專利名稱：一種硅片清洗方法
技術領域：
本發明涉及一種硅片清洗方法，屬于硅片加工的技術領域。
背景技術：
硅片是一種硅材料通過加工切成一片一片而形成的。從而硅材料到可使用的硅片要經過切割、清洗等多道工序。隨著社會的發展，硅片的使用越來越多，硅片的加工也受取更多的關注。清洗作為硅片的一個生產工序之一，其清洗的好壞對硅片的使用性能有著很大的影響。傳統的清洗方法采用的是超聲波清洗，這種清洗方法將硅片安裝在清洗籃內，通入去離子水，再利用超聲波對硅片進行清洗，通常清洗6-8道工序，每道工序為10-15分鐘，再經過漂洗、甩干即可。該方法存在以下不足不之處1、由于硅片豎插在清洗籃中，超聲波波源從底部向上發散，存在超聲波存在梯度問題，使硅片的清洗不均勻，清洗的潔凈度有限；2、由于通過清洗籃由聚四氟材料加工而成，該材料具有一定阻擋和吸收超聲波的作用，使超聲波的發散不均勻，從而，影響了硅片的清洗。
發明內容
本發明所要解決的問題是提供一種硅片清洗方法，該方法操作方便，可有效地去除附著在硅片上的殘留研磨砂和雜質，確保硅片表面清潔度。為了解決上述技術問題，本發明一種硅片清洗方法，包括如下步驟A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒， 絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1-2分鐘；再反向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1_2分鐘；反復多次，清洗總時間為6 20分鐘，清洗溫度為30 85°C ；D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。上述的硅片清洗方法，其中，所述氮氣經過加溫處理，氮氣的溫度為20°C，氮氣的純度為99% (按質量百分比計算)。上述的硅片清洗方法，其中，氮氣的出口設有擋板，所述擋板上均勻設有多個出氣孔。上述的硅片清洗方法，其中，絨毛顆粒的粒度為200um。本發明的有益效果本發明通過正反旋轉，對硅片進行清單，可有效地去除附著在硅片上的殘留研磨砂和雜質，確保硅片表面清潔度，另外，本發明不需要有相當大的清洗裝置和大量的清洗液，消耗大量的電力以及花費許多時間，該方法可以有效的節約空間、節約成本、節約能源、 節約時間及良好的清洗效果，且該方法成本低、操作簡單，環境污染小。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作進一步說明。
為了解決上述技術問題，本發明一種硅片清洗方法，包括如下步驟
A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；
B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；
C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒， 絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1-2分鐘；再反向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1_2分鐘；反復多次，清洗總時間為6 20分鐘，清洗溫度為30 85°C;絨毛顆粒的粒度為200um ；通過正、反轉清洗硅片，不僅可使硅片得到充分清洗，而且可使去離子水中的絨毛顆粒分布更加均勻，避免沉積；另外，可調節硅片清洗的面，消除了因承載硅片的清洗籃的阻擋造成硅片表面局部區域清洗不干凈的現象，從而，使硅片的清洗更加徹底、干凈；可使硅片洗后無水痕，更加光亮。D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。
為了使硅片的干燥徹底、提高速度可對所述氮氣經過加溫處理，使氮氣的溫度達到20°C，氮氣的純度為99% (按質量百分比計算)，
為了使氮氣流過時更加均勻，可在氮氣的出口設有擋板，所述擋板上均勻設有多個出氣孔，出氣孔將降低氮氣流動的粒度，使氮氣流動更加均勻，使硅片受的氮氣均勻，使硅片的干燥均勻。
清洗過程中，可在去離子水的上面噴蓋一層惰性氣體，如氮氣，避免硅片被氧化。
實施例一
一種硅片清洗方法，包括如下步驟
A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；
B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；
C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒， 絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動2分鐘；再反向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1分鐘；反復2 次，清洗總時間為6分鐘，清洗溫度為30°C ；絨毛顆粒的粒度為200um ；
D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。
實施例二
一種硅片清洗方法，包括如下步驟
A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒， 絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動2分鐘；再方向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動2分鐘；反復4 次，清洗總時間為12分鐘，清洗溫度為55°C ；絨毛顆粒的粒度為200um ；D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。實施例三一種硅片清洗方法，包括如下步驟A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒， 絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動2分鐘；再方向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動2分鐘；反復多次，清洗總時間為20分鐘，清洗溫度為85°C ；絨毛顆粒的粒度為200um ；D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。最后有必要在此指出的是，上述說明并非是對本發明的限制，本發明也并不限于上述舉例，本領域的技術人員，在本發明的實質范圍內，所作出的變化、改型、添加或替換， 都將屬于本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種硅片清洗方法，其特征在于，包括如下步驟A、粗洗將硅片放入硅片清洗籃內，將載有硅片的清洗籃浸入去離子水中在超聲波作用下進行粗洗；超聲波頻率為80KHz，粗洗時間為15分鐘；B、浸泡室溫中將粗洗后的硅片的放入檸檬酸中浸泡，檸檬酸的質量百分比濃度為 10%，浸上泡時間為30分鐘；再浸入煤油中浸泡20分鐘；C、清洗將浸泡后的硅片浸入去離子水中，進行清洗；去離子水中含有絨毛顆粒，絨毛顆粒的含量為20%，按體積比計算；清洗進程中，硅片在去離子水中旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1-2分鐘；再反向旋轉，硅片旋轉的速度為20r/min，轉動1_2分鐘；反復多次，清洗總時間為6 20分鐘，清洗溫度為30 85°C ；D、干燥將上述清洗后的硅片進行氮氣干燥處理，氮氣流速為12m/s。
2.如權利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述氮氣經過加溫處理，氮氣的溫度為20°C，氮氣的純度為99% (按質量百分比計算)。
3.如權利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，氮氣的出口設有擋板，所述擋板上均勻設有多個出氣孔。
4.如權利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，絨毛顆粒的粒度為200um。
全文摘要
本發明提供了一種硅片清洗方法，包括粗洗、浸泡、清洗、干燥的步驟，本發明通過正反旋轉，對硅片進行清單，可有效地去除附著在硅片上的殘留研磨砂和雜質，確保硅片表面清潔度，另外，本發明不需要有相當大的清洗裝置和大量的清洗液，消耗大量的電力以及花費許多時間，該方法可以有效的節約空間、節約成本、節約能源、節約時間及良好的清洗效果，且該方法成本低、操作簡單，環境污染小。
文檔編號B08B7/04GK102489478SQ20111044838
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月29日 優先權日2011年12月29日
發明者聶金根 申請人:鎮江市港南電子有限公司