專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于對基板進行清洗處理的基板處理裝置。成為處理對 象的基板，例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基
板、FED (Field Emission Display:場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、 磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等。
背景技術：
在半導體裝置的制造工序中，半導體晶片(下面簡稱為"晶片")的周 緣部的污染物有時給晶片處理品質帶來的不可忽視的影響。具體而言，在所 謂的批處理工序中，由于多張晶片以鉛直姿勢浸漬在處理液中，因此若污染 物質附著到晶片的周端部，則該污染物質在處理液中擴散，進而有可能再附 著在晶片表面的器件形成區域。
因此，最近，對晶片等基板的周緣部進行清洗的要求正在提高。 作為與清洗基板周端部有關的現有技術，例如公開了如下的技術，艮P，
在由藥液除去附著于基板表面的附著物(污染)之后， 一邊旋轉基板一邊向 該基板表面的中央部供給純水，從而在除去殘留在基板表面的藥液以及附著 物之際，通過使圓柱狀刷子的外周面與基板的周端部抵接，除去附著于基板 周端面的附著物(參照例如JP特開2006-278592號公報)。
但是，在基板表面表現為疏水性的情況下(例如，將Low-k膜形成在基 板表面的情況以及裸硅露出在基板表面的情況等)，若向作為器件形成區域 的表面的中央部供給純水，則器件形成區域有可能會產生水印(純水的干躁 痕跡)。而且，在銅布線等形成在基板表面的情況下，若向基板表面的中央 部供給純水，則有可能因銅布線被氧化而發生腐蝕。
為了避免這樣的問題，可以考慮不向基板表面供給純水，但是若這樣則 由刷子從基板的周緣部刮去的污染物殘留在周緣部，而且在殘存該污染物的 狀態下使基板干躁，從而該污染物有可能會牢牢地粘在基板。
發明內容
因此，本發明的目的在于提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置不給 基板表面的器件形成區域帶來壞影響，并且能夠從基板表面的周緣區域良好 地除去污染物。
本發明的基板處理裝置具有基板旋轉單元，其用于使基板旋轉；刷子， 其針對由所述基板旋轉單元旋轉的基板，至少與基板表面的周緣區域抵接； 周緣沖洗液噴出單元，其向規定的沖洗液噴出位置，從基板的旋轉半徑方向 上的該規定的沖洗液噴出位置的內側噴出沖洗液，其中，所述規定的沖洗液 噴出位置是相對基板表面的周緣區域中與所述刷子接觸的區域而向著基板的 旋轉方向下游側隔開了間隔的位置。
在該結構中，針對由基板旋轉單元旋轉的基板，至少在基板表面的周緣 區域與刷子抵接，由此能夠刮去附著于該周緣區域的污染物。另一方面，在 基板表面的周緣區域中，向相對與刷子接觸區域而向著基板的旋轉方向下游 側隔開了間隔的沖洗液噴出位置，供給來自周緣沖洗液噴出單元的沖洗液。 由此，在該刮去結束之后，緊接著用沖洗液來清洗被刷子刮去的污染物。由 此，能夠防止在基板表面的周緣區域殘留被刷子刮去的污染物并牢牢地粘住。
進一步地，由于將供給沖洗液的沖洗液噴出位置以相對刷子接觸的區域 而向著基板的旋轉方向下游側隔開了間隔的方式設置，因此被供給到沖洗液 噴出位置的沖洗液幾乎不會供給至刷子。因而，能夠抑制由沖洗液洗去的污 染物附著于刷子。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區域上的沖洗液噴出位置的沖洗液 從晶片的旋轉半徑方向的該沖洗液噴出位置的內側供給，因此其具有朝向晶 片的旋轉半徑方向的外側的矢量。然后，在該供給之后，因晶片旋轉而產生 的離心力作用于沖洗液。因此，被供給到晶片表面的周緣區域的沖洗液幾乎 不進入到晶片表面的中央部。從而，不用擔心沖洗液給晶片表面的器件形成 區域帶來不良影響。
其結果，不給晶片表面的器件形成區域帶來不良影響，就能夠從基板表 面的周緣區域良好地除去污染物。
也可以另外具有用于向所述刷子供給藥液的藥液供給單元。根據該結構， 藥液被供給到刷子，其內部包含藥液的刷子與基板表面的周緣區域抵接。通
過具有高清洗能力的藥液，能夠良好地除去附著于基板表面的周緣區域的污 染物。
所述藥液供給單元也可以向規定的藥液噴出位置，從基板的旋轉半徑方 向的該規定的藥液噴出位置的內側噴出藥液，其中，所述規定的藥液噴出位 置是相對基板表面的周緣區域中與所述刷子接觸的區域而位于基板的旋轉方 向上游側的位置。根據該結構，在基板表面的周緣區域中，向相對刷子接觸 的區域而位于基板旋轉方向的上游側的藥液噴出位置，供給來自藥液供給單 元的藥液。因此，被供給到晶片的表面周緣區域的藥液受到因晶片旋轉而產 生的離心力，從而流到與晶片的周緣部接觸的刷子。因此，能夠向刷子良好 地供給藥液。
而且，從藥液供給單元供給到藥液噴出位置的藥液沿著基板表面的周緣 區域，供給至處于旋轉狀態的刷子。因此，與從藥液供給單元向刷子直接供 給藥液的結構相比，能夠抑制伴隨刷子旋轉藥液飛散。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區域上的藥液噴出位置的藥液相對 從晶片的旋轉半徑方向的該藥液噴出位置的內側供給，因此其具有朝向晶片 的旋轉半徑方向的外側的矢量。然后，在此供給之后，因晶片旋轉而產生的 離心力作用于藥液。因此，被供給到晶片表面的周緣區域的藥液幾乎不會進 入到晶片表面的中央部。從而，藥液不給基板表面的器件形成區域帶來不良 影響，就能夠向刷子供給藥液。
所述基板旋轉單元也可以將基板保持為基板的表面朝向上方的大致水平 姿勢，并且圍繞鉛直軸線旋轉。在此情況下，所述藥液供給單元也可以向由 所述基板旋轉單元旋轉的基板的背面供給藥液。根據該結構，被^^給到基板 背面的藥液受到因基板旋轉而產生的離心力，沿著基板背面流向其周緣區域。 然后，到達基板背面的周緣區域的藥液被供給到與基板周緣部接觸的刷子。 因此，不將藥液供給到基板表面的器件區域，就能夠向刷子供給藥液。
而且，也可以另外具有藥液吸引單元，所述藥液吸引單元用于吸引包含 在所述刷子的內部的藥液。根據該結構，由于向刷子供給來自藥液供給單元 的藥液，并且通過藥液吸引單元吸引包含在刷子內部的藥液，因此刷子的內 部包含充分滿足需要的量的藥液。因此，在基板表面的周緣區域中與刷子接 觸的區域，能夠形成具有適當濕潤寬度的藥液的液體膜。
其結果，藥液不給晶片表面的器件形成區域帶來不良影響，就能夠良好 地清洗基板表面的周緣區域。
也可以另外具有下游側周緣藥液噴出單元，所述下游側周緣藥液噴出單 元用于向規定的藥液噴出位置，相從基板的旋轉半徑方向的該規定的藥液噴 出位置的內側噴出藥液，其中，所述規定的沖洗液噴出位置是相對基板表面 的周緣區域中與所述刷子接觸的區域而向著基板旋轉方向的下游側隔開了間 隔的位置。根據此結果，向晶片表面的周緣區域中的相對與刷子接觸位置而 向著晶片旋轉方向的下游側相隔了間隔的藥液噴出位置，供給來自下游側周 緣藥液噴出單元的藥液。由此，進行完該刮去之后，緊接著通過藥液能夠洗 去刷子所刮去的污染物。因此，能夠防止刷子所刮去的污染物殘留于晶片表 面的周緣區域且牢牢地粘住。
進一步地，由于供給藥液的藥液噴出位置相對基板表面的周緣區域與刷 子之間的接觸區域而向著基板的旋轉方向下游側相隔間隔，因此能夠防止供 給到藥液噴出位置的藥液經由基板直接與刷子接觸。由此，能夠防止藥液洗 掉的污染物附著于刷子。
而且，由于被供給到晶片表面的周緣區域上的藥液噴出位置的藥液從晶 片的旋轉半徑方向的該藥液噴出位置的內側供給，因此其具有朝向晶片的旋 轉半徑方向的外側的矢量。然后，在該供給之后，因晶片旋轉而產生的離心 力作用于藥液。因此，被供給到晶片表面的周緣區域的藥液幾乎不會進入到 晶片表面的中央部。從而，不用擔心藥液給晶片表面的器件形成區域帶來不 良影響。
其結果，不給晶片表面的器件形成區域帶來不良影響，就能夠從基板表 面的周緣區域良好地除去污染物。
而且，優選地還具有氣體噴附單元，所述氣體噴附單元用于針對由所述 周緣沖洗液噴出單元而供給到基板表面的周緣區域的沖洗液，在相比所述規 定的沖洗液噴出位置而向著基板旋轉方向下游側隔開了間隔的位置上，從基 板的旋轉半徑方向的內側噴附惰性氣體。根據該結構，針對被供給到基板表 面的周緣區域的沖洗液，從基板的旋轉半徑方向的內側噴附惰性氣體。因此， 能夠向基板外側排出清洗污染物之后的沖洗液。由此，能夠從基板表面的周 緣區域迅速地除去污染物，而且能夠抑制污染物在千燥之后牢牢地粘在基板的表面。
而且，在設置氣體噴附單元的情況下，即使周緣沖洗液噴出單元噴出的 沖洗液的量少，也能夠從基板表面的周緣區域良好地除去污染物。在此情況 下，由于被供給到基板表面周緣區域的沖洗液的量少，因此能夠防止從基板 周緣區域飛散的沖洗液彈回基板表面。
所述刷子可以用可彈性變形的材料形成，而且具有第一清洗面，所述第 一清洗面具有朝向與由所述基板旋轉單元旋轉的基板的表面垂直的垂線方向 的一側變窄的形狀。由于這種形狀的第一清洗面相對該垂線方向傾斜，因此 能夠以橫跨基板表面的周緣區域以及周端面的方式與此相抵接。因此，能夠 同時清洗基板表面的周緣區域以及周端面。
而且，所述刷子具有第二清洗面，所述第二清洗面的形狀是從所述第一 清洗面的所述一側的端緣向所述垂線方向的所述一側擴寬。這樣的第二清洗 面能夠以橫跨基板背面的周緣區域以及周端面的方式與其相抵接。因此，能 夠同時清洗基板背面的周緣區域以及周端面。因而，通過第一清洗面能夠同 時清洗基板表面的周緣區域以及周端面，而且，通過第二清洗面能夠同時清 洗基板背面的周緣區域以及周端面。其結果，能夠良好地清洗包括基板的兩 個面的周緣區域以及周端面的整個周緣部區域。
進一步地，所述藥液也可以是氨與雙氧水的混合液。
參照附圖，通過后述的實施方式的說明，能夠明確本發明上述的以及另 外其它的目的、特征及效果
圖1是示意性地表示本發明一個實施方式(第一實施方式)的基板處理 裝置的結構的側視圖。
圖2是表示圖1所示的刷子的結構的側視圖。
圖3是圖1所示的保持在旋轉卡盤上的晶片的俯視圖。
圖4是用于說明圖1所示的基板處理裝置的電性結構的框圖。
圖5是用于說明圖1所示的基板處理裝置中的晶片處理的工序圖。
圖6是示意性地表示本發明第二實施方式的基板處理裝置的結構的側視圖。
圖7是圖6所示的保持在旋轉卡盤上的晶片的俯視圖。 圖8是用于說明圖6所示的基板處理裝置的電氣結構的框圖。
圖9是用于說明圖6所示的基板處理裝置的晶片的處理的工序圖。
具體實施例方式
圖1是示意性地表示本發明一個實施方式(第一實施方式)的基板處理 裝置l的結構的側視圖。
基板處理裝置1是一張一張地處理作為基板的一個例子的晶片w的單張
式裝置。該基板處理裝置l具有旋轉卡盤3，其用于將晶片W大致水平地 保持并使之旋轉，而且該晶片W的表面(形成器件的一側的面)朝向上方； 一對背面SC1噴嘴5 (圖l僅示出了一個)，其用于向保持在旋轉卡盤3上 的晶片W的背面(與表面相反側的面)供給作為藥液的SC1 (氨與雙氧水的
混合液7乂千二7過酸化水素水)； 一對背面DIW噴嘴6 (圖l僅示出了
一個)，其用于向晶片W的背面供給作為沖洗液的DIW (脫離子水)；刷 子機構7，其用于清洗晶片W的周緣部；第一表面SC1噴嘴8，其用于向晶 片W的表面的周緣區域(不形成器件的區域)40供給SC1;第一表面DIW 噴嘴9，其用于向晶片W表面的周緣區域40供給DIW; N2氣體噴嘴10，其 用于向晶片W表面的周緣區域40供給作為惰性氣體N2氣體。
此外，所謂晶片W的周緣部是指包括晶片W表面的周緣區域40、晶片 W背面的周緣區域41以及周端面42的部分。而且，所謂的周緣區域40、 41 例如是指從晶片W的邊緣起寬度為1 4mm的環狀區域。
旋轉卡盤3是真空吸附式卡盤，并且其具有旋轉軸ll，其大致沿鉛直 方向延伸；吸附基座12，其安裝在該旋轉軸11的上端，并且以大致水平的 姿勢吸附晶片W的背面從而保持晶片W;旋轉馬達13，其具有與旋轉軸ll 同軸地連接的旋轉軸。在吸附基座12吸附保持晶片W背面的狀態下，若驅 動旋轉馬達13，則晶片W繞旋轉軸11的中心軸線旋轉。
來自SC1供給源的SC1經由背面SC1閥14供給到各背面SC1噴嘴5。 來自DIW供給源的DIW經由背面DIW閥15供給到各背面DIW噴嘴6 。 來自SC1供給源的SC1經由第一表面SC1閥16供給到第一表面SC1噴 嘴8。
來自DIW供給源的DIW經由第一表面DIW閥17供給到第一表面DIW 噴嘴9。
來自N2氣體供給源的N2氣體經由N2氣體閥18供給到N2氣體噴嘴10。 刷子機構7具有搖動臂19，其位于由旋轉卡盤3保持的晶片W的保 持位置的上方且大致水平地延伸；臂支撐軸20，其支撐搖動臂19;刷子21， 其保持在搖動臂19的頂端，并且用于清洗晶片W的周緣部。
臂支撐軸20沿鉛直方向延伸設置。該臂支撐軸20的上端部與搖動臂19 的一端部(基端部)的下面連接。能夠將搖動驅動機構23的驅動力輸入到 臂支撐軸20。通過將搖動驅動機構23的驅動力輸入到臂支撐軸20來使臂 支撐軸20往復旋轉，從而能夠以臂支撐軸20為支點對搖動臂19進行搖動。 而且，臂支撐軸20與升降驅動機構24連接。通過升降驅動機構24，上下 移動臂支撐軸20，進而使搖動臂19與該臂支撐軸20 —起上下移動。
在搖動臂19的頂端部，可旋轉地保持有刷子旋轉軸25。刷子旋轉軸25 在搖動臂19的內部連接用于使刷子旋轉軸25旋轉的刷子自轉機構26。另一 方面，在刷子旋轉軸25的下端部，固定有架安裝部27。在架安裝部27，中 間隔著刷架28安裝有刷子21。
圖2是表示刷子21的結構的側視圖。
刷子21例如由PVA (Polyvinyl Alcohol:聚乙烯醇)等海綿材料構成。 該刷子21具有上下一體的第一清洗部30和第二清洗部31，而且形成為繞鉛 直軸線旋轉對稱的大致沙漏的形狀，其中，該第一清洗部30用于清洗晶片W 表面的周緣區域40以及周端面42，該第二清洗部31用于清洗晶片W背面 的周緣區域41以及周端面42。
第一清洗部30的上部30a呈大致圓柱形狀，下部30b呈向下方變窄的大 致圓錐臺形狀。第一清洗部30的下部30b的側面是以上端邊緣與上部30a側 面的下端邊緣連接，并且相對其中心軸線具有例如45度的傾斜角度，而且越 往下方則越接近于中心軸線的方式傾斜。在該第一清洗部30中，下部30b 的側面成為與晶片W表面的周緣區域40及周端面42抵接的第一清洗面32。
第二清洗部31與第一清洗部30的下端一體地連接，并且，將該第二清 洗部31配置成與第一清洗部30共用中心軸線。該第二清洗部31的上部31a 呈向下方擴展的大致圓錐臺形狀，下部31b呈大致圓柱形狀。第二清洗部31
的上部31a側面是以上端邊緣與第一清洗部30的下部30b側面的下端邊緣連 接，并且相對該中心軸線具有45度的傾斜角度，而且越往下方則越遠離中心 軸線的方式傾斜。而且，上部31a側面的下端邊緣與下部31b側面的上端邊 緣連接。在該第二清洗部31中，上部31a側面成為與晶片W背面的周緣區 域41及周端面42抵接的第二清洗面33。
圖3是保持在旋轉卡盤3上的晶片的俯視圖。
在俯視時，在將旋轉軸ll的中心軸線作為中心的圓周上，以該中心軸線 作為中心對稱的方式配置有一對背面SC1噴嘴5。各背面SC1噴嘴5將其噴 出口配置成位于接近晶片W的背面的位置且朝向鉛直方向上方。
在俯視時， 一對背面DIW噴嘴6在與背面SC1噴嘴5同一個的圓周上 配置在與背面SC1噴嘴5的位置偏移90°的位置上，而且該一對背面DIW 噴嘴6將該中心軸線作為中心對稱。各背面DIW噴嘴6將其噴出口配置成位 于接近晶片W的背面的位置且朝向鉛直方向上方。
在旋轉卡盤3的上方，第一表面SC1噴嘴8將其噴出口對著晶片W表 面的周緣區域40上的SC1著液位置P2，而且將其配置在晶片W的旋轉半徑 方向上的SC1著液位置P2的內側。因此，在俯視時，第一表面SC1噴嘴8 的噴出口噴出的SC1沿著晶片W的旋轉半徑方向從其內側朝向外側。將SC1 著液位置P2設定在相對于刷子接觸位置Pl位于晶片W的旋轉方向(用箭頭 35來表示的方向)下游側相隔了間隔L1的位置上，其中，該刷子接觸位置 Pl是刷子21所接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置Pl。作為該間隔Ll， 能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
在旋轉卡盤3的上方，第一表面DIW噴嘴9將其噴出口對著晶片W表 面的周緣區域40上的DIW著液位置P3，而且將其配置在晶片W的旋轉半 徑方向上的DIW著液位置P3的內側。因此，在俯視時，第一表面DIW噴嘴 9的噴出口噴出的DIW沿著晶片W的旋轉半徑方向從其內側朝向外側。將 DIW著液位置P3設定在相對于SC1著液位置P2位于晶片W的旋轉方向下 游側相隔了間隔L2的位置上。作為該間隔L2，能夠示例晶片W直徑的1/10 左右的尺寸。
在旋轉卡盤3的上方，N2氣體噴嘴10將其噴出口對著晶片W表面的周 緣區域40上的N2氣體噴附位置P4，并將其配置在晶片W的旋轉半徑方向
上的N2氣體噴附位置P4的內側。因此，在俯視時，N2氣體噴嘴10的噴出
口噴出的N2氣體沿著晶片W的旋轉半徑方向從其內側朝向外側。將N2氣體 噴附位置P4設定在位于相對DIW著液位置P3在晶片W的旋轉方向下游側 相隔了間隔L3的位置上。作為該間隔L3，能夠示例晶片W直徑的1/10左 右的尺寸。
圖4是用于說明基板處理裝置的電性結構的框圖。
基板處理裝置1具有控制部50，該控制部50具有包括微型計算機的結構。
該控制部50與作為控制對象的旋轉馬達13、背面SC1閥14、背面DIW 閥15、第一表面SC1閥16、第一表面DIW閥17、 N2氣體閥18、搖動驅動 機構23、升降驅動機構24以及刷子自轉機構26連接。
圖5是用于說明基板處理裝置1的晶片W的處理的工序圖。下面，舉例 說明對在其表面的中央部(器件形成區域)形成了Low-k膜(疏水膜)的晶 片W進行清洗的情況。
被運入到基板處理裝置l內的晶片W以其表面朝向上方的方式保持在旋 轉卡盤3。
若晶片W保持在旋轉卡盤3，則通過控制部50控制旋轉馬達13，從而 由旋轉卡盤3晶片W開始旋轉(步驟Sl)。晶片W例如以100rpm的旋轉 速度沿箭頭35所示的方向旋轉。
接著，通過控制部50打開背面SC1閥14，從而開始從一對背面SC1噴 嘴5向晶片W的背面供給SC1 (步驟S2)。 一對背面SC1噴嘴5噴出的SC1 的流量例如為20mL/min。供給到晶片W背面的SC1受到因晶片W旋轉而產 生的離心力，從而沿著晶片W的背面向其周緣區域41流動。
而且，若通過控制部50打開第一表面SC1閥16，則從第一表面SC1噴 嘴8向晶片W表面的周緣區域40的SC1著液位置P2噴出SC1 (步驟S2)。 在俯視時，供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1具有沿著晶片W的旋轉 半徑方向從其內側向外側的矢量。第一表面SC1噴嘴8噴出的SC1的流量例 如為10mL/min。如此地將SC1的流量設定為較小量是因為，從晶片W表面 飛散的SC1打到配置在旋轉卡盤3周圍的部件(例如，未圖示的以包圍旋轉 卡盤3的方式將其收納的處理杯)彈回，從而防止SC1附著于晶片W表面
的中央部。
而且，通過控制部50打開N2氣體閥18，從N2氣體噴嘴10向晶片W表 面的周緣區域40的N2氣體噴附位置P4噴附N2氣體(步驟S2) 。 N2氣體噴 嘴10噴出的N2氣體的流量例如為5L/min。
而且，通過控制部50控制刷子自轉機構26，從而刷子21例如以100 200rpm的旋轉速度沿與晶片W的旋轉方向相同的方向旋轉。然后，通過控 制部50控制搖動驅動機構23以及升降驅動機構24，從而刷子21的第二清 洗面33與晶片W背面的周緣區域41以及周端面42抵接(步驟S3)。具體 而言，首先，控制升降驅動機構24，將刷子21移動到預先設定的高度位置， 從而刷子21的第二清洗面33與晶片W的周端面42對置。接著，控制搖動 驅動機構23，使得搖動臂19旋轉，刷子21水平移動，從而晶片W切入到 刷子21的第二清洗面33，并且晶片W背面的周緣區域41以及周端面42被 刷子21的第二清洗面33推壓。在此狀態下，到達晶片W背面的周緣區域 41的SC1被供給到刷子21。而且，通過供給了 SC1的刷子21，清洗晶片W 背面的周緣區域41以及周端面42。
若在刷子21的第二清洗面33抵接到晶片W之后經過規定時間，則通過 控制部50控制升降驅動機構24，將刷子21降低至規定高度(步驟S4)。由 此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接到 第一清洗面32。而且，晶片W擠進第一清洗面32 (步驟S5:與刷子的第一 清洗面抵接)，晶片W表面的周緣區域40以及周端面42被第一清洗面32 推壓。在此狀態下，SC1繼續供給到晶片W背面，并且沿著晶片W背面到 達周端面42的SC1供給到刷子21。由此，通過供給SC1 了的刷子21，清洗 晶片W表面的周緣區域40以及周端面42。
向在晶片W的旋轉方向上位于刷子接觸位置Pl的下游側的SC1著液位 置P2，供給來自第一表面SC1噴嘴8的SC1。通過來自第一表面SC1噴嘴8 的SC1，洗掉由刷子21從晶片W剝離的污染物。由于SC1供給到旋轉方向 的刷子接觸位置Pl下游側，因此能夠通過SC1洗掉剛剛從表面的周緣區域 40剝離的污染物。
供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1受到因晶片旋轉而產生的離心 力，從而向晶片W的旋轉半徑方向的外側流動。由于SC1著液位置P2位于
與刷子接觸位置P1相隔間隔L1的位置，因此清洗之后的SC1不會經由晶片 W直接與刷子21接觸。
而且，針對供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1， N2氣體噴嘴10 從晶片W的旋轉半徑方向的內側噴附N2氣體。由此，SC1被推向旋轉半徑 方向的外側，不停留在晶片W表面的周緣區域40上，從而能夠迅速地從周 緣區域40上除去。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經過規定時間，則通過 控制部50控制搖動驅動機構23以及升降驅動機構24，刷子21退避至處理 開始前的原位置(home position)(步驟S6)。而且，在刷子21回到原位置 的期間內，控制刷子自轉機構26，停止刷子21的旋轉。而且，由控制部50 關閉背面SC1閥14以及第一表面SC1閥16，從而停止從背面SC1噴嘴5以 及第一表面SC1噴嘴8供給SC1 (步驟S7)。
然后，通過控制部50打開背面DIW閥15，向晶片W背面的中央部供 給DIW(步驟S8)。由此，洗掉附著于晶片W背面的SC1。而且，由控制 部50打開第一表面DIW閥17。由此，洗掉附著于晶片W表面的周緣區域 40的SC1。
此時，N2氣體噴嘴10繼續向晶片W表面的周緣區域40供給N2氣體。 由此，能夠防止DIW漫延到表面的中央部。
若在打開背面DIW閥15以及第一表面DIW閥17之后經過規定時間， 則由控制部50關閉背面DIW閥15以及第一表面DIW閥17，從而停止從背 面DIW噴嘴6供給DIW以及從第一表面DIW噴嘴9供給DIW (步驟S9)。 而且，通過控制部50關閉N2氣體閥18，從而停止從N2氣體噴嘴10供給N2 氣體(步驟S9)。
其后，通過控制部50控制旋轉卡盤13，高速(例如3000rpm)地旋轉晶 片W，從而甩開附著在晶片W的DIW，使晶片W干燥。在以規定時間連續 高速旋轉晶片W之后，停止通過旋轉卡盤3進行的晶片W的旋轉。然后， 在晶片W靜止之后，從基板處理裝置1中運出該處理完畢的晶片W。
如上所述地，根據該實施方式，通過將刷子21抵接到由旋轉卡盤3旋轉 的晶片W表面的周緣區域40，從而能夠刮去附著于該周緣區域40的污染物。 另一方面，在晶片W表面的周緣區域40上，相比與刷子接觸位置P1向著晶片W旋轉方向下游側相隔了間隔Ll的SC1著液位置P2，供給來自第一表面
SC1噴嘴8的SC1。由此，在該刮去結束之后，緊接著通過SC1能夠洗掉被 刷子21刮去的污染物。因此，能夠防止用刷子21刮去的污染物殘留在晶片 W表面的周緣區域40且牢牢地粘住。
而且，由于SC1著液位置P2相對于刷子接觸位置Pl而向著晶片W的 旋轉方向下游側相隔了間隔L1，因此能夠防止供給到SC1著液位置P2的SC1 經由晶片W直接與刷子21接觸。從而，能夠防止用SC1洗掉的污染物附著 于刷子21。
而且，由于供給到晶片W表面的周緣區域40上的SC1著液位置P2的 SC1，從晶片W的旋轉半徑方向的該SC1著液位置P2內側起供給，因此該 SC1具有朝向晶片W的旋轉半徑方向外側的矢量。然后，在結束此供給之后， 由晶片W的旋轉產生的離心力作用于SC1。由此，供給到晶片W表面的周 緣區域40的SC1幾乎不進入到晶片W表面的中央部。從而，不用擔心SC1 給晶片W表面的器件形成區域帶來不良影響。
其結果，不給晶片W表面的器件形成區域帶來不良影響，就能夠從晶片 W表面的周緣區域40良好地除去污染物。
圖6是示意性地表示本發明其它實施方式(第二實施方式)的基板處理 裝置51的結構的側視圖。在該第二實施方式中，在與上述圖1 圖5的實施 方式(第一實施方式)所示各部對應的部分上，標注與圖1 圖5的情況相 同的附圖標記，并且除了需特別說明的情況下，省略其說明。
在第一實施方式中，因為向刷子21供給SC1，所以對向晶片W背面供 給來自背面SC1噴嘴5的SC1的結構進行了說明，但是在第二實施方式中， 使用向晶片W表面的周緣區域40供給的SC1，向刷子21供給SC1。而且， 在該第二實施方式中，省略了背面SC1噴嘴5以及背面DIW噴嘴6。
基板處理裝置51具有用于向晶片W表面的周緣區域40供給SC1的第 二表面SC1噴嘴52以及用于向晶片W表面的周緣區域40供給DIW的第二 表面DIW噴嘴57。
來自未圖示SC1供給源的SC1經由第二表面SC1閥53供給到第二表面 SC1噴嘴52。
來自未圖示DIW供給源的DIW經由第二表面DIW閥58供給到第二表
面DIW噴嘴57。
而且，基板處理裝置51具有用于吸引含在刷子21內部的SC1的吸嘴54。 吸嘴54與吸管55的一端連接。吸管55的另一端與用于對吸管55的內部進 行真空吸引的吸引裝置(未圖示)連接。在吸管55的中途，安裝有用于切換 吸嘴54的吸引/吸引停止的吸引閥56。通過卡止在刷架28的保持零部件(未 圖示)，該吸嘴54具有可與刷子21—體地升降的結構。
圖7是圖6所示的保持在旋轉卡盤3上的晶片的俯視圖。
在旋轉卡盤3的上方，第二表面SC1噴嘴52將其噴出口對著晶片W表 面的周緣區域40上的SC1著液位置P5，而且其配置在晶片W的旋轉半徑方 向上的SC1著液位置P5的內頂lj。因此，在俯視時，第二表面SC1噴嘴52 的噴出口噴出的SC1沿著晶片W的旋轉半徑方向從其內側朝向外側。將SC1 著液位置P5設定成相對于刷子21接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置 Pl，是在晶片W的旋轉方向(用箭頭35來表示的方向)的上游側相隔了間 隔L4的位置上。作為該間隔L4，能夠示例晶片W直徑的1/30左右的尺寸。
在旋轉卡盤3的上方，將第二表面DIW噴嘴57的噴出口對著晶片W表 面的周緣區域40上的DIW著液位置P6，而且其配置在晶片W的旋轉半徑 方向上的DIW著液位置P6的內側。因此，在俯視時，第二表面DIW噴嘴 57的噴出口噴出的DIW沿著晶片W的旋轉半徑方向從其內側超向外側。將 DIW著液位置P6設定成相對于刷子21接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸 位置P1，是在晶片W的旋轉方向的下游側相隔了間隔L5的位置。作為該間 隔L5，能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
而且，在第二實施方式中，將N2氣體噴附位置P4設定在相對于DIW著 液位置P6位于晶片W的旋轉方向的下游側相隔了間隔L6的位置上，而且該 N2氣體噴附位置P4被噴附來自N2氣體噴嘴10的N2氣體。作為該間隔L6， 能夠示例晶片W直徑的1/10左右的尺寸。
以吸嘴54的頂端與刷子21的周面(在圖6及圖7中，例如第二清洗面) 相隔微小間隔(例如3mm)的方式來配置吸嘴54。因此，在刷子21含有SC1 的狀態下，若打開吸引閥56，由吸引裝置(未圖示)對吸管55的內部進行 吸引，則包含在刷子21內部的SC1被吸嘴54吸引。從而，不妨礙刷子21 的旋轉，就能夠由吸嘴54吸引包含在刷子21內部的SC1。
圖8是用于說明基板處理裝置51的電性結構的框圖。
控制部50與作為控制對象的旋轉馬達13、第二表面SC1閥53、第二表 面DIW闊58、 N2氣體閥18、吸嘴56、搖動驅動機構23、升降驅動機構24 以及刷子自轉機構26連接。
圖9是用于說明基板處理裝置51中的晶片的處理的工序圖。與第一實施 方式相同地，舉例說明對在晶片表面的中央部(器件形成區域)形成了 Low-k 膜(疏水膜)的晶片W進行清洗的情況。
被運入到基板處理裝置51內的晶片W保持在旋轉卡盤3，而且其表面 朝向上方。
若晶片W保持在旋轉卡盤3，則通過控制部50控制旋轉馬達13，從而 開始由旋轉卡盤3進行的晶片W的旋轉(步驟Sll)。晶片W例如以100rpm 的旋轉速度旋轉。
接著，通過控制部50打開第二表面SC1閥53 (步驟S12)。由此，第 二表面SC1噴嘴52向晶片W表面的周緣區域40的SC1著液位置P5噴出 SC1(步驟S12)。第二表面SC1噴嘴52噴出的SC1的流量例如為20mL/min。 在俯視時，供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1具有沿著晶片W的旋轉 半徑方向從其內側向外側的矢量。
而且，通過控制部50打開吸引閥56 (步驟S12)。
還有，通過控制部50打開N2氣體閥18，從N2氣體噴嘴10向晶片W表 面的周緣區域40的N2氣體噴附位置P4噴附N2氣體(步驟S12) 。 N2氣體 噴嘴10噴出的N2氣體的流量例如為5L/min。
而且，通過控制部50控制刷子自轉機構26，從而刷子21例如以100 200rpm的旋轉速度沿與晶片W的旋轉方向相同的方向旋轉。然后，通過控 制部50控制搖動驅動機構23以及升降驅動機構24，從而刷子21的第二清 洗面33與晶片W背面的周緣區域41以及周端面42抵接(步驟13)，清洗 晶片W背面的周緣區域41以及周端面42。步驟S13的處理與圖5的步驟S3 的處理相同。
若在刷子21的第二清洗面33抵接到晶片W之后經過規定時間，則通過 控制部50控制升降驅動機構24,將刷子21降低至規定高度(步驟S14)。 由此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接
到第一清洗面32。然后，晶片W擠進第一清洗面32 (步驟S15:與刷子的
第一清洗面抵接)，并且周緣區域40以及周端面42被第一清洗面32推壓。 在此狀態下，第二表面SC1噴嘴52繼續供給SC1。被供給到晶片W表面的 周緣區域40的SC1著液位置P5的SC1受到因晶片W旋轉而產生的離心力， 在表面的周緣區域40上向晶片W的旋轉半徑方向的外側移動，到達與晶片 W的周端部接觸的刷子21。由此，通過供給了 SC1的刷子21，清洗晶片W 表面的周緣區域40以及周端面42。從而，剝離附著在晶片W表面的周緣區 域40及周端面42的污染物。
而且，在此狀態下，吸嘴54繼續吸引SC1。 S卩，在第二表面SC1噴嘴 52對刷子21供給SC1,另一方面通過噴嘴54吸引包含在刷子21內部的SC1 。
由于通過吸嘴54吸引包含在刷子21內部的SC1，而且SC1被供給到刷 子21，因此保障了包含于刷子21的SC1充分滿足需要且適量。因此，在刷 子21所接觸的晶片W的周緣部的刷子接觸位置Pl上，能夠形成適當的濕潤 寬度(例如2mm)的SC1的液膜。
而且，針對供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1， N2氣體噴嘴10 從晶片W的旋轉半徑方向的內側噴附N2氣體。由此，SC1被推向旋轉半徑 方向的外側，不停留在晶片W表面的周緣區域40上，就能夠迅速地從周緣 區域40除去。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經過規定時間，則通過 控制部50關閉第二表面SC1閥53，從而停止從第二表面SC1噴嘴52供給 SC1 (步驟16)。而且，吸引閥56通過控制部50維持打開的狀態，從而吸 嘴54繼續吸引SC1 (步驟S16)。而且，通過控制部50關閉N2氣體閥18， 停止從而N2氣體噴嘴10供給N2氣體(步驟S16)。
然后，通過控制部50打開第二表面DIW閥58 (步驟S17)。由此，從 第二表面DIW噴嘴57向晶片W表面的周緣區域40的DIW著液位置P6噴 出DIW。第二表面DIW噴嘴57噴出的DIW的流量例如為10mL/min。在俯 視時，供給到晶片W表面的周緣區域40的DIW具有沿著晶片W的旋轉半 徑方向從內側朝向外側的矢量。而且，因晶片W旋轉而產生的離心力作用于 供給到晶片W表面的周緣區域40的DIW。因此，噴出到著液位置P6的DIW 的絕大部分被排出到晶片W的外側。然而，DIW的一部分殘留在晶片W表面的周緣區域40。
而且，通過控制部50控制升降驅動機構24，將刷子21升高至規定高度 (步驟S18)。由此，刷子21的第一清洗面32從晶片W離開，晶片W的 周緣部與第二清洗面33抵接。然后，晶片W擠進第二清洗面33 (步驟S19: 與刷子的第二清洗面抵接)，從而晶片W背面的周緣區域41以及周端面42 被第二清洗面33推壓。在此狀態下，伴隨晶片W的旋轉，殘留在晶片W表 面的周緣區域40的DIW供給到刷子21。通過供給了DIW的刷子21，清洗 晶片W背面的周緣區域41以及周端面42，從而洗掉附著于晶片W背面的周 緣區域41的SC1。
若在刷子21的第二清洗面33與晶片W抵接之后經過規定時間，則一行 控制部50控制升降驅動機構24，將刷子21降低至規定高度(步驟S20)。 由此，刷子21的第二清洗面33從晶片W離開，并且晶片W的周端面抵接 到第一清洗面32。然后，晶片W擠進第一清洗面32 (步驟S21:與刷子的 第一清洗面抵接)，周緣區域40以及周端面42被第一清洗面32推壓。在此 狀態下，第二表面DIW噴嘴57繼續供給SC1。因而，伴隨晶片W的旋轉， 殘留在晶片W表面的周緣區域40的DIW供給到刷子21。通過供給了 DIW 的刷子21，清洗晶片W表面的周緣區域40以及周端面42，從而洗掉附著于 晶片W表面的周緣區域40的SC1。
向位于晶片W的旋轉方向上的刷子接觸位置P1的下游側的DIW著液位 置P6，供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。通過來自第二表面DIW噴 嘴57的DIW，洗掉被刷子21從晶片W剝離的污染物。由于DIW供給到位 于旋轉方向上的刷子接觸位置P1的下游側，因此能夠通過DIW來洗掉從表 面周緣區域40剝離的污染物。
若在刷子21的第一清洗面32與晶片W抵接之后經過規定時間，則通過 控制部50控制搖動驅動機構23以及升降驅動機構24，刷子21退避至處理 開始前的原位置，并且通過控制部50關閉吸引閥56，從而吸嘴54停止吸引 (步驟S22)。而且，在刷子21回到原位置的期間內，控制刷子自轉機構26， 停止刷子21的旋轉。而且，通過控制部50關閉第二表面DIW閥58，從而 第二表面DIW噴嘴57停止供給DIW (步驟S23)。
其后，通過控制部50控制旋轉卡盤13，高速地(例如3000rpm)旋轉晶
片W，從而附著于晶片W的DIW被甩開，進而使晶片W干燥。在以規定時
間連續高速旋轉晶片W之后，旋轉卡盤3停止旋轉晶片W。然后，在晶片 W靜止之后，從基板處理裝置51中運出該處理完畢的晶片W。
如上所述地，通過將供給了 SC1的刷子21抵接到由旋轉卡盤3旋轉的 晶片W表面的周緣區域40，從而能夠刮去附著于該周緣區域40的污染物。 另一方面，在晶片W表面的周緣區域40，向相對于刷子接觸位置P1位于晶 片W旋轉方向下游側相隔了間隔L5的DIW著液位置P6，供給來自第二表 面DIW噴嘴57的DIW。因此，能夠通過DIW洗掉被刷子21刮去的污染物。 因此，能夠防止被刷子21刮去的污染物殘留在晶片W表面的周緣區域40且 牢牢地粘住。
而且，由于著液位置P6相對于刷子接觸位置Pl在晶片W的旋轉方向下 游側DIW相隔了間隔L5，因此供給到DIW著液位置P6的DIW的絕大部分 經由晶片W而不與刷子21直接接觸。由此，能夠抑制被DIW洗掉的污染物 附著于刷子21。
而且，由于供給到晶片W表面的周緣區域40上的DIW著液位置P6的 DIW從晶片W的旋轉半徑方向的內側向該DIW著液位置P6供給，具有朝 向晶片W的旋轉半徑方向外側的矢量。然后，在結束此供給之后，由晶片W 的旋轉產生的離心力作用于DIW。由此，供給到晶片W表面的周緣區域40 的DIW幾乎不進入到晶片W表面的中央部。從而，不用擔心DIW給晶片W
表面的器件形成區域帶來不良影響。
其結果，不給晶片W表面的器件形成區域帶來不良影響，就能夠從晶片 W表面的周緣區域40良好地除去污染物。
而且，在由旋轉卡盤3旋轉的晶片W表面的周緣區域40，第二表面SC1 噴嘴52向在晶片W的旋轉方向上的刷子接觸位置Pl的上游側的SC1著液 位置P5供給SC1。被供給到晶片W表面的周緣區域40的SC1受到因晶片 W旋轉而產生的離心力，從而流到與晶片W的周緣部接觸的刷子21。因此， 能夠針對刷子21良好地供給SC1 。
而且，來自第二表面SC1噴嘴52的SC1沿著晶片W表面的周緣區域40 供給到處于旋轉狀態的刷子21。由此，與從第二表面SC1噴嘴52向刷子21 直接噴出SC1的結構相比，能夠抑制SC1伴隨刷子21旋轉的飛散。
還有，向刷子21供給來自第二表面SC1噴嘴52的SC1，并且通過吸嘴 54吸引包含在刷子21內部的SC1，從而刷子21的內部包含充分滿足需要量 的SC1。因此，在晶片W表面的周緣區域40上的刷子接觸位置P1，能夠形 成具有適當的濕潤寬度的SC1的液膜。其結果，SC1不給晶片W表面的器 件形成區域SC1帶來不良影響，就能夠良好地清洗晶片W表面的周緣區域 40。
上面，對本發明的兩個實施方式進行了說明，但是也能夠由其它實施方 式來實施本發明。例如，還能夠采用向刷子21直接供給SC1的結構。在此 情況下，可以向刷子21的清洗面32、 33供給SC1，也可以經由刷子旋轉軸 25向刷子21的內部供給SC1。
而且，在所述兩個實施方式中，舉例說明了如下的情況，即，使用基板 處理裝置l、 51，并對在晶片W表面的中央部形成了Low-k膜(疏水膜)的 晶片W進行清洗的情況，但是，使用了基板處理裝置l、 51的清洗處理能夠 將在其表面的中央部形成了銅布線的晶片W作為清洗對象，而且也能夠將除 此以外的晶片W作為清洗對象。
另外，雖然在第一實施方式的基板處理裝置1不具有吸引刷子21的吸嘴， 但是也可以設置與第二實施方式的基板處理裝置51相同的吸嘴54以及吸管 55，以使其吸引刷子21內的SC1等液體。
還有，雖然第一實施方式的基板處理裝置1的處理工序中，在步驟S8 的沖洗處理時，刷子21退避到原位置，但是也可以使進行該沖洗處理時的刷 子21與晶片W的周緣部接觸。在此情況下，在沖洗處理中，如步驟S2 S7 的SC1處理一樣，優選地，首先使刷子21的第二清洗面33與晶片W背面 的周緣區域41以及周端面42抵接，然后使刷子21的第一清洗面32與晶片 W表面的周緣區域40以及周端面42抵接。
而且，在第二實施方式的基板處理裝置51中，也能夠如第一實施方式的 基板處理裝置1 一樣采用配設背面DIW噴嘴6的結構。在這種情況下，當步 驟S17 S22的沖洗處理時，也能夠向刷子21供給來自背面DIW噴嘴6的 DIW。因此，無需向刷子21供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。
從而，在步驟S17 S22的沖洗處理中，也能夠從N2氣體噴嘴10噴出 N2氣體。此時，針對供給到晶片W表面的周緣區域40的DIW，從晶片W
的旋轉半徑方向的內側開始噴附來自N2氣體噴嘴10的N2氣體。從而，DIW
被推向旋轉半徑方向外側，不停留在晶片W表面的周緣區域40上，就被迅 速地從周緣區域40上除去。
而且，在沖洗處理中，在從N2氣體噴嘴10噴出N2氣體的情況下，即使 第二表面DIW噴嘴57噴出的DIW的量少，也能夠從晶片W表面的周緣區 域40良好地除去污染物。通過減少來自第二表面DIW噴嘴57的DIW的量， 能夠防止從晶片W表面的周緣區域40飛散的DIW彈回到晶片W表面。
而且，在配設背面DIW噴嘴6的結構中，當進行沖洗處理時，向刷子 21供給充足的DIW。因此，可以是如下的結構，即，不僅在步驟S12 S16 的SC1處理中進行吸引噴嘴54的吸引，在步驟S17 S22的沖洗處理中也進 行吸引噴嘴54的吸引的結構。在此情況下，能夠防止DIW進入到晶片W的 中央部。
而且，在所述兩個實施方式中，雖然舉例在SC1處理之后進行沖洗處理 的結構并進行了說明，但是，也能夠不使用SC1 (藥液)而僅使用DIW (沖 洗液)清洗晶片W表面的周緣區域40。在這種情況下，在第二實施方式中， 能夠刪除有關步驟S12 S16的SC1處理的工序。
在此情況下，通過被供給DIW的刷子21與晶片W表面的周緣區域40 接觸，能夠刮去附著于該周緣區域40的污染物。另一方面，在晶片W表面 的周緣區域40，向相對于刷子接觸位置Pl在晶片W的旋轉方向下游側相隔 了間隔L5的DIW著液位置P6，供給來自第二表面DIW噴嘴57的DIW。由 此，在結束該刮去之后，緊接著通過DIW能夠洗掉被刷子21刮去的污染物。 因此，能夠防止被刷子21刮去的污染物殘留在晶片W表面的周緣區域40且 牢牢地粘住。
另外，在所述兩個實施方式中，作為藥液示例了 SC1，但是除此以外也 能夠使用例如氨水。
而且，作為沖洗液不僅限于DIW，也能夠使用例如碳酸水、離子水、臭 氧水、還原水(含氫水)或者磁化水等功能水。
而且，在所述2個實施方式中，使用真空吸附式卡盤作為旋轉卡盤3， 但是旋轉卡盤3不僅限于這種真空吸附式卡盤。例如，也能夠使用如下的輥 式卡盤，即，使用多個旋轉輥輪夾持晶片W的周端面42，從而能夠以大致
水平姿勢保持晶片W。此時，在采用向晶片W背面供給藥液或沖洗液的結構 的情況下，優選地通過向晶片W背面的旋轉中心附近供給藥液或沖洗液，從 而達到向刷子21供給藥液或沖洗液的目的。而且，在不采用向晶片W背面 供給藥液或處理液的結構的情況下，也能夠采用如下的端面夾持型卡盤，艮口，
通過使用多個卡盤銷(chuck pin)夾持晶片W的周端面42，能夠以大致水 平姿勢保持晶片W。
雖然對本發明的實施方式進行了詳細的說明，但是這些只不過是為了明 確本發明的技術內容而采用的具體例，因此本發明不應被這些具體實施例的 限定解釋，僅由權利要求書來限定本發明的技術方案以及保護范圍。
本申請對應于2007年7月26日向日本特許廳提交的JP特愿2007-194166 號專利，在此引用并進行改編就為該申請的全部公開。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有基板旋轉單元，其用于使基板旋轉；刷子，其針對由所述基板旋轉單元旋轉的基板，至少抵接在基板表面的周緣區域；周緣沖洗液噴出單元，其向規定的沖洗液噴出位置，從基板的旋轉半徑方向上的該規定的沖洗液噴出位置的內側噴出沖洗液，其中，所述規定的沖洗液噴出位置是相對基板表面的周緣區域中與所述刷子接觸的區域而向著基板的旋轉方向下游側隔開了間隔的位置。
2. 根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有藥液供給 單元，所述藥液供給單元用于向所述刷子供給藥液。
3. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液供給單 元向規定的藥液噴出位置，從基板的旋轉半徑方向上的該規定的藥液噴出位 置的內側噴出藥液，其中，所述規定的藥液噴出位置是相對基板表面的周緣 區域中與所述刷子接觸的區域而位于基板的旋轉方向上游側的位置。
4. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板旋轉單元將基板保持為基板的表面朝向上方的大致水平的姿勢，并使基板圍繞鉛直軸線旋轉；所述藥液供給單元向由所述基板旋轉單元旋轉的基板的背面供給藥液。
5. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有藥液吸引 單元，所述藥液吸引單元用于吸引包含在所述刷子內部的藥液。
6. 根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有下游側周 緣藥液噴出單元，所述下游側周緣藥液噴出單元用于向規定的沖洗液噴出位 置，從基板的旋轉半徑方向上的該規定的藥液噴出位置的內側噴出藥液，其 中，所述規定的藥液噴出位置是相對基板表面的周緣區域中與所述刷子接觸 的區域而向著基板的旋轉方向下游側隔開了間隔的位置。
7. 根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有氣體噴附 單元，所述氣體噴附單元用于針對由所述周緣沖洗液噴出單元而供給到基板 表面的周緣區域的沖洗液，在相比所述規定的沖洗液噴出位置而向著基板的 旋轉方向下游側隔開了間隔的位置上，從基板的旋轉半徑方向的內側噴附惰 性氣體。
8. 根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述刷子用可彈 性變形的材料形成，而且具有第一清洗面，所述第一清洗面具有朝向與由所 述基板旋轉單元旋轉的基板的表面垂直的垂線方向的一側變窄的形狀。
9. 根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，所述刷子具有第 二清洗面，所述第二清洗面的形狀是從所述第一清洗面的所述一側的端緣向 所述垂線方向的所述一側擴寬。
10. 根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液是氨 與雙氧水的混合液。
全文摘要
本發明提供一種基板處理裝置，其具有基板旋轉單元，其用于旋轉基板；刷子，其針對由所述基板旋轉單元旋轉的基板，至少與基板表面的周緣區域抵接；周緣沖洗液噴出單元，其向規定沖洗液噴出位置，從基板的旋轉半徑方向上的該規定沖洗液噴出位置的內側噴出沖洗液，其中，所述規定沖洗液噴出位置是相對基板表面的周緣區域與所述刷子接觸的區域位于基板的旋轉方向的下游側隔開間隔的位置。
文檔編號B08B1/04GK101355020SQ20081014432
公開日2009年1月28日 申請日期2008年7月25日 優先權日2007年7月26日
發明者石井淳一, 野野村正浩 申請人:大日本網屏制造株式會社