專利名稱：一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方法
技術領域：
本發明屬于資源綜合利用與材料制備技術領域，具體涉及一種利用陶瓷拋光廢料 制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方法。
背景技術：
微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材是近幾年來興起的一種優質的裝飾材料。具有色 澤溫和，色調純正，花色可調，吸水率低，強度高，耐磨防腐性能好等諸多優點，是當前熱銷 的建筑外墻及室內裝飾材料。但微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的生產存在兩大缺陷，導致 成品率低，致使當前微晶玻璃-陶瓷裝飾板材的市場價格居高不下，同時也影響了微晶玻 璃-陶瓷裝飾板材生產廠家規模化運營。由于陶瓷拋光廢料粒度較細，成分穩定。近年來，許多科研工作者從事陶瓷拋光廢 料綜合利用工作。由于拋光廢料主要為莫來石相，屬瘠性料，目前利用起來還比較困難，且 利用量不大。本發明是以陶瓷拋光廢料為主要原料，用量較大。本研究是用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃粉，再將微晶玻璃粉與陶瓷磚相復合，由 于兩相成分較為相當，膨脹系數吻合較好，使得制備的材料性能穩定，不易脫落，強度較高， 從而大大提高是成品率，降低的單塊制品的成本。
發明內容
本發明的目的是針對上述現有技術的不足，而提供一種用陶瓷拋光廢料制備微晶 玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方法。該方法首先以陶瓷拋光廢料為基礎原料，并添加適當的 配合料，制備微晶玻璃基礎粉料；再對微晶玻璃基礎粉料進行燒成、水淬制得微晶玻璃粉； 再將微晶玻璃粉與陶瓷粉共壓成型、微晶化處理制的微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材。具體工藝步驟如下所述1、首先將陶瓷拋光廢料50% -70%、配合料硅質20% -40%和鈣質5% -15%分別 以60°C烘干8 10h。分別磨細至180 250目，再共磨1 3h，制得微晶玻璃基礎粉料。 基礎粉料中氧化物含量氧化硅含量為45 % 65 %，氧化鈉含量為5 % 15 %，氧化鈣含量 為5% 15%，氧化鎂含量為 10%，上述組分均為重量％。2、將微晶玻璃基礎粉料以8 12°C /min的升溫速度，升溫至1450 1550°C，保 溫1 3h，立刻倒入水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干8 10h，并磨細至180 250目， 制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為15 30MPa。再將素坯以60°C烘干8 10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為5 15°C /min的速度，升溫至800 950°C核化，并保溫60 120min，再升溫至1050 1250°C 晶化。
5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為15 250C /min,降溫至550 650°C，并保溫60 180min，再隨爐冷卻至室溫。本發明具有生產成本低、產品質量好、生產操作簡單、無二次污染等優點。
具體實施例方式實施例一1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為30MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例二1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1500°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為30MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例三1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1450°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為30MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例四
1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1500°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為15MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例五1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為15MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1200°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例六1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為20MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至900°C核化，并保溫120min，再升溫至1200°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例七1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為15MPa。再將素坯以60°C烘干10h。
4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至890°C核化，并保溫90min，再升溫至1200°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。實施例八1、首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他。分別磨細至250目，再共磨 3h,制得微晶玻璃基礎粉料。2、將微晶玻璃基礎粉料以8°C /min的升溫速度，升溫至1500°C，保溫3h，立刻倒入 水槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干他，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料。3、將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型。成型壓 力為25MPa。再將素坯以60°C烘干10h。4、將制備好的坯體以60°C烘干Mi后，轉入高溫爐燒成。燒成工藝參數為升溫速 度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫90min，再升溫至1150°C晶化。5、微晶化處理后的制品經合理退火既得成品。退火工藝參數為降溫速度為 250C /min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。性能指標如下
權利要求
1.一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方法，其特征在于首先 以陶瓷拋光廢料為基礎原料，并添加適當的配合料，制備微晶玻璃基礎粉料；再對微晶玻璃 基礎粉料進行燒成、水淬制得微晶玻璃粉；再將微晶玻璃粉與陶瓷粉共壓成型、微晶化處理 制得微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材。
2.如權利要求1所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，該方法是通過下述工藝步驟實現的(1)首先將陶瓷拋光廢料50%-70%、配合料硅質20% -40%和鈣質5% -15%分別以 60°C烘干8 10h，分別磨細至180 250目，再共磨1 3h，制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8 20°C/min的升溫速度，升溫至1450 1550°C，保溫 1 池，立刻倒入水槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8 10h，并磨細至180 250目，制 得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 15 30MPa，再將素坯以60°C烘干8 IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度 為5 15°C /min的速度，升溫至800 950°C核化，并保溫60 120min，再升溫至1050 1250°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為15 250C /min,降溫至550 650°C，并保溫60 180min，再隨爐冷卻至室溫。
3.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其所述的基礎粉料中氧化物含量按重量％為氧化硅含量為45% 65%，氧化鈉含量 為5% 15%，氧化鈣含量為5% 15%，氧化鎂含量為 10%，其余為雜質。
4.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨池， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 30MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品；退火工藝參數為降溫速度為25V/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
5.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨池， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1500°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬。再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 30MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
6.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨池， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1450°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 30MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
7.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨池， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1500°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 15MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1250°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
8.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨池， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 15MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為15°C /min的速度，升溫至950°C核化，并保溫120min，再升溫至1200°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C / min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
9.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨3h， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫汕，立刻倒入水 槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 20MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至900°C核化，并保溫120min，再升溫至1200°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
10.如權利要求2所述的一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方 法，其具體的步驟和工藝條件是(1)首先將陶瓷拋光廢料、配合料分別以60°C烘干他，分別磨細至250目，再共磨3h， 制得微晶玻璃基礎粉料；(2)將微晶玻璃基礎粉料以8°C/min的升溫速度，升溫至1550°C，保溫池，立刻倒入水槽中水淬，再將水淬后的粉粒烘干8h，并磨細至250目，制得微晶 玻璃粉料；(3)將拋光磚造粒后的粉料與微晶玻璃粉料分層裝入金屬模具，壓制成型，成型壓力為 15MPa，再將素坯以60°C烘干IOh ；(4)將制備好的坯體以60°C烘干他后，轉入高溫爐燒成，燒成工藝參數為升溫速度為 15°C /min的速度，升溫至890°C核化，并保溫90min，再升溫至1200°C晶化；(5)微晶化處理后的制品經合理退火既得成品，退火工藝參數為降溫速度為25°C/ min,降溫至650°C，并保溫180min，再隨爐冷卻至室溫。
全文摘要
本發明公開了一種用陶瓷拋光廢料制備微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材的方法，屬于資源綜合利用與材料制備領域。該方法是通過下述步驟實現的首先以陶瓷拋光廢料為基礎原料，并添加適當的配合料，制備微晶玻璃基礎粉料；再對微晶玻璃基礎粉料進行燒成、水淬制得微晶玻璃粉；再將微晶玻璃粉與陶瓷粉共壓成型、微晶化處理制得微晶玻璃-陶瓷復合裝飾板材。本發明采用的原料為陶瓷拋光廢料，便于就地取材，具有生產成本低、產品質量好、生產操作簡單和無二次污染等優點。
文檔編號C03C10/00GK102092946SQ20091022058
公開日2011年6月15日 申請日期2009年12月9日 優先權日2009年12月9日
發明者張全河, 張明, 薛健, 許壯志, 韓紹娟, 馬明龍 申請人:沈陽臨德陶瓷研發有限公司