本申請涉及晶棒切割,特別是涉及切割方法及切割裝置。
背景技術:
1、晶片廣泛應用于光伏行業和半導體行業,晶片通常由晶棒經切割加工后獲得。然而,在此過程中,晶片的良率和生產效率有待提高。
技術實現思路
1、基于此,有必要提供一種切割方法及切割裝置,以提高晶片的良率和生產效率。
2、根據本申請的一個方面,本申請實施例提供了一種切割方法,包括:
3、控制承載件朝向切割線單元移動;承載件上承載有晶棒,晶棒位于承載件朝向切割線單元的一側,切割線單元包括沿晶棒的縱長方向依次布置的多根切割線;
4、控制切割線單元將晶棒沿晶棒的縱長方向切割為多個晶片,在切割線單元切割至承載件的預設位置的情況下,控制承載件停止移動并控制切割線單元停止切割;
5、控制噴淋機構朝向晶棒噴淋切割液,直至切割線單元停止切割;
6、將所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中,并控制承載件遠離切割線單元移動,直至所有晶片與切割線單元分離。
7、在其中一個實施例中,切割線單元背離于承載件的一側設有碎片盒,碎片盒具有容納腔以及分別與容納腔連通的開口和排液口,容納腔構造為能夠容納晶棒的至少部分,開口朝向切割線單元設置,排液口配置為可受控地開啟或關閉;
8、其中,在控制噴淋機構朝向晶棒噴淋切割液的步驟中,排液口開啟,容納腔用于承接經由開口進入碎片盒內的切割液,并借助于排液口排出碎片盒內的切割液;
9、在將所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中的步驟中,排液口關閉,容納腔用于容納預設液體。
10、在其中一個實施例中,將所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中,包括:
11、收集排液口排出的切割液,并將收集的切割液容置于容納腔內,以形成預設液體,并使得所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中;或者
12、控制噴淋機構向容納腔內噴淋切割液,以形成預設液體,并使得所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中。
13、在其中一個實施例中,控制噴淋機構朝向晶棒噴淋切割液,包括:
14、基于切割線單元的當前邊緣切割位置集合,確定噴淋機構的目標噴淋區域;當前邊緣切割位置集合包括所有切割線的當前邊緣切割位置,當前邊緣切割位置為切割線與晶棒相接觸的當前邊緣位置,目標噴淋區域覆蓋所有當前邊緣切割位置;
15、若目標噴淋區域與噴淋機構的當前噴淋區域不同,則將噴淋機構的當前噴淋區域調節至目標噴淋區域。
16、在其中一個實施例中,控制噴淋機構朝向晶棒噴淋切割液,還包括:
17、獲取切割線單元和晶棒的圖像信息,確定切割線單元中每一切割線的當前邊緣切割位置,得到當前邊緣切割位置集合。
18、根據本申請的另一個方面,本申請實施例提供了一種切割裝置,包括:
19、承載件,用于承載晶棒;
20、切割線單元,包括沿晶棒的縱長方向依次布置的多根切割線;切割線單元用于將承載件承載的晶棒切割為多個晶片;承載件配置為能夠朝向或遠離切割線單元運動,切割線配置為能夠沿該切割線的延伸方向移動;
21、噴淋機構,用于朝向晶棒噴淋切割液;及
22、容具,用于容納預設液體;容具位于切割線單元背離于承載件的一側,容具配置為用于在承載件遠離切割線單元移動的過程中,借助預設液體浸泡所有晶片的至少部分。
23、在其中一個實施例中,切割裝置還包括用于構成容具的碎片盒,碎片盒設于切割線單元背離于承載件的一側;
24、碎片盒具有容納腔以及分別與容納腔連通的開口和排液口,容納腔構造為能夠容納晶棒的至少部分,開口朝向切割線單元設置,排液口配置為可受控地開啟或關閉;
25、在排液口開啟的情況下,碎片盒用于承接經由開口進入碎片盒內的切割液,并借助于排液口排出碎片盒內的切割液;
26、在排液口關閉的情況下,容納腔用于容納預設液體。
27、在其中一個實施例中,切割裝置還包括與碎片盒連接的收集機構;收集機構用于收集排液口排出的切割液,并能夠將收集的切割液輸出至容納腔內,以在排液口關閉的情況下形成預設液體;或者
28、噴淋機構還用于在排液口關閉的情況下,向容納腔內噴淋切割液以形成預設液體。
29、在其中一個實施例中,噴淋機構包括噴淋件和沿第一方向依次間隔設置多個導流件;
30、導流件配置為用于引導從噴淋件的出口流出的切割液朝向晶棒噴淋;
31、第一方向與承載件朝向切割線單元移動的方向彼此平行,第一方向、晶棒的縱長方向和導流件的導流方向兩兩相交。
32、在其中一個實施例中,所有導流件中的至少一導流件配置為能夠繞第一軸線轉動;第一軸線的延伸方向與晶棒的縱長方向彼此平行;和/或
33、導流件的導流出口沿第二方向延伸設置;第二方向與晶棒的縱長方向彼此平行;和/或
34、沿第一方向,導流件背離于切割線單元的一側敞開設置。
35、在其中一個實施例中,噴淋機構配置為具有可調節的噴淋區域。
36、在其中一個實施例中,切割裝置還包括:
37、檢測件,用于獲取切割線單元和晶棒的圖像信息;
38、控制器,分別電性連接檢測件和噴淋機構;控制器用于根據圖像信息確定噴淋機構的目標噴淋區域,并將噴淋機構的當前噴淋區域調節至目標噴淋區域。
39、在其中一個實施例中,噴淋機構包括噴淋件和沿第一方向布置的至少一導流件;導流件配置為用于引導從噴淋件的出口流出的切割液朝向晶棒噴淋;所有導流件中存在能夠繞第一軸線轉動的導流件,以能夠調整噴淋機構的當前噴淋區域至目標噴淋區域;第一方向與承載件朝向切割線單元移動的方向彼此平行,第一軸線的延伸方向與晶棒的縱長方向彼此平行,第一方向、第一軸線的延伸方向和導流件的導流方向兩兩相交;和/或
40、噴淋機構設置有多個,所有噴淋機構分居于晶棒沿第三方向的兩側;第三方向、承載件朝向切割線單元移動的方向以及晶棒的縱長方向兩兩相交。
41、上述切割方法和切割裝置中,通過控制承載件朝向切割線移動,并控制切割線對晶棒進行切割,使得晶棒能夠被切割為多個晶片。在切割過程中產生的雜屑混合切割液形成的砂漿容易留存于相鄰的兩個晶片之間,在砂漿的粘性作用下,使得相鄰的兩個晶片難以分開,致使在控制承載件遠離切割線移動的過程中,切割線難以從相鄰的兩個晶片之間退出。因此,通過將所有晶片的至少部分浸泡于預設液體中,不僅使得相鄰兩個晶片之間的砂漿硅粉溶解于預設液體中,還可借助于晶片在預設液體中的浮力,便于切割線從對應的相鄰兩個晶片之間退出,改善了切割線掛線于晶片上的情形,從而改善了晶片掉片以及被切割線劃傷的情形,提高了晶片的良率和生產效率。
42、本申請實施例的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本申請實施例的實踐了解到。
1.一種切割方法,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的切割方法,其特征在于,所述切割線單元背離于所述承載件的一側設有碎片盒,所述碎片盒具有容納腔以及分別與所述容納腔連通的開口和排液口,所述容納腔構造為能夠容納所述晶棒的至少部分,所述開口朝向所述切割線單元設置,所述排液口配置為可受控地開啟或關閉;
3.根據權利要求2所述的切割方法,其特征在于,所述將所有所述晶片的至少部分浸泡于預設液體中,包括:
4.根據權利要求1-3任一項所述的切割方法,其特征在于,所述控制噴淋機構朝向所述晶棒噴淋切割液,包括:
5.根據權利要求4所述的切割方法,其特征在于,所述控制噴淋機構朝向所述晶棒噴淋切割液,還包括:
6.一種切割裝置,其特征在于,包括:
7.根據權利要求6所述的切割裝置,其特征在于,所述切割裝置還包括用于構成所述容具的碎片盒,所述碎片盒設于所述切割線單元背離于所述承載件的一側;
8.根據權利要求6或7所述的切割裝置,其特征在于,所述噴淋機構包括噴淋件和沿第一方向依次間隔設置多個導流件;
9.根據權利要求8所述的切割裝置,其特征在于,所有所述導流件中的至少一導流件配置為能夠繞第一軸線轉動;所述第一軸線的延伸方向與所述晶棒的縱長方向彼此平行;和/或
10.根據權利要求6或7所述的切割裝置,其特征在于,所述切割裝置還包括: