壁圈內陷的陶器加工方法及其陶器的制造方法
【專利摘要】壁圈內陷的陶器加工方法，其特征在于：第一步，陶土制作坯體工藝，且在坯體底部設置壁圈內陷結構，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；第二步，制作耐火材料的支架2，且支架上的支撐部與壁圈相對應；第三步，將支架支撐在待燒的配體上，進行燒制，支架的支撐部恰好與壁圈對齊支撐坯體燒制；第四步，燒制好后除壁圈外，陶器本體1外表面均上釉。壁圈為圓形，與之對應的支架2的支撐部也為圓形。壁圈內陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈12內陷，且壁足11部位比壁圈和壁心13部位外凸。本發明的有益效果：壁圈部分內陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本發明在桌面等其他表面摩擦時，不會對桌面或其它表面形成磨痕。
【專利說明】壁圈內陷的陶器加工方法及其陶器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種陶器(瓷器)的加工方法及其產品，特別涉及一種壁圈內陷的陶器加工方法。
【背景技術】
[0002]陶器的燒制，中國已經有上千年的歷史，我們生活中經常用的瓷碗、茶杯、罐等等，都是陶瓷燒制的。但是自古以來，陶瓷的底部，也就是沒有上釉的一圈(稱之為壁圈)，也就是在燒制的時候與被支撐物接觸的部位。底部的壁圈部位都比較粗糙，而且都是向下凸起的，這樣在放置在桌面或其他表面，來回滑動幾下，就會磨損桌面等其他表面，這樣造成其他與之接觸的表面留有劃痕。如圖1所示，陶器本體I的底部壁足11下方是壁圈12，壁圈12外凸與桌面等表面接觸。
【發明內容】
[0003]針對現有技術的不足，本發明提供一種壁圈內陷的陶器加工方法。
[0004]為了實現上述目的，本發明所采取的技術方案是:
[0005]壁圈內陷的陶器加工方法，
[0006]第一步，陶土制作坯體工藝，且在坯體底部設置壁圈內陷結構，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；
[0007]第二步，制作耐火材料的支架，且支架上的支撐部與壁圈相對應；
`[0008]第三步，將支架支撐在待燒的配體上，進行燒制，支架的支撐部恰好與壁圈對齊支撐坯體燒制；
[0009]第四步，燒制好后除壁圈外，陶器外表面均上釉。
[0010]壁圈為圓形，與之對應的支架的支撐部也為圓形。
[0011]壁圈內陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈內陷，且壁足部位比壁圈和壁心部位外凸。
[0012]本發明的有益效果:壁圈部分內陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本發明的工藝燒制的瓷器在桌面等其他表面摩擦時，不會對桌面或其它表面形成磨痕。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1是現有技術的陶器的剖視圖；
[0014]圖2是本發明的陶器的剖視圖。
【具體實施方式】
[0015]如圖2所示，壁圈內陷的陶器加工方法:
[0016]第一步，陶土制作坯體工藝，且在坯體底部設置壁圈內陷結構，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；[0017]第二步，制作耐火材料的支架2，且支架上的支撐部與壁圈相對應；
[0018]第三步，將支架支撐在待燒的配體上，進行燒制，支架的支撐部恰好與壁圈對齊支撐坯體燒制；
[0019]第四步，燒制好后除壁圈外，陶器本體I外表面均上釉。壁圈為圓形，與之對應的支架2的支撐部也為圓形。
[0020]壁圈內陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈12內陷，且壁足11部位比壁圈和壁心13部位外凸。
[0021]本發明最重要之處是托燒時經過隔離處理后不會在陶器的托燒處留下托燒的任何痕跡。 [0022]本發明的有益效果:壁圈部分內陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本發明的工藝燒制的瓷器在桌面等其他表面摩擦時，不會對桌面或其它表面形成磨痕。
[0023]圖2所示意的圖只是一種實施例的圖，不代表本專利的限制范圍，只要采用壁圈內陷的都是本專利的保護范圍。
【權利要求】
1.壁圈內陷的陶器加工方法，其特征在于， 第一步，陶土制作坯體工藝，且在坯體底部設置壁圈內陷結構，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸； 第二步，制作耐火材料的支架，且支架上的支撐部與壁圈相對應； 第三步，將支架支撐在待燒的配體上，進行燒制，支架的支撐部恰好與壁圈對齊支撐坯體燒制； 第四步，燒制好后除壁圈外，陶器外表面均上釉。
2.如權利要求1所述的壁圈內陷的陶器加工方法，其特征在于，壁圈為圓形，與之對應的支架的支撐部也為圓形。
3.采用權利要求1或2所述的壁圈內陷的陶器加工方法加工的陶器，其特征在于，陶器底部的壁圈內陷，且壁足 部位比壁圈和壁心部位外凸。
【文檔編號】C04B33/34GK103664139SQ201210322234
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月3日 優先權日:2012年9月3日
【發明者】朱小杰 申請人:朱小杰