一種尺寸偏小硅塊的斜切方式的制作方法
【專利摘要】本發明記載了一種尺寸偏小硅塊的斜切方式，包括以下步驟：步驟一：選取需斜切的硅塊，測量并記錄硅塊偏小邊的邊長；步驟二：根據硅塊偏小邊的邊長，計算出晶托與玻璃板粘接的相對位置；步驟三：根據計算所得的數據，在玻璃板上畫出晶托邊界線，并按照晶托邊界線將晶托粘接在玻璃板上；步驟四：將硅塊粘接在玻璃板上；步驟五：固定好硅塊后即可對硅塊進行切割，其中切割線與晶托的短邊平行。在本發明中，通過斜切，有效地解決了偏小硅塊的尺寸問題，最大程度地減小了尺寸偏小硅塊的報廢率，提高了硅塊的循環利用率，降低了生產成本。
【專利說明】-種尺寸偏小硅塊的斜切方式
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種硅塊的切割方式，尤其涉及一種尺寸偏小硅塊的斜切方式。
【背景技術】
[0002] 當前，鑄錠多晶硅太陽能電池的硅片生產過程一般為：噴涂裝料一鑄錠一破錠一 檢測加工一切片一清洗一分選。
[0003] 在加工硅塊的過程中經常出現因操作不當而導致硅塊尺寸偏小的現象。一般，尺 寸偏大的硅塊可以通過后期的磨面處理使得硅塊達到正常尺寸，但對于尺寸較小的硅塊卻 只能報廢，報廢將導致硅料的成本增加。且根據實驗表明，尺寸較小的硅塊除了尺寸不符合 要求外，其它電學性能均符合產品要求，直接報廢將導致硅料成本增加，且硅料利用率的降 低也會干擾正常的生產節拍。
【發明內容】
[0004] 為解決因硅塊尺寸偏小而導致硅料成本增加的缺陷，本發明特提供一種尺寸偏小 娃塊的切割方式。
[0005] 本發明的技術方案如下：
[0006] 一種尺寸偏小硅塊的斜切方式，包括以下步驟：
[0007] 步驟一：選取需斜切的硅塊，測量并記錄硅塊偏小邊的邊長；
[0008] 步驟二：根據硅塊偏小邊的邊長，計算出晶托與玻璃板粘接的相對位置；
[0009] 步驟三：根據計算所得的數據，在玻璃板上畫出晶托邊界線，并按照晶托邊界線將 晶托粘接在玻璃板上；
[0010] 步驟四：將硅塊粘接在玻璃板上；
[0011] 步驟五：固定好硅塊后即可對硅塊進行切割，其中切割線與晶托的短邊平行。
[0012] 進一步，步驟二中晶托與玻璃板粘接的相對位置的計算過程如下：
[0013] 玻璃板的四個頂點依次表示為E、F、G、H;晶托與玻璃板一邊的交點分別為C、D。
[0014] 按照公式
【權利要求】
1. 一種尺寸偏小娃塊的斜切方式，其特征在于： 包括以下步驟： 步驟一：選取需斜切的硅塊，測量并記錄硅塊偏小邊的邊長； 步驟二：根據硅塊偏小邊的邊長，計算出晶托（2)與玻璃板（1)粘接的相對位置； 步驟三：根據計算所得的數據，在玻璃板（1)上畫出晶托邊界線，并按照晶托邊界線將 晶托（2)粘接在玻璃板（1)上； 步驟四：將娃塊粘接在玻璃板（1)上； 步驟五：固定好硅塊后即可對硅塊進行切割，其中切割線與晶托（2)的短邊平行。
2. 根據權利要求1所述的一種尺寸偏小娃塊的斜切方式，其特征在于： 步驟二中晶托（2)與玻璃板（1)粘接的相對位置的計算過程如下： 玻璃板（1)四個頂點依次表示為E、F、G、H;晶托（2)與玻璃板（1) 一邊的交點分別為C、D; 按照公式
，計算硅塊的偏移長度X;其中Y表示硅塊偏小邊的邊長，B 表示欲使硅塊達到的實際邊長； 按照公式
，計算出XpX2、X3的值； 其中\為C到E的距離，X2為C到D的距離，X3為D到F的距離，X4為玻璃板（1)長 度，A為玻璃板（1)寬度，X5為晶托（2)寬度；所述￥、8、八、^5為已知；所述乂1、&的值共 同決定晶托邊界線的位置。
3. 根據權利要求2所述的一種尺寸偏小娃塊的斜切方式，其特征在于：偏小娃塊邊長
【文檔編號】B28D5/00GK104400919SQ201410546073
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月16日 優先權日:2014年10月16日
【發明者】鐘樹敏, 鮮杰, 劉興翀, 林洪峰 申請人:天威新能源控股有限公司