專利名稱：一種三銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃，具體涉及一種三銀低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。
背景技術：
低輻射鍍膜玻璃(又稱LOW-E玻璃)，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產品。低輻射鍍膜玻璃是一種既能像普通玻璃一樣讓室外的太陽能、可見光透過，又能像紅外反射鏡一樣(尤其對中遠紅外線具有很高的反射率)，將物體二次輻射熱反射回去的新一代鍍膜玻璃。在任何氣候環境下使用，均能達到控制陽光、節約能源熱量控制調節及改善環境的作用。三銀低輻射玻璃(即Triple-silver L0W-E)，作為低輻射鍍膜玻璃中的高端產品，由多達三層的銀層和多層金屬氧化或氮化化合物組成，具有較高的可見光透過率、很高的 紅外線反射率，可以獲得極佳的隔熱保溫效果。然而，傳統的以Ag作為紅外反射膜層的低輻射鍍膜玻璃，通常在Ag層前后增加金屬阻擋層，以防止Ag層被侵蝕，然而由于金屬阻擋層的加入使得光透過率明顯降低，特別是三銀低輻射鍍膜玻璃，傳統的低輻射玻璃為了獲得更低的U值(傳熱系數)、SC (遮陽系數)和良好的光熱比(LSG)，就必須通過增加銀層的厚度來降低膜層的輻射率，以得到理想的LSG，但是隨著銀層的增加，就意味著可見光透過率的降低、外觀顏色呈現干擾色、顏色選擇受限，無法滿足客戶日益增長的需求。因此，一種可見光透過率較高、成本較低、顏色可選范圍較廣的鍍膜玻璃亟待出現。
發明內容
為解決現有的三銀低輻射鍍膜玻璃在增加銀層改善鍍膜玻璃性能時產生的銀層過厚，可見光透過率較低，外觀顏色呈現干擾色、顏色選擇受限等問題，本發明公開了一種三銀低輻射鍍膜玻璃，以達到提高可見光透過率、提升產品性能、擴大顏色可選范圍的目的。本發明的技術方案如下
一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質組合層；
所述兩層電介質組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質組合層依次相間設置于所述兩層電介質組合層之間；
所述電介質組合層、間隔層電介質組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2λ ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2Λ AZOΛ Si3N4' Si02、SiOxNy Λ BiO2Λ Al2O3λ Nb2O5' Ta2O5' In2O3'MoO3中的一種或多種膜層組成，且所述每種膜層可設置I層或多層。優選的，所述電介質組合層的厚度為10_80nm。優選的，所述間隔層電介質組合層的厚度為10_200nm。
優選的，所述銀層的厚度為5_40nm。一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，具體工藝步驟如下
(1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區；
(2)、在所述玻璃本體上沉積形成第一電介質組合層；
(3)、在所述第一電介質組合層沉積形成第一銀層；
(4)、在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質組合層；
(5)、在所述第一間隔層電介質組合層上沉積形成第二銀層；
(6)、在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質組合層；
(7)、在所述第二間隔層電介質組合層上沉積形成第三銀層；
(8)、在所述第三銀層上沉積形成第二電介質組合層；
(9)、形成產品。優選的，所述電介質組合層與間隔層電介質組合層均采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。優選的，所述銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。優選的，所述交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進行。優選的，所述平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進行。本發明公開的三銀低輻射鍍膜玻璃，與傳統的鍍膜玻璃相比取消了三銀低輻射膜層中的金屬阻擋層，采用新型材料的電介質組合層對銀層進行保護，這樣便可以有效降低膜層對可見光透過率的影響，從而得到較高的可見光透過率、低輻射率、及良好的光熱比，提高產品的性能；而且在一定程度上避免了干擾色的產生；采用和玻璃材質相近的高硬度材料作為間隔層電介質組合層不僅可以在玻璃本體和銀層之間起到很好的粘接作用，并且可以抵消復合膜層的內部應力，特別是在抗劃傷、耐磨和抗腐蝕方面效果更加明顯，且顏色選擇多樣化，適用范圍較廣。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發明公開的一種三銀低輻射鍍膜玻璃的結構示意 圖2為本發明公開的一種三銀低輻射鍍膜玻璃制備工藝的流程圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
本發明公開了一種三銀低輻射鍍膜玻璃，以達到提高可見光透過率、提升產品性能、擴大顏色可選范圍的目的。如圖1、2所示，一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體I以及涂布于玻璃本體上鍍膜，該鍍膜包括兩層電介質組合層1-1與1-2、三層銀層2-1、2-2、2-3以及兩層間隔層電介質組合層3-1、3-2，電介質組合層、間隔層電介質組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2>InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZ0、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5'Ta2O5, In2O3^MoO3中的一種或多種膜層組成的組合層，且每種膜層可設置I層或多層。電介質組合層1-1、1_2分別位于鍍膜層的上、下兩層，銀層2-1、2-2、2_3以及間隔層電介質組合層3-1、3-2依次相間設置于兩層電介質組合層之間。電介質組合層的厚度為10-80nm,間隔層電介質組合層的厚度為10_200nm,銀層的厚度為5_40nm。電介質組合層與間隔層電介質組合層均采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積形成膜層，銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積形成膜層。其中電介質組合層的厚度還可為15、20、30、50、70等，間隔層電介質組合層的厚度為25、40、60、80、120、160nm等，銀層的厚度為5、10、16、20、26、8、35nm等。具體膜層厚度均視具體情況而定， 在此不做限制。交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進行，平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進行，中頻頻率可為20-40KHZ。一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，具體工藝步驟如下
(1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區；
(2)、采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在玻璃本體上沉積形成第一電介質組合層；
(3)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一電介質組合層沉積形成第一銀層；
(4)、采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質組合層；
(5)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第一間隔層電介質組合層上沉積形成第二銀層；
(6)、采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質組合層；
(7)、采用平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第二間隔層電介質組合層上沉積形成第三銀層；
(8)、采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式在所述第三銀層上沉積形成第二電介質組合層；
(9)、形成產品。實施例I
本發明具體實施使用磁控濺射鍍膜機，包括23個交流旋轉雙陰極，8個直流平面陰極，采用下表列出的工藝參數，使用14個交流旋轉雙陰極，3個直流平面陰極，制出本發明三銀低輻射鍍膜玻璃，其工藝參數和靶的位置列表如下
三銀低輻射鍍膜玻璃靶位及工藝參數
權利要求
1.一種三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質組合層； 所述兩層電介質組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質組合層依次相間設置于所述兩層電介質組合層之間； 所述電介質組合層、間隔層電介質組合層均由SSTOx、CrNx> CdO> MnO2> InSbOx> TxO、SnO2> ZnO> ZnSnOx> ZnSnPbOx> ZrO2> AZO> Si3N4、Si02、SiOxNy > BiO2>A1203> Nb2O5> Ta2O5> ln203、MoO3中的一層或多層膜層組成，且所述每種膜層可設置I層或多層。
2.根據權利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質組合層的厚度為 10_80nm。
3.根據權利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述間隔層電介質組合層的厚度為10-200nm。
4.根據權利要求I所述的三銀低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述銀層的厚度為5_40nmo
5.一種三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，采用真空磁控濺射鍍膜方式，其特征在于，具體工藝步驟如下 (1)、玻璃本體清洗干燥后，將其置于真空濺射區； (2)、在所述玻璃本體上沉積形成第一電介質組合層； (3)、在所述第一電介質組合層沉積形成第一銀層； (4)、在所述第一銀層上沉積形成第一間隔層電介質組合層； (5)、在所述第一間隔層電介質組合層上沉積形成第二銀層； (6)、在所述第二銀層上沉積形成第二間隔層電介質組合層； (7)、在所述第二間隔層電介質組合層上沉積形成第三銀層； (8)、在所述第三銀層上沉積形成第二電介質組合層； (9)、形成產品。
6.根據權利要求5所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述電介質組合層與間隔層電介質組合層均采用交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式或平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。
7.根據權利要求5所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述銀層采用平面陰極、直流磁控濺射方式沉積。
8.根據權利要求6所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述交流雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射方式是在氬氧、氬氮或氬氧氮氛圍中進行。
9.根據權利要求6或7所述的三銀低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述平面陰極、直流磁控濺射方式是在純氬、氬氧或氬氮氛圍中進行。
全文摘要
一種三銀低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃本體以及涂布于所述玻璃本體上的鍍膜，所述鍍膜包括兩層電介質組合層、三層銀層以及兩層間隔層電介質組合層；所述兩層電介質組合層分別位于所述鍍膜層的上下兩層，所述三層銀層以及所述兩層間隔層電介質組合層依次相間設置于所述兩層電介質組合層之間；所述電介質組合層、間隔層電介質組合層均由SSTOx、CrNx、CdO、MnO2、InSbOx、TxO、SnO2、ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2、AZO、Si3N4、SiO2、SiOxNy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Ta2O5、In2O3、MoO3中的一種或多種膜層組成。本發明公開的三銀低輻射鍍膜玻璃，取消了傳統膜層結構中的金屬阻擋層，采用新型材料的電介質組合層對銀層進行保護，這樣便可以有效降低膜層對可見光透過率的影響，從而得到較高的可見光透過率、低輻射率、及良好的光熱比；且顏色選擇多樣化，適用范圍較廣。
文檔編號C03C17/36GK102898040SQ20111021208
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月27日 優先權日2011年7月27日
發明者林嘉宏 申請人:林嘉宏