專利名稱：一種光觸媒防護服的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種防護服，具體是一種光觸媒防護服。
背景技術：
光觸媒是指以二氧化鈦為代表的具有光催化功能的光半導體材料的總稱。這種材料在光的照射下可產生游離電子及空穴，因而具有很強的光氧化還原功能，可氧化分解各種有機化合物和部分無機物，能破壞細菌的細胞膜和固化病毒的蛋白質，具有很強的空氣凈化功能，由于光觸媒只是提供反應場所的，因而本身并不參與化學反應，所以它的作用效果是持久的，近年來光觸媒已經廣泛應用于空氣凈化等領域，然而在防護服行業還沒有得到應用。
發明內容
本發明的目的是提供一種具有殺菌、消毒等功能的光觸媒防護服。本發明的技術方案是這樣實現的一種光觸媒防護服，包括基布和噴涂于基布外層的光觸媒涂層，所述基布是無紡布，所述光觸媒涂層的原料組成，以質量分數計為納米級二氧化鈦粉體20-50%，溶膠40-60%，所述光觸媒防護服的加工方法步驟如下
1)用消毒液消毒基布，然后烘干；
2)將光觸媒噴涂于基布上形成光觸媒涂層，其涂層的厚度為20-35nm，然后烘干，烘干時溫度控制在60°C以下；
3)裁減、縫合。所述納米級二氧化鈦粉體的粒徑為10-15nm。所述步驟2)的烘干溫度為50°C。所述溶膠為硅溶膠。本發明的有益效果是本發明的光觸媒防護服可以抗菌消毒，消除異味，凈化空氣，而光觸媒涂料層本身不會消耗，可以長久使用，同時，二氧化鈦本身無毒無害。
具體實施例方式實施例1
一種光觸媒防護服，包括基布和噴涂于基布外層的光觸媒涂層，所述基布是無紡布，所述光觸媒涂層的原料組成，以質量分數計為IOnm的二氧化鈦粉體20%，硅溶膠60%，其余為溶劑，所述光觸媒防護服的加工方法步驟如下
1)用消毒液消毒基布，然后烘干；
2)將光觸媒噴涂于基布上形成光觸媒涂層，其涂層的厚度為20nm，然后烘干，烘干時溫度控制在60°C ；
3)裁減、縫合。實施例2一種光觸媒防護服，包括基布和噴涂于基布外層的光觸媒涂層，所述基布是無紡布，所述光觸媒涂層的原料組成，以質量分數計為15nm的二氧化鈦粉體40%，硅溶膠50%，其余為溶劑，所述光觸媒防護服的加工方法步驟如下
1)用消毒液消毒基布，然后烘干；
2)將光觸媒噴涂于基布上形成光觸媒涂層，其涂層的厚度為35nm，然后烘干，烘干時溫度控制在50°C ；
3)裁減、縫合。 以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式
，但本發明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明披露的技術范圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種光觸媒防護服，其特征在于，包括基布和噴涂于基布外層的光觸媒涂層，所述基布是無紡布，所述光觸媒涂層的原料組成，以質量分數計為納米級二氧化鈦粉體 20-50%，溶膠40-60%，其余為溶劑，所述光觸媒防護服的加工方法步驟如下1)用消毒液消毒基布，然后烘干；2)將光觸媒噴涂于基布上形成光觸媒涂層，其涂層的厚度為20-35nm，然后烘干，烘干時溫度控制在60°C以下；3)裁減、縫合。
2.根據權利要求1所述的光觸媒防護服，其特征在于，所述納米級二氧化鈦粉體的粒徑為 10-15nm。
3.根據權利要求1所述的光觸媒防護服，其特征在于，所述步驟2)的烘干溫度為50°C。
4.根據權利要求1所述的光觸媒防護服，其特征在于，所述溶膠為硅溶膠。
全文摘要
本發明公開了一種光觸媒防護服，包括基布和噴涂于基布外層的光觸媒涂層，所述基布是無紡布，所述光觸媒涂層的原料組成，以質量分數計為納米級二氧化鈦粉體20-50%，溶膠40-60%，所述光觸媒防護服的加工方法步驟如下1)用消毒液消毒基布，然后烘干；2)將光觸媒噴涂于基布上形成光觸媒涂層，其涂層的厚度為20-35nm，然后烘干，烘干時溫度控制在60℃以下；3)裁減、縫合。本發明的光觸媒防護服可以抗菌消毒，消除異味，凈化空氣，而光觸媒涂料層本身不會消耗，可以長久使用，同時，二氧化鈦本身無毒無害。
文檔編號D06M11/46GK102362705SQ20111017933
公開日2012年2月29日 申請日期2011年6月29日 優先權日2011年6月29日
發明者蓋麗, 龔啟云 申請人:大連林橋科技有限公司