一種防輻射薄膜的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：A、交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2層；B、交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在TiO2層上磁控濺射AZO層；C、直流電源濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；D、交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在Ag層上磁控濺射AZO層；E、直流電源濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；F、交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在Ag層上磁控濺射AZO層；G、交流電源濺射ZnSn合金旋轉靶，在AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的防輻射薄膜的制備方法。
【專利說明】一種防輻射薄膜的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種防輻射薄膜的制備方法。
【背景技術】
[0002]低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率，對可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]目前市場上較常見的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等。現有的這四種低輻射玻璃在380~780納米的可見光波長范圍內透射率不夠高，僅為50%左右；在紅外輻射波長范圍內透射率較高，尤其是在900~1100納米的波長范圍內透射率為10~20%之間。故此，現有的透明玻璃基材有待于進步完善。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的防輻射薄膜的制備方法。
[0005]為了達到上述目的，本發明采用以下方案:
[0006]一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0007]A、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2層；
[0008]B、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟A中TiO2層上磁控濺射AZO層；
[0009]C、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0010]D、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；
[0011 ] E、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0012]F、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；
[0013]G、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。
[0014]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述TiO2層的厚度為10~15nm，所述交流電源的濺射功率為50~75KW。
[0015]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述AZO層的厚度為20~25nm，所述交流電源的濺射功率20~25KW。[0016]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
[0017]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50~65KW。
[0018]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
[0019]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述AZO層的厚度為20~25nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20 ~25KW。
[0020]如上所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述ZnSnO3的厚度為20~30nm，ZnSn合金旋轉靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50 ~75KW。
[0021]綜上所述，本發明的有益效果:
[0022]本發明工藝方法簡單，操作方便，生產成本相對較低。膜層結構較小，陰極使用量少；節約成本；本工藝中采用全旋轉靶，方便維護，本發明中基本以氬氣作為反應氣體，工藝穩定。
【具體實施方式】
[0023]下面結合【具體實施方式】對本發明做進一步描述:
[0024]實施例1
[0025]本發明一種防輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0026]A、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為800sccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為10nm，所述交流電源的濺射功率為50KW。
[0027]B、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟A中TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為20nm，所述交流電源的濺射功率20KW。
[0028]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述的直流電源的濺射功率 4KW。
[0029]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為50nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50KW。
[0030]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述直流電源的濺射功率4 ~5KW。
[0031]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為20nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20KW。
[0032]G、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:気氣=500sccm:1000sccm,交流電源派射ZnSn合金旋轉祀,在步驟H中的AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。所述ZnSnO3的厚度為20nm，ZnSn合金旋轉靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50KW。
[0033]實施例2
[0034]本發明一種防輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0035]A、采用気氣作為反應氣體,気氣的體積流量為800sccm,交流電源派射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為12nm，所述交流電源的濺射功率為65KW。
[0036]B、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟A中TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為22nm，所述交流電源的濺射功率23KW。 [0037]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述的直流電源的濺射功率 4.5KW。
[0038]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為55nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率60KW。
[0039]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率
4.5KW。
[0040]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為22nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為23KW。
[0041]G、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:気氣=500sccm: lOOOsccm,交流電源派射ZnSn合金旋轉祀,在步驟F中的AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。所述ZnSnO3的厚度為25nm，ZnSn合金旋轉靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為65KW。
[0042]實施例3
[0043]本發明一種防輻射薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0044]A、采用気氣作為反應氣體,気氣的體積流量為800sccm,交流電源派射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為15nm，所述交流電源的濺射功率為75KW。
[0045]B、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟A中TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為25nm，所述交流電源的濺射功率25KW。
[0046]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述的直流電源的濺射功率5KW 。
[0047]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為65nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率65KW。
[0048]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率 5KW。
[0049]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為25nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為25KW。
[0050]G、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，氧氣與氬氣的體積比為1:2，即氧氣:気氣=500sccm: lOOOsccm,交流電源派射ZnSn合金旋轉祀,在步驟F中的AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。所述ZnSnO3的厚度為30nm，ZnSn合金旋轉靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為75KW。
[0051]以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO2 層； B、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟A中TiO2層上磁控濺射AZO層； C、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的AZO層上磁控濺射Ag層； D、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射AZO層； E、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟D中的AZO層上磁控濺射Ag層； F、采用氬氣作為反 應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶，在步驟E中的Ag層上磁控濺射AZO層； G、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射ZnSn合金旋轉靶，在步驟F中的AZO層上磁控濺射ZnSnO3層。
2.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述TiO2層的厚度為10~15nm，所述交流電源的濺射功率為50~75KW。
3.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述AZO層的厚度為20~25nm，所述交流電源的濺射功率20~25KW。
4.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述的直流電源的濺射功率4~5KW。
5.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述AZO層的厚度為50~65nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率50 ~65KW。
6.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率4~5KW。
7.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述AZO層的厚度為20~25nm，氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20~25KW。
8.根據權利要求1所述的一種防輻射薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述ZnSnO3的厚度為20~30nm，ZnSn合金旋轉靶中Zn與Sn的摩爾比為48:52，所述交流電源的濺射功率為50~75KW。
【文檔編號】C03C17/36GK103641331SQ201310549332
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月7日 優先權日:2013年11月7日
【發明者】陳路玉 申請人:中山市創科科研技術服務有限公司