專利名稱：全拋釉瓷片及其制備方法
技術領域：
本發明涉及建筑陶瓷領域，具體涉及全拋釉瓷片及其制備方法。
背景技術：
最近十多年來，建筑衛生陶瓷行業迅猛發展，陶瓷生產工藝技術和產品更是日新月異。兼具拋光磚表面光滑、光澤度好特點和仿古磚花色豐富多樣、極具個性化特點的仿古磚全拋釉產品在這幾年達到了前所未有的風靡，出現滿城盡是全拋釉的局面。然而瓷片領域近十多年未能得到長足發展，與仿古磚領域形成鮮明對比，除了在裝飾手法上由絲網印刷升級到膠輥印刷再升級到目前炙手可熱的噴墨打印以外，其釉面效果沒有得到根本性提升。一直沒能開發出像仿古磚全拋釉產品一樣具有高鏡面效果和通透質感的產品。將十年 前的瓷片產品和現在的放一起，釉面質感、亮度、平整度、針孔等方面都沒有得到任何改善。隨著人們生活水平的不斷提高，高端市場的產品需求也會越來越多，全拋釉瓷片在廚衛上墻領域的優勢將進一步體現，也給傳統瓷片市場的發展增加新動力，也將成為高端瓷片市
場的一種趨勢和潮流。因此瓷片全拋釉料的開發應用將產生非常可觀的經濟效益和社會效
.、/■
Mo
發明內容
本發明的目的在于提供一種全拋釉瓷片，并提供相應的制備方法。本發明所采用技術解決方案為全拋釉瓷片包括坯體層、底釉層、面釉層、花釉層，在花釉層上表面設有全拋釉層，所述全拋釉層按重量百分比包括全拋釉熔塊649^71%，生料(T7%，水25 32%，助料0. ro. 5%，其中全拋釉熔塊所用原料為鉀長石、方解石、燒滑石、氧化鋅、硼酸、碳酸鋇、氧化鋁、石英，生料為氣刀土或高嶺土。以上所述全拋釉熔塊由如下按重量百分比的組分組成鉀長石3(T35%;方解石15 20% ;燒滑石5 8% ;氧化鋅6 10% ;硼酸6 10% ;碳酸鋇3 5% ;氧化鋁I 2% ;石英28 33%。全拋釉層的助料組分按重量百分比為三聚磷酸鈉75%，羧甲基纖維素鈉25%。全拋釉熔塊的化學組成的重量百分比為SiO2 55^65%, Al2O3 6、％，K2O 2 4%，Na2O 0 1%，CaO 9 12%，MgO I 3%，ZnO 8 12%，BaO 3 5%，B2O3 5 8%。全拋釉瓷片的制備方法，其步驟為
(1)將全拋釉熔塊原料混合均勻后，在1530°C 1600°C溫度下熔融2 3小時成熔體，經淬水，破碎，干燥后得到全拋釉熔塊；
(2)將全拋釉熔塊、生料、水和助料混合，經球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為
0.ro. 2%，得到全拋釉釉漿；
(3)將全拋釉釉漿淋于坯體的花釉層上表面，形成全拋釉層，入窯，在110(Tl120°C溫度下燒結5(T70分鐘后取出，經拋光，打蠟，得全拋釉瓷片。在上述制備方法的步驟(I)中所述的全拋釉熔塊的膨脹系數在2(T600°C為5. 3 5. 7X1(T6/。。。
在上述制備方法的步驟(2)中所述的全拋釉釉漿的比重為I. 8(Tl. 84。在上述制備方法的在步驟(3)中所述的全拋釉層的厚度為0. 08、. 15mm。本發明的原理是在瓷片上利用釉下彩裝飾技術，在面釉上印花或噴墨后，施上一層全拋釉材料，燒成后，再采用拋光、打蠟工藝技術，從而大幅度地提高瓷片整體釉面效果的一種全拋釉瓷片。本發明的優點是全拋釉瓷片集仿古磚的紋理層次分明、質感豐富與拋光磚亮光、高平整度、幾乎零針孔等優點于一體，與傳統瓷片產品相比，全拋釉瓷片產品從釉面質感、亮度、平整度、針孔等方面都比鋯白、半白等亮光瓷片有明顯優勢，是一種全創新的瓷片新品種，大幅提高瓷片釉面效果及審美價值。
圖I為現有瓷片構造示意 圖2為本發明的全拋釉瓷片構造示意圖。
具體實施例方式如圖2所示，全拋釉瓷片包括坯體層I、底釉層2、面釉層3、花釉層4，在花釉層4的上表面設有全拋釉層5。所述全拋釉層5包括全拋釉熔塊，生料，水，助料。其中全拋釉熔塊所用原料為鉀長石、方解石、燒滑石、氧化鋅、硼酸、碳酸鋇、氧化鋁、石英，生料為氣刀土或高嶺土。全拋釉瓷片按以下工藝流程生產素坯一除塵一補水一淋底釉一淋面釉一印花(或噴墨)一淋拋釉一入窯燒成一拋光(粗拋、精拋)一烘干一打蠟一磨邊一成品。實施例I :
按鉀長石30kg，方解石15kg，燒滑石5kg，氧化鋅6kg，碳酸鋇4kg，硼酸10kg，氧化鋁2kg，石英28kg稱料，混合均勻后，在電爐內1530°C溫度下熔融2小時成熔體，淬水、破碎、干燥得全拋釉熔塊。按瓷片全拋釉熔塊64kg,氣刀土 5kg,三聚磷酸鈉0. 3kg,羧甲基纖維素鈉0. Ikg,水31kg稱料，混合均勻后，球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為0. ro. 2%，并調比重至I. 82，得瓷片全拋釉釉漿。以300mmX600mm規格的瓷片為例,在還體層I上淋底釉、面釉、花釉、全拋釉釉衆都是100g，形成底軸層2，面軸層3，花軸層4和全拋軸層5，全拋軸層5的厚度為0. 08_。入窯燒結溫度為1100°C，50分鐘后取出，經拋光，打蠟得全拋釉瓷片。實施例2
按鉀長石32 kg,方解石16 kg,燒滑石6 kg,氧化鋅7 kg,碳酸鋇3 kg,硼酸6 kg,氧化鋁I kg，石英29 kg稱料，混合均勻后，在電爐內1530°C溫度下熔融2. 5小時成熔體，淬水、破碎、干燥得全拋釉熔塊。按瓷片全拋釉熔塊71 kg,三聚磷酸鈉0.3 kg,羧甲基纖維素鈉0. I kg,水29 kg稱料，混合均勻后，球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為0. ro. 2%，并調比重至I. 84，得全拋釉釉漿。以300mmX600mm規格的瓷片為例，在坯體層I上淋底釉、面釉、花釉、全拋釉釉漿都是100g，形成底軸層2，面軸層3，花軸層4和全拋軸層5，全拋軸層5的厚度為0. 15_。入窯燒結溫度為1120°C，60分鐘后取出，經拋光，打蠟得全拋釉瓷片。實施例3
按鉀長石33 kg，方解石15 kg，燒滑石5 k·g，氧化鋅8 kg，碳酸鋇3 kg，硼酸7 kg，氧化鋁I kg，石英28 kg稱料，混合均勻后，在電爐內1600°C溫度下熔融3小時成熔體，淬水、破碎、干燥得全拋釉熔塊。瓷片全拋釉熔塊65 kg,氣刀土 3 kg,三聚磷酸鈉0.3 kg,羧甲基纖維素鈉0. I kg,水32 kg稱料，混合均勻后，球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為0.1、. 2%，并調比重至I. 83，得全拋釉釉漿。以300mmX600mm規格的瓷片為例,在還體層I上淋底釉、面釉、花釉、全拋釉釉衆都是100g，形成底軸層2，面軸層3，花軸層4和全拋軸層5，全拋軸層5的厚度為0. 10_。入窯燒結溫度為1120°C，70分鐘后取出，經拋光，打蠟得全拋釉瓷片。實施例4
按鉀長石30 kg,方解石19 kg,燒滑石5 kg,氧化鋅6 kg,碳酸鋇3 kg,硼酸6 kg,氧化鋁I kg，石英30 kg稱料，混合均勻后，在電爐內1550°C溫度下熔融3小時成熔體，淬水、破碎、干燥得全拋釉熔塊。按瓷片全拋釉熔塊65 kg,高嶺土 7kg,三聚磷酸鈉0. 3 kg,羧甲基纖維素鈉0. Ikg，水28 kg稱料，混合均勻后，球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為0. I、. 2%，并調比重至
I.83，得全拋釉釉漿。以300mmX600mm規格的瓷片為例，在坯體層I上淋底釉、面釉、花釉、全拋釉釉漿都是100g，形成底軸層2，面軸層3，花軸層4和全拋軸層5，全拋軸層5的厚度為0. 09_。入窯燒結溫度為1120°C，55分鐘后取出，經拋光，打蠟得全拋釉瓷片。實施例I、實施例2、實施例3、實施例4中全拋釉熔塊的主要化學組成(重量％)和20-600°C 的膨脹系數(X 1(T6/°C)
權利要求
1.全拋釉瓷片，包括坯體層、底釉層、面釉層、花釉層，其特征在于在花釉層上表面設有全拋釉層，所述全拋釉層包括按重量百分比全拋釉熔塊649Γ71%，生料(Γ7%，水25 32%，助料O. Γ0. 5%，其中全拋釉熔塊所用原料為鉀長石、方解石、燒滑石、氧化鋅、硼酸、碳酸鋇、氧化鋁、石英，生料為氣刀土或高嶺土。
2.如權利要求I所述的全拋釉瓷片，其特征在于全拋釉熔塊由如下按重量百分比的組分組成鉀長石30 35% ;方解石15 20% ;燒滑石5 8% ;氧化鋅6 10% ;硼酸6 10% ;碳酸鋇3 5% ;氧化鋁I 2% ;石英28 33%。
3.如權利要求I所述的全拋釉瓷片，其特征在于所述助料按重量百分比為三聚磷酸鈉75%，羧甲基纖維素鈉25%。
4.如權利要求I所述的全拋釉瓷片，其特征在于全拋釉熔塊的化學組成的重量百分比% =SiO2 55 65%, Al2O3 6 9%，K2O 2 4%，Na2O 0 1%，CaO 9 12%, MgO I 3%，ZnO 8 12%, BaO3 5%，B2O3 5 8%。
5.全拋釉瓷片的制備方法，其特征在于制備步驟如下 (1)將全拋釉熔塊原料混合均勻后，在1530°C 1600°C溫度下熔融2 3小時成熔體，經淬水，破碎，干燥后得到全拋釉熔塊； (2)將全拋釉熔塊、生料、水和助料混合，經球磨，至取IOOg漿過325目篩篩余為O.Γ0. 2%，得到全拋釉釉漿； (3)將全拋釉釉漿淋于坯體的花釉層上表面，形成全拋釉層，入窯，在110(Tl120°C溫度下燒結5(Γ70分鐘后，取出，經拋光，打蠟，得全拋釉瓷片。
6.如權利要求4所述的全拋釉瓷片的制備方法，其特征在于在步驟(I)中所述的全拋釉熔塊的膨脹系數在2(T600°C為5. 3 5. 7X 10_6/°C。
7.如權利要求4所述的全拋釉瓷片的制備方法，其特征在于在步驟(2)中所述的全拋釉釉漿的比重為I. 80 1· 84。
8.如權利要求4所述的全拋釉瓷片的制備方法，其特征在于在步驟(3)中所述的全拋釉層的厚度為O. 08^0. 15mm。
全文摘要
本發明公開了一種全拋釉瓷片及其制備方法。全拋釉瓷片包括坯體層、底釉層、面釉層、花釉層，在花釉層上表面設有全拋釉層，所述全拋釉層按重量百分比包括全拋釉熔塊64%~71%，生料0~7%，水25~32%，助料0.1~0.5%，其中全拋釉熔塊所用原料為鉀長石、方解石、燒滑石、氧化鋅、硼酸、碳酸鋇、氧化鋁、石英，生料為氣刀土或高嶺土。本發明用于瓷片裝飾，得到的瓷片的釉面效果好，釉層透明度高，拋后光亮，平整度高，更能體現釉下圖案分明的紋理層次、質感豐富，且磚形變形小、抗熱震性好，鏡面效果高，通透質感強。
文檔編號C04B41/86GK102731169SQ20121024219
公開日2012年10月17日 申請日期2012年7月13日 優先權日2012年7月13日
發明者柯美云, 詹長春, 趙達峰, 陳宗玲 申請人:佛山市科捷制釉有限公司