專利名稱：平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種平板玻璃熔窯，特別涉及一種用于平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置。
背景技術(shù)：
平板玻璃熔窯是平板玻璃生產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備，由熔化部、卡脖、冷卻部及其它組成。熔化部、冷卻部由頂碹、山墻、池底、池壁等組成。頂碹為拱形結(jié)構(gòu)，由多層耐火材料構(gòu)筑，通常有優(yōu)質(zhì)硅磚層、優(yōu)質(zhì)密封料層、輕質(zhì)硅磚層、保溫涂料層等構(gòu)成，最內(nèi)層的優(yōu)質(zhì)硅磚層承擔(dān)整個(gè)頂碹的受力，輕質(zhì)硅磚層僅起保溫作用而不承擔(dān)受力。山墻為普通的直立墻，用優(yōu)質(zhì)硅磚砌筑而成，用于封擋頂碹的拱形面?？紤]到熱膨脹因素，因而在山墻與頂碹的銜接處會(huì)預(yù)留膨脹縫，當(dāng)熔窯達(dá)到工作溫度后，再用密封料將予以密封，但密封效果不甚理想。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)下的山墻與頂碹的銜接處密封效果差的問(wèn)題。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，其特征在于山墻與頂碹的銜接處設(shè)置一組楔形磚，楔形磚一側(cè)與山墻配合、另一側(cè)與頂碹配合。所述每個(gè)楔形磚均由上楔形磚和下楔形磚組成，下楔形磚的上端面與上楔形磚的下端面配合連接。 所述上楔形磚的下端面與下楔形磚的上端面的形狀、大小一致，下楔形磚可為優(yōu)質(zhì)娃磚，上楔形磚可為輕質(zhì)娃磚。本實(shí)用新型的有益效果在于提高了山墻與頂碹銜接處的密封效果。下面便結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1為本實(shí)用新型烤窯階段的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型使用階段的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖2所示，本實(shí)用新型提供的平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，包括山墻與頂碹的銜接處設(shè)置一組下楔形磚4，每個(gè)下楔形磚的上端面對(duì)應(yīng)連有上楔形磚2，上楔形磚的下端面與下楔形磚的上端面的形狀、大小一致，所述上楔形磚2和下楔形磚4的一側(cè)分別與山墻I配合、另一側(cè)分別與頂碹3配合。如圖1所示，在熔窯開(kāi)始使用前，須進(jìn)行緩慢的烤窯處理，同時(shí)須對(duì)上楔形磚和下楔形磚進(jìn)行同步加熱、以使其受熱不再膨脹。由于同種材料高溫粘連效應(yīng)，使頂碹水平膨脹力的垂直向上分力無(wú)法頂起整個(gè)楔形磚，因此在烤窯前，下層楔形磚和山墻、頂碹最多有兩個(gè)接觸點(diǎn)，以減少對(duì)頂碹水平膨脹力的阻力。如圖2所示，待熔窯到達(dá)工作溫度后、既窯體各部位不再熱 膨脹后，再將上楔形磚和下楔形磚安放到山墻與頂碹銜接處。
權(quán)利要求1.平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，其特征在于山墻與頂碹的銜接處設(shè)置一組楔形磚，楔形磚一側(cè)與山墻(I)配合、另一側(cè)與頂碹(3)配合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，其特征在于每個(gè)楔形磚由上楔形磚(2)和下楔形磚(4)組成，下楔形磚的上端面與上楔形磚的下端面配合連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，其特征在于上楔形磚(2)的下 端面與下楔形磚(4)的上端面的形狀、大小一致。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于平板玻璃熔窯山墻與頂碹銜接處的密封裝置，其特征在于山墻與頂碹的銜接處設(shè)置一組楔形磚，楔形磚一側(cè)與山墻(1)配合、另一側(cè)與頂碹(3)配合。本實(shí)用新型的有益效果在于提高了山墻與頂碹銜接處的密封效果。
文檔編號(hào)C03B5/16GK203095835SQ201320071500
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月7日
發(fā)明者強(qiáng)田云, 徐善兵, 王瀛, 張治民 申請(qǐng)人:蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院, 中國(guó)建材國(guó)際工程集團(tuán)有限公司