本申請涉及生物醫學工程領域,尤其涉及一種低頻正弦磁神經調控裝置及相關產品。
背景技術:
1、隨著生物醫學和生物技術等領域的發展,磁神經調控技術在大腦疾病的治療方面的應用越來越廣泛。磁神經調控技術是一種通過交變電流產生的磁場,作用于受試者的中樞或外周神經系統,在受試者的中樞或外周神經系統產生電流脈沖,達到調節神經系統興奮性、減輕或治療疾病癥狀的效果的醫療技術。
2、磁神經調控對受試者的大腦產生的刺激通常分為高頻刺激和低頻刺激,高頻刺激用于使受試者的大腦神經元產生興奮,低頻刺激用于抑制受試者的大腦神經元的興奮性。當前的磁神經調控技術中,通常通過控制磁場線圈產生的高頻磁場的通斷來模擬低頻刺激,且產生的磁場為靜態磁場。而在實際大腦疾病的治療中,低頻正弦磁神經調控在抑制受試者的大腦神經元的興奮性上具有較好的效果。
3、由于低頻正弦磁神經調控裝置的刺激強度均為提前設定的刺激強度,在對受試者進行低頻正弦磁神經調控時,對受試者進行刺激時的刺激強度可能存在偏差,導致對受試者進行低頻正弦磁神經調控的精度較低。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中存在的上述問題,本申請實施例提供一種低頻正弦磁神經調控裝置及相關產品,通過檢測磁場線圈產生的低頻正弦磁場的磁場強度,確定受試者靶點區的誘發電場強度,當誘發電場強度與目標刺激強度不同時,通過電流生成電路向磁場線圈發送目標刺激強度對應的目標低頻正弦刺激電流,提高了對受試者進行低頻正弦磁神經調控的精度。
2、第一方面,本申請實施例提供一種低頻正弦磁神經調控裝置,所述低頻正弦磁神經調控裝置包括:中央控制單元、電流生成電路、磁場線圈和磁場強度傳感器;
3、對受試者的靶點區進行低頻正弦磁神經調控時,所述中央控制單元,用于獲取輸入參數,所述輸入參數包括:刺激強度比例和刺激參數;
4、基于所述刺激強度比例和刺激強度閾值,確定目標刺激強度;
5、基于所述目標刺激強度和所述刺激參數,通過所述電流生成電路向所述磁場線圈發送與所述目標刺激強度對應的初始低頻正弦刺激電流;
6、所述磁場線圈,用于生成所述初始低頻正弦刺激電流對應的低頻正弦磁場;
7、所述磁場強度傳感器,用于檢測所述低頻正弦磁場在所述靶點區的初始磁場強度;
8、所述中央控制單元,用于確定所述初始磁場強度在所述靶點區產生的誘發電場強度;若所述誘發電場強度與所述目標刺激強度不同,則基于所述目標刺激強度,確定所述磁場線圈的目標低頻正弦刺激電流;通過所述電流生成電路向所述磁場線圈發送所述目標低頻正弦刺激電流,以使所述磁場線圈產生的低頻正弦磁場在所述靶點區所產生的誘發電場強度為所述目標刺激強度。
9、第二方面,本申請實施例提供一種低頻正弦磁神經調控方法,所述方法應用于低頻正弦磁神經調控裝置,所述低頻正弦磁神經調控裝置包括:中央控制單元、電流生成電路、磁場線圈和磁場強度傳感器;
10、所述方法包括:
11、對受試者的靶點區進行低頻正弦磁神經調控時,獲取輸入參數,所述輸入參數包括:刺激強度比例和刺激參數;
12、基于所述刺激強度比例和刺激強度閾值,確定目標刺激強度;
13、基于所述目標刺激強度和所述刺激參數,通過所述電流生成電路向所述磁場線圈發送與所述目標刺激強度對應的初始低頻正弦刺激電流;
14、生成所述初始低頻正弦刺激電流對應的低頻正弦磁場;
15、檢測所述低頻正弦磁場在所述靶點區的初始磁場強度;
16、確定所述初始磁場強度在所述靶點區產生的誘發電場強度;若所述誘發電場強度與所述目標刺激強度不同,則基于所述目標刺激強度,確定所述磁場線圈的目標低頻正弦刺激電流;通過所述電流生成電路向所述磁場線圈發送所述目標低頻正弦刺激電流,以使所述磁場線圈產生的低頻正弦磁場在所述靶點區所產生的誘發電場強度為所述目標刺激強度。
17、第三方面,本申請實施例提供一種電子設備,包括:處理器和存儲器,所述處理器與所述存儲器相連,所述存儲器用于存儲計算機程序,所述處理器用于執行所述存儲器中存儲的計算機程序,以使得所述電子設備執行如第二方面所述的方法。
18、第四方面,本申請實施例提供一種計算機可讀存儲介質,所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序,所述計算機程序被處理器執行以實現如第二方面所述的方法。
19、第五方面,本申請實施例提供一種計算機程序產品,所述計算機程序產品包括計算機程序,所述計算機程序被處理器執行以實現如第二方面所述的方法。
20、實施本申請實施例,具有如下有益效果:
21、本申請實施例中,在對受試者的靶點區進行低頻正弦磁神經調控時,中央控制單元通過獲取輸入參數,包括刺激強度比例和刺激參數。然后,中央控制單元基于刺激強度比例和預先測定的刺激強度閾值,可以確定目標刺激強度。進一步地,中央控制單元基于目標刺激強度和刺激參數,可通過電流生成電路向磁場線圈發送與目標刺激強度對應的初始低頻正弦刺激電流。接著,磁場線圈可生成初始低頻正弦刺激電流對應的低頻正弦磁場,通過磁場強度傳感器檢測低頻正弦磁場在靶點區的初始磁場強度。中央控制單元可確定初始磁場強度在受試者的靶點區產生的誘發電場強度。若誘發電場強度與目標刺激強度不同,則基于目標刺激強度,確定磁場線圈的目標低頻正弦刺激電流。最后,通過電流生成電路向磁場線圈發送目標低頻正弦刺激電流,以使磁場線圈產生的低頻正弦磁場在受試者的靶點區產生的誘發電場強度為目標刺激強度。由此,通過檢測磁場線圈產生的低頻正弦磁場的初始磁場強度,確定初始磁場強度在靶點區的誘發電場強度,從而可以在誘發電場強度與目標刺激強度不同時,將磁場線圈的初始低頻正弦刺激電流調節為目標低頻正弦刺激電流。基于此,在目標刺激強度與初始低頻正弦刺激電流的對應關系提前測定的情況下,本申請的低頻正弦磁神經調控裝置可基于靶點區產生的誘發電場強度和目標刺激強度,動態調整磁場線圈的低頻正弦刺激電流,從而使靶點區產生的誘發電場強度為目標刺激強度,提高了對受試者進行低頻正弦磁神經調控的精度。
1.一種低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,所述低頻正弦磁神經調控裝置包括:中央控制單元、電流生成電路、磁場線圈和磁場強度傳感器;
2.根據權利要求1所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,
3.根據權利要求1所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,
4.根據權利要求1所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,
5.根據權利要求1所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,所述刺激參數包括:刺激頻率、總刺激時長、單刺激時長和間隔時間;
6.根據權利要求5所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,所述低頻正弦磁神經調控裝置還包括電流傳感器;
7.根據權利要求6所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,所述低頻正弦磁神經調控裝置還包括顯示器;
8.根據權利要求1-7任一項所述的低頻正弦磁神經調控裝置,其特征在于,
9.一種電子設備,其特征在于,包括:處理器和存儲器,所述處理器與所述存儲器相連,所述存儲器用于存儲計算機程序,所述處理器用于執行所述存儲器中存儲的計算機程序,以使得所述電子設備執行以下步驟:
10.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序,所述計算機程序被處理器執行以實現以下步驟: