專利名稱：：單分子層狀的化學吸附膜的制造方法和使用化學吸附膜的液晶取向膜的制造方法、以及...的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種使吸附質分子化學吸附到基材表面上而形成的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法。更詳細地說，涉及一種可以作為防污性被膜、液晶用取向膜、偏振膜、相位差膜、分子元件用導電膜等使用的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法、以及使用這種薄膜制造液晶顯示裝置的方法。
背景技術：
：過去以來，單分子層狀薄膜(以下稱為化學吸附膜)的制造方法是這樣的將作為吸附媒體的基材在較低濃度的吸附質溶液中浸漬一定時間，這期間使吸附質與基材表面反應，然后將基材表面的未吸附分子洗凈。由于該方法使用低濃度的吸附質溶液，基材表面上不會附著無用的吸附質。因此，容易形成單分子層狀的均勻被膜。而且，由于被洗掉的吸附質的量少，可以高效率地使用吸附質溶液，這一點上的經濟性優良。但是，由于該方法必須使基材與吸附質反應很長時間，因此必須將基材長時間浸漬在溶液中，生產效率差。例如，將具有直鏈狀烴基和Si的硅烷系表面活性劑(吸附質)溶解成1重量％濃度的溶液作為吸附質溶液時，為了使其充分地化學吸附，必須將基材浸漬2小時左右。因此，為了提高上述方法的生產效率，進行了各種嘗試，但尚未發現簡便有效的方法。例如，如果將吸附質溶液加熱，則由于反應性提高，可以在一定程度上縮短浸漬時間。但是，一旦加熱吸附質溶液，就會使浸漬反應中的溶劑蒸發掉，出現溶劑沸騰等不利情況，或是出現吸附分子分解和副反應等不利情況，因此，難以形成品質良好的單分子層狀的化學吸附膜。而且，由于溶劑的蒸發量增加，必須考慮設置特別的防爆設施。因為這樣，一般說來，將吸附質溶液加熱到80℃以上是不適當的，這種程度的加溫充其量可以將反應時間縮短10～20％左右。另外，也可以通過提高溶液濃度來縮短浸漬時間。但是，一旦提高溶液濃度，則由于吸附質溶液過多地附著在基板表面上，難以形成單分子層狀的均勻被膜，同時吸附質溶液的利用效率變差。發明的公開本發明就是要解決上述的以往問題，本發明的主要目的在于提供一種可以高效率地制造均一性、分子取向性皆優良、也能用作液晶取向膜的單分子層狀的化學吸附膜的方法。更詳細地說，本發明的第一個目的是提供一種可以在短時間內制造納米級的膜厚極薄的單分子層狀被膜，第二個目的是提供一種為與上述相同的被膜、且具有可以將液晶分子的取向限制在一定方向上這一特性的化學吸附膜(例如液晶取向膜)的制造方法，第三個目的在于提供一種用上述液晶取向膜制造液晶顯示裝置的方法。為了達到上述目的，本發明采用以下構成。(1)一種單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，該方法至少具有以下工序使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液在干燥氣氛中與基材表面接觸、在基材表面上形成一層由吸附質溶液構成的溶液層的工序；以及在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附在基材表面上的工序。上述構成中采用的方法是，必須使吸附質溶液充分附著在基材上，在基材表面上形成一層由吸附質溶液構成的溶液層后，使吸附質溶液在基材表面上濃縮。如果是該方法，則可以使化學吸附反應以極高的效率進行。因此，可以在短時間內制造單分子層狀的薄膜。以下說明該構成的技術意義。基材表面上形成的理想的單分子層狀的化學吸附膜，吸附分子的一端被結合到基材面上，且吸附分子沿著基材面整齊地排列成單分子層狀。為了形成這種理想的化學吸附膜，必須使化學吸附質分子適當地結合到基材表面的所有可吸附部位，因此，優選降低吸附質溶液的濃度，以使吸附質分子能夠自由地運動。但是，如果是低濃度溶液，則等到分子吸附到全部可吸附部位時需要很長時間，生產效率差。然而，如果是上述構成，則由于在使溶液附著到基材上之后進行濃縮，即使在使用低濃度溶液的場合下，也可以在短時間內完成吸附反應。而且，由于最初的溶液濃度低，與基板面溶合良好，可以在基板上形成薄而均勻的涂布層(溶液層)。因此，吸附質溶液浪費少，同時容易形成均勻的薄膜。進一步地，隨著溶劑的蒸發，基材上吸附質分子的濃度緩慢上升，因此，化學吸附反應平穩地進行。其結果，與當初使用高濃度溶液的場合相比，基材上殘留的未吸附分子少，且可以形成吸附分子密度高的品質良好的化學吸附膜。順便說一下，按照本發明者們的實驗，采用上述構成，可以將過去的方法(浸漬反應法)必須1～2個小時的反應時間縮短至1分鐘～11分鐘左右。上述制造方法(1)還可以是以下構成。(2)上述化學吸附工序可以是以下構成直到溶液層中含有的有機溶劑蒸發結束的濃縮加速反應工序；和有機溶劑的蒸發結束后直到經過一定時間，繼續進行化學反應的熟化反應工序；在包括這兩個工序的同時，在化學吸附工序中的上述熟化反應工序之后，附加一個將基板表面上殘留的未吸附的表面活性劑用非水系有機溶劑洗滌的洗滌工序。該構成中，直到上述溶液層的表面活性劑濃度達到100％而使反應緩慢加速，在表面活性劑濃度達到100％后還繼續進行反應(熟化反應)。如果是該構成，則濃縮加速反應工序與熟化反應互補，可以使化學吸附反應平穩且迅速地進行。此處，上述熟化反應過程中，由于表面活性劑分子濃度達到100％，溶液的反應性提高，因此，即使在溶劑蒸發結束時吸附反應尚未完成的場合下，還可以進行化學吸附反應。因此，可以極高效率地使化學吸附反應完成。而且，如果是上述構成，則在吸附質分子缺乏反應性的場合下，或者使用蒸發速度快的溶劑時，由于可以延長熟化反應時間，不管吸附質和溶劑的特性如何，都可以在不使薄膜的質量降低的前提下確實縮短反應時間。進一步地，上述構成在熟化反應工序之后還帶有將基材表面上殘留的未吸附分子洗凈除去的洗滌工序，該工序有助于形成均勻的單分子層狀的薄膜。以下進一步說明洗滌工序的意義。為了形成均勻且無斑駁的化學吸附膜，必須使吸附質分子適當地化學結合到基材表面的吸附部位(一般為親水性基團)。但很難使溶液層中的吸附質分子數與基板表面的吸附部位的個數相同。為此，就要將吸附部位個數以上的吸附質分子(表面活性劑分子)涂布到基材表面上。因此，在化學吸附反應結束時，基材表面上就會存在未吸附分子。該未吸附分子附著在化學吸附膜之上，阻礙單分子層狀的化學吸附膜的形成，但如果在熟化反應結束時將基材表面洗凈，除去未吸附的分子，就能夠除去基板上吸附的分子以外的分子，即未吸附分子，因此，可以制成吸附分子沿基材表面排列成單分子層狀的品質良好的化學吸附膜。上述制造方法(1)～(2)還可以如下那樣構成。(3)作為上述制造方法(1)～(2)中的干燥氣氛，可以使用相對濕度在30％以下的氣氛。本發明制造方法中，作為吸附質，可以使用能夠化學吸附在基板面上的硅烷系表面活性劑，硅烷系表面活性劑具有與水反應的性質。因此，一旦在高濕度氣氛中實施上述制造方法，氣氛中的水分就會與硅烷系表面活性劑反應，使與基材的反應性降低，此外，還使化學吸附膜變得白濁。如果是相對濕度在30％以下的氣氛，就不會發生這種問題，可以使吸附反應適宜地進行。此處，相對濕度在30％以下的氣氛還包括相對濕度在30％以下的空氣。另外，還可以是例如相對濕度在30％以下的惰性氣體氣氛。進一步地，這些氣氛還包括附加加熱、減壓、送風等手段的氣氛。(4)作為上述制造方法(1)～(3)中的組成上述吸附質溶液的非水系有機溶劑，優選使用沸點為100～250℃的有機溶劑。由于沸點為100～250℃的有機溶劑在常溫(25℃)附近的蒸發速度適當，便于在常溫(25℃)附近進行濃縮加速反應。總之，如果使用上述沸點的有機溶劑，則既可以謀求縮短反應時間，又可以制造高品質的化學吸附膜。(5)另外，作為上述制造方法(1)～(3)中的組成上述吸附質溶液的溶劑和洗滌用溶劑，可以使用具有選自烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基等官能團的非水系有機溶劑。具有上述官能團的有機溶劑，對硅烷系表面活性劑的溶解能高，而且難以吸水且容易將所含水分脫水。因此，優選作為化學吸附物質的溶劑，同時，還可以適宜地用作洗去未吸附分子的洗滌用溶劑。(6)作為上述(5)中記載的具有硅氧烷基的有機溶劑，優選使用聚硅氧烷系溶劑。聚硅氧烷系溶劑難以吸水且容易使所含水分脫水。而且，與硅烷系表面活性劑的相溶性優良。因此，可以使吸附反應平穩地進行，其結果，可以制造品質良好的化學吸附膜。(7)另外，上述制造方法(1)～(6)中，還可以使用由臨界表面能不同的多種硅烷系表面活性劑混合而成的多成分表面活性劑。如果使用由多種硅烷系表面活性劑混合而成的多成分系的吸附質溶液，則可以形成各種表面活性劑分子以混合的狀態化學吸附在基材上而構成的化學吸附膜，該化學吸附膜的性質由各種吸附分子的特性綜合而成。因此，通過研究各種表面活性劑臨界表面能的組合，而且改變混合比例，可以極其細微地控制化學吸附膜的特性，例如疏水性和疏油性等，另外，將化學吸附膜用作液晶取向膜時，可以使對液晶分子的取向限制特性任意地改變。而且，本發明中提交的化學吸附法，即使在使用其他成分系吸附質溶液的場合下，由于具有加速反應工序和熟化反應工序，也能發揮出上述所規定的作用效果。(8)另外，上述制造方法(1)～(6)中，作為上述表面活性劑，可以使用含有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈以及選自氯代甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基和異氰酸酯甲硅烷基中至少一個甲硅烷基的硅烷系表面活性劑。這些硅烷系表面活性劑，在與基材的反應性優良的方面是優選的。而且，本發明中提交的化學吸附法，即使在使用這些硅烷系表面活性劑的場合下，也能發揮出所規定的作用效果。(9)作為上述(8)中的碳鏈或硅氧烷結合鏈，優選其末端或一部分被選自下列中的至少一個有機基團取代三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH=CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。具有上述有機基的硅烷系表面活性劑，在吸附分子取向的易控性方面優良，特別適于形成液晶取向膜的場合。(10)以下說明本發明中提交的液晶取向膜的制造方法。本發明中提交的液晶取向膜的制造方法，具有下述構成。該方法是由表面活性劑分子化學吸附到基板表面上形成的化學吸附膜構成的液晶取向膜的制造方法，該液晶取向膜的制造方法至少具有以下工序使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液在干燥氣氛中與形成了電極的基板面接觸，在基材面上形成由吸附質溶液構成的溶液層的工序；在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附到基板面上的工序；以及用非水系有機溶劑構成的洗滌液洗滌表面活性劑分子化學吸附的基板面，從基板面上除去未吸附的表面活性劑分子的洗滌工序。(11)上述(10)的液晶取向膜的制造方法中，可以使上述化學吸附工序包括以下工序直到溶液層中含有的有機溶劑蒸發結束的濃縮加速反應工序；以及有機溶劑蒸發結束后，直到經過一定時間內，繼續進行化學反應的熟化反應工序。(12)另外，在上述(10)～(11)中的洗滌工序之后，可以附加這樣一個工序在干燥氣氛中將基板在一定方向上豎立，在一定方向上控干基板面上含有的洗滌液，使基板面上化學吸附的吸附分子在一定方向上假取向。(13)進一步地，在上述(12)中的假取向工序之后，可以附加一個向基板面照射偏振光、使吸附分子在一定方向上再取向的再取向工序。此處，對于上述(10)～(11)中的溶液層形成工序、化學吸附工序和洗滌工序而言，除了使用形成了電極的基板以外，基本上與上述(1)～(9)中記載的單分子層狀化學吸附膜的制造方法相同。因此，以下說明液晶取向膜的制造中特有的工序。上述(12)中，附加一個將洗滌工序中洗凈的基板豎立在一定方向上控干的假取向工序。如果采用該構成，則由于基板上附著的洗滌液的干燥兼有對吸附分子假取向的處理，可以高效率地形成假取向膜。其次說明控干的意義。如果將洗滌液潤濕的基板以在干燥氣氛中豎立的狀態進行干燥，則濕潤面的上端逐漸向下方(重力方向)下降，從濕潤面的上端向下方進行干燥。本發明者們，在化學吸附膜的研究過程中發現，通過該控干，基板上的吸附分子沿著控干的方向取向。上述構成是根據這一經驗完成的。此處，本說明書中，將采用控干法的取向稱為假取向，假取向膜也可以對液晶分子在一定方向上進行取向限制，也可以充分用作液晶取向膜。但是，假取向膜與下述的再取向膜(照射偏振光后的化學吸附膜)相比，對熱和摩擦等外部刺激的穩定性不夠。因此，上述(13)的構成中，附加一個向假取向膜(假取向處理后的化學吸附膜)照射偏振光的再取向工序。假取向處理后經過再取向處理，化學吸附膜的取向狀態穩定，對熱和摩擦等外部刺激的抵抗性提高，同時，對液晶分子的取向限制進一步提高。此處，將再取向工序設置在假取向工序之后，是由于如果在假取向處理后照射紫外線等偏振光，就可以使吸附分子均勻且高效率地再取向。特別是在使用具有感光性基團的表面活性劑時，可以通過照射偏振光來使吸附分子之間在一定方向上交聯結合，因此可以賦予化學吸附膜更強的液晶取向限制力。應予說明，作為進行再取向時的偏振光的偏振方向，不是使其與控干方向成90°角地交叉，以稍微錯開一些，優選由90°錯開幾度以上為宜。以90°角交叉時，各吸附分子有可能無規地向2個方向取向。而且，如果照射與控干方向平行的偏振方向的光，則由于吸附分子的傾斜方向與交聯結合方向一致，吸附分子各取向方向變得更均勻，可以制成對液晶分子的取向限制力優良的再取向膜。(14)上述的液晶取向膜的制造方法中，作為上述表面活性劑，可以使用由臨界表面能不同的多種硅烷系表面活性劑混合而成的多成分表面活性劑。(15)另外，作為上述表面活性劑，可以使用具有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈以及選自氯代甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基、異氰酸酯甲硅烷基中至少一種甲硅烷基的硅烷系表面活性劑。(16)另外，上述碳鏈或硅氧烷結合鏈，其末端或一部分可以被選自下列中的至少一個有機基團取代三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH=CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。(17)另外，作為上述干燥氣氛，可以使用相對濕度在30％以下的氣氛。(18)另外，作為組成上述吸附質溶液的溶劑，可以使用沸點為100～250℃的非水系有機溶劑。(17)另外，作為組成上述吸附質溶液的溶劑和洗滌用溶劑，可以使用具有選自烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基中的官能團的非水系有機溶劑。(18)另外，作為具有上述硅氧烷基的溶劑，可以使用聚硅氧烷系溶劑。(19)另外，上述溶液層形成工序中吸附質溶液向基板面的涂布，可以采用膠版印刷法、絲網印刷法、或者輥涂法任一種來進行。使用這些方法時，優選使用溶液粘度調節至1～50000cSt的吸附質溶液。另外，優選用聚硅氧烷來進行該粘度調節。(20)作為上述溶液層形成工序的預備工序，可以附加一個底層形成工序將含有多個氯代甲硅烷基的化學吸附物質的溶液溶解在溶劑中形成底層形成用溶液，使該溶液接觸上述基板面，在基材面上形成溶液層后，在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中的溶劑蒸發，一邊使溶液層中含有的化學吸附物質分子與基板形成硅氧烷鍵，然后從基板面上洗掉未吸附的分子，再將基板面暴露于含有水分的氣氛中，在吸附分子的氯代甲硅烷基上加成OH基。上述構成的底層形成工序，是在具有濃縮加速反應和熟化反應的本發明中采用與這種化學吸附膜制造方法同樣手法的一個工序。因此，可以在極短的時間內形成底層。作為底層形成工序中使用的吸附質(底層形成物質)，使用含有多個氯代甲硅烷基的化學吸附物質。含有多個氯代甲硅烷基的化學吸附物質可以容易地被化學吸附到基板面上，同時，一旦將吸附分子暴露在含有水分的氣氛中，殘存的氯代甲硅烷基與水之間就會發生脫鹽酸反應，變成具有多個OH的分子。由于該OH作為結合有硅烷系表面活性劑分子的吸附部位起作用，因此可以通過該底層使表面活性劑分子高密度地結合到基板表面上。應予說明，基板表面上的OH基(活潑氫部位)越多，可以形成吸附分子密度越高的化學吸附膜，其結果，可以獲得對液晶分子的取向限制力優良且耐久性也優良的液晶取向膜。(21)本發明中提交的液晶顯示裝置的制造方法，可以是以下構成。應予說明，由于該液晶顯示裝置的制造方法包括上述液晶取向膜的制造方法，因此，對于液晶取向膜制造方法中所說明的事項省略說明。該液晶顯示裝置的制造方法至少具有以下工序在干燥氣氛中，使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液接觸具有形成矩陣狀電極組的第一基板的表面，在基板表面上形成由上述吸附質溶液構成的溶液層的工序；在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附到上述基板表面上的工序；用非水系有機溶劑構成的洗滌液洗滌表面活性劑分子化學吸附著的基板面，并從基板面上除去未吸附的表面活性劑分子的洗滌工序；在上述洗滌工序之后，在干燥氣氛中將基板在一定方向上豎立，將基板面上附著的洗滌液在一定方向上控干，由此使化學吸附分子在一定方向上假取向的工序；向假取向的化學吸附分子照射偏振光，使化學吸附分子在一定方向上再取向的再取向工序；以及使帶有上述再取向工序中制作的取向膜的第1基板與帶有反向電極的第2基板分別以電極面作為內側，以一定的間隔相對，然后在兩個基板之間形成液晶層的液晶池裝配工序。(22)上述液晶顯示裝置的制造方法中，可以使上述再取向工序為這樣一種工序使用重疊有圖案狀掩模的偏振片，向基板面上1個象素領域被分割成許多份的每個微小區域照射偏振光，進行多次光照射，形成上述每個微小區域中吸附分子的再取向方向不同的取向膜。如果是該構成，則由于可以控制相當于1個象素的取向膜領域被進一步分割的每個微小區域中的再取向方向，因此，可以實現所謂多疇型(multidomaintype)的液晶顯示裝置。應予說明，對于上述溶液層形成工序、化學吸附工序、假取向工序、再取向工序，可以采用上述液晶取向膜的制造方法中記載的方案。附圖的簡單說明圖1為一例吸附質溶液在基板上的涂布方法的示意圖。圖2為一例形成了化學吸附分子膜的基材表面的洗滌方法的示意圖。圖3為將實施例1中制作的化學吸附膜的截面擴大到分子級的概念圖。圖4為將實施例2中制作的假取向后的化學吸附膜的截面擴大到分子級的概念圖。圖5為說明向基板面上照射偏振光的再取向工序的模式圖。圖6為表示照射偏振光之后的基板表面的模式圖。圖7為將實施例2中的再取向后的化學吸附膜的截面擴大到分子級的概念圖。圖8為在實施例3的底層形成工序中，將在含有水分的氣氛中暴露前的化學吸附膜的截面擴大到分子級的概念圖。圖9為在實施例3的底層形成工序中，將在含有水分的氣氛中暴露后的化學吸附膜的截面擴大到分子級的概念圖。圖10為實施例6中的這種液晶顯示裝置的截面模式圖。實施發明的最佳方案以下基于實施例具體地說明本發明的內容。應予說明，本發明中提交的單分子層狀化學吸附膜的制造方法與液晶取向膜的制造方法的不同之處在于，前者不一定必須進行取向處理，與此相反，后者必須進行取向處理。但是，單分子層狀化學吸附膜的制造方法中，也可以包括取向處理。總之，二者沒有本質上的差異。因此，以下記載了與本發明中提交的液晶取向膜的制造方法和液晶顯示裝置的制造方法有關的實施例，對其內容進行說明。應予說明，單分子層狀化學吸附膜的制造方法中的“基材”，包括能夠在其表面上形成單分子層狀化學吸附膜的一切形狀的基材。另外，液晶取向膜的制造方法中的“基板”，限定于能夠用于液晶顯示裝置的形狀(通常為平板形狀)。準備一塊表面上形成了透明電極的玻璃基板1，將基板表面充分洗凈，脫脂。該玻璃基板1的表面上具有多個羥基。另外，作為化學吸附物質，準備一種含有末端帶有減小被膜表面能的官能團(CF3-)的直鏈狀烴基以及三氯硅烷基并以化學式CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3表示的硅烷系表面活性劑。而且，作為非水系有機溶劑，準備經脫水處理的六甲基硅氧烷(bp．100℃)。在該六甲基硅氧烷中以1重量％的濃度溶解上述表面活性劑，制成吸附質溶液2。接著，在相對濕度30％以下的干燥氣氛中，如圖1所示，將基板1浸漬到吸附質溶液2中，約1分鐘之后撈出來。這樣一來，基板1的表面上就形成了由吸附質溶液構成的溶液層。然后，將基板1靜置于溫度25℃的與上述相同的氣氛中，使溶液層中含有的六甲基硅氧烷蒸發，將溶液層的表面活性劑濃度濃縮至100％(濃縮加速反應)。表面活性劑濃度被濃縮至100％時的時間約為1分鐘。另外，100％濃縮時，溶液層的厚度約為5μm。上述蒸發之后，將基板1在與上述相同的氣氛中再靜置10分鐘(熟化反應)。經過這些處理，就獲得了表面活性劑分子化學吸附在基板表面上的基板。上述處理之后，將化學吸附處理過的基板1浸漬到不含水的氯仿3(洗滌液)中，洗去基板表面上的未吸附分子。然后如圖2所示，將該基板1從氯仿3中撈出來，在相對濕度30％以下、溫度約25℃的干燥氣氛中，使撈出方向(圖2中箭頭5的方向)為上地豎立基板，將基板面的氯仿控干(假取向處理)。該場合下的控干方向為圖2中箭頭5′的方向。然后，將基板1的表面暴露于相對濕度為65％的空氣(含水分的空氣)中，使氯代硅烷基與水發生反應。應予說明，作為含有水分的空氣，如果相對濕度在50％以上就不成問題。經過以上一連串的處理，形成化學吸附膜4，其中以CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3表示的氯代硅烷系表面活性劑分子與基板表面的羥基形成硅氧烷鍵，且吸附分子在一定方向上假取向。該化學吸附膜4的膜厚約為1nm，水對該膜的接觸角約為120度。另外，采用使用接觸角的ジスマン繪圖法測定臨界表面能時得知，約為10mN／m。進一步地，以JIS棋盤格試驗法為基準考察化學吸附膜4的剝離強度時，完全不發生被膜剝離。另外，采用傅里葉變換紅外光譜分析法進行分析，確認吸附分子的碳鏈在控干方向(箭頭5′)上取向(參照圖3)。參照下述化學式1～化學式2，進一步說明上述制造方法。應予說明，本說明書中，把一邊使溶劑蒸發一邊進行的化學吸附反應過程稱為濃縮加速反應，把在蒸發結束后一定時間內將基板置于干燥氣氛中使其進一步反應的過程稱為熟化反應。這些反應是使吸附質溶液中的表面活性劑分子與基板表面的親水性基團(活潑氫)形成硅氧烷鍵(參照化學式1)的反應過程，在熟化加速反應中，由于使吸附質溶液緩慢濃縮，基板上的表面活性劑分子的密度逐漸提高，因此，基板面上的羥基部分和表面活性劑分子不會錯配，同時，化學吸附反應加速地進行。另外，熟化反應意味著確保基板面與表面活性劑之間的反應時間，該熟化反應中，由于基板上只存在表面活性劑分子，因此，化學吸附反應平穩地進行，表面活性劑分子吸附到濃縮加速反應過程中不能反應的吸附部位上。因此，如果采用由濃縮加速反應和熟化反應構成的實施例1的方法，就可以力圖達到極其合理地縮短化學吸附反應時間。與此相反，在將基板浸漬到低濃度的吸附質溶液并使其反應的過去的浸漬反應法中，由于基板面附近的吸附質分子密度低、且基板面與吸附質分子之間存在著溶劑，因此需要更多的反應時間。另一方面，如果使用當初的高濃度溶液，則由于吸附質分子難以移動，在基板面的羥基部分與表面活性劑分子之間發生錯配，而且產生吸附質的利用效率變差的問題。因此，為了形成均勻且無斑駁的化學吸附膜，理想的是使表面活性劑分子的涂布量為使其適當地與基板表面的親水性基團化學結合的量。但是，由于難以使溶液層中的表面活性劑分子數與基板表面的活潑氫的個數相同，所以將一定程度上含有過剩表面活性劑分子的溶液涂布到基板表面上。因此，在化學吸附反應結束時，在基板表面上殘存有不能與基板反應的表面活性劑分子(未吸附分子)。此處，上述實施例1中，在化學吸附反應結束的階段，用洗滌液將基板洗凈。由于該洗滌將未吸附的分子除去，因此可以形成大致上只是由吸附分子排列成一層的單分子層狀的被膜。進一步地，實施例1中，將洗滌后的基板在一定方向上豎立，將基板面上附著的洗滌液控干，經過該處理，吸附分子在控干方向(箭頭5′的方向)上取向。本說明書中，將經該控干的取向稱為假取向。然后，進行將吸附分子暴露于水分中的處理，認為經過該處理，如化學式2和圖3所示，吸附分子的SiCl基團與水之間發生脫HCl反應，吸附分子相互之間形成硅氧烷鍵。化學式1化學式2如果采用以上說明的實施例1的制造方法，則過去浸漬反應法的化學吸附中必須1～2小時的反應時間，可以縮短到12分鐘(包括用于涂布的1分鐘浸漬時間)。其次，與實施例1的場合同樣地進行，采用將基板在上述雙組分吸附質溶液中浸漬1分鐘后撈出的方法，在基板上形成由雙組分化學吸附液構成的溶液層。接著，使作為溶劑的聚硅氧烷從該溶液層中蒸發出來(濃縮加速反應)。聚硅氧烷完全蒸發后(約1分鐘后)，接著使基扳原封不動地進行5分鐘吸附反應(熟化反應)。然后，將基板浸漬到充滿脫水處理了的正己烷的槽內，洗去未吸附的分子后，從正己烷槽內撈出基板，使撈出的方向為上地豎立基板，控干。這些一連串的處理全都是在相對濕度30％以下、溫度25℃的干燥氣氛中進行。然后，將基板表面暴露于含有水分的空氣中，使未吸附的SiCl基與水反應。由此制作2種表面活性劑分子單分子層狀地化學吸附在基板上的化學吸附膜14(假取向膜)。采用與上述實施例1同樣的方法考察該化學吸附膜14的吸附分子的取向。其結果，沿著與撈出方向相反的方向即控干方向假取向(參照圖4)。另外，膜厚約為1．7nm。化學吸附膜的臨界表面能約為28mN／m。進一步地，使用2張帶有上述方法制作的假取向膜的基板，使各基板的假取向方向成反向平行，且使池間隙為20微米地相對，制作試驗用池。將向列液晶(ZLI4792；默克公司制)注入該池中，用可見光和偏振片考察液晶分子的取向狀態。結果判定，液晶分子朝著假取向膜(被假取向的化學吸附膜)的假取向方向(控干方向)，以與基板的預傾(pretilt)角約4°取向。對于采用一連串的工序所發生的表面活性劑的化學變化，與上述實施例1的場合大致相同。即，認為基板表面與表面活性劑的反應中，最初以大約1∶1的比例生成下述化學式3和化學式4的結合。溶劑洗滌后，再暴露于含有水分的空氣中，由此生成化學式5和化學式6的結合。應予說明，實施例2中，也與上述實施例1同樣，由于采用由濃縮加速反應和熟化反應構成的化學吸附反應法，可以將通常需要1～2小時的化學吸附反應時間縮短到7分鐘。化學式3化學式4化學式5化學式6再取向工序上述處理之后，接著對假取向膜進行再取向處理。參照圖5～6來說明再取向工序。在帶有假取向膜的基板上重疊上偏振片6(HNP’B寶麗來公司制)，使偏振方向13與控干方向5’以87°或93°交叉，向基板面上照射400mJ的365nm(i線)的偏振紫外線。作為偏振紫外線的光源7，使用500W的超高壓水銀燈(透過偏振片后為3．6mW／cm2)。圖5模式地示出照射偏振光時的狀況，圖6模式地示出照射偏振光之后的基板面狀態。另外，圖7示出將照射偏振光后的化學吸附膜14’(再取向膜)的截面擴大到分子級時的概念圖。圖5～7包括FTIR分析結果以及用與實施例1同樣制作的試驗用池考察的結果。經過與實施例1同樣進行的FTIR分析，可以確認，化學式5和化學式6的2種吸附分子以混合的狀態化學吸附到基板面上，且具有感光性基團(C6H5CH=CHCOC6H4-)的吸附分子之間通過碳-碳雙鍵部分的結合鍵相互連接起來(參照化學式7和圖7)。另外，可以確認以上述化學式5表示的吸附分子即使受到紫外線照射處理也不會發生化學變化。進一步地，通過使用試驗用池觀察，觀察到液晶分子沿著偏振方向再取向，預傾角約為4°，液晶分子取向的標準離差也比假取向膜的場合小。另外，可以確認，表面張力、臨界表面能和膜厚與假取向處理后的被膜同樣，紫外線照射后沒有變化。應予說明，圖4～7中，符號14為經假取向處理的化學吸附膜(假取向膜)，14’為假取向后的吸附分子群(概念圖)，15為基板，5’為化學吸附膜14的假取向方向(控干方向)，6為偏振片，7為照射光，9為透明電極，14″為經再取向的化學吸附膜(為再取向膜，為液晶取向膜)，8為再取向方向。化學式7作為含有許多氯基的甲硅烷基化合物，準備一種以化學式Cl3SiOSiCl3表示的化合物，將該化合物以1重量％的濃度溶解于經脫水處理的甲苯中，制成底層形成溶液。接著，用該溶液在與實施例2同樣的基板表面上形成底層。底層形成的順序和原理，與實施例1等中記載的相同。首先，在相對溫度30％以下的干燥氣氛中，將基板在上述底層形成溶液中浸漬1分鐘，然后將基板從該溶液中撈出，在與上述相同的氣氛中，花大約5分鐘時間，一邊使甲苯蒸發，一邊進行濃縮加速反應，然后再進行5分鐘的熟化反應。該反應過程中，如圖8所示，Cl3SiOSiCl3與基板表面的羥基(-OH)形成硅氧烷鍵。接著，用經脫水處理的氯仿洗滌基板面，然后將基板面暴露于含有水分的空氣中。由此，使未反應的-SiCl基與水進行脫鹽酸反應，Cl被取代成OH，形成由含有許多羥基的無機硅氧烷構成的底層。圖9示出將該底層擴大到分子級的概念圖。應予說明，使用Cl3SiOSiCl3時，可以使基板表面的羥基增加到最初的2倍以上。而且由于該底層是單分子層狀的被膜，厚度極薄。因此，實際上不會使基板厚度增加，而且由于硅氧烷鍵使其與基板強力地結合，因此也不會剝離。使用帶有該底層的基板和實施例2中記載的吸附質溶液形成化學吸附膜時，可以制作吸附分子密度高、疏油性優良的化學吸附膜(膜厚約1．8nm)。使用該帶有化學吸附膜的基板，與實施例2同樣地采用試驗池法考察液晶分子的取向狀態。結果確認，液晶分子沿著假取向方向，以與基板的預傾角約5度地均勻取向。應予說明，實施例3中，由于底層形成時采用濃縮加速反應和熟化反應，可以在短時間(11分鐘)內形成底層。順便提一句，作為底層形成物質使用Cl3SiOSiCl3，采用過去的浸漬反應法時，與基板的反應需要1～2小時左右。此處，底層形成物質不限于上述物質，可以使用具有基板面上結合的鹵代甲硅烷基、異氰酸酯甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基等官能團的各種化合物。其中，含有多個氯基的甲硅烷基化合物，在與基板的結合性、耐久性、可操作性等方面是優選的，作為這種甲硅烷基化合物，除了上述使用的Cl3SiOSiCl3以外，還可以舉出例如Cl-(SiCl2O)n-SiCl3(n為整數，優選n=0．1～3)。表1示出測定結果。表1證實，通過調整A化合物和B化合物的混合比，可以將再取向膜(液晶取向膜)的臨界表面能控制在23mN／m～37mN／m，可以在2°～87°的范圍內控制預傾角。表1<tablesid="table1"num="001"><table>混合比A／B與臨界表面能的關系(摩爾百分率)100／080／2050／5020／800／100臨界表面能(mN／m)2325．83034．237預傾角87°81°9°5°2°</table></tables>實施例5作為表面活性劑，準備一種以化學式CH3CH2C*HCH3CH2OCO(CH2)10SiCl3(其中C*為不對稱碳原子)表示的化合物C以及以C6H5CH=CHCOC6H4O(CH2)6SiCl3表示的上述化合物B，使用單獨的化合物C(100／0)、化合物C與化合物B的雙組分混合物(80／20、20／80)3種表面活性劑，其他條件與上述實施例2同樣地進行，制作3種再取向膜(液晶取向膜)。而且，與上述實施例4同樣地進行討論。表2示出測定結果。應予說明，表2中還同時記載了實施例4中測定的單獨化合物B的臨界表面能等。表2可以證實，通過改變C化合物與B化合物的混合比，可以將化學吸附膜(液晶取向膜)的臨界表面能控制在21mN／m～37mN／m內，而且可以在90°～2°的范圍內控制。表2<tablesid="table2"num="002"><table>混合比C／B與臨界表面能的關系(摩爾百分率)100／080／2020／800／100臨界表面能(mN／m)21243437預傾角90°77°7°2°</table></tables>實施例4～5的結果意味著，如果運用本發明的制造方法，則可以高效率地制造臨界表面能和預傾角不同的各種液晶取向膜。先基于圖10說明實施例6的液晶顯示裝置的整體構造。圖10模式地表示出液晶顯示裝置的截面構造。圖中，符號20為第1基板，21為第1基板上形成矩陣狀的第1電極組，22為用于驅動第1電極組21的晶體管組，23為第1電極上形成的第1液晶取向膜。另外，24為第2基板，25為顏色濾光片組，26為與第1電極組21反向的第2電極組(通用電極)，27為第2電極組上形成的第2液晶取向膜，28為液晶層，29為隔板，30為粘合部位，31、32為偏振片，33為背照光。其次，說明該液晶顯示裝置制造中的主要制造要素。分別在形成第1電極組21和晶體管組22的第1基板20上以及具有顏色濾光片組24和共同電極16的第2基板26上形成該液晶顯示裝置中的液晶取向膜(再取向膜)23和27，對于這些液晶取向膜的制造條件而言，使用由實施例2中使用的以CH3(CH2)14SiCl3表示的硅烷系表面活性劑和以C6H5CH=CHCOC6H4O(CH2)6SiCl3表示的硅烷系表面活性劑以摩爾比1∶4混合而成的雙組分吸附質溶液，除此之外，與實施例2同樣地進行。應予說明，再取向后，取向膜的臨界表面能為34mN／m(假取向后為35mN／m)。以下說明液晶顯示裝置的裝配順序。使上述制作的帶有液晶取向膜的基板20和24相對，以使兩個取向膜的取向方向成直角，且使隔板28介于兩塊基板之間，形成約5微米的池間隙，然后用粘合劑(粘接部位29)粘合，制成池。向該池內注入向列液晶(ZLI4792；默克公司制)，再在基板20和24的外側分別配置正交尼科耳棱鏡中組合的偏振片31和32，扭曲90度，完成了取向模式的液晶顯示裝置。該裝置中的液晶分子的預傾角為4度。一邊向整個表面照射背照光33，一邊用視頻信號驅動上述液晶顯示裝置時，可以在箭頭A的方向上顯示出鮮明的映象。應予說明，對于液晶取向膜形成方法以外的事項，例如電極組和晶體管組的形成方法等，沒有特別的限制。因此，可以以公知的方法為基準進行制作。使用帶有這種液晶取向膜的基板，其他事項與實施例6相同，制作實施例7的液晶顯示裝置。與上述實施例6同樣地驅動該液晶顯示裝置時，可以確認視角得到大幅度改善。其他事項(1)本發明制造方法中的濃縮加速反應、熟化反應、控于處理、底層形成反應，優選在5～80℃下進行。其理由如下。如果溫度不足5℃，則表面活性劑分子與基板的反應性減小，同時溶劑的蒸發變慢，到反應結束時需要很長時間。另外，如果溫度超過80℃，則溶劑急速蒸發，溶液粘度急劇提高，因此難以得到均勻的被膜，而且有溶劑沸騰和表面活性劑分解的可能。另外，控干溫度可以說也與上述相同，如果溫度不足5℃，則假取向需要很長時間，另一方面，如果超過80℃，則有可能在充分進行假取向之前洗滌液蒸發完了。(2)上述各實施例中，作為稀釋表面活性劑的非水系有機溶劑，使用六甲基硅氧烷(實施例1)、八甲基硅氧烷(實施例2、實施例4～7)和甲苯(實施例3)，但稀釋溶劑不限于這些。作為優選的稀釋溶劑，是能夠溶解表面活性劑的溶劑，以沸點為100℃～250℃的非水系有機溶劑為宜。這是因為如果是沸點在該范圍內的溶劑，就會對濃縮加速反應合適。另外，由于與硅烷系表面活性劑的相溶性優良，優選使用含有烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基的非水系有機溶劑。(3)上述稀釋溶劑也可以作為洗滌用溶劑使用，含有烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基的非水系有機溶劑，在能夠高效率地除去未反應的表面活性劑方面優良。應予說明，洗滌用溶劑也可以使用沸點在100℃以下的溶劑。(4)上述各實施例中，作為將吸附質溶液涂布到基板表面上的方法，采用將基板浸漬到吸附質溶液中之后再撈出的手法，但涂布方法不限于此。可以使用例如輥涂法、膠版印刷法、絲網印刷法，如果采用這些涂布方法，在能夠均勻涂布適量的吸附質溶液方面是優選的。(5)上述各實施例中，示出通過照射偏振光進行再取向的例子，但可以用摩擦輥代替偏振光進行摩擦，進行再取向。另外，也可以用摩擦輥進行假取向。(6)上述各實施例中，在相對濕度30％以下的干燥氣氛中進行化學吸附反應等，但在相對濕度35％以上的氣氛中進行時，形成有白濁的被膜，該白濁即使用洗滌液洗滌也不能除去。(7)上述各實施例中，作為表面活性劑使用含有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈和氯代甲硅烷基的硅烷系表面活性劑，但本發明中可以使用的表面活性劑不限于此。例如，也可以利用反應速度稍慢、但含有烷氧基硅烷基或異氰酸酯硅烷基的表面活性劑。(8)實施例2中，將碳鏈長度為-(CH2)14-的硅烷系表面活性劑與碳鏈長度為-(CH2)6-且具有感光性基團的硅烷系表面活性劑混合使用，但碳鏈長度不限于此。即使在使用例如-(CH2)n-(n為1～25范圍內的整數)且碳鏈長度不同的2種以上的表面活性劑時，也可以獲得與實施例1同樣的結果。即，可以通過控干進行假取向，可以通過照射偏振光進行再取向。另外，還可以使用帶有代替烴鏈的硅氧烷結合鏈(-(SiO)n-(n為1～15范圍內的整數))的表面活性劑。(9)另外，實施例2中，如果在1∶0～0∶1范圍內改變CH3(CH2)14SiCl3與C6H5CH=CHCOC6H4O(CH2)6SiCl3的混合摩爾比，則可以使臨界表面能在24mN／m～37mN／m內變化，可以將預傾角控制在87°～2°的范圍內。(10)再有，如果添加作為代替CH3(CH2)14SiCl3的化學吸附化合物的含氟表面活性劑，例如CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3，則臨界表面能可以減小到14mN／m。添加20重量％時，液晶的預傾角幾乎為90度。制作并驅動使用該取向膜的液晶顯示裝置時，可以均勻且迅速地改變液晶分子的取向。(11)上述實施例2等中，作為偏振光的光源，使用超高壓水銀燈作為i線的365nm的光，但不限于該波長的紫外線，可以使用適合吸附分子光吸收性的波長的光。也可以使用例如436nm、405nm、254nm和KrFェキシマ激光得到的248nm的光，特別地，248nm和254nm的光容易被大部分物質吸收，因此在能量取向效率高的方面是優選的。(12)本發明中，可以使用臨界表面能不同的各種硅烷系表面活性劑，作為這種硅烷系硅系表面活性劑，可以舉出例如碳鏈或硅氧烷結合鏈的末端或一部分被選自下列中的至少一個有機基團取代的表面活性劑三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH=CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基，碳原子數優選在1～3的范圍內。)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。而且，可以確認使用這些表面活性劑能夠極其簡單地將化學吸附膜的臨界表面能控制在10～55dyn／cm的范圍內。產業上的利用可能性如以上說明，根據本發明，可以高生產效率地制造單分子層狀的被膜，它能夠用作基材表面改質用被膜和對液晶分子進行取向限制的取向膜。另外，根據本發明，可以高生產效率地制造多疇取向型的液晶顯示裝置。因此，本發明的產業上的意義巨大。權利要求1．一種單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，該方法至少具有以下工序使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液在干燥氣氛中與基材表面接觸、在基材表面上形成一層由吸附質溶液構成的溶液層的工序；和在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附在基材表面上的工序。2．權利要求1中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，上述化學吸附工序包括直到溶液層中含有的有機溶劑蒸發結束的濃縮加速反應工序；和有機溶劑蒸發結束后直到經過一定時間，繼續進行化學反應的熟化反應工序；上述單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，在上述熟化反應工序之后，還具有一個將基板表面上殘留的未反應的表面活性劑用非水系有機溶劑洗滌的洗滌工序。3．權利要求2中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為上述干燥氣氛，可以使用相對溫度在30％以下的氣氛。4．權利要求3中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的非水系有機溶劑，使用沸點為100～250℃的有機溶劑。5．權利要求3中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的溶劑和洗滌用溶劑，使用具有選自烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基等官能團的非水系有機溶劑。6．權利要求5中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，上述具有硅氧烷基的有機溶劑，為聚硅氧烷系溶劑。7．權利要求5中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為上述表面活性劑，使用由臨界表面能不同的多種硅烷系表面活性劑混合而成的多成分表面活性劑。8．權利要求5中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為上述表面活性劑，使用含有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈以及選自氯代甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基和異氰酸酯甲硅烷基中至少一個甲硅烷基的硅烷系表面活性劑。9．權利要求8中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述碳鏈或硅氧烷結合鏈，其末端或一部分被選自下列中的至少一個有機基團取代三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH-CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。10．一種液晶取向膜的制造方法，該方法是由表面活性劑分子化學吸附到基板表面上形成的化學吸附膜構成的液晶取向膜的制造方法，至少具有以下工序使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液在干燥氣氛中與形成了電極的基板面接觸，在基材面上形成由吸附質溶液構成的溶液層的工序；在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附到基板面上的工序；和用非水系有機溶劑構成的洗滌液洗滌表面活性劑分子化學吸附的基板面，從基板面上除去未反應的表面活性劑分子的洗滌工序。11．權利要求10中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述化學吸附工序包括以下工序直到溶液層中含有的有機溶劑蒸發結束的濃縮加速反應工序；有機溶劑蒸發結束后，直到經過一定時間內，繼續進行化學反應的熟化反應工序。12．權利要求11中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述洗滌工序之后，附加這樣一個工序在干燥氣氛中將基板在一定方向上豎立，在一定方向上控干基板面上含有的洗滌液，使基板面上化學吸附的吸附分子在一定方向上假取向。13．權利要求12中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述假取向工序之后，附加一個向基板面照射偏振光、使吸附分子在一定方向上再取向的再取向工序。14．權利要求13中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為上述表面活性劑，使用由臨界表面能不同的多種硅烷系表面活性劑混合而成的多成分表面活性劑。15．權利要求13中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為上述表面活性劑，使用具有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈以及選自氯代甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基、異氰酸酯甲硅烷基中至少一種甲硅烷基的硅烷系表面活性劑。16．權利要求15中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述碳鏈或硅氧烷結合鏈，其末端或一部分被選自下列中的至少一個有機基團取代三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH=CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。17．權利要求15中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為上述干燥氣氛，使用相對濕度在30％以下的氣氛，上述假取向工序在相對濕度30％以下的氣氛中進行。18．權利要求17中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的溶劑，使用沸點為100～250℃的非水系有機溶劑。19．權利要求15中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的溶劑和洗滌用溶劑，使用具有選自烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基中的官能團的非水系有機溶劑。20．權利要求19中所述的單分子層狀的化學吸附膜的制造方法，其中，具有上述硅氧烷基的溶劑，為聚硅氧烷系溶劑。21．權利要求10中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，上述溶液層形成工序中吸附質溶液向基板面的涂布，采用膠版印刷法、絲網印刷法、或者輥涂法任一種來進行。22．權利要求21中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，使用溶液粘度調節至1～50000cSt的吸附質溶液。23．權利要求22中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為吸附質溶液的粘度調節用的溶劑，使用聚硅氧烷。24．權利要求10中所述的液晶取向膜的制造方法，其中，作為上述溶液層形成工序的預備工序，具有這樣一個底層形成工序將含有多個氯代甲硅烷基的化學吸附物質的溶液溶解在溶劑中形成底層形成用溶液，使該溶液接觸上述基板面，在基材面上形成溶液層后，在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中的溶劑蒸發，一邊使溶液層中含有的化學吸附物質分子與基板形成硅氧烷鍵，然后從基扳面上洗掉未吸附的分子，再將基板面暴露于含有水分的空氣中，在吸附分子的氯代甲硅烷基上加成OH基。25．一種液晶顯示裝置的制造方法，至少具有以下工序在干燥氣氛中，使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液接觸具有形成矩陣狀電極組的第一基板的表面，在基板表面上形成由上述吸附質溶液構成的溶液層的工序；在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發，一邊使表面活性劑分子化學吸附到上述基板表面上的工序；用非水系有機溶劑構成的洗滌液洗滌表面活性劑分子化學吸附的基板面，并從基板面上除去未吸附的表面活性劑分子的洗滌工序；在上述洗滌工序之后，在干燥氣氛中將基板在一定方向上豎立，將基板面上附著的洗滌液在一定方向上控干，由此使化學吸附分子在一定方向上假取向的工序；向假取向的化學吸附分子照射偏振光，使化學吸附分子在一定方向上再取向的再取向工序；和使帶有上述再取向工序中制作的取向膜的第1基板與帶有反向電極的第2基板分別以電極面作為內側，以一定的間隔相對，然后在兩個基板之間形成液晶層的液晶池裝配工序。26．權利要求25中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，上述再取向工序為這樣一種工序使用重疊有圖案狀掩模的偏振片，向基板面上1個象素領域被分割成許多份的每個微小區域照射偏振光，進行多次光照射，形成上述每個微小區域中吸附分子的再取向方向不同的取向膜。27．權利要求26中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，上述化學吸附工序包括以下工序直到溶液層中含有的有機溶劑蒸發結束的濃縮加速反應工序；以及有機溶劑蒸發結束后，直到經過一定時間內，繼續進行化學反應的熟化反應工序。28．權利要求27中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，作為上述表面活性劑，使用具有直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈以及選自氯代甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基、異氰酸酯甲硅烷基中至少一種甲硅烷基的硅烷系表面活性劑。29．權利要求28中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，上述直鏈狀碳鏈或硅氧烷結合鏈，其末端或一部分被選自下列中的至少一個有機基團取代三氟化碳基(-CF3)、甲基(-CH3)、乙烯基(-CH=CH2)、烯丙基(-CH=CH-)、乙炔基(碳-碳三鍵)、苯基(-C6H5)、芳基(-C6H4-)、鹵原子、烷氧基(-OR；R表示烷基)、氰基(-CN)、氨基(-NH2)、羥基(-OH)、羰基(=CO)、羰氧基(-COO-)和羧基(-COOH)。30．權利要求29中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，作為上述干燥氣氛，使用相對濕度在30％以下的氣氛，上述假取向工序在相對濕度30％以下的氣氛中進行。31．權利要求30中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的非水系有機溶劑，使用沸點為100～250℃的有機溶劑。32．權利要求30中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，作為組成上述吸附質溶液的溶劑和洗滌用溶劑，使用具有選自烷基、氟化碳基、氯化碳基、硅氧烷基中的官能團的非水系有機溶劑。33．權利要求32中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，具有上述硅氧烷基的溶劑，為聚硅氧烷系溶劑。34．權利要求31中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，上述溶液層形成工序中吸附質溶液向基板面的涂布，采用膠版印刷法、絲網印刷法、或者輥涂法任一種來進行。35．權利要求34中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，使用溶液粘度調節至1～50000cSt的吸附質溶液。36．權利要求35中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，使用向上述吸附質溶液中添加聚硅氧烷來將溶液粘度調節至1～50000cSt的吸附質溶液。37．權利要求25中所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中，作為上述溶液層形成工序的預備工序，具有這樣一個底層形成工序將含有多個氯代甲硅烷基的化學吸附物質的溶液溶解在溶劑中形成底層形成用溶液，使該溶液接觸上述基板面，在基材面上形成溶液層后，在干燥氣氛中，一邊使上述溶液層中的溶劑蒸發，一邊使溶液層中含有的化學吸附物質分子與基板形成硅氧烷鍵，然后從基板面上洗掉未吸附的分子，再將基板面暴露于含有水分的空氣中，在吸附分子的氯代甲硅烷基上加成OH基。全文摘要本發明目的在于,提供一種均一性、分子取向性皆優良、也能用作液晶取向膜的單分子層狀的化學吸附膜的高效率制造方法。可以采用至少具有以下工序的化學吸附膜的制造方法來達到該目的:使含有硅烷系表面活性劑和非水系有機溶劑的吸附質溶液在干燥氣氛中與基材表面接觸,在基材表面上形成由吸附質溶液構成的溶液層的工序;一邊使上述溶液層中含有的有機溶劑蒸發,一邊進行化學吸附反應的濃縮加速反應工序;有機溶劑蒸發結束后,直到經過一定時間,繼續進行化學反應的熟化反應工序;上述熟化反應工序之后,用非水系有機溶劑洗滌基板表面上殘存的未吸附的表面活性劑的洗滌工序。文檔編號C11D11/00GK1279628SQ98811262公開日2001年1月10日申請日期1998年11月16日優先權日1997年11月18日發明者小川一文,大竹忠,野村幸生申請人:松下電器產業株式會社