一種晶圓片切割液的控制方法與流程

本申請屬于半導體硅片制造切割，尤其是涉及一種晶圓片切割液的控制方法。

背景技術：

1、由于半導體晶圓制造對于成本的訴求日益增高，而大面積硅片在單位產出芯片的數(shù)量和單位成本具有優(yōu)勢，因此半導體硅襯底片的尺寸也趨于大直徑化、薄片化。從最早的2英寸、3英寸發(fā)展到當今的8英寸、12英寸及研發(fā)中的18英寸。隨著晶圓片直徑的增加，金剛線對硅片切割的穩(wěn)定性會隨著晶棒直徑的增加而更加不穩(wěn)；金剛線的晃動會直接影響硅片表面的切割質量。同時，切割液的流量大小對金剛線的噴淋也會影響金剛線的晃動，亦影響硅片的質量，若流量過大會直接造成硅片隱裂。如何設計一種晶圓片切割液的控制方法，使其隨切割深度的增加而發(fā)生變化，來最大限度地降低其對金剛線晃動的影響且不會影響硅片切割，是本案發(fā)明的重點。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N晶圓片切割液的控制方法，尤其是適用于直徑大尺寸12寸及其以上晶圓片的生產制備，解決了現(xiàn)有技術中隨著尺寸規(guī)格的增加，現(xiàn)有切割液的控制方法無法保證金剛線切割狀態(tài)的效果、以及硅片表面質量的技術問題。

2、為解決至少一個上述技術問題，本申請采用的技術方案是：

3、一種晶圓片切割液的控制方法，步驟包括：

4、基于晶棒直徑，調整線網槽輪的軸間距；

5、獲取切割液最小流量；

6、控制切割液流量隨切割深度的增加而先減小后增加。

7、進一步的，所述晶棒直徑小于所述軸間距，且所述晶棒直徑與所述軸間距之比是0.1-0.5。

8、進一步的，基于切割深度，獲得晶棒位于該切割位置時的弦長；

9、基于切割液最小流量和該切割位置時的弦長，獲得該切割位置時的切割液流量。

10、進一步的，所述切割液最小流量為切割深度是晶棒半徑時的切割液流量；且所述切割液最小流量的噴射落點與晶棒外圓直徑點重疊。

11、進一步的，基于晶棒直徑和所述弦長，可獲得任一切割位置時弦長外側端點至同側直徑端點的水平距離ln。

12、進一步的，對任一切割位置時的所述水平距離ln進行n等份，其中n為整數(shù)，范圍為1-100。

13、進一步的，任一切割位置時的切割液流量為切割液最小流量加上所述水平距離的1/n倍。

14、進一步的，所述切割液在初始切割位置時其流量最大，且在切割深度為半徑時其流量達到最小。

15、進一步的，在切割過程中，晶棒直徑兩側均有噴嘴噴射切割液；且兩側噴嘴噴射的切割液以初始流量噴射時落點之間的水平距離小于其以最小流量噴射時落點之間的水平距離。

16、進一步的，兩側噴嘴噴射的切割液以初始流量噴射時落點之間的水平距離為晶棒直徑的0.95-1倍。

17、采用本申請設計的一種晶圓片切割液的控制方法，通過切割深度與晶圓弦長的關系，對切割液流量進行量化；并基于切割位置與噴嘴噴流的相對位置，來自動調整切割液的流量速度，最大限度地降低切割液對金剛線線網的沖擊，保證金剛線線網穩(wěn)定，提高切割質量，亦可提高硅片成品率。

技術特征：

1.一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，步驟包括：

2.根據權利要求1所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，所述晶棒直徑小于所述軸間距，且所述晶棒直徑與所述軸間距之比是0.1-0.5。

3.根據權利要求1或2所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，基于切割深度，獲得晶棒位于該切割位置時的弦長；

4.根據權利要求3所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，所述切割液最小流量為切割深度是晶棒半徑時的切割液流量；且所述切割液最小流量的噴射落點與晶棒外圓直徑點重疊。

5.根據權利要求1-2、4任一項所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，基于晶棒直徑和所述弦長，可獲得任一切割位置時弦長外側端點至同側直徑端點的水平距離ln。

6.根據權利要求5所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，對任一切割位置時的所述水平距離ln進行n等份，其中n為整數(shù)，范圍為1-100。

7.根據權利要求6所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，任一切割位置時的切割液流量為切割液最小流量加上所述水平距離的1/n倍。

8.根據權利要求1-2、4、6-7任一項所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，所述切割液在初始切割位置時其流量最大，且在切割深度為半徑時其流量達到最小。

9.根據權利要求8所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，在切割過程中，晶棒直徑兩側均有噴嘴噴射切割液；且兩側噴嘴噴射的切割液以初始流量噴射時落點之間的水平距離小于其以最小流量噴射時落點之間的水平距離。

10.根據權利要求9所述的一種晶圓片切割液的控制方法，其特征在于，兩側噴嘴噴射的切割液以初始流量噴射時落點之間的水平距離為晶棒直徑的0.95-1倍。

技術總結
本申請?zhí)峁┮环N晶圓片切割液的控制方法，步驟包括：基于晶棒直徑，調整線網槽輪的軸間距；獲取切割液最小流量；控制切割液流量隨切割深度的增加而先減小后增加。本申請一種晶圓片切割液的控制方法，通過切割深度與晶圓弦長的關系，對切割液流量進行量化；并基于切割位置與噴嘴噴流的相對位置，來自動調整切割液的流量速度，最大限度地降低切割液對金剛線線網的沖擊，保證金剛線線網穩(wěn)定，提高切割質量，亦可提高硅片成品率。

技術研發(fā)人員：李曉寶,劉姣龍,袁祥龍,劉建偉,郭紅慧
受保護的技術使用者：中環(huán)領先半導體科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/30