一種cvd反應(yīng)腔體清潔方法

專利名稱：一種cvd反應(yīng)腔體清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相淀積(CVD, Chemical Vapor Desposition)是通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，利用化學(xué)氣相淀積技術(shù)生成薄膜材料在半導(dǎo)體工業(yè)中也有著廣泛的應(yīng)用。
在進(jìn)行化學(xué)氣相淀積的工藝工程中，隨著反應(yīng)的進(jìn)行在反應(yīng)腔體內(nèi)會產(chǎn)生一些雜質(zhì)微粒。如果不能將反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒清除干凈，就可能會影響CVD的制作工藝。
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，薄膜生產(chǎn)速率逐漸提高，產(chǎn)量的不斷增大，與此同時(shí)反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒也相應(yīng)的增多，而現(xiàn)有清潔CVD反應(yīng)腔體的方法清潔反應(yīng)腔體后，反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒仍較多，不能滿足半導(dǎo)體工藝對精細(xì)度的要求。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，該方法對反應(yīng)腔體的清潔力度較強(qiáng)，能減少反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒的數(shù)量。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，包括
A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)；
B、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體,所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量；
C、通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒；
D、重復(fù)步驟B和C，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈；
其中，在通入所述清潔氣體的過程中，保持所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力的變化范圍在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
優(yōu)選的，所述清潔氣體為氮?dú)狻?br> 優(yōu)選的，所述通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體的過程具體為
以正常清潔時(shí)所需的流量通入清潔氣體，將通入的所述清潔氣體的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，并繼續(xù)以所述預(yù)設(shè)流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體直至通入清潔氣體的時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間。
優(yōu)選的，所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大到預(yù)設(shè)流量的時(shí)間為5至6秒。
優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為20秒至30秒。
優(yōu)選的，重復(fù)步驟B和C的次數(shù)為5至6次。
優(yōu)選的 ，通入清潔氣體的過程中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度的浮動范圍在±3°內(nèi)， 所述反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力浮動范圍在±10mT。
優(yōu)選的，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度保持在 450±3°內(nèi)，壓力參數(shù)為保持在3000± IOmT內(nèi)。
優(yōu)選的，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，正常清潔時(shí)所需的清潔氣體的流量為500sccm ；
所述預(yù)設(shè)流量大于500sccm。
優(yōu)選的,所述預(yù)設(shè)流量為900sccm。
經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開提供了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，在設(shè)定的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)下，向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，在通入預(yù)設(shè)時(shí)間的清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的清潔氣體，并重復(fù)向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體和抽去清潔氣體的步驟，以清除反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)微粒。由于本發(fā)明在通入清潔氣體時(shí)，清潔氣體的流量是由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，清潔氣體的流量逐漸增大，對反應(yīng)腔體內(nèi)部附著的雜質(zhì)顆粒的沖擊力逐漸增大，增加了清潔力度。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
圖I為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的一個(gè)實(shí)施例的步驟流程圖2為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的另一實(shí)施例的步驟流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
現(xiàn)有技術(shù)中清潔CVD反應(yīng)腔體內(nèi)生成的雜質(zhì)顆粒時(shí)，不能徹底的清除反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒。
發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)上述問題的原因是，現(xiàn)有技術(shù)中的清潔氣體對反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒的清潔力度不夠，具體說來，現(xiàn)有技術(shù)在清潔CVD腔體時(shí)，一般會在設(shè)定的溫度和壓力下，以恒定的較低的流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，但是當(dāng)通入到反應(yīng)腔體的流速較低時(shí)，對反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)微粒的沖刷力度不夠，不能將一些附著在反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒去除，清潔力度不夠，很可能影響后續(xù)的CVD工藝過程。
為了增大對反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒的沖擊力，可以增大通入的清潔氣體的流量, 但是如果直接將通入反應(yīng)腔體內(nèi)的清潔氣體的流量增大到某一流量，會對反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力帶來很大影響，可能需要重新確定反應(yīng)腔體內(nèi)的合理的一個(gè)壓力值，而重新確定反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力值可能需要耗費(fèi)較多的人力和物力資源。
為了能增大對反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)微粒的沖擊力，同時(shí)不對反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力造成很大的影響，發(fā)明人將向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，這樣可以避免流量直接增大給反應(yīng)腔體的壓力造成影響，同時(shí)又增大了反應(yīng)腔體內(nèi)通入的清潔氣體的流量，從而增大了對反應(yīng)腔體內(nèi)附著的雜質(zhì)顆粒的沖擊力，增強(qiáng)了清潔力度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，包括
A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)；
B、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體,所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量；
C、通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒；
D、重復(fù)步驟B和C，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈；
其中，在通入所述清潔氣體的過程中，保持所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力的變化范圍在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
通過本發(fā)明的清潔方法可以在不改變正常清潔過程中的溫度和壓力參數(shù)下，將向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，進(jìn)而增大對反應(yīng)腔體的雜質(zhì)顆粒的沖擊力，增大了對反應(yīng)腔體的清潔力度。
參見圖1，為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖，該方法包括
步驟101 :按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)。
需要說明的是，在通入所述清潔氣體的過程中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力的變化范圍可以保持在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
化學(xué)氣象淀積CVD工藝有多種，如金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積M0CVD、高密度等離子體化學(xué)氣象淀積HDPCVD等。CVD工藝過程中一些雜質(zhì)顆粒可能會附著在反應(yīng)腔體內(nèi)表面， 或者是懸浮在反應(yīng)腔體內(nèi)，為了去除反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒，需要在反應(yīng)腔體不進(jìn)行工藝反應(yīng)時(shí)，對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔。
對于不同的CVD工藝，在對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，設(shè)定的反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)可能會有的差異，但是無論是基于哪種CVD工藝，在對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，都可以按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)，也就是說本發(fā)明在對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，設(shè)定的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)都與現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行清潔過程中設(shè)定溫度參數(shù)和壓力參數(shù)相同。在向反應(yīng)腔中通入清潔氣體進(jìn)行清潔時(shí)，壓力參數(shù)和溫度參數(shù)的變化范圍需維持的設(shè)定的范圍內(nèi)，其中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度的浮動范圍可以在±3°內(nèi)，反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力浮動范圍可以在±10mT。
以金屬有機(jī)化合物氣相淀積為例，當(dāng)對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，可以將反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度參數(shù)可以設(shè)定450度，壓力參數(shù)可以設(shè)定在3000mT( S卩，3000mtorr)。在向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體進(jìn)行清潔的過程中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力可以有一定浮動范圍。具體的，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度可以保持在為450±3度內(nèi)，壓力可以保持為3000± IOmT內(nèi)。對于其他的CVD工藝可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)。
步驟102 :向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量。
為了將反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒去除，需要向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體,該清潔氣體可以是化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定的氣體，或者是可以與雜質(zhì)顆粒反應(yīng)的氣體。如，一般的清潔氣體可以為氮?dú)?，?dāng)然也可以根據(jù)需要選擇其他惰性氣體作為清潔氣體。
向反應(yīng)腔體內(nèi)通入的氣體流量是由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大的，其中，正常清潔時(shí)的流量是指，在現(xiàn)有技術(shù)中對CVD反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，向反應(yīng)腔體內(nèi)通入的清潔氣體的恒定的流量值?；诓煌珻VD工藝的反應(yīng)腔體，當(dāng)對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，向反應(yīng)腔體內(nèi)通入氣體的恒定流量值可能會不相同，但本發(fā)明中某種CVD工藝的反應(yīng)腔體，最初通入的清潔氣體的流量與現(xiàn)有技術(shù)中對該CVD工藝的反應(yīng)腔體清潔過程中通入的氣體流量相同。
以對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔為例，現(xiàn)有技術(shù)中在對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔的過程中，正常清潔時(shí)所需的清潔氣體的流量為500sCCm，也就是說，現(xiàn)有技術(shù)中對進(jìn)行 MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，會以500SCCm的恒定流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體 (如，氮?dú)?。
本發(fā)明實(shí)施例中為了增強(qiáng)對反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒的清潔力度，將通入反應(yīng)腔體內(nèi)的清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，該預(yù)設(shè)流量大于正常清潔時(shí)所需的流量值，當(dāng)然，預(yù)設(shè)流量具體為多少可以根據(jù)不同的CVD工藝設(shè)定不同的流量值。 仍以MOCVD為例，當(dāng)正常清潔時(shí)所需的流量為500SCCm時(shí)，預(yù)設(shè)流量只要大于500sCCm即可，考慮到實(shí)際應(yīng)用場景，該預(yù)設(shè)流量最好不要大于lOOOsccm，具體的可以將預(yù)設(shè)流量設(shè)定為 900sccm。
步驟103 :通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒。
向反應(yīng)腔體內(nèi)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的清潔氣體后，就可以利用泵將反應(yīng)腔體內(nèi)的抽去， 這樣一些雜質(zhì)顆粒就會隨著清潔氣體被從反應(yīng)腔體內(nèi)抽出。
通入清潔氣體的時(shí)間(也就是預(yù)設(shè)時(shí)間)的長短也可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，一般預(yù)設(shè)時(shí)間可以為20秒至30秒。
步驟104 :重復(fù)步驟102和103，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈。
為了能將反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒清除的較為徹底會重復(fù)步驟102和步驟103的操作，反復(fù)進(jìn)行反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，并抽去清潔氣體的步驟，以保證反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒被徹底清除。重復(fù)步驟102和步驟103的次數(shù)并不加以限定，一般情況下，重復(fù)步驟 102和步驟103的次數(shù)為5至6次即可滿足對反應(yīng)腔體的清潔要求。
需要說明的是，向反應(yīng)腔體內(nèi)通入預(yù)設(shè)時(shí)間的清潔氣體可以是以正常清潔時(shí)所需的流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，并逐漸增大通入的清潔氣體的流量，當(dāng)通入清潔氣體的時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，清潔氣體的流量上升至預(yù)設(shè)流量。
當(dāng)然，通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體也可以是以正常清潔時(shí)所需的流量通入清潔氣體，將通入的所述清潔氣體的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，并繼續(xù)以所述預(yù)設(shè)流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體直至通入清潔氣體的總時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間。其中，清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量可以為清潔氣體的流量在指定時(shí)間內(nèi)由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，指定時(shí)間的時(shí)長小于向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體的預(yù)設(shè)時(shí)間的時(shí)長，指定時(shí)間可以為5至6秒，通入清潔氣體的總時(shí)間，即預(yù)設(shè)時(shí)間可以為20 秒至30秒例如，清潔氣體的流量在5至6秒內(nèi)由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大到預(yù)設(shè)流量，當(dāng)清潔氣體的流量達(dá)到預(yù)設(shè)流量后繼續(xù)以預(yù)設(shè)流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，直到通入清潔氣體的總時(shí)間達(dá)到20秒至30秒。
為了清楚的描述對CVD反應(yīng)腔體清潔的過程，參見圖2，為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的另一實(shí)施例的流程示意圖，本實(shí)施例以對MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔為例進(jìn)行介紹，包括
步驟201 :按照對MOCVD反應(yīng)腔體進(jìn)行正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，將 MOCVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)設(shè)置在450°，將反應(yīng)腔體的壓力參數(shù)設(shè)置在在3000mT ；
需要說明的是，在對反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔的過程中，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力可以有一定的變化范圍，如，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度可以保持在450±3度內(nèi)，壓力可以保持為 3000 ± IOmT 內(nèi)。
步驟202 向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，所述清潔氣體的流量在5秒至6秒內(nèi)由500sccm逐漸增大至預(yù)設(shè)流量；
其中，清潔氣體可以為氮?dú)猓A(yù)設(shè)流量可以為900sCCm。
步驟203 :以預(yù)設(shè)流量繼續(xù)向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，當(dāng)通入清潔氣體的總時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒；
其中，預(yù)設(shè)時(shí)間可以為20秒至30秒。
步驟204 :重復(fù)步驟202和步驟203，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈。
對于其他的CVD工藝的反應(yīng)腔體，只是設(shè)置的反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)、 以及正常清潔時(shí)所需的清潔氣體的流量可能會有所不同，其他的流程步驟與MOCVD基本相似，在此不在贅述。
本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實(shí)施例公開的裝置而言，由于其與實(shí)施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。
對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，其特征在于，包括 A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)； B、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量； C、通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒； D、重復(fù)步驟B和C，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈； 其中，在通入所述清潔氣體的過程中，保持所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力的變化范圍在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述清潔氣體為氮?dú)狻?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體的過程具體為 以正常清潔時(shí)所需的流量通入清潔氣體，將通入的所述清潔氣體的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，并繼續(xù)以所述預(yù)設(shè)流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體直至通入清潔氣體的時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大到預(yù)設(shè)流量的時(shí)間為5至6秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為20秒至30秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，重復(fù)步驟B和C的次數(shù)為5至6次。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，通入清潔氣體的過程中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度的浮動范圍在±3°內(nèi)，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力浮動范圍在±10mT。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度保持在450±3°內(nèi)，壓力參數(shù)為保持在3000± IOmT內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，正常清潔時(shí)所需的清潔氣體的流量為500SCCm ； 所述預(yù)設(shè)流量大于500sccm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)流量為900sCCm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，包括A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)；B、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量；C、通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的清潔氣體，以清除反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒；D、重復(fù)步驟B和C，直至將反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈。該方法對反應(yīng)腔體的清潔力度較強(qiáng)，能減少反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒的數(shù)量。
文檔編號B08B9/00GK102921680SQ201110227478
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月9日
發(fā)明者趙強(qiáng), 劉長安, 陶晟, 周軍, 李文靜 申請人:無錫華潤上華科技有限公司