專利名稱：用于晶片濕法處理的密閉室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及用于處理諸如半導(dǎo)體晶片等晶片狀物件的表面的裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片經(jīng)歷各種表面處理工藝，比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應(yīng)這樣的工藝，可相對于一或多個處理流體噴嘴由關(guān)聯(lián)于可旋轉(zhuǎn)載具的卡盤來支撐單個晶片，如例如美國專利N0.4，903，717和N0.5，513，668中所描述的。隨著裝在半導(dǎo)體晶片上的設(shè)備的日益小型化，在含氧氛圍(atmosphere)中處理這些晶片變得越來越成問題。例如，當(dāng)晶片在對周圍空氣開放的站中經(jīng)受濕法處理時，空氣中的氧成分會在晶片的正面引起不希望的銅腐蝕。因此，存在對這樣的晶片處理站的需要:其中的氣體氛圍可被控制，且允許在加載于處理模塊中的晶片上實(shí)施各種工藝。在美國專利N0.6，273，104中，圖6和7描繪了小于罐口從而不能密封該罐的噴頭。在美國專利N0.6，807, 974和6，915，809中，氣體注入部件30被描述為只在晶片的干燥過程中提供密封的室，而在晶片的濕法處理過程中，大得多的外圍欄I是處理模塊和相關(guān)驅(qū)動機(jī)構(gòu)的唯一隔離件。此外，這些專利的氣體注入部件30和液體注入部件4不能同時工作。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明開發(fā)了一種改進(jìn)的密閉室模塊，優(yōu)選地被設(shè)計來用于單晶片濕法處理。在該密閉室模塊中，用于將媒質(zhì)分配到晶片上的臂被安裝在該室內(nèi)，且可從待命位置移動到服務(wù)位置。該密閉室模塊包括密封該室的可移動的上部蓋子，且其優(yōu)選地還適于將氣體供應(yīng)到該室中。
在讀過下面參考附圖給出的關(guān)于本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述之后，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)會變得更加明顯，其中:圖1是根據(jù)本發(fā)明的密閉室模塊的優(yōu)選實(shí)施方式的立體圖；圖2是類似于圖1的視圖，其中噴頭蓋子已被向上移動且從該模塊移開，以便允許加載或卸載該模塊；圖3是仰視圖1的實(shí)施方式的立體圖，示出了用于操作該模塊的各種機(jī)構(gòu)；圖4是圖1的實(shí)施方式的另一立體圖，在軸平面被切開，以便示出其內(nèi)部部件；圖5是圖1的實(shí)施方式的在跟圖4的平面相同的平面上的軸向截面；圖6是圖1的實(shí)施方式的在貫穿媒質(zhì)供應(yīng)臂中的一個的樞轉(zhuǎn)裝置的平面上的軸向截面；
圖7是示出用于驅(qū)動和升高和降低該實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)卡盤的機(jī)構(gòu)的截面圖8是圖1的實(shí)施方式的徑向截面，示出了處于待命位置的媒質(zhì)供應(yīng)臂；
圖9是媒質(zhì)供應(yīng)臂中的一個的樞轉(zhuǎn)裝置的局部立體圖10是圖1的實(shí)施方式的徑向截面，其中媒質(zhì)供應(yīng)臂中的一個已被樞轉(zhuǎn)到其服務(wù)位置；以及
圖11是圖1的實(shí)施方式的立體圖，其中上室蓋被移除。
具體實(shí)施方式
參考圖1，密閉室模塊10被安裝在底板15上，且由優(yōu)選圓筒形的室壁30和環(huán)形的上室蓋32 (upper chamber cover)構(gòu)成,上室蓋32通過一些螺釘或者類似物被固定到室壁30。室模塊10在其上端被噴頭蓋子10 (shower head lid)封閉，噴頭蓋子20在其外周密封到環(huán)形上室蓋30的內(nèi)周。
蓋子20被固定到蓋臂22，蓋臂22將蓋子20從圖1中所示的閉合位置移動到圖2中所示的打開位置，且蓋臂22進(jìn)而被安置在蓋支撐軸26上。氣體進(jìn)給管線24供應(yīng)氣體到噴頭蓋子20。
第一和第二驅(qū)動單元52、62針對下面將要描述的各自的媒質(zhì)供應(yīng)臂而提供，且通向用于媒質(zhì)供應(yīng)臂的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動機(jī)構(gòu)的各自的蓋54、64。標(biāo)記數(shù)字56表不用于第一媒質(zhì)供應(yīng)管線的導(dǎo)入端(lead-1n)。
該實(shí)施方式的密閉室模塊具有三個內(nèi)部位準(zhǔn)(level)，每一個位準(zhǔn)具有相關(guān)的排氣裝置，在圖1中用標(biāo)記數(shù)字82、84和86分別表示用于下、中和上位準(zhǔn)的相關(guān)排氣裝置并用81、83和85表示針對這些排氣裝置的相關(guān)的下、中和上吸氣裝置。
現(xiàn)在參考圖2，該密閉室模塊在其打開位置被示出，這涉及相對于該室向上提升噴頭蓋子并使其圍繞蓋支撐軸26樞轉(zhuǎn)，蓋支撐軸26容納空心軸18。
在該室內(nèi)部，可見旋轉(zhuǎn)卡盤70，在該實(shí)施方式中，卡盤70是雙面型卡盤。還可見處于待命位置的第二媒質(zhì)供應(yīng)臂63，以及上、中和下位準(zhǔn)34、35、36。
在圖3中，噴頭區(qū)域25被示出在噴頭蓋子20的底面(underside)上，該區(qū)域除包括多個氣體開口之外還包括中心氣體噴嘴23。
馬達(dá)27驅(qū)動連桿19，連桿19轉(zhuǎn)而驅(qū)動空心軸18(參見圖4)。因此，馬達(dá)27驅(qū)動噴頭蓋子20的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動。馬達(dá)28是用于升高和降低噴頭蓋子20的升降馬達(dá)，而29則代表用于被容納在空心軸18中的氣體進(jìn)給管線21、24的導(dǎo)入端(lead-1n)。
旋轉(zhuǎn)馬達(dá)72旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)卡盤70，而馬達(dá)76則經(jīng)由滑塊74升高和降低旋轉(zhuǎn)卡盤70。下室蓋31容納旋轉(zhuǎn)卡盤的波紋管，如下所述。
在圖4中，更加容易地可見上、中和下位準(zhǔn)34、35和36。這些位準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)及其各自的排氣裝置86、84和82可以如共同擁有的申請冊2004/084278八1中所記載的。圖4中還可見用于中心氣體噴嘴23的氣體進(jìn)給管線21、用于隔離驅(qū)動機(jī)構(gòu)和該室內(nèi)部環(huán)境的膨脹波紋管75、連接卡盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)和該室底面的框架77、提供卡盤底部噴嘴的不旋轉(zhuǎn)噴嘴頭79、以及容納底部噴嘴頭79的不旋轉(zhuǎn)空心軸78。
圖5的軸向截面更詳細(xì)地示出了前述部件，以及限定室底部的板37、示出為在其待命位置的第一媒質(zhì)供應(yīng)臂53和用于臂53的裝載區(qū)域55。要知道的是，軸18被剛性(rigidly)固定到蓋臂22，使得傳遞給軸18的旋轉(zhuǎn)和平移運(yùn)動也被傳遞給蓋臂22和蓋子20，如下所述。在圖6的軸向截面中，剖切面穿過用于第一媒質(zhì)供應(yīng)臂53的樞轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的蓋54。從該角度可完全見到第二媒質(zhì)供應(yīng)臂63處于其待命位置。標(biāo)記數(shù)字17表示具有氣體噴頭蓋子20的均壓室。諸如O形環(huán)或者V形密封件之類的環(huán)形密封件33被附著到環(huán)形上室蓋32或被固定在環(huán)形上室蓋32中，以與噴頭蓋子20形成密封?，F(xiàn)在參考圖7，用于旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)卡盤載具73的機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動旋轉(zhuǎn)中的旋轉(zhuǎn)卡盤載具73的旋轉(zhuǎn)空心軸71、遮蔽驅(qū)動機(jī)構(gòu)以避免其與該室的內(nèi)部環(huán)境接觸的膨脹波紋管75、將卡盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)連接到該室底面的框架77、提供卡盤底部噴嘴的不旋轉(zhuǎn)噴嘴頭79、以及容納底部噴嘴頭79的不旋轉(zhuǎn)空心軸78。不旋轉(zhuǎn)空心軸90包圍旋轉(zhuǎn)空心軸71，旋轉(zhuǎn)空心軸71進(jìn)而包圍不旋轉(zhuǎn)空心軸78，這三個軸相互同軸。轉(zhuǎn)軸密封軸承91從室環(huán)境密封這些同軸的軸并支撐互連的旋轉(zhuǎn)空心軸78和卡盤載具73，而軸承92則連接不旋轉(zhuǎn)上環(huán)94和旋轉(zhuǎn)軸71。膜蓋93 (membranecover)被安裝在下室蓋31內(nèi)，且其內(nèi)周抵靠波紋管75密封,且其外周抵靠室底37密封。在圖8中，穿過圓筒形室壁30的徑向截面示出第一和第二媒質(zhì)供應(yīng)臂53和63在其待命位置，圖8中的虛線追蹤媒質(zhì)臂53、63的分配端在它們被從所示待命位置移動到服務(wù)位置時移動的弧形路徑，在所述服務(wù)位置，媒質(zhì)臂的分配端將大致居中于旋轉(zhuǎn)卡盤上方。在實(shí)踐中，在任意給定時間僅有一個媒質(zhì)臂會在使用中并因此在其服務(wù)位置，也就是說，雖然媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63往往都處于如圖所示的待命位置，但是在使用中通常非此即彼地只有一個會處于服務(wù)位置。不過，媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63 二者可同時移動卻交替地趨近中心，這可通過適當(dāng)?shù)能浖顚?shí)現(xiàn)。說到媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63的服務(wù)位置，可以理解的是可有一個以上的服務(wù)位置，或者就此而言，所述臂可在它們自外圍待命位置徑向向內(nèi)移動時處于服務(wù)中。因此，服務(wù)位置可以指讓媒質(zhì)供應(yīng)臂的分配端處于在被支撐于卡盤上的晶片的上方的任意位置，而不僅僅是中心最內(nèi)層的位置。例如，服務(wù)位置在晶片的處理過程中會從中心向邊緣移動并再返回。圖9示出了用于在媒質(zhì)供應(yīng)和分配臂的待命和服務(wù)位置之間驅(qū)動媒質(zhì)供應(yīng)和分配臂的機(jī)構(gòu)的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。在圖9中只用虛線表示蓋64，以便顯示該驅(qū)動機(jī)構(gòu)的內(nèi)部部件。在實(shí)踐中，蓋64由固體材料制成，以密封方式被安裝到該室的圓筒形壁30，圓筒形壁30具有被蓋64包圍的切口(cutout)以便連桿67由此通過，連桿67在其遠(yuǎn)端承載著第二媒質(zhì)臂63且例如通過花鍵連接被連接到驅(qū)動單元62的輸出軸68。輸出軸68從下面通過密封軸承穿透蓋64，從而驅(qū)動單元62被設(shè)置在該室外面并被保護(hù)以免受存在于該室內(nèi)的惡劣的化學(xué)環(huán)境影響。因此，當(dāng)驅(qū)動單元62被驅(qū)動時，連桿67會在由驅(qū)動單元62的操作周期規(guī)定的移動范圍上樞轉(zhuǎn)，且該移動范圍對應(yīng)于媒質(zhì)供應(yīng)臂63從其待命位置向其服務(wù)位置的位移。因此，圓筒形室壁30上的切口的大小被制做為容納樞轉(zhuǎn)移動的范圍的大小。導(dǎo)入端(lead-1n)66連接到該室內(nèi)的第二媒質(zhì)管線61。導(dǎo)入端66可以是例如以密封方式橫貫該室的圓筒形壁30的液力耦合器，其在該室外面的端連接到入口管且其在該室里面的端連接到第二媒質(zhì)管線61。從圖9中還可看到從圓筒形室壁30徑向向內(nèi)設(shè)置的內(nèi)室壁，其與壁30共同限定用于第二媒質(zhì)供應(yīng)臂63的裝載區(qū)域65。該內(nèi)壁具有切口 69以便在媒質(zhì)供應(yīng)臂63從其在裝載區(qū)域65中的待命位置被移動到其服務(wù)位置時，媒質(zhì)供應(yīng)臂63的向下懸垂(downwardly-depending)的分配端通過,在所述服務(wù)位置,臂63的分配端位于旋轉(zhuǎn)卡盤的中心上方。
要知道的是，在該實(shí)施方式中，第一和第二媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63配備有基本相同的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，使得對一種單元的各個部件的描述也適用于另一種，雖然這樣的描述在此沒被重復(fù)。此外，雖然本發(fā)明的該實(shí)施方式配備有兩個媒質(zhì)分配臂，但是這種臂的數(shù)量及其相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)可以只有一個，或者相反地，可以有三個或更多個。
在圖10中，第一媒質(zhì)臂53保持在其待命位置，而第二媒質(zhì)臂63已被樞轉(zhuǎn)到服務(wù)位置，在所述服務(wù)位置，臂63的向下懸垂的分配噴嘴位于旋轉(zhuǎn)卡盤的中心上方。第二媒質(zhì)管線61在臂63處于服務(wù)位置時可見性更好。管線61在圖10中被示意性地示出，但是應(yīng)明白的是，管線61的長度足以容納連桿67徑向向內(nèi)的端的移動范圍，因此也可見其彈性。
圖11的立體圖對應(yīng)于圖10且示出了蓋54在位置上而蓋64被移除以顯示用于媒質(zhì)臂63的驅(qū)動聯(lián)動裝置。
在使用中，該室被打開以允許加載要在當(dāng)中進(jìn)行處理的晶片。這涉及首先驅(qū)動馬達(dá)28，馬達(dá)28通過支柱(post)被固定到底板15的底面并相對于其靜止不動(參見圖3)，但其輸出軸在延伸時引起導(dǎo)入端29向上移位，而軸18、蓋臂22和蓋子20也隨之向上移位。軸18優(yōu)選地被軸頸支承(journal)在導(dǎo)入端29中使得其與該導(dǎo)入端一起被升高,但相對于導(dǎo)入端29又可旋轉(zhuǎn)。
一旦蓋子20被升高到打開該室，接著驅(qū)動馬達(dá)27以在圍繞軸18的軸線的弧形移動范圍內(nèi)驅(qū)動連桿19。由于連桿19被不可旋轉(zhuǎn)地固定到軸18,所以這種移動旋轉(zhuǎn)軸18并隨之旋轉(zhuǎn)蓋臂22和蓋子20，使得蓋子20從由上環(huán)形室蓋32限定的開口被旋離到圖2中所示的位置。如圖3中所示，馬達(dá)27本身通過樞軸被安裝到底板15的底面，以允許連桿19的樞轉(zhuǎn)移動。連桿19可被花鍵連接到軸18并在由馬達(dá)28驅(qū)動的軸18的豎直移位過程中相對于軸18滑動，或者連桿19可被緊緊地固定到軸18，并在其相對端經(jīng)由樞軸連接被馬達(dá)27驅(qū)動，當(dāng)馬達(dá)28運(yùn)轉(zhuǎn)時，其可在所述樞軸連接上豎直滑動。
在該室被打開后(如圖2中所不),待處理晶片被加載到其中。用于將晶片傳輸和加載到旋轉(zhuǎn)卡盤上的裝置在本領(lǐng)域是公知的。為了接收晶片，馬達(dá)76被驅(qū)動以經(jīng)由滑塊74將旋轉(zhuǎn)卡盤70升高到被限定在上環(huán)形室蓋32中的開口的附近的位置。具體而言，旋轉(zhuǎn)卡盤70可被升高到蓋32中的開口的正下方、該開口的正上方、或者與該開口齊平的位置。
應(yīng)注意的是，上環(huán)形蓋32中的開口的直徑必須明顯大于要在該室中進(jìn)行處理的晶片的外徑，但優(yōu)選地不是大得多的直徑。例如，在300_硅晶片的情況下，蓋32中的開口優(yōu)選地具有大約320mm的直徑。一般而言，該室上端中的開口的直徑應(yīng)當(dāng)不超過待處理晶片的直徑50%以上，優(yōu)選地不超過20%以上，更優(yōu)選地不超過10%以上。
旋轉(zhuǎn)卡盤70適于保持預(yù)定直徑的晶片，在該實(shí)施例中是300mm的晶片。旋轉(zhuǎn)卡盤70包括一系列外周夾銷(gripping pin),夾銷防止晶片在處理過程中橫向滑動。當(dāng)旋轉(zhuǎn)卡盤70被實(shí)施為伯努利(Bernoulli)卡盤時,通過卡盤進(jìn)行供應(yīng)并在晶片下面徑向向外通過的氮?dú)饬魈峁脑谙轮巍Ｌ娲?，夾銷可被構(gòu)造為具有徑向向內(nèi)朝向的表面，所述表面例如通過具有與晶片的外周邊緣互補(bǔ)的形狀相對于卡盤將晶片保持在其工作位置，從而提供橫向支撐和在下支撐二者。接著，旋轉(zhuǎn)卡盤70被馬達(dá)76下降到位于上、中和下位準(zhǔn)34、35、36之一的工作位置，之后，旋轉(zhuǎn)馬達(dá)72開始旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)卡盤70。然后，任意所需組合的液體和氣體可被供應(yīng)到該室內(nèi)部(液體經(jīng)由媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63供應(yīng)而氣體經(jīng)由噴頭蓋子20供應(yīng))。優(yōu)選地，設(shè)計密封該室的一或多個密封件以便實(shí)現(xiàn)到處于預(yù)定的超壓水平的室的外部的受控的氣體泄漏。以這種方式，在晶片的處理過程中可在該室中維持大體上無氧的環(huán)境，同時繼續(xù)從噴頭蓋子20和/或通過軸78供應(yīng)氣體，積累超壓。該設(shè)計還在不需要依靠使用真空或保有完全不能滲透的密封件的情況下實(shí)現(xiàn)了氧氣的去除?？梢岳斫獾氖?，該實(shí)施方式的設(shè)計允許氣體噴頭和媒質(zhì)供應(yīng)臂同時供應(yīng)氣體和液體到該室內(nèi)部。此外，媒質(zhì)供應(yīng)臂53、63及其相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)的設(shè)計允許所述臂被設(shè)置在該室里面而其各自的驅(qū)動單元被安裝在該室外面。這在防止這些驅(qū)動單元暴露于常被用在這種處理模塊中的極具侵蝕性的化學(xué)品方面提供了相當(dāng)大的優(yōu)勢。雖然本發(fā)明聯(lián)系其各種說明性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但可以理解的是，這些實(shí)施方式不應(yīng)該被用作為限制由所附權(quán)利要求的真實(shí)范圍和精神所賦予的保護(hù)范圍的理由。
權(quán)利要求
1.一種用于處理晶片狀物件的裝置，其包括密閉處理室、位于所述密閉處理室內(nèi)的卡盤、設(shè)置在所述室內(nèi)的至少一個工藝液體分配設(shè)備、以及用于所述至少一個工藝液體分配設(shè)備的驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元被傳動地連接到所述至少一個分配設(shè)備以將所述至少一個分配設(shè)備從外圍待命位置移動到一或多個作用位置，所述至少一個分配設(shè)備的分配端在所述一或多個作用位置相對于所述卡盤被徑向向內(nèi)移動，所述驅(qū)動單元被安裝在所述室的外面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述室是用于半導(dǎo)體晶片的單晶片濕法處理的處理模塊的部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述卡盤是具有從所述室向下延伸的驅(qū)動軸的旋轉(zhuǎn)卡盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述室包括能夠從閉合位置移動到打開位置的蓋子以允許晶片狀物件被引入到所述室中或者從所述室被移除，所述蓋子包括用于在處于所述閉合位置時將氣體注入所述室中的氣體噴嘴，且所述至少一個工藝液體分配設(shè)備能操作來在所述蓋子處于所述閉合位置時將液體分配到所述室中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其進(jìn)一步包括將所述蓋子從所述閉合位置移動到所述打開位置的驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)適于將所述蓋子相對于所述室向上、橫向地移開。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述驅(qū)動單元是安裝在所述室的側(cè)面殼體上的馬達(dá)，所述馬達(dá)的輸出軸通到所述側(cè)面殼體中并驅(qū)動通到所述室中且連接到所述至少一個液體分配設(shè)備的連桿。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一個工藝液體分配設(shè)備是被能樞轉(zhuǎn)地安裝在所述室中且能夠從外圍待命位置移動到一或多個作用位置的媒質(zhì)供應(yīng)臂，在所述一或多個作用位置，所述媒質(zhì)供應(yīng)臂的分配端相對于所述卡盤被徑向向內(nèi)移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述媒質(zhì)供應(yīng)臂具有被樞轉(zhuǎn)地連接到穿過所述室的壁的連桿的一端以及設(shè)置有分配噴嘴的相對端。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述蓋子是氣體噴頭，所述氣體噴頭包括其中設(shè)置有所述氣體噴嘴的區(qū)域，所述區(qū)域覆蓋要在所述密閉處理室中進(jìn)行處理的晶片狀物件的至少50%的面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述蓋子被設(shè)置為平行于所述卡盤上所接收的晶片狀物件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中 所述卡盤能相對于所述密閉處理室豎直移動，且被配置為具有至少三個停止位置，所述停止位置是用于在所述卡盤加載和卸載晶片狀物件的最上面位置以及在所述室內(nèi)的至少兩個較下面位置，所述至少兩個較下面位置中的每一個對應(yīng)于所述室的不同工藝位準(zhǔn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述密閉處理室包括多個疊加工藝位準(zhǔn)，所述多個疊加工藝位準(zhǔn)中的每一個具有與之相連的各自的排氣裝置，其中所述排氣裝置是能單獨(dú)受控的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述密閉處理室被安裝在底板的上表面上，且進(jìn)一步包括用于所述卡盤的驅(qū)動單元，用于所述卡盤的所述驅(qū)動單元被安裝在懸掛于所述底板的下表面的殼體內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中將所述蓋子從所述閉合位置移動到所述打開位置的所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)被安裝在底板的下表面上，所述密閉處理室被安裝在所述底板的上表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述室具有上部圓形開口且所述蓋子大于所述室開口且提供密 封件以便在所述蓋子被向下壓向所述室壁時抵靠所述上室壁密封。
全文摘要
一種用于單晶片濕法處理的密閉室處理模塊的改進(jìn)設(shè)計使用用于從上面密封該室的組合蓋子和氣體噴頭。一或多個媒質(zhì)臂將液體分配到該室中的晶片上。該媒質(zhì)臂被安裝在該室內(nèi)部但通過穿過室壁的聯(lián)動裝置被連接到安裝在該室外部的驅(qū)動單元。
文檔編號B08B3/00GK103180056SQ201180051812
公開日2013年6月26日 申請日期2011年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者卡爾-海因茨·霍恩沃特 申請人:朗姆研究公司