專利名稱：半導(dǎo)體片的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過化學(xué)蝕刻處理分割半導(dǎo)體片來作為各芯片的半導(dǎo)體片分割方法。
背景技術(shù)：
圖10所示的半導(dǎo)體片W通過膠帶T與框F成為一體。在半導(dǎo)體片W的表面上，直道S隔開一定間隔排列成格子狀，在由直道S劃分的多個矩形區(qū)域中形成電路。而且，通過使用旋轉(zhuǎn)刀切削直道S而形成各半導(dǎo)體芯片但是，在利用旋轉(zhuǎn)刀進行的切削中存在以下問題有時在半導(dǎo)體芯片的外周產(chǎn)生細小的缺陷或應(yīng)力，由于該缺陷或應(yīng)力而導(dǎo)致抗折強度下降，由于外力或加熱周期而使半導(dǎo)體芯片容易破損，壽命縮短。例如在厚度50μm以下的半導(dǎo)體芯片中，所述缺陷或應(yīng)力就成為致命的問題。
因此，正在研究不使用旋轉(zhuǎn)刀，而通過化學(xué)蝕刻處理來分割半導(dǎo)體片的方法。該方法首先在形成了電路的半導(dǎo)體片W的表面上形成光致抗蝕劑膜，使用光掩膜僅使直道的上部曝光，除去因曝光而變質(zhì)的光致抗蝕劑膜后，通過蝕刻對直道進行侵蝕來分割成各個半導(dǎo)體片。
但是，在上述方法中，為了僅使覆蓋直道的上部的光致抗蝕劑膜曝光，必須準(zhǔn)備多種與半導(dǎo)體片W的大小以及直道間隔單獨對應(yīng)的光掩膜，所以存在著經(jīng)濟上不合算并且管理繁瑣這樣的問題。
另外，還存在以下問題因為需要使形成在半導(dǎo)體片W的表面的直道S和與它對應(yīng)形成在光掩模上的對應(yīng)部分進行精密位置對位來進行曝光的曝光裝置和用于除去因曝光而變質(zhì)的膠帶構(gòu)件的除去裝置，所以會導(dǎo)致設(shè)備投資的增大。
而且，當(dāng)使用靠蝕刻處理無法除去的材料在半導(dǎo)體片W的直道S上形成了對齊標(biāo)記等圖案時，存在著實質(zhì)上無法分割半導(dǎo)體片W這樣的問題。
為了解決這樣的問題，例如特開2001-127011號公報所公開的發(fā)明那樣，提出了由光致抗蝕劑膜覆蓋半導(dǎo)體片的整個電路面，使用旋轉(zhuǎn)刀用機械方法除去覆蓋直道的上部的光致抗蝕劑膜，然后用化學(xué)方法蝕刻、分割成各個半導(dǎo)體芯片的方法。
但是，利用該方法時，在除去直道的上部的光致抗蝕劑膜時，有時旋轉(zhuǎn)刀也會切入半導(dǎo)體片，以至在半導(dǎo)體片中產(chǎn)生缺陷，導(dǎo)致抗折強度下降。特別是，當(dāng)為在硅片上層疊了多個極薄的層間絕緣膜(低介電常數(shù)絕緣膜)的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體片時，如果旋轉(zhuǎn)刀的切入量哪怕稍微大一點，也有可能會使旋轉(zhuǎn)刀切入絕緣膜中，使絕緣膜象云母那樣剝落。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于在通過化學(xué)蝕刻處理來分割半導(dǎo)體片時，用經(jīng)濟效益好的方法來形成沒有缺陷、應(yīng)力、剝離等的高質(zhì)量的芯片。
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體片的分割方法，把在由直道劃分的多個區(qū)域中形成有電路的半導(dǎo)體片分割成各個電路的半導(dǎo)體芯片，包括至少用遮蓋構(gòu)件遮蓋半導(dǎo)體片的電路面的遮蓋步驟；通過激光光線的照射除去覆蓋直道的上部的遮蓋構(gòu)件的遮蓋構(gòu)件除去步驟；對除去了覆蓋著直道的上部的遮蓋構(gòu)件的半導(dǎo)體片進行化學(xué)蝕刻，通過侵蝕直道來分割成各個半導(dǎo)體芯片的化學(xué)蝕刻處理步驟。
而且，所述半導(dǎo)體片的分割方法把以下各項作為附加要件在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，在利用激光光線除去遮蓋構(gòu)件之前，在直道的上部的遮蓋構(gòu)件上形成切削溝，使遮蓋構(gòu)件的切削剩余部的厚度均勻，然后向切削溝的底部照射激光光線，除去遮蓋構(gòu)件；半導(dǎo)體片是在半導(dǎo)體襯底上形成多層布線的半導(dǎo)體片，在直道上層疊著層間絕緣膜；當(dāng)在直道上形成通過化學(xué)蝕刻無法除去的覆蓋層時，在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，向直道上照射激光光線，除去覆蓋層；化學(xué)蝕刻步驟中的化學(xué)蝕刻處理是基于氟類氣體的干蝕刻處理；半導(dǎo)體片的厚度為50μm以下。
在采用所述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體片的分割方法中，用遮蓋構(gòu)件覆蓋半導(dǎo)體片的電路面，通過激光光線除去直道上的遮蓋構(gòu)件后，通過用化學(xué)方法蝕刻直道，分割為各半導(dǎo)體片，所以不使用光掩膜、曝光裝置等，就能形成沒有缺陷等的抗折強度高的半導(dǎo)體片芯片。
另外，當(dāng)分割層疊多個極薄的層間絕緣膜時，通過使用激光光線，不對層間絕緣膜施加象切削那樣的沖擊力，所以層間絕緣膜不會象云母那樣剝落。
而且，當(dāng)除去直道上的遮蓋構(gòu)件時，如果預(yù)先通過切削來形成切削溝之后，形成切削剩余部，然后，通過激光光線除去切削剩余部，這樣一來，就能使切削剩余部的厚度均勻，所以可以不用改變激光光線的掃描速度、電壓，而以一定值進行照射。
下面簡要說明附圖。
圖1A是表示遮蓋步驟的剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖1B是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟剛結(jié)束之后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖1C是表示化學(xué)蝕刻處理步驟剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖2是表示遮蓋步驟中使用的旋轉(zhuǎn)鍍膜機一例的立體圖。
圖3是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟中使用的激光加工裝置一例的立體圖。
圖4是表示化學(xué)蝕刻處理步驟中使用的干蝕刻裝置一例的立體圖。
圖5是表示同一干蝕刻裝置的搬出搬入室和處理室的剖視圖。
圖6是表示同一干蝕刻裝置的處理室和氣體供給部的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖7A是表示遮蓋步驟結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖7B是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟中的切削溝形成后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖7C是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖7D是表示化學(xué)蝕刻處理步驟剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
圖8是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟中的切削溝形成中使用的切削裝置一例的立體圖。
圖9是表示設(shè)定構(gòu)成同一切削裝置的切削部件基準(zhǔn)位置的樣子的說明圖。
圖10是表示通過保持膠帶與框成為一體的半導(dǎo)體片的平面圖。
具體實施例方式
首先，參照圖1A～圖6來說明用于實施本發(fā)明的優(yōu)選實施例1。圖1A、圖1B、圖1C是按步驟順序表示本發(fā)明的半導(dǎo)體片的分割方法，圖1A是表示遮蓋步驟的剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖；圖1B是表示遮蓋構(gòu)件除去步驟剛結(jié)束之后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖；圖1C是表示化學(xué)蝕刻處理步驟剛結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)的說明圖。
在遮蓋步驟中，例如使用圖2所示的旋轉(zhuǎn)鍍膜機10，在半導(dǎo)體片W的表面形成遮蓋構(gòu)件。在旋轉(zhuǎn)鍍膜機10中，保持半導(dǎo)體片W的保持臺11由驅(qū)動部12驅(qū)動，能旋轉(zhuǎn)，在堵塞環(huán)狀的框F的開口部而從背面一側(cè)粘貼的膠帶T的粘貼面上粘貼半導(dǎo)體片W的背面，通過膠帶T與框F成為一體的半導(dǎo)體片W使電路面向上，保持在保持膠帶11上。
而且，通過一邊使保持臺11高速旋轉(zhuǎn)，一邊從滴下部13向半導(dǎo)體片W的電路面上滴下抗蝕劑聚合物，如圖1A所示，使電路面的一面由遮蓋構(gòu)件15遮蓋(遮蓋步驟)。在此，為了高效地進行以后的步驟，遮蓋構(gòu)件15的厚度最好為10μm～50μm以下。
須指出的是，遮蓋構(gòu)件15并不局限于如上所述那樣，通過旋轉(zhuǎn)鍍膜而形成的抗蝕劑膜，也可以是粘貼在半導(dǎo)體片W上那樣類型的膠帶等。
接著，在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，在遮蓋步驟中遮蓋的遮蓋構(gòu)件15中，只除去覆蓋半導(dǎo)體片W的電路面上形成的直道的上部的部分。
在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，例如使用圖3所示的激光加工裝置20。在該激光加工裝置20中，通過膠帶T與框F成為一體，并且表面被遮蓋構(gòu)件15覆蓋的多個半導(dǎo)體片W收容在盒子21中。
而且，與框F成為一體，并且表面被遮蓋構(gòu)件15覆蓋的半導(dǎo)體片W一片一片由搬出入部件22取出到臨時放置區(qū)23，由輸送部件24吸附，輸送到固定臺25上進行保持。
接著，通過使固定臺25在+X方向移動，半導(dǎo)體片W首先位于對齊部件26的正下方，在在此檢測直道，進行該直道和構(gòu)成激光照射部件27的照射部28的Y軸方向的對位(對齊)。須指出的是，當(dāng)遮蓋構(gòu)件15為半透明時，通過使用紅外線進行對齊，能透射遮蓋構(gòu)件15檢測直道。
如果這樣進行對位，就通過固定臺25在+X方向移動，從照射部28向檢測的直道的上部的遮蓋構(gòu)件15照射激光光線，除去照射的部分的遮蓋構(gòu)件15。
然后，一邊按每個直道間隔向Y軸方向進給(送出)激光照射部件27，一邊使固定臺25在X軸方向往返移動，除去同方向的全部直道的上部的遮蓋構(gòu)件。
使固定臺25旋轉(zhuǎn)90度后，如果與所述同樣進行激光光線的照射，就如圖1B所示，在一面遮蓋在電路面上的遮蓋構(gòu)件15中，只除去直道S的上部的遮蓋構(gòu)件15(遮蓋構(gòu)件除去步驟)。
這樣一來，通過使用激光光線來除去直道的上部的遮蓋構(gòu)件，以往的利用曝光的方法中所需要的專用光掩膜、曝光裝置、除去裝置就不再需要了，不但經(jīng)濟效益高，而且還能高效地執(zhí)行步驟。
如果對全部半導(dǎo)體片，遮蓋構(gòu)件除去步驟一結(jié)束，就按各盒子21輸送到接下來的化學(xué)蝕刻步驟中。在化學(xué)蝕刻步驟中，使用例如圖4所示的干蝕刻裝置30。
圖4所示的干蝕刻裝置30大致由進行從激光加工裝置20輸送來的盒子21的半導(dǎo)體片W的搬出和化學(xué)蝕刻步驟結(jié)束后的半導(dǎo)體片W向盒子21的搬入的搬出入部件31、收容由搬出入部件31搬出入的半導(dǎo)體片W的搬出搬入室32、進行干蝕刻的處理室33、向處理室33內(nèi)供給蝕刻氣體的氣體供給部34構(gòu)成。
遮蓋構(gòu)件除去步驟結(jié)束的半導(dǎo)體片W由搬出入部件31從盒子21取出。然后搬出搬入室32上設(shè)置的第一門35打開，把半導(dǎo)體片W放置在位于圖5所示的搬出搬入室32內(nèi)的保持部36上。
如圖5所示，搬出搬入室32和處理室33由第二門37遮斷，在第二門37打開時，保持部36能在搬出搬入室32的內(nèi)部和處理室33的內(nèi)部之間移動。
如圖6所示，在處理室33中，在上下方向?qū)χ排渲眠B接在高頻電源和調(diào)諧器38上，并且產(chǎn)生等離子體的一對高頻電極39，在本實施例中，成為一方的高頻電極39兼任保持部36的結(jié)構(gòu)。另外，在保持部36上設(shè)置有冷卻保持的半導(dǎo)體片的冷卻部40。
而在氣體供給部34中具有存儲蝕刻氣體的容器41；把容器41中存儲的蝕刻氣體向處理室33供給的泵42；向冷卻部40供給冷卻水的冷水循環(huán)器43；向保持部36供給吸引力的吸引泵44；吸引處理室33內(nèi)的蝕刻氣體的吸引泵45；中和吸引泵45吸引的蝕刻氣體向排出部47排出的過濾器46。
當(dāng)干蝕刻遮蓋構(gòu)件除去步驟結(jié)束的半導(dǎo)體片W時，打開搬出搬入室32上設(shè)置的第一門35，搬出入部件31保持半導(dǎo)體片W，向圖5箭頭方向移動，使表面向上，把半導(dǎo)體片W放置在位于搬出搬入室32內(nèi)的保持部36上。然后，關(guān)閉第一門35，使搬出搬入室32為真空。
接著，通過打開第二門37，使保持部36在處理室33內(nèi)移動，半導(dǎo)體片W收容在處理室33內(nèi)。在處理室33內(nèi)，通過泵42供給蝕刻氣體例如稀薄的氟類氣體，并且從高頻電源和調(diào)諧器38向高頻電極39供給高頻電壓，通過等離子體干蝕刻半導(dǎo)體片W的表面。此時，通過冷水循環(huán)器43向冷卻部40供給冷卻水。
如果這樣進行干蝕刻，則半導(dǎo)體片W的表面中，覆蓋在直道的上部的遮蓋構(gòu)件在遮蓋構(gòu)件除去步驟中除去，但是其他部分由遮蓋構(gòu)件覆蓋，所以只有直道通過蝕刻處理被侵蝕，如圖1C所示，分割成各個半導(dǎo)體芯片C(化學(xué)蝕刻步驟)。
在蝕刻結(jié)束后，通過吸引泵45吸引提供給處理室33的蝕刻氣體，在過濾器46中中和，從排出部47向外部排出。然后，使處理室33內(nèi)為真空，打開第二門37，把保持了蝕刻完畢的半導(dǎo)體片W的保持部36移動到搬出搬入室32，關(guān)閉第二門37。
如果半導(dǎo)體片W移動到搬出搬入室32，就打開第一門35，搬出入部件31保持半導(dǎo)體片W，從搬出搬入室32搬出，收容在盒子21中。
通過對全部半導(dǎo)體片進行以上所示的步驟，利用化學(xué)蝕刻處理來分割的全部半導(dǎo)體片片被收容在收容到盒子21中。須指出的是，有必要使用適當(dāng)?shù)娜軇┏フ谏w在各半導(dǎo)體片芯片C的表面上的遮蓋構(gòu)件。
由于這樣形成的各半導(dǎo)體片芯片C不是使用旋轉(zhuǎn)刀通過切削而分割的，所以能得到?jīng)]有缺陷或應(yīng)力的高質(zhì)量的半導(dǎo)體片芯片。特別是在厚度為50μm以下的薄半導(dǎo)體片時，如果基于切削分割的方法，則容易產(chǎn)生缺陷或應(yīng)力，所以如果利用本發(fā)明，則特別有效。
另外，當(dāng)半導(dǎo)體片W為在半導(dǎo)體襯底上層疊多個極薄的半導(dǎo)體片W的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體片時，通過使用激光光線，不會在層間絕緣膜上作用切削時那樣的沖擊力，所以層間絕緣膜不會象云母那樣剝落。
另外，半導(dǎo)體片的厚度越大，干蝕刻處理所花費時間越多，但是如果是厚度50μm以下的薄半導(dǎo)體片，則干蝕刻處理并不需要這么多時間，所以能確保生產(chǎn)性，在這一點上，本發(fā)明是有用的。
須指出的是，當(dāng)在直道上形成蝕刻處理中無法除去的圖案等覆蓋層時，在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，如果向該覆蓋層照射激光光線，就能除去該覆蓋層，所以通過蝕刻能分割形成這樣的圖案的半導(dǎo)體片。
下面，參照圖7A～圖9說明用于實施本發(fā)明的實施例2。圖7A表示遮蓋步驟的結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)，圖7B表示遮蓋構(gòu)件除去步驟中的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)，圖7C表示遮蓋構(gòu)件除去步驟結(jié)束后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)，圖7D表示化學(xué)蝕刻處理步驟的結(jié)束之后的半導(dǎo)體片W的狀態(tài)。
在遮蓋步驟中，通過與圖2所示的方法同樣的方法，在半導(dǎo)體片W的表面形成遮蓋構(gòu)件15。
在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，首先，使用圖8所示的切削裝置50，如圖7(B)所示，在直道的上部的遮蓋構(gòu)件15上形成切削溝15a。
在該切削裝置50中，收容著通過膠帶T與框F成為一體，并且表面被遮蓋構(gòu)件15遮蓋的多個半導(dǎo)體片W。
然后，與框F成為一體，并且表面被遮蓋構(gòu)件15遮蓋的半導(dǎo)體片W通過搬出入部件52取出到臨時放置區(qū)53，被輸送部件54吸引，輸送到固定臺55保持。
通過固定臺55在+X方向移動，半導(dǎo)體片W首先位于對齊部件56的正下方，在在此檢測直道，進行該直道和構(gòu)成切削部件57的旋轉(zhuǎn)刀58的Y軸方向的對位(對齊)。須指出的是，當(dāng)遮蓋構(gòu)件15半透明時，如果進行基于紅外線的對齊，則透射遮蓋構(gòu)件15能檢測直道。
如果這樣進行對位，則固定臺55在+X方向移動，并且旋轉(zhuǎn)刀58一邊高速旋轉(zhuǎn)，切削部件57一邊下降，高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)刀58切入檢測的直道的上部的遮蓋構(gòu)件15中。
此時，通過以高精度控制基于旋轉(zhuǎn)刀58的切入量，不完全除去直道的上部的遮蓋構(gòu)件15，形成切削溝15a。即如圖7B所示，進行切削，形成切削剩余部15b。
在此，為了以高精度控制基于旋轉(zhuǎn)刀58的切入量，有必要預(yù)先設(shè)定切削部件57的基準(zhǔn)位置。因此，如圖9所示，在軸59上安裝了旋轉(zhuǎn)刀58的由凸緣60a、60b和螺母61固定的結(jié)構(gòu)的切削部件57漸漸下降，在檢測部62檢測旋轉(zhuǎn)刀58和固定臺55的周圍的金屬部55a接觸時的導(dǎo)通，此時的切削部件57的位置為Z軸方向的基準(zhǔn)位置。
金屬部55a的表面和固定臺55的表面處于同一平面上，半導(dǎo)體片W的背面無間隙地吸附在固定臺55上，所以，如果以所述基準(zhǔn)位置為基準(zhǔn)，與形成全部切削溝15a時同樣控制旋轉(zhuǎn)刀58的Z軸方向的位置，則切削剩余部15b的厚度都以高精度變得均勻。
如果一邊使固定臺55在X軸方向往返移動，一邊把切削部件57按各直道間隔在Y軸方向進給(送出)，來進行上述的切削，則在同方向的直道的上部形成切削溝15a，并且形成切削剩余部15b。
如果使固定臺55旋轉(zhuǎn)90度后，與所述同樣進行切削，則在全部溝的上部的遮蓋構(gòu)件15上形成切削溝15a，并且形成切削剩余部15b(遮蓋構(gòu)件除去步驟)。
接著，通過與圖3所示的方法同樣的方法，如果向切削溝15a的底部即切削剩余部15b照射激光光線，則如圖7C所示，除去切削剩余部15b(遮蓋構(gòu)件除去步驟)。
這樣，如果最初形成切削溝15a，形成切削剩余部15b，則即使假定遮蓋構(gòu)件15的表面不平滑，切削剩余部15b的厚度也會以高精度均勻，所以不改變激光光線的掃描速度、電壓，就能高效而順利地除去遮蓋構(gòu)件15。
接著，通過使用圖4～圖6所示的干蝕刻裝置30，蝕刻半導(dǎo)體片W的溝，如圖7D所示，分割成各個半導(dǎo)體芯片C。
須指出的是，在以上的說明中，通過干蝕刻進行化學(xué)蝕刻處理步驟，但是并不局限于干蝕刻，也可以通過把半導(dǎo)體片浸漬于氟酸類的蝕刻液體中的濕蝕刻進行。
產(chǎn)業(yè)上的可應(yīng)用性綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體片的分割方法用遮蓋構(gòu)件遮蓋半導(dǎo)體片的電路面，通過激光光線除去直道上的遮蓋構(gòu)件后，通過用化學(xué)方法對直道進行蝕刻，分割成各個半導(dǎo)體片芯片，所以在制造無缺陷、抗折強度高的高質(zhì)量半導(dǎo)體片芯片時是有用的。特別是在分割層疊了多個極薄的層間絕緣膜的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體片時，通過使用激光光線，就不會在層間絕緣膜上施加象切削那樣的沖擊力，從而使絕緣膜不會象云母那樣剝落，所以特別有效。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體片的分割方法，把在由直道劃分的多個區(qū)域中形成有電路的半導(dǎo)體片分割成各個電路的半導(dǎo)體芯片，其特征在于包括至少用遮蓋構(gòu)件來遮蓋該半導(dǎo)體片的電路面的遮蓋步驟；利用激光光線的照射來除去覆蓋著該直道的上部的遮蓋構(gòu)件的遮蓋構(gòu)件除去步驟；對除去了覆蓋著該直道的上部的遮蓋構(gòu)件的半導(dǎo)體片進行化學(xué)蝕刻，侵蝕該直道而分割成各個半導(dǎo)體芯片的化學(xué)蝕刻處理步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片的分割方法，其特征在于在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，在利用激光光線除去遮蓋構(gòu)件之前，在直道的上部的遮蓋構(gòu)件上形成切削溝，使該遮蓋構(gòu)件的切削剩余部的厚度均勻，然后向該切削溝的底部照射激光光線，除去遮蓋構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片的分割方法，其特征在于半導(dǎo)體片是在半導(dǎo)體襯底上形成有多層布線的半導(dǎo)體片，在直道上層疊著層間絕緣膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片的分割方法，其特征在于當(dāng)在直道上形成了通過化學(xué)蝕刻無法除去的覆蓋層時，在遮蓋構(gòu)件除去步驟中，向該直道上照射激光光線來除去覆蓋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片的分割方法，其特征在于化學(xué)蝕刻步驟中的化學(xué)蝕刻處理是利用氟類氣體進行的干蝕刻處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體片的分割方法，其特征在于半導(dǎo)體片的厚度為50μm以下。
全文摘要
一種半導(dǎo)體片的分割方法，當(dāng)把在由直道劃分的多個區(qū)域中形成有電路的半導(dǎo)體片分割成各個電路的半導(dǎo)體芯片時，至少用遮蓋構(gòu)件15覆蓋半導(dǎo)體片W的電路面，通過激光光線的照射來除去覆蓋著直道S的上部的遮蓋構(gòu)件15，對除去覆蓋直道S的上部的遮蓋構(gòu)件15的半導(dǎo)體片W進行化學(xué)蝕刻，侵蝕直道，分割成各個半導(dǎo)體芯片C。因為不需要光掩膜或曝光裝置，所以經(jīng)濟并且簡便，因為不用切削半導(dǎo)體片，所以能形成沒有缺陷或剝落的半導(dǎo)體片芯片。
文檔編號B28D5/00GK1515025SQ0380038
公開日2004年7月21日 申請日期2003年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月25日
發(fā)明者關(guān)家一馬 申請人:株式會社迪思科