改善12英寸硅片翹曲形貌的方法與流程

本發(fā)明屬于硅片切割方法的，具體涉及一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法。

背景技術(shù)：

1、集成電路為追求低成本、立體化方向快速發(fā)展，對單晶硅片的質(zhì)量、直徑、厚度等指標(biāo)提出更高的要求；其中最明顯的即為大直徑化，硅片直徑越大，單位面積硅片出片率越高，從1965年2英寸的直徑逐步增大到2000年的12英寸。而從2英寸到逐步增大到12英寸，直徑擴(kuò)大六倍，單片面積擴(kuò)大36倍，極大地降低芯片生產(chǎn)成本。然而，硅片直徑的增大，同樣給整個集成電路制造流程帶來極大的挑戰(zhàn)。

2、現(xiàn)階段，針對12英寸硅片粗片的參數(shù)要求，除了翹曲值（warp）的大小以外，下游用戶更為注重硅片微觀形貌的相對平坦，若形貌異常，則為不合格產(chǎn)品，但是在硅片加工時的出刀口及入刀口，即切割開始位置與即將結(jié)束位置，硅片的微觀形貌異常概率大，故需要研究一種方法以改善硅片的形貌。

3、現(xiàn)有技術(shù)中，如申請?zhí)枮閏n202310726300.7的中國發(fā)明公開了一種控制切割硅片形貌的工藝方法，通過在機(jī)架上開設(shè)水冷腔，在硅片不同切割位置根據(jù)監(jiān)測件監(jiān)測到的機(jī)架的膨脹量向水冷腔內(nèi)通入第一預(yù)定溫度曲線的冷水，正負(fù)補(bǔ)償晶錠在不同切割區(qū)域的膨脹狀況，從而改善硅片的入刀形狀，控制和提高硅片的平坦度，進(jìn)而使硅片形貌和mc側(cè)形貌一致，改善硅片warp；上述現(xiàn)有技術(shù)中雖然通過控制機(jī)架的水冷改善了硅片的入刀口形狀，但是硅片出刀口的形貌仍然存在異常，因此需要探究一種新的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法。

2、本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

3、一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，在多線切割中，通過控制鋼線張力，保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致，使硅片加工時入刀口及出刀口的形貌平坦。

4、優(yōu)選地，所述保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致具體根據(jù)晶圓的切割直徑控制鋼線的張力進(jìn)行調(diào)整。

5、優(yōu)選地，根據(jù)晶圓的切割直徑控制鋼線的張力通過以下步驟控制：

6、s1：在晶圓與鋼線接觸的入刀位置時，鋼線保持第一預(yù)定張力；

7、s2：在入刀位置至晶圓第一預(yù)定高度時，鋼線張力從第一預(yù)定張力均勻降低至第二預(yù)定張力；

8、s3：在晶圓第一預(yù)定高度至第二預(yù)定高度時，鋼線張力保持第二預(yù)定張力；

9、s4：在晶圓第二預(yù)定高度至出刀位置時，鋼線張力從第二預(yù)定張力均勻增加值第三預(yù)定張力。

10、優(yōu)選地，所述第一預(yù)定張力>所述第三預(yù)定張力>第二預(yù)定張力。

11、優(yōu)選地，所述第一預(yù)定張力為：30n-35n，第二預(yù)定張力為：25n-30n，第三預(yù)定張力為：30n-33n。

12、優(yōu)選地，所述第一預(yù)定高度為：30%-40%，所述第二預(yù)定高度為：60%-70%。

13、優(yōu)選地，所述保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致具體為：所述新線側(cè)張力固定不變，所述舊線側(cè)張力降低，所述舊線側(cè)張力小于新線側(cè)張力。

14、優(yōu)選地，所述新線側(cè)張力為25n-30n，所述舊線側(cè)張力為24n-28n。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：

16、本發(fā)明提供的一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，在多線切割中，通過控制鋼線張力，保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致，以平衡鋼線屈服強(qiáng)度與破斷張力，使得砂漿在鋼線上的附著不受影響，進(jìn)而硅片加工時入刀口及出刀口的形貌平坦，warp值降低。

技術(shù)特征：

1.一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于，在多線切割中，通過控制鋼線張力，保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致，使硅片加工時入刀口及出刀口的形貌平坦。

2.如權(quán)利要求1所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致具體根據(jù)晶圓的切割直徑控制鋼線的張力進(jìn)行調(diào)整。

3.如權(quán)利要求2所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：根據(jù)晶圓的切割直徑控制鋼線的張力通過以下步驟控制：

4.如權(quán)利要求3所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述第一預(yù)定張力>所述第三預(yù)定張力>第二預(yù)定張力。

5.如權(quán)利要求3或4所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述第一預(yù)定張力為：30n-35n，第二預(yù)定張力為：25n-30n，第三預(yù)定張力為：30n-33n。

6.如權(quán)利要求3所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述第一預(yù)定高度為：30%-40%，所述第二預(yù)定高度為：60%-70%。

7.如權(quán)利要求1所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致具體為：所述新線側(cè)張力固定不變，所述舊線側(cè)張力降低，所述舊線側(cè)張力小于新線側(cè)張力。

8.如權(quán)利要求7所述的改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，其特征在于：所述新線側(cè)張力為25n-30n，所述舊線側(cè)張力為24n-28n。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種改善12英寸硅片翹曲形貌的方法，涉及硅片切割方法技術(shù)領(lǐng)域，在多線切割中，通過控制鋼線張力，保證線網(wǎng)上新、舊兩側(cè)鋼線線弓均勻一致，以平衡鋼線屈服強(qiáng)度與破斷張力，使得砂漿在鋼線上的附著不受影響，進(jìn)而硅片加工時入刀口及出刀口的形貌平坦，warp值降低。

技術(shù)研發(fā)人員：程博,芮陽,王黎光,趙延祥,白玉,史小峰,張民,石鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/31