介質可置于上電極上，或分別在上、下電極上各置一塊。上電極2連接至一交流電源5。較好的是，該電源5能提供頻率為50Hz到13.56MHz的交流電。下電極3接地。一熱電偶(圖中未示)插入反應室1以監測大氣壓等離子區11中的混合氣體的溫度。標號4代表陳于電極2、3之間的玻璃織物。玻璃織物4的放置最好以保持浮起狀態而置于兩電極之間。該裝置還具有一對送入和卷取輥(圖中未示)—用于連續供應長幅的玻璃織物4至該反應室1中，和一電動機(圖中未示)—用于驅動卷輥以一定速度將玻璃織物沿反應室1的長度方向進行傳送，如圖1中箭頭所示。因此，將長幅的玻璃織物4連續不斷地暴露于一大氣壓等離子區11是可行的。等離子體處理的時間取決于玻璃織物的送入速率。例如，可在約20分鐘之內完成第一步驟。
一種載氣可從一載氣瓶9經進氣孔7供至反應室1。交流電被加至電極2和3上，以在該二電極間產生該載氣的輝光放電。然后，反應氣體從反應氣體瓶10通過一氣體混合裝置8供至反應室1，以獲得混合氣體的一大氣壓等離子區11。控制反應氣體的流速，以獲得所需反應氣體對載氣的混合比。在供至反應室1之前，用加熱器12，以所需溫度預熱混合氣體。將該混合氣體的供應最好是吹向玻璃織物。用風扇(圖中未示)在反應室1中強制攪拌供至該反應室的混合氣體，也是同樣較好的。
在等離子體激發之前，混合氣體最好在100℃—600℃間被預熱。這時，可確認，玻璃織物上的殘余碳量通過第一步驟而被大大減少，從而，可改善樹脂與玻璃織物之間的粘結性能。可以認為，當混合氣體在上述溫度被預熱后，一大氣壓等離子區中的游離基和等離子強烈侵襲玻璃織物，這樣，就增加了混合氣體與作為尺寸穩定劑的有機化合物的反應速率，或增加了玻璃織物上的殘余碳量。也可認為，由于在玻璃織物的整個表面上有效、均勻地進行了等離子體清洗，且由于在第一步驟中，在玻璃織物上形成了微細地被打毛的表面，因而樹脂和玻璃織物之間的粘結性能可被改善。如果預熱混合氣體的溫度低于100℃，則由于反應速率相應較低，提高粘結性能所需的等離子體處理時間就會增加。當混合氣體的預熱溫度大于600℃，則玻璃纖維將被軟化。
反應氣體最好是使用氧化氣體及含氟氣體之一。當氧化氣體和含氟氣體的混合氣體被用作反應氣體時，由該氧化氣體對含氟氣體的混合比例最好在1/3—3/1。
同樣優選的是，先將玻璃織物暴露于含氧化氣體的第一反應氣體的第一個一大氣壓等離子區中，接著，再暴露于含有含氟氣體的第二反應氣體的第二個一大氣壓等離子區中。在第一等離子區中，殘留于該玻璃織物上的有機化合物或碳被轉化成二氧化碳的形式，且與吸附于玻璃織物上的水份和雜質一起從該玻璃織物上被除去。所述氧化氣體最好是選自氧、空氣及二氧化碳中的至少一種。在第二等離子區中，玻璃織物表面被蝕刻，而有機化合物和殘留碳與水份、雜質一起被從玻璃織物上除去。即，在第二步驟中，玻璃織物的氧化硅籍與氟的反應而被蝕刻。玻璃織物的整個表面經由第二步驟而被微細、均勻地打毛。該玻璃織物上的、經微細地打毛的表面對改善樹脂和玻璃織物之間的結構性能是有用的。
同樣優選的是，將含氫氣體及含氫氣體與含氟氣體的混合物這二者中之一種用作反應氣體。在使用含氟氣體時，有機化合物或殘留于玻璃織物上的碳被轉化成烴的形式，并與水份和雜質一起被從玻璃織物上除去，獲得一洗凈的、活性的玻璃織物表面。特別是，含氟氣體中添加氫氣后增強了含氟氣體的等離子體激發，改善了一大氣壓等離子體對玻璃織物和反應速率。當將氫氣和含氟氣體的混合氣體用作反應氣體時，氫氣與含氟氣體的混合比最好選自1/3—3/1的范圍。優選的是，含氟氣體至少選自氟化氫(HF)，六氟化硫(SF6)，氟，三氟化氮(NF3)，四氟化碳(CF4)，三氟甲烷(CHF3)，及六氟化二碳(C2F6)中的一種。
混合氣體最好包含一種如氬的稀有氣體及/或氦作為反應氣體的載氣。該混合氣體中的反應氣體的濃度最好在15％(體積)或以下。
進一步優選的是，進行本發明的第一步驟，以取代從含有有機化合物的玻璃織物上除去有化合物的熱清洗處理。另外，也可在熱清洗處理之后再進行第一步驟。即，由第一步驟，可除去有機化合物或在熱清洗處理之后殘留于玻璃織物上的碳。由于在第一步驟中，可在玻璃織物表面形成微細地被打毛的表面，故可在玻璃織物和在本發明的第二步驟中形成的有機硅烷化合物之間提供一改善的粘結作用。而且，如圖1所示，因在第一步驟中使用了一大氣壓等離子體，故易于對即使以長幅匹形式供應的玻璃織物連續進行第一步驟。結果，使用相對低廉且簡單的等離子體反應裝置，本發明的第一步驟能為具有經過等離子體處理的表面的玻璃織物的生產提供高的生產率。
在本發明的第二步驟中，將有機硅烷化合物涂覆于玻璃織物的經過等離子體處理的表面上，以改善樹脂對玻璃織物的潤濕性。該有機硅烷化合物通稱為一種偶合劑。例如將玻璃織物用浸漬或噴灑的方法用含該偶合劑的溶液浸飽，然后烘干。所述溶液基本上由有機硅烷化合物及如醇或水的溶劑組成。該溶液中有機硅烷化合物濃度最好在0.1—2％(重量)范圍之內。所述有機硅烷化合物包括乙烯基甲氧基硅烷，乙烯基苯基三甲氧基硅烷，3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基硅烷，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷，3-氨基丙基三乙氧基硅烷，4-縮水甘油基丁基三甲氧基硅烷，N-2(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷，N-2-(N-乙烯基芐氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷的鹽酸鹽，N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷，3-巰基丙基三甲氧基硅烷，咪唑硅烷或諸如此類。
優選的是，用一等離子體聚合法將有機硅烷化合物涂覆在玻璃織物的等離子體處理過的表面上。一種有機硅烷單體的蒸氣與一稀有氣體如氬及/或氦的混合氣體可用作該等離子體聚合法中的載氣。將上述等離子體處理過的玻璃織物表面暴露于所述混合氣體的一大氣壓等離子區，以便在其上涂覆上述有機硅烷化合物。除了上述列舉的有機硅烷化合物，該有機硅烷單體還包括四甲氧基硅烷，三甲氧基硅烷，三乙氧基硅烷，乙烯基三乙氧基硅烷，六甲基乙硅烷，四乙氧基硅烷，六甲基二甲硅醚，諸如此類。當如圖1所述的等離子體反應裝置被改良成用有機硅烷蒸氣連同載氣一同供應至反應室時，則基本上可使用該改進后的裝置來完成該等離子體聚合法。最好將少量氧加于上述混合氣體中，以加強所述硅烷化合物的涂覆。同樣理想的是，等離子區中氣化的氣體和烯有氣體的混合氣體的溫度在100℃—500℃，這樣，可改善玻璃織物和有機硅烷化合物之間的粘結性能并防止CAF的發生。
本發明方法中所用的玻璃織物包括含大量有機化合物作為尺寸穩定劑的、未經熱清洗處理的玻璃織物；含少量的如0.1％或更少的有機化合物或殘留碳的、已在本發明的第一步驟之前進行過熱清洗處理的玻璃織物。所述有機化合物包括一種淀粉，聚乙烯醇等等。特別是，當對后一種玻璃織物進行第一步驟時，幾乎可以從該玻璃織物上完全去除殘留碳，并可加強玻璃織物上微細地被拉毛的表面的形成。實施例1—8用機器編織玻璃紗線(日本工業標準(JIS)E型)，同時對其施用一種有機化合物作為尺寸穩定劑，以便獲得包含有機化合物的玻璃織物。所得的玻璃織物相當于JIS 3414-EP 18的玻璃布。接著，根據表1和表2的加工條件，對該玻璃織物施以本發明的表面處理，獲得實施例1—8的產品。
例如，按下述方法制得實施例1的產品。在第一個等離子體處理中，將上述玻璃織物暴露于以氧作為第一反應氣體和以氦作為載氣的第一個混合氣體的第一個一大氣壓等離子區。第一反應氣體和載氣的流速分別為0.04升/分和1.96升/分。將13.56MHz頻率的交流電源用于該第一等離子區的等離子體激發。第一混合氣體在等離子體激發之前被一加熱器在150℃溫度預熱。所述玻璃織物在該第一等離子區保持5分鐘，以得到該玻璃織物的凈化過的表面。
在第二個等離子體處理中，將上述凈化過的玻璃織物表面暴露于以四氟化碳(CF4)為第二反應氣體和以氦為載氣的第二混合氣體的第二個一大氣壓等離子區。第二反應氣體和載氣的流速分別為0.06升/分和1.94升/分。將13.56MHz頻率的交流電源施于第二等離子區的等離子體激發，在該等離子體激發之前，第二混合氣體不經加熱。將該玻璃織物在第二等離子區中保持5分鐘，得到被等離子體處理過的該玻璃織物的表面。
在第三個等離子處理中，將上述經等離子體處理過的玻璃織物的表面暴露于以3一氨基丙基三乙氧基硅烷氣體為有機硅烷氣體和以氦為載氣的第三混合氣體的第三個一大氣壓等離子區，在該等離子體處理的表面上涂上一種有機硅烷化合物。所述有機硅烷氣體由汽化一有機硅烷單體而制得。該有機硅烷的供應速率為50毫克/分。并以一質譜儀測定供應速率。載氣的流速為2.0升/分。將13.56MHz頻率的交流電源用于第三個等離子區的等離子體的激發。將該玻璃織物在第三個等離子區中保持5分鐘，得到實施例1的產品。
在實施例4，5及8中，均在第二個等離子體處理之后進行一次浸漬處理以替代第三個等離子體處理。例如，在實施例4中，將所述玻璃織物用3-氨基丙基三乙氧基硅烷的水溶液浸飽以完成浸漬處理。該3-氨基丙基三乙氧基硅烷在水溶液中的濃度為2％。浸漬之后，在150℃干燥玻璃織物60分鐘，得到實施例4的產品。實施例9—19用機器編織玻璃紗線(日本工業標準(JIS)E型)，同時對其施用一種有機化合物作為尺寸穩定劑，以便獲得包含有該有機化合物的玻璃織物。所得的玻璃織物相當于JIS 3414-EP 18的玻璃布。在400℃處理48小時，對該玻璃織物施以一次熱清洗，以便從該玻璃織物上除去該有機化合物。熱清洗處理之后，可確認該玻璃織物上留有0.08％的碳作為殘余碳。接著，根據表3—5的加工條件，對上述玻璃織物施以本發明的表面處理，得到實施例9—19的產品。
例如，按上述方法得到實施例13的產品。在第一個等離子體處理過程中，將上述玻璃織物暴露于以六氟化硫(SF6)及氫為第一反應氣體和以氦及氬為載氣的第一混合氣體的第一個大氣壓等離子區。六氟化硫(SF6)和氫的流速分別為0.05升/分，氦和氬的流速分別為1.00升/分及0.90升/分。將頻率為2MHz的交流電源施于第一等離子體區的等離子體激發。在該等離子體激發之前，用一加熱器在350℃溫度預熱該第一混合氣體。將該玻璃織物在第一等離子區保持5分鐘，得到該玻璃織物的等離子體處理過的表面。
在第二等離子體處理過程中，將上述經等離子體處理的玻璃織物表面暴露于以六甲基二甲硅醚氣體為有機硅烷氣體和以氦為載體的第二混合氣體的第二個一大氣壓等離子區，在該等離子體處理過的表面上涂覆有機硅烷化合物，該有機硅烷氣體由汽化一有機硅烷單體而制得，并以20毫克/分的流速供應。有機硅烷氣體流速用一質譜儀測定。載氣流速為2.0升/分。將15KHz頻率的交流電源施于該第二等離子區的等離子體激發。在該等離子體激發之前，以200℃的溫度預熱第二混合氣體。將該玻璃織物在第二等離子區中保持10分鐘，得到實施例13的產品。
在實施例10，15，16及18中，均在第一個等離子體處理之后，進行一浸漬處理以取代第二等離子體處理。例如，在實施例16中，將玻璃織物用了一縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷的乙醇溶液浸飽以完成浸漬處理。該3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷在乙醇溶液中的濃度為2％。浸漬之后，在100℃的溫度干燥玻璃織物60分鐘，得到實施例16的產品。
比較例1
在比較例1中，使用了包括一有機化合物、且與實施例1中所用相同的玻璃織物。用一電爐在400℃的溫度下進行熱清洗處理48小時，以便從該玻璃織物上除去該有機化合物。然后，將該玻璃織物浸漬于3—氨基丙基三乙氧基硅烷的水溶液中1分鐘，接著在150℃溫度下干燥60分鐘，得到比較例1的產品。3—氨基丙基三乙氧基硅烷在水溶液中的濃度為2％(重量)。比較例2除了在第一等離子區的等離子體激發之前不對第一混合氣體加熱之外，其它以與實施例1同樣的方法制得比較例2的產品，在此例中，第一等離子體的等離子區中的第一混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。比較例3除了在第二等離子區的等離子體激發之前，不對第二混合氣體加熱之外，其它以與實施例4相同的方法制得比較例3的產品。在此例中，第二等離子體的等離子區中的第二混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。比較例4除了在第二等離子區的等離子體激發之前不對第二混合氣體加熱之外，其它以與實施例5同樣的方法制得比較例4的產品，在此例中，第二等離子體的等離子區中的第二混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。比較例5除了在第一等離子區的等離子體激發之前不對第一混合氣體加熱之外，其它以與實施例6同樣的方法制得比較例5的產品，在此例中，第一等離子體的等離子區中的第一混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。比較例6
除了在第二等離子區的等離子體激發之前，不對第二混合氣體加熱之外，其它以與實施例7相同的方法制得比較例6的產品，在此例中，第二等離子體的等離子區中的第二混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。比較例7除了在第二等離子區的等離子體激發之前，不對第二混合氣體加熱之外，其它以與實施例8相同的方法制得比較例7的產品，在此例中，第二等離子體的等離子區中的第二混合氣體的溫度范圍被確認為室溫至70℃。
對實施例1—19及比較例1—7的產品，分別進行下述1—3的實驗。(1)實驗1用碳質譜儀，在即將涂覆有機硅烷化合物之前，測定殘留于玻璃織物上的殘留碳量。其結果示于表6。(2)實驗2為評價樹脂和實施例1～19及比較例1—7之各個產品之間的粘結力，制備一覆銅疊壓板，并測定覆銅疊壓板的預浸料坯之間的粘結力如下將溴化雙酚—A型環氧樹脂、作為固化劑的雙氧胺、作為催化劑的2—乙基—4—甲基—咪唑容入作為溶劑的甲基溶纖劑中，制得環氧樹脂漆。上述各產品用該漆滲飽，再在150℃干燥8分鐘，獲得預浸料坯，該預浸料坯中樹脂含量范圍為43～46％(重量)。該預浸料坯中環氧樹脂的130℃時的熔體粘度為400—700泊。在170℃，凝膠作用需時120～160秒，在疊壓4塊預浸料坯，成為預浸料坯組之后，將預浸料坯組夾在一對18mm厚的銅箔之間。在170℃、40kg/cm2的壓力下，緊壓該具有銅箔的預浸料坯組90分鐘，得到覆銅疊壓板。如圖2所示，當該疊壓板30的帶有頂層銅箔34的上層預浸料坯33被一垂直的力從該疊層板30的、附有底層銅箔31的下一層預浸料坯32上分離時，可根據該垂直力，確定該層預浸料坯之間的粘結力。其結果示于表6。(3)實驗3如下評價預浸料坯對CAF(導電陽極絲)的阻力。層疊8塊相同于在實驗2中所用的預浸料坯，得到一預浸料坯組。將該組預浸料坯夾于一對18μm厚的銅箔間。在170℃、40kg/cm2的壓力下緊壓該組具銅箔的預浸料坯組90分鐘，得到厚為1.6mm的覆銅疊壓板40。如圖3所示，在該覆銅疊壓板40上穿400個直徑為0.9mm的通孔41。接著，在該疊壓板上形成頂面和底面電路圖紋。在圖3中，連接通孔41的實線表示頂面電路圖紋，連接通孔41的虛線表示底面電路圖紋。對這些通孔41進行鍍銅，以連接頂面電路圖紋和底面電路圖紋。當在一大氣壓、85℃溫度和85％的相對溫度下，對該疊壓板40上的電極42和43之間施加35V的直流電壓時，測定導致短路所需的時間間隔，作為抗CAF的指示值。因此，引起短路所需時間間隔若延長，便可理解為抗CAF能力有改善。測試結果列于表6。
實施例1～9的各玻璃織物上的殘留碳量等于或少于比較例1的玻璃織物上的殘留碳量。因此，進行本發明的等離子體處理數分鐘，而不是進行如以往技術那樣的熱清洗處理數十小時，便可從玻璃織物上有效去除有機化合物。將關于實施例1及4～8所作的實驗1～3的結果與關于比較例2～7所作的實驗結果作一比較，可以明白，在等離子體激發之前對第一混合氣體及或第二混合氣體進行預熱，對于制成粘結強度和抗CAF大有改善的覆銅疊壓板而言是有用的。另外，如由實施例9～19所驗證的，最好在熱清洗處理之后進行本發明的表面處理，以獲得良好的覆銅疊壓板。表1
表2
表3
表4
表5
表6
>
權利要求
1.一種玻璃織物的表面處理方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟將所述玻璃織物暴露于一個包括反應氣體的混合氣體的一大氣壓等離子區，以獲得該玻璃織物的經等離子體處理過的表面，所述混合氣體在作等離子體激發之前經過預熱；及在所述玻璃織物的經等離子處理過的表面上涂覆一種有機硅烷化合物。
2.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合氣體在100℃～600℃的溫度下被預熱。
3.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應氣體至少為一種氧化氣體和一種含氟氣體之一。
4.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述暴露步驟包括以下各處理過程將所述玻璃織物暴露于一種含氧化氣體的第一反應氣體的第一個一大氣壓等離子區，得到該玻璃織物的預處理過的表面；和將所述玻璃織物的預處理過的表面暴露于一含有含氟氣體的第二反應氣體的第二個一大氣壓等離子區，以得到所述玻璃織物的經等離子體處理過的表面。
5.權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化氣體選自氧、空氣和二氧化碳中之至少一種。
6.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應氣體為含氧氣體及氫氣與含氟氣體的混合氣體的一種。
7.權利要求3與6中之任一項所述的方法，其特征在于，所述含氟氣體為選自氟化氫(HF)、六氟化硫(SF6)、氟、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)及六氟化二碳(C2F6)中之至少一種。
8.權利要求所述的方法，其特征在于，通過將玻璃織物用含所述有機硅烷化合物的溶液浸飽然后干燥該玻璃織物中的所述溶液，使所述有機硅烷化合物涂覆于玻璃織物的經等離子體處理過的表面。
9.權利要求1所述的方法，其特征在于，通過將所述的等離子體處理過的表面暴露于含一有機硅烷單體的蒸汽的第二混合氣體的第二個一大氣壓的等離子區，在所述的等離子體處理過的表面涂覆所述的有機硅烷化合物。
10.權利要求9所述的方法，其特征在于，所述的第二混合氣體在作等離子體激發之前，在100℃～500℃的溫度被加熱。
11.權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述暴露步驟之前，對該玻璃織物作熱清洗處理。
12.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體用一頻率為50Hg—13.5MHg的交流電源激發。
13.一種對含有機化合物的玻璃織物作表面處理的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟在混合氣體的一大氣壓等離子區中，從所述玻璃織物上除去所述有機化合物，得到所述玻璃織物的等離子體處理過的表面，所述混合氣體包含氧化氣體和含氟氣體中的至少一種作為反應氣體，并含有一稀有氣體作為所述反應氣體的載氣，所述混合氣體在作等離子體激發之前已被預熱過；及在所述玻璃織物的等離子體處理過的表面也涂覆一種有機硅烷化合物。
全文摘要
一種玻璃織物的表面處理方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟將所述玻璃織物曝露于一包括反應氣體的混合氣體的一大氣壓等離子區，以獲得該玻璃織物的等離子體處理過的表面，所述混合氣體在作等離子體激發之前經過預熱；及在所述玻璃織物的等離子體處理過的表面上涂覆一種有機硅烷化合物。本發明的表面處理可有效地用于生產樹脂與玻璃織物之間具有優異的粘結力和抗CAF(導電陽極絲)性能的多層電路板。
文檔編號C03C25/62GK1121055SQ9510613
公開日1996年4月24日 申請日期1995年6月2日 優先權日1994年6月28日
發明者小川梧, 澤田康志, 松村昌弘, 中村善彥 申請人:松下電工株式會社