專利名稱：低損耗微波介質陶瓷的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于介質諧振器、濾波器及振蕩器等微波通訊系統中的微波介質陶瓷。
背景技術：
近年來，隨著移動通訊與衛星通訊技術的迅速發展，對介質諧振器與濾波器等微波元器件用的微波介質陶瓷的需求正在日益增長。數據移動通訊與衛星通訊的迅速發展， 對低損耗微波介質陶瓷提出迫切的要求。其基本性能要求為介電常數L = 15 25，品質因數Qf彡60，OOOGHz，諧振頻率溫度系數T f = 0± 10ppm/°C。雖然目前已有的Ba(Mg1/3Ta2/3)03，CaTiO3-MgTiO3等低損耗微波介質陶瓷，但前者的燒結溫度高，制備工藝困難，品質因數與溫度系數隨制備條件變化較大，而后者存在Qf 值偏低的缺點。
發明內容
本發明的目的是提供介電常數為18 25、同時具有低損耗(Qf > 85，OOOGHz)與良好的溫度穩定性的微波介質陶瓷。本發明的低損耗微波介質陶瓷的一般表達式為xSrO yLn203 ZAl2O3,其中Ln =La, Nd 或 Sm, 25. Omol % ^ x ^ 44. Omol %，25. Omol % ^ y ^ 44. Omol %，25. Omol % ^ z ^ 44. Omol %,且 x+y+z = 100 %。本發明在綜合考察已有微波介質陶瓷體系的基礎上，著眼于鈣鈦礦結構以外的氧化物，提供了具有低損耗(Qf > 85，OOOGHz)與近零諧振頻率溫度系數，介電常數為18 25 的低損耗微波介質陶瓷。而利用本發明提供的低損耗微波介質陶瓷，可使介質諧振器與濾波器等微波元器件適合更高頻率與更大功率的應用。同時，本發明提供的陶瓷亦可應用于高頻陶瓷電容器、溫度補償陶瓷電容器或微波基板等。因此，本發明在工業上有著極大的價值。
具體實施例方式以下結合實例進一步說明本發明。發明的低損耗微波介質陶瓷可按下述方法制備而成。首先，將純度為99. 9%以上的SrC03、La203、Nd203、Sm203、Al203按一定的比例用濕式球磨法混合24小時(溶劑為無水乙醇)，烘干后在1400-1550°C、大氣氣氛中煅燒6小時。 然后，在煅燒粉末中添加粘結劑，接著造粒，再通過單軸壓力成形在lOOOkg/cm2的壓力下制備出直徑12_、厚度3-6_的陶瓷坯體，最后在1525-1625°C、大氣氣氛中燒結3小時以制備所需的微波介質陶瓷。用粉末X線衍射法對燒結后的陶瓷試樣進行了物相分析，而用圓柱介質諧振器法在IOGHz進行了微波介電性能的評價。
表I不出了各實施例的成分含量與微波介電性能關系。[表I]
權利要求
1.低損耗微波介質陶瓷，其特征是它的表達式為XSrOyLn2O3-ZAl2O3,其中Ln = La, Nd 或 Sm，25. Omo 1% ^ x ^ 44. Omo 1%, 25. Omo 1% ^ y ^ 44. Omo 1%, 25. Omo 1% ^ z ^ 44. Omo 1%, 且 x+y+z=100%。
全文摘要
本發明涉及用于介質諧振器、濾波器及振蕩器等微波通訊系統中的微波介質陶瓷。它的表達式為xSrO yLn2O3 zAl2O3的低損耗微波介質陶瓷。其中Ln=La,Nd或Sm，25.0mol%≤x≤44.0mol%，25.0mol%≤y≤44.0mol%，25.0mol%≤z≤44.0mol%，且x+y+z=100%。本發明提供的微波介質陶瓷介電常數為18~25，Qf>85,000GHz，同時具有近零諧振頻率溫度系數。
文檔編號C04B35/50GK102584235SQ20121004301
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月24日 優先權日2012年2月24日
發明者易磊, 陳湘明 申請人:浙江大學