經顱磁刺激定位帽及其標記方法
【專利摘要】本發明公開一種經顱磁刺激定位帽,包括:與人腦外形適配的殼體,所述殼體上對應設有用于標記兩個大腦半球、四個腦葉、腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標記部。本發明實現的成本低,降低了患者的醫療費用;操作方便,省時省力,提高了設備的利用率。定位帽中的多部位標記信息使刺激部位比較精確,便于科研時的刺激部位的定位描述與重復刺激。解決了傳統靠目測與經驗刺激定位的不確定性,能提高刺激神經的功能調制與治療效果。
【專利說明】
經顱磁刺激定位帽及其標記方法
技術領域
[0001]本發明涉及經顱磁刺激技術領域,尤其涉及一種由腦葉、腦運動功能區分布、腦電圖電極定位系統組成的經顱磁刺激定位帽及其標記方法。
【背景技術】
[0002]經顱磁刺激技術是一種無創性大腦刺激與神經功能調制的方法,利用電磁感應的原理,由高壓儲能電容充電,在極短的時間內向刺激線圈放電,強大的電流在線圈周圍產生瞬間變化的磁場,可毫無損耗的穿過顱骨,在顱內產生感應電流,刺激局部大腦神經細胞去極化,或者影響局部電位,改變神經代謝和腦血流的變化,產生一系列生理生化反應。
[0003]經顱磁刺激技術廣泛應用于神經、精神、康復、兒科臨床診斷、治療和科研領域。
[0004]雖然經顱磁刺激技術在臨床得到了廣泛應用,但在使用過程中,仍然存在很多未解決的技術問題,其中根據疾病的不同找到最佳刺激部位、在治療中每次重復刺激部位的準確性一直困擾著臨床醫護人員,對經顱磁刺激的發展與普及不利。
[0005]目前,經顱磁刺激技術常常與腦電圖的記錄相結合,刺激部位也用腦電圖電極分部的規律來描述,創立了磁刺激誘發腦電圖一門學科,臨床上還可以用腦電圖的變化反饋調制磁刺激的參數,形成一門新的生物反饋治療學。
[0006]最初使用者用自己的醫學常識,根據目測與經驗,估計大腦功能區分布及體表投影的大概位置進行粗略定位,需要反復移動刺激線圈找準刺激部位,比較耗時費力,結果并不十分理想,隨著技術的發展,國外出現了 MRI指導下的無框架紅外線導航系統,機器手重復刺激定位輔助裝置、刺激定位的精度比較好,但由于成本高,操作費時,增加了醫療成本,限制了在臨床的推廣;國內也出現簡單的磁刺激定位帽,但只有大腦的運動區的體表投影,不能滿足臨床的多病種、多部位刺激的定位需要,不能與腦電圖的實時記錄與反饋的發展趨勢相適應,不能具體的描述刺激部位。因此,應用價值有限。
【發明內容】
[0007]為了克服現有技術的不足,本發明提出一種成本低、操作方便、實現刺激部位精確定位的經顱磁刺激定位帽及其標記方法。
[0008]為了達到上述目的,本發明提出一種經顱磁刺激定位帽,包括:與人腦外形適配的殼體,所述殼體上對應設有用于標記兩個大腦半球、四個腦葉、腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標記部。
[0009]優選地,所述標記兩個大腦半球的標記部為區分兩側大腦半球的中線。
[0010]優選地,所述四個腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。
[0011]優選地,所述腦電圖電極部位對應的標記部包括標記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點通過中央點至右耳前的橫位線,以及側位線。
[0012]優選地,各標記部以絲印層的方式設置在所述殼體上。
[0013]本發明還提出一種定位帽標記方法,包括:
[0014]根據大腦功能區分布及大腦解剖學體表投影,在定位帽上標出區分兩側大腦半球的中線,標明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個腦葉;
[0015]利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點。
[0016]優選地,奇數表示左側,偶數表示右側,所述利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點的步驟包括:
[0017]前后矢狀線標記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線,在此線上,由前至后依次標出5個點,額極中點(Fpz)、額中點(Fz)、中央點(Cz)、頂點(Pz)、枕點(Oz);額極中點至鼻根的距離和枕點至枕外粗隆的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線全長的20%相隔;
[0018]橫位:從左耳前點通過中央點(Cz)至右耳前做一連線,在此連線上,從左到右依次標出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點與耳前點的距離占此線全長的10%,其余各點(包括Cz點)均以此連線全長的20%相隔;
[0019]側位:從Fpz點向后通過Τ3、Τ4點至枕點分別取左右側連線,在左右側連線上由前至后對稱地標出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點;Fpl、Fp2點至額極中點(Fpz)的距離與01、02點至Oz點的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線的20%相隔;
[0020]左額(F3)位于Fp I與C3點的中間,右額(F4)位于Fp2與C4點的中間;左頂(P3)位于C3與01點的中間,右頂(P4)位于C4與02點的中間。
[0021]本發明提出的一種經顱磁刺激定位帽及其標記方法,實現的成本低,降低了患者的醫療費用;操作方便,省時省力,提高了設備的利用率。定位帽中的多部位標記信息使刺激部位比較精確,便于科研時的刺激部位的定位描述與重復刺激。解決了傳統靠目測與經驗刺激定位的不確定性,能提高刺激神經的功能調制與治療效果。
[0022]本發明經顱磁刺激定位帽相比傳統的輔助定位裝置具有如下有益效果:
[0023]1、結構簡單,制作方便,降低設備成本及患者的醫療成本,不用使用導航,增加額外的醫療費用。
[0024]2、操作方便,省時省力,最大限度地提高了醫護人員的工作效率。
[0025]3、劃分了大腦功能區,每個功能區的定位點,結合疾病的特點,指導醫護人員定點刺激。
[0026]4、加快了經顱磁刺激技術的發展,推動經顱磁刺激技術在國內的推廣,在更多更廣的領域為人類服務。
[0027]5、刺激部位精確,針對性更強,在最短的時間達到最佳的治療效果,同時減少了患者的治療周期及治療費用。
【附圖說明】
[0028]圖1是本發明經顱磁刺激定位帽的立體結構框圖;
[0029]圖2是本發明經顱磁刺激定位帽的左視圖;
[0030]圖3是本發明經顱磁刺激定位帽的右視圖;
[0031]圖4是本發明經顱磁刺激定位帽的主視圖;
[0032]圖5是本發明經顱磁刺激定位帽的后視圖;
[0033]圖6是本發明經顱磁刺激定位帽的俯視圖。
[0034]為了使本發明的技術方案更加清楚、明了,下面將結合附圖作進一步詳述。
【具體實施方式】
[0035]應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
[0036]如圖1-圖6所示,本發明較佳實施例提出的一種經顱磁刺激定位帽,包括:與人腦外形適配的殼體1,所述殼體I上對應設有用于標記兩個大腦半球、四個腦葉、腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標記部。
[0037]其中,所述標記兩個大腦半球的標記部為區分兩側大腦半球的中線。
[0038]所述四個腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。
[0039]所述腦電圖電極部位對應的標記部包括標記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點通過中央點至右耳前的橫位線,以及側位線。
[0040]各標記部以絲印層的方式設置在所述殼體I上。
[0041]本發明經顱磁刺激定位帽是把大腦皮質復雜功能結構在頭顱表面做若干個投影點,基于常用的腦電圖電極定位10-20系統或者10-10系統,把腦葉、腦電圖電極部位,耳孔與枕后粗隆的部位作為記號絲印到具有彈性的帽子上,戴帽子時對準雙側耳孔和枕后粗隆的標記3點可以定出一個立體面,作為帶帽的基準。
[0042]具體實現方案如下:
[0043]本發明經顱磁刺激定位帽根據大腦功能區分布及大腦解剖學體表投影,標出區分兩側大腦半球的中線,標明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個腦葉,用藍線標識,方便醫護人員根據定位帽的視覺化區分和腦電圖(10-20)(10-10)系統的標準部位,更快更準地找到最佳刺激部位。
[0044]利用國際腦電圖10-20(10-10)系統電極放置法即國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點,奇數表示左側,偶數表示右側。具體方法如下:
[0045]①、前后矢狀線標記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線,在此線上,由前至后依次標出5個點,額極中點(Fpz)、額中點(Fz)、中央點(Cz)、頂點(Pz)、枕點(Oz)。額極中點至鼻根的距離和枕點至枕外粗隆的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線全長的20%相隔。
[0046]②、橫位:從左耳前點(耳屏前顴弓根凹陷處)通過中央點(Cz)至右耳前做一連線,在此連線上,從左到右依次標出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)右顳中(T4KT3、T4點與耳前點的距離占此線全長的10%,其余各點(包括Cz點)均以此連線全長的20%相隔。
[0047]③、側位:從Fpz點向后通過T3、T4點至枕點分別取左右側連線,在左右側連線上由前至后對稱地標出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點。FpKFp2點至額極中點(Fpz)的距離與01、02點至Oz點的距離各占此連線全長的10%,其余各點(包括T3、T4)均以此連線的20%相隔。
[0048]④、左額(F3)位于Fpl與C3點的中間,右額(F4)位于Fp2與C4點的中間;左頂(P3)位于C3與01點的中間,右頂(P4)位于C4與02點的中間。
[0049]刺激帽根據腦電圖電極與大腦皮質分葉和溝回之間的解剖關系,在定位帽上標定出雙側大腦皮質運動功能區的部位,因為運動區的定位是磁刺激引起靶肌動作最基礎的刺激點。
[0050]經顱磁刺激首先要個體化的確定閾刺激,要找準運動皮質拇指部位,以引出拇短展肌發生運動的最小刺激強度作為閾刺激強度,用閾強度的百分比來確定刺激強度,所以快速找出拇指的皮質運動區是實施經顱磁刺激技術的基礎。
[0051 ] 臨床適應癥中很多疾病都引起運動功能障礙,如腦卒中運動障礙、脊髓損傷、帕金森病等,大腦皮質運動中樞是軀體運動的最高級中樞,位于大腦皮質中央前回的4區和6區,依照解剖學位置及大腦皮質運動區對軀體運動的調節特點,經顱磁刺激定位帽標識了軀體運動中樞,包括頭面部、手指、軀干、四肢,一側運動皮質支配另一側軀體肌肉的活動;特定的皮質功能區域支配對側的靶肌,使用刺激帽具有幫助精細的功能區定位。
[0052]本技術在定位帽上反映出人的2個大腦半球、4個腦葉、常用腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆標記點,所含信息多,便于操作、便于多次治療能夠在同一部位的重復準確刺激。
[0053]本技術實現的成本低,降低了患者的醫療費用;操作方便,省時省力,提高了設備的利用率。定位帽中的多部位標記信息使刺激部位比較精確,便于科研時的刺激部位的定位描述與重復刺激。解決了傳統靠目測與經驗刺激定位的不確定性,能提高刺激神經的功能調制與治療效果。
[0054]本發明經顱磁刺激定位帽相比傳統的輔助定位裝置,具有如下優點:
[0055]1、結構簡單,制作方便,降低設備成本及患者的醫療成本,不用使用導航,增加額外的醫療費用。
[0056]2、操作方便,省時省力,最大限度地提高了醫護人員的工作效率。
[0057]3、劃分了大腦功能區,每個功能區的定位點,結合疾病的特點,指導醫護人員定點刺激。
[0058]4、加快了經顱磁刺激技術的發展,推動經顱磁刺激技術在國內的推廣,在更多更廣的領域為人類服務。
[0059]5、刺激部位精確,針對性更強,在最短的時間達到最佳的治療效果,同時減少了患者的治療周期及治療費用。
[0060]此外,本發明還提出一種定位帽標記方法,包括:
[0061]步驟1,根據大腦功能區分布及大腦解剖學體表投影,在定位帽上標出區分兩側大腦半球的中線,標明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個腦葉;
[0062]步驟2,利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點。
[0063]具體地,奇數表示左側,偶數表示右側,所述利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點的步驟包括:
[0064]前后矢狀線標記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線,在此線上,由前至后依次標出5個點,額極中點(Fpz)、額中點(Fz)、中央點(Cz)、頂點(Pz)、枕點(Oz);額極中點至鼻根的距離和枕點至枕外粗隆的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線全長的20%相隔;
[0065]橫位:從左耳前點通過中央點(Cz)至右耳前做一連線,在此連線上,從左到右依次標出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點與耳前點的距離占此線全長的10%,其余各點(包括Cz點)均以此連線全長的20%相隔;
[0066]側位JJvFpz點向后通過T3、T4點至枕點分別取左右側連線,在左右側連線上由前至后對稱地標出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點;Fpl、Fp2點至額極中點(Fpz)的距離與01、02點至Oz點的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線的20%相隔;
[0067]左額(F3)位于Fp I與C3點的中間,右額(F4)位于Fp2與C4點的中間;左頂(P3)位于C3與01點的中間,右頂(P4)位于C4與02點的中間。
[0068]刺激帽根據腦電圖電極與大腦皮質分葉和溝回之間的解剖關系,在定位帽上標定出雙側大腦皮質運動功能區的部位,因為運動區的定位是磁刺激引起靶肌動作最基礎的刺激點。
[0069]經顱磁刺激首先要個體化的確定閾刺激,要找準運動皮質拇指部位,以引出拇短展肌發生運動的最小刺激強度作為閾刺激強度,用閾強度的百分比來確定刺激強度,所以快速找出拇指的皮質運動區是實施經顱磁刺激技術的基礎。
[0070]臨床適應癥中很多疾病都引起運動功能障礙,如腦卒中運動障礙、脊髓損傷、帕金森病等,大腦皮質運動中樞是軀體運動的最高級中樞,位于大腦皮質中央前回的4區和6區,依照解剖學位置及大腦皮質運動區對軀體運動的調節特點,經顱磁刺激定位帽標識了軀體運動中樞,包括頭面部、手指、軀干、四肢,一側運動皮質支配另一側軀體肌肉的活動;特定的皮質功能區域支配對側的靶肌,使用刺激帽具有幫助精細的功能區定位。
[0071]本技術在定位帽上反映出人的2個大腦半球、4個腦葉、常用腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆標記點,所含信息多,便于操作、便于多次治療能夠在同一部位的重復準確刺激。
[0072]上述僅為本發明的優選實施例,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或流程變換,或直接或間接運用在其它相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種經煩磁刺激定位帽,其特征在于,包括:與人腦外形適配的殼體,所述殼體上對應設有用于標記兩個大腦半球、四個腦葉、腦電圖電極部位、運動皮質功能區以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標記部。2.根據權利要求1所述的經顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述標記兩個大腦半球的標記部為區分兩側大腦半球的中線。3.根據權利要求1所述的經顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述四個腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。4.根據權利要求1所述的經顱磁刺激定位帽,其特征在于,所述腦電圖電極部位對應的標記部包括標記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點通過中央點至右耳前的橫位線,以及側位線。5.根據權利要求1-4中任一項所述的經顱磁刺激定位帽,其特征在于,各標記部以絲印層的方式設置在所述殼體上。6.一種定位帽標記方法,其特征在于,包括: 根據大腦功能區分布及大腦解剖學體表投影,在定位帽上標出區分兩側大腦半球的中線,標明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個腦葉; 利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點。7.根據權利要求6所述的定位帽標記方法,其特征在于,奇數表示左側,偶數表示右側,所述利用國際腦電圖學會規定的標準電極放置法制成定位標記點的步驟包括: 前后矢狀線標記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線,在此線上,由前至后依次標出5個點,額極中點(Fpz)、額中點(Fz)、中央點(Cz)、頂點(Pz)、枕點(Oz);額極中點至鼻根的距離和枕點至枕外粗隆的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線全長的20%相隔; 橫位:從左耳前點通過中央點(Cz)至右耳前做一連線,在此連線上,從左到右依次標出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點與耳前點的距離占此線全長的10%,其余各點(包括Cz點)均以此連線全長的20%相隔; 側位JAFpz點向后通過Τ3、Τ4點至枕點分別取左右側連線,在左右側連線上由前至后對稱地標出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點;Fpl、Fp2點至額極中點(Fpz)的距離與01、02點至Oz點的距離各占此連線全長的10%,其余各點均以此連線的20%相隔; 左額(F3)位于Fpl與C3點的中間,右額(F4)位于Fp2與C4點的中間;左頂(P3)位于C3與01點的中間,右頂(P4)位于C4與02點的中間。
【文檔編號】A61N2/04GK105879231SQ201510010611
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年1月4日
【發明人】楊亦錚
【申請人】深圳英智科技有限公司