專利名稱：自潔釉及其制備工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種透明釉及其制備工藝，特別是一種易于潔凈的自潔釉及其制備工藝。
背景技術：
隨著社會的發展，人們生活條件的改善，人們對美的追求以及對健康生活的要求越來越高，賓館、酒店以及家庭對衛生陶瓷的要求也越來越高。現有陶瓷器具的釉面的光滑度不是很理想，經過一段時間的使用會發現，釉面容易沾染污物、形成黑斑等情況，釉面“藏污納垢”，清潔時需要清潔劑的輔助；使用時間更久后會發現，釉面會發黃且不易清除，釉面也顯得暗淡無光，這時候的釉面更容易沾染污物，清潔也比較困難。發明內容
本發明提供一種自潔釉及其制備工藝，以克服現有技術中存在的陶瓷釉面光滑度不是很理想，釉面容易沾污且清潔比較困難，釉面會發黃且不易清除等問題。
本發明采用如下技術方案自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上，該面釉的制備按重量份包括下述原料長石15 22份、石英25 ；35份、氧化鋁0. 5 3. 5份、方解石4 8份、 高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、熔塊25 40份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯 8 13份、硅灰石5 9份。
自潔釉制備工藝，包括以下步驟a.配料，按重量份面釉配料為長石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0.5 3. 5 份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、 熔塊25 40份；b.將配料進行球磨20 22小時得面釉釉漿；c.檢測面釉釉漿研磨細度，細度控制在325目標準檢驗篩篩余量為0.05 0. 20% ；d.面釉釉漿過篩除鐵；e.調整面釉釉漿性能，面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升，流動性控制在90 110秒/100毫升，吸干時間為28 35分鐘，調整后備用；f.底釉釉漿噴涂于基體上；g.將面釉釉漿噴涂于底釉上；h.在最高為1180 1200攝氏度的溫度曲線下燒成16 20小時，獲得產品。
更具體地，步驟b中球磨時，面釉配料中加入球、水和CMC，其重量比例為，面釉配料球水CMC=1 :1. 5 :0. 5 :0. 003。
步驟d中釉漿過篩除鐵4次。
步驟f中上述底釉釉漿由下述方法制備按重量份底釉配料為長石30 40份、 石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石5 9份；底釉配料中加入球、CMC以及水進行球磨，球磨18 20小時得底釉釉漿，底釉釉漿過篩除鐵，調節比重、流動性以及吸干時間等性能后備用。
步驟f中上述底釉釉漿通過噴涂設備噴涂于基體上，噴涂3 5遍。
步驟g中上述面釉釉漿噴涂于底釉上，放置4 8小時后再進行步驟h的燒成。
步驟f中底釉的厚度控制在0. 6 0. 8mm ；步驟g中面釉的厚度控制在0. 05 0. 15mm。
步驟h中燒成最高溫度為1185 1190攝氏度。
由上述對本發明的描述可知，和現有技術相比，本發明具有如下優點該自潔釉采用兩次噴涂的方式制備，釉面亮度高、十分平滑，可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成； 使用HB鉛筆不容易劃現，污物難以吸附在釉面表面，清潔更容易。
具體實施方式
實施方式一自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上，該面釉的制備按重量份包括下述原料長石18份、石英30份、氧化鋁2份、方解石6份、高嶺土 2份、氧化鋅5份、 白云石3份、硅灰石4份、熔塊30份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長石38份、石英19份、氧化鋁2份、方解石10份、高嶺土 3份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯12份、硅灰石9份。
自潔釉制備工藝，包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長石18份、石英30份、氧化鋁2份、方解石6份、高嶺土 2份、氧化鋅5份、白云石3份、硅灰石4份、熔塊30份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC，其重量比例為，面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003，球磨20小時后得面釉釉漿；充分磨細的釉料玻化程度會提高，殘留晶粒會減少，釉面細膩度、平整度會大大改善；CMC為羧甲基纖維素鈉的英文簡寫，它具有無毒、無腐蝕、對人體無害、不污染環境、粘結力強、不霉變、不生蟲等特點，CMC為該配料的添加劑；c.檢測面釉釉漿研磨細度，細度控制在325目標準檢驗篩篩余量為0.15%左右；d.面釉釉漿過篩除鐵4次；e.調整面釉釉漿性能，面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升，流動性控制在90 110秒/100毫升，吸干時間為28 35分鐘，調整后備用；f.按重量份底釉配料為長石38份、石英19份、氧化鋁2份、方解石10份、高嶺土3 份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯12份、硅灰石9份。
底釉配料中加入球、CMC以及水進行球磨，球磨18小時得底釉釉漿，底釉釉漿過篩除鐵，調節比重、流動性以及吸干時間等性能后備用；g.底釉釉漿通過噴涂設備噴涂于基體上，噴涂4遍，底釉厚度控制0.7mm左右，底釉噴釉后的釉坯無釉部分應干凈無釉，以免燒成后發生釉粘；h.底釉吸干剛結束時即將上述面釉釉漿均勻噴霧于底釉上，面釉的厚度控制在0. IOmm左右，噴涂時轉盤應轉動均勻，噴釉操作要穩，噴槍噴出的霧化狀態要好，噴釉后的釉坯外觀無釉泡、無棕眼、無明顯波紋、無釉縷、無明顯擦痕；噴涂完成后放置6小時，放置期間不允許流釉、薄釉和碎海綿以及其他雜塵；i.在最高溫度為1185 1190攝氏度的曲線下燒成18小時，溫度根據實際情況而定， 燒成后即獲得產品，通過上述方法制備的自潔釉，釉面亮度高、十分平滑，可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成；使用HB鉛筆不容易劃現，污物難以吸附在釉面表面，清潔更容易。
實施方式二自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上，該面釉的制備按重量份包括下述原料長石20份、石英25份、氧化鋁1. 5份、方解石5. 5份、高嶺土 2份、氧化鋅4 份、白云石3份、硅灰石1. 5份、熔塊37. 5份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長石40份、石英18份、氧化鋁1. 5份、方解石11份、高嶺土 3. 5份、氧化鋅3. 5份、白云石3. 5份、硅酸鋯10份、硅灰石9份。
自潔釉制備工藝，包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長石20份、石英25份、氧化鋁1. 5份、方解石5. 5份、 高嶺土 2份、氧化鋅4份、白云石3份、硅灰石1. 5份、熔塊37. 5份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC，其重量比例為，面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003，球磨22小時后得面釉釉漿；c.檢測面釉釉漿研磨細度，細度控制在325目標準檢驗篩篩余量為0.05%左右；d.面釉釉漿過篩除鐵4次；e.調整面釉釉漿性能，面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升，流動性控制在90 110秒/100毫升，吸干時間為28 35分鐘，調整后備用；f.按重量份底釉配料為長石40份、石英18份、氧化鋁1.5份、方解石11份、高嶺土 3. 5份、氧化鋅3. 5份、白云石3. 5份、硅酸鋯10份、硅灰石9份；底釉配料中加入球、CMC以及水進行球磨，球磨20小時得底釉釉漿，底釉釉漿過篩除鐵，調節比重、流動性以及吸干時間等性能后備用；g.底釉釉漿通過噴涂設備噴涂于基體上，噴涂3遍，底釉厚度控制0.6mm左右；h.上述面釉釉漿噴涂于底釉上，面釉的厚度控制在0.05mm,放置6小時；i.在最高溫度為1180攝氏度曲線下燒成16小時，獲得產品。
實施方式三自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上，該面釉的制備按重量份包括下述原料長石15份、石英35份、氧化鋁2. 5份、方解石8份、高嶺土 4份、氧化鋅5份、 白云石4份、硅灰石1. 5份、熔塊25份。
上述底釉的制備按重量份包括下述原料長石37份、石英20份、氧化鋁3份、方解石9份、高嶺土 4份、氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯13份、硅灰石7份。
自潔釉制備工藝，包括以下步驟a.按下述重量份配制面釉配料長石15份、石英35份、氧化鋁2. 5份、方解石8份、高嶺土 4份、氧化鋅5份、白云石4份、硅灰石1. 5份、熔塊25份。
b.面釉配料中加入球、水和CMC，其重量比例為，面釉配料球水CMC=1 1. 5 0. 5 0. 003，球磨21小時后得面釉釉漿；c.檢測面釉釉漿研磨細度，細度控制在325目標準檢驗篩篩余量為0.10%左右；d.面釉釉漿過篩除鐵4次；e.調整面釉釉漿性能，面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升，流動性控制在90 110秒/100毫升，吸干時間為28 35分鐘，調整后備用；f.按重量份底釉配料為長石37份、石英20份、氧化鋁3份、方解石9份、高嶺土4份、 氧化鋅4份、白云石3份、硅酸鋯13份、硅灰石7份；底釉配料中加入球、CMC以及水進行球磨，球磨19小時得底釉釉漿，底釉釉漿過篩除鐵，調節比重、流動性以及吸干時間等性能后g.底釉釉漿通過噴涂設備噴涂于基體上，噴涂5遍，底釉厚度控制0.8mm左右；h.上述面釉釉漿噴涂于底釉上，面釉的厚度控制在0.15mm,放置6小時；i.在最高溫度1200攝氏度曲線下燒成18小時，獲得產品。
上述僅為本發明的具體實施方式
，但本發明的設計構思并不局限于此，凡利用此構思對本發明進行非實質性的改動，均應屬于侵犯本發明保護范圍的行為。
權利要求
1.自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上，其特征在于，所述面釉的制備按重量份包括下述原料長石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0. 5 3. 5份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、熔塊 25 40份。
2.如權利要求1所述的自潔釉，其特征在于，所述底釉的制備按重量份包括下述原料 長石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石5 9份。
3.自潔釉制備工藝，其特征在于，包括以下步驟a.配料，按重量份面釉配料為長石15 22份、石英25 35份、氧化鋁0.5 3. 5 份、方解石4 8份、高嶺土 1 4份、氧化鋅2 7份、白云石1 4份、硅灰石1 5份、 熔塊25 40份；b.將配料進行球磨20 22小時得面釉釉漿；c.檢測面釉釉漿研磨細度，細度控制在325目標準檢驗篩篩余量為0.05 0. 20% ；d.面釉釉漿過篩除鐵；e.調整面釉釉漿性能，面釉釉漿比重控制在1.70 1. 72克/毫升，流動性控制在90 110秒/100毫升，吸干時間為28 35分鐘，調整后備用；f.底釉釉漿噴涂于基體上；g.將面釉釉漿噴涂于底釉上；h.在最高為1180 1200攝氏度的溫度曲線下燒成16 20小時，獲得產品。
4.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟b中球磨時，面釉配料中加入球、水和CMC，其重量比例為，面釉配料球水=CMC=I 1. 5 0. 5 :0. 003。
5.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟d中釉漿過篩除鐵4次。
6.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于，步驟f中所述底釉釉漿由下述方法制備按重量份底釉配料為長石30 40份、石英15 20份、氧化鋁1 3份、方解石 7 11份、高嶺土 2 4份、氧化鋅1 4份、白云石2 5份、硅酸鋯8 13份、硅灰石 5 9份；底釉配料中加入球、CMC以及水進行球磨，球磨18 20小時得底釉釉漿，底釉釉漿過篩除鐵，調節比重、流動性以及吸干時間等性能后備用。
7.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟f中所述底釉釉漿通過噴涂設備噴涂于基體上，噴涂3 5遍。
8.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟g中所述面釉釉漿噴涂于底釉上，放置4 8小時后再進行步驟h的燒成。
9.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟f中底釉的厚度控制在0.6 0. 8mm ；步驟g中面釉的厚度控制在0. 05 0. 15mm。
10.如權利要求3所述自潔釉制備工藝，其特征在于步驟h中最高燒成溫度為1185 1190攝氏度。
全文摘要
自潔釉及其制備工藝自潔釉，包括底釉和面釉，底釉涂于基體上，面釉涂于底釉上；底釉、面釉配料經球磨、過篩除鐵、調整性能等處理制得備用釉漿，釉漿經噴涂、燒成等處理形成該自潔釉。該自潔釉采用兩次噴涂的方式制備，釉面亮度高、十分平滑，可有效地防止污垢的堆積及黑斑的形成；使用HB鉛筆不容易劃現，污物難以吸附在釉面表面，清潔更容易。
文檔編號C04B41/86GK102491792SQ201110387178
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月29日 優先權日2011年11月29日
發明者林文叢 申請人:福建省南安市華盛建材有限公司