一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法
【專利摘要】一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：將粒度為0.1~2μm的Al粉和Al2O3粉體混合均勻，經干壓成型后在氮氣氣氛下1600~2000℃的溫度下30~180分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體以Al：Al2O3摩爾之比為1~5的比例均勻混合制成的。本發明制備的AlON陶瓷粉體為片狀結構，顯微結構均勻。
【專利說明】—種AION片狀陶瓷粉體的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，屬于陶瓷制備【技術領域】。
【背景技術】
[0002]AlON陶瓷材料具有優良的耐高溫性能、高溫力學性能和熱學性能，被廣泛應用于航空航天、電子、機械、冶金等領域。但是，由于其抗氧化能力較差，在有氧存在的條件下約1000°C左右開始氧化，因此，嚴重制約該材料的應用領域。
【發明內容】
[0003]本發明的目的在于提供一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法。其技術方案為: 一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，將粒度為0.1-2ΜΠ1的Al粉和Al2O3粉體混合均
勻，經干壓成型后在氮氣氣氛下160(T2000°C的溫度下30-180分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾之比為I飛的比例均勻混合制成的。
[0004]本發明與現有技術相比，其優點為:
1、本發明制備的AlON片狀陶瓷粉體顯微結構均勻，片與片之間成一定角度，并與機體相連；
2、每一個晶粒表面為片狀AlON相連形成網絡結構，在與其他晶體復合時形成弱界面聯系。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1是實施例1制備的AlON片狀陶瓷粉體XRD照片；圖2是實施例2制備的AlON片狀陶瓷粉體顯微照片。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
將粒度為0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經干壓成型后在氮氣氣氛下1600°C的溫度下180分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al:Al2O3摩爾之比為I的比例均勻混合制成的。
[0007]實施例2
將粒度為0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經干壓成型后在氮氣氣氛下1600°C的溫度下180分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al:Al2O3摩爾之比為2的比例均勻混合制成的。
[0008]實施例3
將粒度為2Mm的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經干壓成型后在氮氣氣氛下2000°C的溫度下30分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3粉體之以摩爾比為3.5的比例均勻混合制成的。[0009]實施例4
將粒度為IMffl的Al粉和Al2O3粉體均勻混合，經干壓成型后在氮氣氣氛下1800°C的溫度下90分鐘燒制，然后研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾比為5的比例均勻`混合制成的。
【權利要求】
1.一種AlON片狀陶瓷粉體的制備方法，其特征在于:將粒度為0.1~2mu的Al粉和Al2O3粉體混合均勻，經干壓成型后在氮氣氣氛下160(T2000°C的溫度下3(Tl80分鐘燒制，研磨制成AlON片狀陶瓷粉體，其中Al粉和Al2O3粉體是以Al =Al2O3摩爾之比為I飛的比例均勻混合制 成的。
【文檔編號】C04B35/58GK103755349SQ201310611067
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月28日 優先權日:2013年11月28日
【發明者】唐竹興, 王洪忠, 邢新明, 褚為靜 申請人:山東理工大學