專利名稱：能夠消影的功能片及電容觸摸屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電容觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及能夠消影的功能片及電容觸摸屏。
背景技術(shù)：
隨著電容式觸摸屏在市場(chǎng)上的火爆，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上出現(xiàn)投資電容屏行業(yè)的萬(wàn)花爭(zhēng)榮現(xiàn)象，電容屏在手機(jī)、平板顯示、車載導(dǎo)航等上面的應(yīng)用，讓電容屏在市場(chǎng)上仍是供不應(yīng)求。目前的功能片如圖I所示，將圖I中的功能片安裝在感應(yīng)式電容式觸摸屏后，感應(yīng)式電容式觸摸屏都會(huì)遇到一個(gè)問(wèn)題，用TP裝機(jī)后45度斜視時(shí)，會(huì)出現(xiàn)ITO線路比較明顯的現(xiàn)象，尤其是大尺寸平板上此類現(xiàn)象最為明顯，影響消費(fèi)者的視覺(jué)享受。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種能夠消影的功能片。本實(shí)用新型提供了一種能夠消影的功能片，包括第一 ITO膜層、玻璃層、第二 ITO膜層、鑰鋁鑰膜層，該功能片還包括五氧化ニ鈮膜層和ニ氧化硅膜層，該功能片從下至上依次重疊布置為所述第一 ITO膜層、所述ニ氧化硅膜層、所述五氧化ニ鈮膜層、所述玻璃層、所述第二 ITO膜層、所述鑰鋁鑰膜層。作為本實(shí)用新型的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述第一 ITO膜層厚度為25nm、所述ニ氧化硅膜層厚度為40nm、所述五氧化ニ銀膜層厚度為6nm。作為本實(shí)用新型的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述第二 ITO膜層厚度為25nm、所述鑰鋁鑰層厚度為350nm。本實(shí)用新型還提供了 ー種電容觸摸屏，該電容觸摸屏安裝有所述功能片。本實(shí)用新型的有益效果是通過(guò)鍍五氧化ニ鈮膜層和ニ氧化硅膜層，在刻蝕第一ITO膜層的線路后，讓整個(gè)線路不明顯，使得該功能片具有消影的功能，提高用戶的視覺(jué)享受。
圖I是現(xiàn)有技術(shù)中的功能片剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的功能片剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖2所示，本實(shí)用新型公開(kāi)了ー種能夠消影的功能片，包括第一 ITO膜層6、玻璃層3、第二 ITO膜層2、鑰鋁鑰膜層I，該功能片還包括五氧化ニ鈮膜層4和ニ氧化硅膜層5，該功能片從下至上依次重疊布置為所述第一 ITO膜層6、所述ニ氧化硅膜層5、所述五氧化ニ鈮膜層4、所述玻璃層3、所述第二 ITO膜層2、所述鑰鋁鑰膜層I。所述第一 ITO膜層6厚度為25nm、所述ニ氧化硅膜層5厚度為40nm、所述五氧化ニ鈮膜層4厚度為6nm、所述第二 ITO膜層2厚度為25nm、所述鑰鋁鑰層I厚度為350nm，所述玻璃層3厚度根據(jù)客戶需要設(shè)定。本實(shí)用新型還公開(kāi)了 ー種電容觸摸屏，該電容觸摸屏安裝有所述功能片。在白玻璃上鍍上ー層第一 ITO膜層6后，玻璃整體透過(guò)性能會(huì)偏低，把第一 ITO膜層6線路刻蝕后,有第一 ITO膜層6的地方和沒(méi)有第一 ITO膜層6的地方反射率會(huì)不同，從而導(dǎo)制第一 ITO膜層6線路明顯，為了實(shí)現(xiàn)讓第一 ITO膜層6線路不明顯，首先得找到ー種跟第一 ITO膜層6疊加時(shí)透光性能變化不大，即折射系數(shù)跟第一 ITO膜層6差不多的不導(dǎo)電膜層，第一 ITO膜層6膜層在550nm處的折射率為I. 9,而五氧化ニ銀在550nm處的折射率也為I. 9左右，即在鍍第一 ITO膜層6之前,鍍上ー層五氧化ニ銀膜，即可在刻蝕第一 ITO膜層6的線路后，讓整個(gè)線路不明顯，但這會(huì)碰到兩個(gè)問(wèn)題，一是五氧化ニ鈮也是金屬氧化物，刻蝕第一 ITO膜層6時(shí)，也會(huì)影響到五氧化ニ鈮，最終產(chǎn)品起不到消影的效果，其次是鍍膜五氧化ニ鈮后比單鍍ITO透光性會(huì)偏低，故我們?cè)谖逖趸蒜壞?和第一 ITO膜層6中間，增鍍一層折射率與上下兩膜層相近的ニ氧化硅，一是起到保護(hù)五氧化ニ鈮在刻蝕第一 ITO膜層6時(shí)不受影響，ニ是根據(jù)光學(xué)相消干渉原理，在第一 ITO膜層6下面鍍五氧化ニ 鈮膜層4和ニ氧化硅膜層5，設(shè)計(jì)好每層膜的膜厚，讓鍍完五氧化ニ鈮膜層4和ニ氧化硅膜層5和第一 ITO膜層6后，讓產(chǎn)品呈自然色，根據(jù)光學(xué)膜系設(shè)計(jì)軟件，所述第一 ITO膜層6厚度為25nm、所述ニ氧化娃膜層5厚度為40nm、所述五氧化ニ銀膜層4厚度為6nm。根據(jù)這種膜層設(shè)計(jì)，蝕刻第一 ITO膜層6后,有第一 ITO膜層6和無(wú)第一 ITO膜層6的地方在可見(jiàn)光區(qū)域內(nèi)反射率變化不大，固然起到消影的效果，而五氧化ニ鈮膜層4和ニ氧化硅膜層5的疊加是AR膜(增透膜)，此消陰膜能起到一定的增透效果。制作時(shí)，在真空磁控濺射鍍膜線上安裝好五氧化ニ鈮靶(直流電源控制、磁控濺射)兩套，多晶硅靶(交流電源控制、磁控反應(yīng)濺射)四套，ITO靶(直流電源控制、磁控濺射)，啟動(dòng)鍍膜設(shè)備，讓所有靶材正常濺射后，根據(jù)膜系設(shè)計(jì)軟件設(shè)計(jì)好的每層膜的厚度，調(diào)節(jié)每種靶材的濺射エ藝(包括濺射功率及電壓、エ藝氣體流量、磁場(chǎng)的強(qiáng)弱等)以達(dá)到膜系要求，然后將連續(xù)清洗干凈的玻璃基板隨基片架進(jìn)入鍍膜箱即可生產(chǎn)出消影增透的ITO玻璃，在黃光刻蝕第一 ITO膜層6后，功能片具有消影及增透的效果，組裝成電容觸摸屏成品后，以前存在的ITO線路顯出，透過(guò)性偏低的問(wèn)題便得到解決。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種能夠消影的功能片，包括第一 ITO膜層、玻璃層、第二 ITO膜層、鑰鋁鑰膜層，其特征在于該功能片還包括五氧化ニ鈮膜層和ニ氧化硅膜層，該功能片從下至上依次重疊布置為所述第一 ITO膜層、所述ニ氧化硅膜層、所述五氧化ニ鈮膜層、所述玻璃層、所述第ニ ITO膜層、所述鑰鋁鑰膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功能片，其特征在于所述第一ITO膜層厚度為25nm、所述ニ氧化硅膜層厚度為40nm、所述五氧化ニ鈮膜層厚度為6nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功能片，其特征在于所述第二ITO膜層厚度為25nm、所述鑰鋁鑰層厚度為350nm。
4.ー種具有權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述功能片的電容觸摸屏，其特征在于該電容觸摸屏安裝有所述功能片。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種能夠消影的功能片及電容觸摸屏，該能夠消影的功能片包括第一ITO膜層、玻璃層、第二ITO膜層、鉬鋁鉬膜層，該功能片還包括五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，該功能片從下至上依次重疊布置為所述第一ITO膜層、所述二氧化硅膜層、所述五氧化二鈮膜層、所述玻璃層、所述第二ITO膜層、所述鉬鋁鉬膜層。本實(shí)用新型的有益效果是通過(guò)鍍五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，在刻蝕第一ITO膜層的線路后，讓整個(gè)線路不明顯，使得該功能片具有消影的功能，提高用戶的視覺(jué)享受。
文檔編號(hào)C03C17/36GK202658083SQ20122032600
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月6日
發(fā)明者黃國(guó)鋒, 吳僑, 陳箭云 申請(qǐng)人:深圳市新濟(jì)達(dá)光電科技有限公司