專利名稱：微電子襯底的清洗組合物的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于微電子襯底的清洗和剝離組合物，特別是用于清洗含鋁微電子元件中的含金屬殘留物而不引起過度的鋁腐蝕。本發明還涉及通道的清洗，該通道穿過微電子元件的金屬層，如鈦層或一氮化鈦層，同時適合于底層鋁結構，即在微電子元件上引起極少或不引起金屬腐蝕。本發明另外涉及此類清洗組合物，其也能夠清洗來自其它通道和金屬管線的灰化后(post-ash)殘留物以及清洗或剝離來自微電子襯底的未灰化(unash)光致抗蝕劑。本發明的其他方面是清洗或剝離含鋁微電子元件中的光致抗蝕劑和殘留物而不以引起過度鋁腐蝕的方法。
背景技術：
在微電子設備制造過程中，使用光致抗蝕劑轉印圖像到微電子襯底上以產生想要的電路層。許多微電子設備是敷鋁的。另外，微電子襯底可以使用金屬如鈦、一氮化鈦、鎢等作為粘合促進劑和擴散膜(diffusion barries)。
許多堿性微電子剝離和清洗組合物已被建議用于從這些微電子襯底上去除交聯的和固化的光致抗蝕劑和其它殘留物(如蝕刻后殘留物)。然而，此類剝離和清洗組合物存在的一個問題是，使用此類清洗組合物導致發生金屬腐蝕的可能性。該腐蝕產生晶須、銹斑、金屬管線缺口，至少部分因為裝置襯底中的金屬與所用的堿性剝離劑反應。一種此類堿性微電子剝離和清洗組合物公開于US專利No.5,308,745中。盡管該專利的剝離和清洗組合物已經在工業上用于自襯底上剝離硬化的和交聯的光致抗蝕劑，但發現，嘗試用該專利中的清洗組合物清洗具有敷鋁和含有來自如鈦、一氮化鈦、鎢等層的金屬殘留物層的微電子襯底，導致明顯的鋁腐蝕或不能充分清洗金屬殘留物。因此，該專利的清洗組合物在清洗穿過鈦、一氮化鈦、鎢等底層的通道的應用中受到限制。
因此需要可以有效地去除此類金屬殘留物的微電子剝離和清洗組合物，而無任何明顯的由該剝離和清洗組合物導致的鋁腐蝕。除了清洗這些金屬殘留物之外，剝離和清洗組合物還需要有效地清洗來自其它通道和金屬線的灰化后殘留物，以及清洗襯底中的未灰化光致抗蝕劑殘留物。
發明概述根據本發明，提供用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物，該組合物包括至少一種有機剝離溶劑，至少一種親核胺，至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約3重量％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的親核胺，使得剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，至少一種選自二甘醇和二甘醇胺(diethylene glycolamine)的去除金屬化合物，和水，以及用這些組合物清洗微電子襯底的方法。
本發明用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物包含a)至少一種有機剝離溶劑，b)至少一種親核胺，c)至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約重量3％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的親核胺，使得該剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，d)至少一種去除金屬化合物，該化合物選自二甘醇和二甘醇胺，和e)水。
組合物可以另外包含一種或多種組分如絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
根據本發明清洗微電子襯底的方法包括清洗微電子襯底而不產生任何明顯金屬腐蝕的方法，所述襯底含有至少一種光致抗蝕劑聚合物材料、蝕刻殘留物和金屬殘留物，該方法包括使該襯底與清洗組合物接觸一段足以清洗襯底的時間，其中該清洗組合物包括a)至少一種有機剝離溶劑，b)至少一種親核胺，c)至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約3重量％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的親核胺，使得該剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，d)至少一種去除金屬化合物，選自二甘醇和二甘醇胺，和
e)水。
用于本發明方法的組合物可以另外包含一種或多種組分如絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。根據本發明清洗微電子襯底的方法對清洗襯底特別有用，該襯底包括具有通道和含有來自鈦層和/或一氮化鈦層至少之一的金屬殘留物的敷鋁襯底。
發明詳述和具體實施方案本發明提供用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物，該組合物包括至少一種有機剝離溶劑，至少一種親核胺，至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約3重量％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的親核胺，使得剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，至少一種去除金屬化合物，選自二甘醇和二甘醇胺，和水，以及用這些組合物清洗微電子襯底的方法。
本發明用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物包含a)至少一種有機剝離溶劑，b)至少一種親核胺，c)至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約重量3％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的親核胺，使得該剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，d)至少一種去除金屬化合物，選自二甘醇和二甘醇胺，和e)水。
組合物可以另外包含一種或多種組分如絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
所述至少一種有機剝離溶劑一般以約20～約80wt％、優選約30～約75wt％和更優選約40～約60wt％的量存在于組合物中。有機剝離溶劑一般是一種溶解度參數為約8～約15的溶劑，該溶解度參數通過三個Hansen溶解度參數(分散、極性和氫鍵)的總和取平方根而獲得。溶劑體系可以包含一種或多種此類溶劑。適合的溶劑包括，但不限于，2-吡咯烷酮，1-甲基-2-吡咯烷酮，1-乙基-2-吡咯烷酮，1-丙基-2-吡咯烷酮，1-羥乙基-2-吡咯烷酮，1-羥丙基-2-吡咯烷酮等； 二甘醇單烷基醚， 如通式為HO-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-R的這類醚，其中R是1～4個碳原子的烷基；含有硫氧化物如通式R1-S(O)(O)-R2的二烷基砜化合物，其中R1和R2是1～4個碳原子的烷基；二甲亞砜(DMSO)；四氫噻吩-1，1-二氧化物化合物，如環丁砜，甲基環丁砜和烷基環丁砜，二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺。優選溶劑是N-甲基吡咯烷酮。
本發明組合物的至少一種親核胺組分一般以約1～約50wt％、優選約10～約45wt％和更優選約20～約30wt％的量存在于組合物中。可用于本發明的堿性剝離劑組分還包括許多結構類型。它們的離解常數以pK值表示，一般對于β-氧或氮取代的胺為約9～約11，對于仲胺為約8.3，嗎啉和羥胺和羥胺衍生物具有較低的pK值。在這些可以使用的堿性組分中，可以提到的是親核胺，優選例如烷醇胺，特別是單乙醇胺，1-氨基-2-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，2-氨基乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙胺等。相比胺的實際pK值更重要的是其親核性應該高。最優選該親核胺是單乙醇胺或1-氨基-2-丙醇。
本發明組合物的不含氮弱酸組分一般以約0.5～約10wt％、優選約1～約8wt％和更優選約2～約6wt％的量存在于組合物中。可以應用于本發明的不含氮弱酸包括有機酸如羧酸或苯酚，以及無機酸(如碳酸或氫氟酸)的鹽。弱酸指在水溶液中用離解常數“pK”表示的酸強度為至少2.0或更高、優選2.5或更高。特別有用的弱酸的pK＞2.0且優選當量低于約140。可用于本發明的此類不含氮的弱酸的實例可以提到，例如，羧酸如乙酸，鄰苯二甲酸，苯氧基乙酸等，有機酸如2-巰基苯甲酸，2-巰基乙醇等，pK通常為在9～10的苯酚類，如苯酚，鄰苯二酚，1，3，5-三羥基苯，鄰苯三酚，間苯二酚，4-叔丁基鄰苯二酚等，和無機酸如碳酸，氫氟酸等等。本發明剝離組合物中所用的弱酸量為中和約3重量％～約75重量％、優選約19重量％～約75重量％的存在于剝離劑組合物中胺的量，從而導致所述剝離劑組合物的水漂洗液的pH為約pH 9.6～約10.9。最優選弱酸是鄰苯二酚。
所述至少一種去除金屬組分是二甘醇或二甘醇胺或它們的混合物。該組分一般以約0.5～約40wt％、優選約1～約20wt％和更優選約5～約15wt％的量存在于組合物中。該組分優選是二甘醇。
本發明的清洗和剝離組合物是堿性含水組合物，水一般以約0.5～約50wt％、優選約1～約35wt％和更優選約5～約20wt％的量存在。
本發明的組合物也可以任選含有其它附加組分。該任選的附加組分包括絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
有機或無機螯合劑或金屬絡合劑/腐蝕抑制劑不是必需的，但是可以任選包含于本發明的組合物中，而獲得顯著的益處，例如當引入本發明的含水清洗組合物時改善了產品穩定性。適合的螯合劑或絡合劑的實例包括但不限于反式-1，2-環己二胺四乙酸(CyDTA)，乙二胺四乙酸(EDTA)，錫酸鹽，焦磷酸鹽，亞烷基-二磷酸衍生物(例如乙烷-1-羥基-1，1-二磷酸鹽)，含有乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺官能部分的膦酸鹽[例如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)，三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)。以組合物的重量為準計，螯合劑可以0～約5wt％、優選約0.1～約2wt％的量存在于組合物中。
本發明的含水清洗組合物還可以任選含有其它腐蝕抑制劑和應用于微電子清潔化合物組合物的類似的無腐蝕組分。化合物可以包括間苯二酚，五倍子酸，沒食子酸丙酯，鄰苯三酚，氫醌，苯并三唑和苯并三唑的衍生物，和多官能團羧酸如檸檬酸，酒石酸，葡糖酸，糖二酸，甘油酸，草酸，鄰苯二甲酸，馬來酸，扁桃酸，丙二酸，乳酸，和水楊酸。
這些其它的腐蝕抑制劑可以任何適合的量存在，含量一般為約0～約5wt％、優選約0.1～約3wt％和更優選約0.2～約2wt％。
本發明的組合物也可以任選含有任何適合的水可溶兩性、非離子、陽離子或陰離子的表面活性劑。表面活性劑的加入將降低制劑的表面張力，改善欲清洗表面的潤濕，由此提高組合物的清洗作用。如果還需要抑制鋁腐蝕，也可以加入表面活性劑以減少鋁腐蝕速率。對本發明組合物有用的兩性表面活性劑包括甜菜堿和磺基甜菜堿，如烷基甜菜堿，氨基烷基甜菜堿，烷基磺基甜菜堿和氨基烷基磺基甜菜堿；氨基羧酸衍生物如兩性甘氨酸鹽(酯)，兩性丙酸鹽(酯)，兩性二甘氨酸鹽(酯)，和兩性二丙酸鹽(酯)；亞氨基二酸如烷氧基烷基亞氨基二酸或烷氧基烷基亞氨基二酸；氧化胺如烷基胺氧化物和烷基酰胺基烷基胺氧化物；氟烷基磺酸鹽和氟化烷基兩性表面活性劑；和它們的混合物。優選，兩性表面活性劑是椰油酰胺基丙基甜菜堿，椰油酰胺基丙基二甲基甜菜堿，椰油酰胺基丙基羥基磺基甜菜堿(cocoamidopropyl hydroxyl sultaine)，辛酰基兩性二丙酸鹽(酯)(capryloamphodipropionate)，椰油酰胺基二丙酸鹽(酯)(cocoamidodipropionate)，椰油基兩性丙酸鹽(酯)(cocoamphopropionate)，椰油基兩性羥乙基丙酸鹽(酯)，異癸氧基丙基亞氨基二丙酸，月桂基亞氨基二丙酸鹽(酯)，氧化椰油酰胺基丙基胺和氧化椰油胺(cocoamine oxide)和氟化烷基兩性表面活性劑。對本發明組合物有用的非離子型表面活性劑包括炔二醇，乙氧基化炔二醇，氟化烷基烷氧基化物，氟化烷基酯，氟化聚氧化乙烯鏈烷醇，多元醇的脂肪酸酯，聚氧化乙烯單烷基醚，聚氧化乙烯二醇，硅氧烷型表面活性劑，和亞烷基二醇單烷基醚。
優選，非離子型表面活性劑是炔二醇或乙氧基化炔二醇。對本發明組合物有用的陰離子表面活性劑包括羧酸鹽(酯)，N-酰基肌氨酸鹽(酯)，磺酸鹽(酯)，硫酸鹽(酯)，和正磷酸的單酯(鹽)和二酯(鹽)如磷酸癸酯(鹽)。優選，陰離子表面活性劑是不含金屬的表面活性劑。對本發明組合物有用的陽離子表面活性劑包括胺乙氧基化物，二烷基二甲基銨鹽，二烷基嗎啉鎓鹽，烷基芐基二甲基銨鹽，烷基三甲基銨鹽，和烷基吡啶鎓鹽。優選，陽離子表面活性劑是不含鹵素的表面活性劑。尤其適合的表面活性劑實例包括，但不限于3，5-二甲基-已炔-3-醇(Surfynol-61)，乙氧基化2，4，7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇(Surfynol-465)，聚四氟乙烯鯨蠟氧基丙基甜菜堿(polytetrafluoroethylenecetoxypropylbetaine)(Zonyl FSK)，Zonyl FSH，Triton X-100，即辛基苯氧基聚乙氧基乙醇等。表面活性劑一般可以0～約5wt％、優選約0.001～約3wt％的量存在于組合物中，基于組合物的重量。
本發明清洗組合物的實例包括，但不限于，下面表1、2、3和4中闡述的組合物。在表1、2、3和4中以及下面表5～9中，使用的縮寫如下NMP＝N-甲基吡咯烷酮DMSO＝二甲亞砜DMAC＝二甲基乙酰胺DMF＝二甲基甲酰胺DEG＝二甘醇DEGA＝二甘醇胺CAT＝鄰苯二酚MEA＝單乙醇胺AMP＝1-氨基-2-丙醇表1組合物/重量份
表2組合物/重量份
表3組合物/重量份
表4組合物/重量份
本發明清洗組合物突出的清洗和無腐蝕性能相比用其它多羥基化合物代替DEG和DEGA的類似組合物通過下面的清洗實施例1～11說明。幾種清洗組合物通過混合26g NMP，20g單乙醇胺，1g鄰苯二酚，4g去離子水和8g清潔化合物而制備，該清潔化合物選自下列二甘醇(DEG)，二甘醇胺(DEGA)，三甘醇，四甘醇，乙二醇，丙二醇，N-甲基乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-丁烯-1，4-二醇和2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇。將具有“穿透”通道結構的圖案化Al工藝薄片(wafer)樣品(通道蝕刻通過Si和TiN到Al層)置于這種加熱到85℃的溶液中20分鐘，之后將其取出，在去離子水中漂洗兩分鐘，用氮氣吹干。用于對比，在購買的US專利5,308,745的剝離組合物(含有NMP、環丁砜、MEA，鄰苯二酚和去離子水)中清洗相同的薄片。然后評價該經清洗的薄片對灰化殘留物的去除(0＝沒有去除，至10＝100％去除)和鋁腐蝕(0＝沒有腐蝕，至10＝腐蝕)的性能，如表5所注釋。
表5
僅有DEG和DEGA提供優異的灰化殘留物去除和鋁腐蝕抑制。在下面實施例12～29示范性給出了在各種時間和溫度以及不同制劑的清洗條件下，本發明清洗組合物的實用性。
實施例12～16幾種清洗組合物通過混合1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，單乙醇胺(MEA)，二甘醇胺(DEGA)，鄰苯二酚(CAT)和去離子水而制備，其量顯示如下。將與實施例1～11使用的相同類型的具有“穿透”通道的圖案化Al工藝薄片樣品置于加熱到85℃的這些溶液中20分鐘，將其取出之后，在去離子水中漂洗兩分鐘，用氮氣吹干。然后評價該經清洗的薄片對灰化殘留物的去除(0＝沒有去除，至10＝100％去除)和鋁腐蝕(0＝沒有腐蝕，至10＝嚴重腐蝕)，如表6注釋。
表6
實施例17～22幾種清洗組合物通過混合26g NMP，15g單乙醇胺(MEA)，5g二甘醇胺(DEGA)或二甘醇(DEG)，3g鄰苯二酚(CAT)，和7g去離子水而制備。將與先前實施例使用的相同類型的具有“穿透”通道的圖案化Al工藝薄片樣品置于這些加熱到如下所示溫度的溶液中20分鐘，之后將其取出，在去離子水中漂洗兩分鐘，用氮氣吹干。然后評價該經清洗的薄片對灰化殘留物的去除(0＝沒有去除，至10＝100％去除)和鋁腐蝕(0＝沒有腐蝕，至10＝嚴重腐蝕)，如下面表7注釋。
表7
實施例23～25幾種清洗組合物通過混合1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，單乙醇胺(MEA)，二甘醇(DEG)，鄰苯二酚(CAT)和去離子水而制備，其量顯示如下。與先前實施例使用的相同類型的、具有“穿透”通道的圖案化Al工藝薄片樣品置于加熱到65℃的這些溶液中20分鐘，將其取出之后，在去離子水中漂洗兩分鐘，用氮氣吹干。然后評價該經清洗的薄片對灰化殘留物的去除(0＝沒有去除，至10＝100％去除)和鋁腐蝕(0＝沒有腐蝕，至10＝嚴重腐蝕)，如下面表8注釋。
表8
實施例26～29幾種清洗組合物通過混合46g選自1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N，N-二甲基乙酰胺(DMAC)或二甲亞砜(DMSO)的溶劑，23g單乙醇胺(MEA)或1-氨基-2-丙醇(AMP)；11g二甘醇(DEG)，5g鄰苯二酚(CAT)，和15g去離子水而制備。與先前實施例使用的相同類型的、具有“穿透”通道的圖案化Al工藝薄片樣品置于加熱到65℃的這些溶液中20分鐘，之后將其取出，在去離子水中漂洗兩分鐘，用氮氣吹干。然后評價該經清洗的薄片對灰化殘留物的去除(0＝沒有去除，至10＝100％去除)和鋁腐蝕(0＝沒有腐蝕，至10＝嚴重腐蝕)，如下面表9注釋。
表9
盡管本發明參考其特定實施方式已進行了描述，但應認識到，可以進行改變、修改和變化而不脫離本發明在此公開的實質和范圍。因此，其意指本發明包含所有落入所附權利要求的精神和范圍內的這些改變、修改和變化。
權利要求
1.一種用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物，該組合物包含a)至少一種有機剝離溶劑，b)至少一種親核胺，c)至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約3重量％～約75重量％的親核胺，使得該剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，d)至少一種去除金屬化合物，選自二甘醇和二甘醇胺，和e)水。
2.根據權利要求1所述的組合物，其中所述至少一種親核胺包括鏈烷醇胺。
3.根據權利要求1所述的組合物，其中所述至少一種有機剝離溶劑選自N-甲基吡咯烷酮，二甲基乙酰胺和二甲亞砜。
4.根據權利要求3所述的組合物，其中所述至少一種親核胺包括鏈烷醇胺。
5.根據權利要求4所述的組合物，其中鏈烷醇胺選自單乙醇胺和1-氨基-2-丙醇。
6.根據權利要求5所述的組合物，其中所述至少一種弱酸包括鄰苯二酚。
7.根據權利要求6所述的組合物，其中所述至少一種有機剝離溶劑包括N-甲基吡咯烷酮，所述鏈烷醇胺包括單乙醇胺，和所述至少一種去除金屬化合物包括二甘醇。
8.根據權利要求1所述的組合物，該組合物還包括一種或多種選自以下的組分絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
9.根據權利要求7所述的組合物，該組合物還包括一種或多種選自以下的組分絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
10.根據權利要求1所述的組合物，該組合物還包括約20～約80wt％的所述至少一種剝離溶劑，約1～約50wt％的所述至少一種親核胺，約0.5～約40wt％的所述至少一種去除金屬化合物，約0.5～約10wt％的所述至少一種弱酸，和約0.5～約50wt％的水。
11.根據權利要求7所述的組合物，該組合物包括約20～約80wt％的N-甲基吡咯烷酮，約1～約50wt％的單乙醇胺，約0.5～約40wt％的二甘醇，約0.5～約10wt％的鄰苯二酚，和約0.5～約50wt％的水。
12.根據權利要求1所述的組合物，該組合物包括約40～約60wt％的所述至少一種有機剝離溶劑，約20～約30wt％的所述至少一種親核胺，約5～約15wt％的所述至少一種去除金屬化合物，約2～約6wt％的所述至少一種弱酸，和約5～約20wt％的水。
13.根據權利要求7所述的組合物，該組合物包括約40～約60wt％的N-甲基吡咯烷酮，約20～約30wt％的單乙醇胺，約5～約15wt％的二甘醇，約2～約6wt％的鄰苯二酚，和約5～約20wt％的水。
14.根據權利要求13所述的組合物，該組合物包括約46wt％的N-甲基吡咯烷酮，約23wt％的單乙醇胺，約11wt％的二甘醇，約5wt％的鄰苯二酚，和約15wt％的水。
15.一種清洗微電子襯底而不產生任何明顯金屬腐蝕的方法，該襯底含有至少一種光致抗蝕劑聚合物材料、刻蝕殘留物和金屬殘留物，該方法包括使襯底與清洗組合物接觸一段足以清洗襯底的時間，其中清洗組合物包括a)至少一種有機剝離溶劑，b)至少一種親核胺，c)至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約重量3％～約75重量％的親核胺，使得該剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，d)至少一種去除金屬化合物，該化合物選自二甘醇和二甘醇胺，和e)水。
16.根據權利要求15所述的方法，其中所述至少一種親核胺包括鏈烷醇胺。
17.根據權利要求15所述的方法，其中所述至少一種有機剝離溶劑選自N-甲基吡咯烷酮，二甲基乙酰胺和二甲亞砜。
18.根據權利要求17所述的方法，其中所述至少一種親核胺包括鏈烷醇胺。
19.根據權利要求18所述的方法，其中鏈烷醇胺選自單乙醇胺和1-氨基-2-丙醇。
20.根據權利要求19所述的方法，其中所述至少一種弱酸包括鄰苯二酚。
21.根據權利要求20所述的方法，其中所述至少一種有機剝離溶劑包括N-甲基吡咯烷酮，所述鏈烷醇胺包括單乙醇胺，和所述至少一種去除金屬化合物包括二甘醇。
22.根據權利要求15所述的方法，其中所述組合物還包括一種或多種選自以下的組分絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
23.根據權利要求21所述的方法，其中所述組合物還包括一種或多種選自以下的組分絡合金屬化合物/耐蝕化合物，其它腐蝕抑制劑和表面活性劑。
24.根據權利要求15所述的方法，其中所述組合物包括約20～約80wt％的所述至少一種剝離溶劑，約1～約50wt％的所述至少一種親核胺，約0.5～約40wt％的所述至少一種去除金屬化合物，約0.5～約10wt％的所述至少一種弱酸，和約0.5～約50wt％的水。
25.根據權利要求21所述的方法，其中所述組合物包括約20～約80wt％的N-甲基吡咯烷酮，約1～約50wt％的單乙醇胺，約0.5～約40wt％的二甘醇，約0.5～約10wt％的鄰苯二酚，和約0.5～約50wt％的水。
26.根據權利要求15所述的方法，其中所述組合物包括約40～約60wt％的所述至少一種有機剝離溶劑，約20～約30wt％的所述至少一種親核胺，約5～約15wt％的所述至少一種去除金屬化合物，約2～約6wt％的所述至少一種弱酸，和約5～約20wt％的水。
27.根據權利要求21所述的方法，其中所述組合物包括約40～約60wt％的N-甲基吡咯烷酮，約20～約30wt％的單乙醇胺，約5～約15wt％的二甘醇，約2～約6wt％的鄰苯二酚，和約5～約20wt％的水。
28.根據權利要求27所述的方法，包括約46wt％的N-甲基吡咯烷酮，約23wt％的單乙醇胺，約11wt％的二甘醇，其中所述組合物約5wt％的鄰苯二酚，和約15wt％的水。
29.根據權利要求15所述的方法，其中所述襯底包括具有通道并含有金屬殘留物的敷鋁襯底。
30.根據權利要求29所述的方法，其中所述金屬殘留物來自選自鈦層和一氮化鈦層中的至少一層。
31.根據權利要求21所述的方法，其中所述襯底包括具有通道并含有金屬殘留物的敷鋁襯底。
32.根據權利要求31所述的方法，其中所述金屬殘留物來自選自鈦層和一氮化鈦層中的至少一層。
全文摘要
本發明提供一種用于清洗微電子襯底的剝離和清洗組合物，該組合物包括至少一種有機剝離溶劑，至少一種親核胺，至少一種不含氮的弱酸，其量足以中和約3重量％～約75重量％的親核胺，使得剝離組合物的水相pH為約9.6～約10.9，所述弱酸在水溶液中的pK值為2.0或更大且當量低于140，至少一種去除金屬化合物選自二甘醇和二甘醇胺，和水，以及用這些組合物清洗微電子襯底的方法。
文檔編號C11D3/20GK1993457SQ200580026242
公開日2007年7月4日 申請日期2005年6月23日 優先權日2004年8月3日
發明者肖恩·M·凱恩 申請人:馬林克羅特貝克公司