具有快速上電的成像設備的射線照相檢測器及其使用方法

具有快速上電的成像設備的射線照相檢測器及其使用方法
【專利摘要】方法/設備的實施方案可將DR檢測器成像陣列轉變為低功率光電傳感器模式，其中在所述光電傳感器兩端施加第一電壓。方法/設備的實施方案可提供區域射線照相成像陣列，其包括布置在所述成像陣列的矩陣中的多個像素，其中每個像素可包括至少一個可充電的光電傳感器和至少一個晶體管；行地址電路；信號感測電路；以及光電傳感器功率控制電路，其用以當所述檢測器處于成像操作之間時維持所述成像陣列的一部分的光電傳感器兩端的第一電壓。在一個實施方案中，光電傳感器功率控制電路可在所述信號感測電路的功率消耗少于所述信號感測電路在讀出來自所述成像陣列的所述部分的信號期間的所述功率消耗的1％時，維持所述光電傳感器兩端的所述第一電壓。
【專利說明】具有快速上電的成像設備的射線照相檢測器及其使用方法
發明領域
[0001]本發明總體上涉及醫學成像領域，并且具體來說涉及射線照相成像和數字射線照相(DR)檢測器，并且更具體地涉及減輕用于診斷目的的X射線圖像中與其中使用非單晶材料相關的可能的圖像質量損失。
[0002]背景
[0003]在醫療設施(例如，在放射科)中采用固定的射線照相成像設備來在X射線檢測器上捕獲醫學X射線圖像。移動手推車可包括用于在X射線檢測器上捕獲(例如，數字)x射線圖像的X射線源。在射線照相檢測器中可使用各種技術，如計算機射線照相術(CR)和數字射線照相術(DR)來捕獲所述醫學X射線圖像。
[0004]相關技術的數字射線照相(DR)成像面板使用布置在行乘列矩陣(row-by-columnmatrix)中的單獨傳感器的陣列來從閃爍介質采集圖像數據，其中每個傳感器提供圖像數據的單個像素。如本領域中通常已知的，每個像素通常包括可以共面或垂直集成的方式布置的光電傳感器和開關元件。在這些成像裝置中，常使用氫化的非晶硅(a_S1:H)形成每個像素所需的光電二極管和薄膜晶體管開關。在一個已知的成像布置中，前板具有光敏元件的陣列，而背板具有薄膜晶體管(TFT)開關的陣列。
[0005]由于非晶硅的非單晶結構，大密度的缺陷狀態存在于光電傳感器內。這些缺陷狀態俘獲電子和空穴，并且以主要由缺陷狀態的能級確定的時間常數釋放所述電子和空穴，所述時間常數在一些情況下比成像幀時間長得多。一般來說，本文僅描述光電傳感器的俘獲電子，但是應了解，空穴可以相似方式被俘獲并且相同機制適用于空穴。因此，每當光電傳感器/光電二極管內的電場受到來自X射線曝光的光所產生的電子、正在變化的偏置電壓等干擾時，光電傳感器內的俘獲電子重新分布在這些缺陷狀態之中，從而在光電傳感器端子處產生具有長時間常數的解俘獲電流。
[0006]圖1為示出根據相關技術的區域檢測器的透視圖的圖示，所述區域檢測器包括處于適當位置的檢測器單元的行和列，以接收在射線照相過程期間穿過患者的X射線。如圖1中所示，可使用區域陣列12的X射線系統10可包括X射線管14，其經過準直以提供穿過患者20的區域18的區域X射線束16。射束16可由于患者20的內部結構而沿其許多射線衰減，以接著由檢測器陣列12接收，所述檢測器陣列12可通常在垂直于X射線束16的中心射線的指定區域(例如，平面)上方擴展。
[0007]陣列12可分成可直線地布置在列和行中的多個單獨的單元22。如本領域普通技術人員將理解的，列和行的方向是任意的，然而為了描述的清楚起見，將假設行水平延伸而列垂直延伸。
[0008]在示例性操作中，單元22的行可由掃描電路28 一次掃描一行(或多行)，以使得可由讀出電路30讀取來自每個單元22的曝光數據。每個單元22可獨立測量在其表面處接收的輻射的強度，因此曝光數據讀出提供了圖像24中信息的一個像素，以顯示在通常由用戶觀看的監視器26上。偏壓電路32可控制對單元22的偏置電壓。
[0009]偏壓電路32、掃描電路28和讀出電路30中的每一個可與采集控制和圖像處理電路34進行通信，所述采集控制和圖像處理電路34可例如通過使用電子處理器(未示出)來協調電路30、28和32的操作。采集控制和圖像處理電路34還可控制示例性檢查過程和X射線管14，將其接通和關斷并控制管電流，并且因此控制射束16中X射線的注量和/或管電壓，并且因此控制射束16中X射線的能量。
[0010]采集控制和圖像處理電路34可基于每個單元22提供的曝光數據向監視器26提供圖像數據。或者，采集控制和圖像處理電路34可操縱圖像數據、儲存原始或經過處理的圖像數據(例如，在本地或遠程定位的存儲器上)或輸出圖像數據。
[0011]示例性像素22可包括光激活的圖像感測元件和用于讀取來自圖像感測元件的信號的開關元件。圖像感測可通過直接檢測來執行，在這種情況下，圖像感測元件直接吸收X射線并且將其轉換為電荷載流子。然而，在大多數商業數字射線照相系統中，使用間接檢測，其中中間閃爍器元件將X射線轉換為可接著由光敏圖像感測元件感測到的可見光光子。
[0012]圖像感測陣列12中使用的圖像感測元件的實例包括各種類型的光電轉換裝置(例如，光電傳感器)，如光電二極管(P-N或PIN 二極管)、光電電容器(MIS)、光電晶體管或光電導體。用于信號讀出的開關元件的實例包括MOS晶體管、雙極晶體管和p-n結部件。
[0013]具有非晶或多晶光電傳感器(如氫化非晶硅光電傳感器)的DR檢測器需要大約1-60秒的從零功率狀態到準備好曝光的穩定狀態的轉變。轉變的時間受到所述光電傳感器中俘獲狀態從零偏壓狀態轉變到能夠低噪聲并且穩定操作的狀態所需時間的限制。在處于零偏壓狀態延長時間(例如，超過5-20分鐘)之后，所述光電傳感器中的阱可達到對應于零偏壓的平衡狀態。上電時，所述光電傳感器可轉變為反向偏壓狀態，其中光電傳感器的端子(例如，陽極與陰極)之間的偏置電壓通常為-3￥>%_>-6￥。在％^〈-3￥時，橫跨所述光電二極管的電場不足以掃出 光生載流子，并且在％_>-6￥時，光電二極管暗電流可由于場增強熱載流子的產生而快速增大。反向偏壓狀態比零偏壓狀態中的講占有(tra poccupancy)低得多。在從零偏壓狀態到反向偏壓狀態的轉變中，所述光電傳感器中的阱必須分別向導帶和價帶發射電子和空穴。將電子和空穴從俘獲狀態分別發射到導帶和價帶的發射時間常數取決于阱能與相應的帶邊緣之間的能量差。對于帶隙中心的俘獲狀態，發射時間常數可大于10秒。發射時間常數還可對光電傳感器溫度非常敏感。如果一個或多個曝光的圖像和一個或多個暗基準圖像的捕獲序列在光電傳感器阱于供電狀態中達到平衡之前啟動，那么除光生電荷和/或來自平衡暗電流的電荷之外，可感測到來自阱發射的瞬時電荷。阱發射電荷瞬時的校準是非常復雜的，這是由于其對以下示例性因素的依賴性，包括但不限于:自從上一次曝光以來的時間、溫度，以及上電與至少一次曝光之間的時間。
[0014]圖2為示出相關技術的無線便攜式檢測器的示例性上電操作的流程圖。在上電或接通之前，便攜式檢測器可由于先前射線照相曝光系列的結束而處于下電狀態(操作方框210)。在臨床應用中，自從上一曝光系列以來的時間可在不到一分鐘至數天的范圍內。在經由命令接口收到曝光請求(例如，從采集和控制圖像處理34)時(操作方框215)，檢測器可向數字邏輯提供電力，此時，DR檢測器加載用于背板的支撐電子設備的固件(操作方框220)。然后檢測器允許為模擬電子設備供電，所述模擬電子設備包括柵極驅動器28和讀出集成電路(ROIC) 32 (操作方框225)。然后檢測器進入延遲期，在此期間，使光電傳感器穩定以用于圖像捕獲(操作方框230)。在此延遲期期間，檢測器可例如啟動全局復位，在全局復位期間，為所有柵極線供電，以將行選擇晶體管切換至導通狀態和凈光電二極管偏壓Vbias,其為供應至陽極的偏壓與供應至陰極的參考電壓(例如，通過讀出電路32，如電荷放大器)之間的差。
[0015]VgIAS — ^CATHODE _ ^REFERENCE
[0016]檢測器的光電二極管中的俘獲狀態將分別向導帶和價帶發射電子和空穴，其中檢測器在~I秒至60秒的時間段內接近平衡。如圖2中所示，在允許光電傳感器平衡的固定延遲時間之后，檢測器隨后向采集控制和圖像處理34確認曝光就緒信號(操作方框235)，其后允許發生器錄入檢測器的曝光序列(操作方框240)。在一個或多個曝光幀之后，檢測器可獲得一個或多個暗參考幀(操作方框245)。在將數據傳輸至采集控制和圖像處理34之后，從曝光幀中扣除暗參考幀以得到代表光生電荷的圖像。然后，由于射線照相曝光系列完成，可將便攜式檢測器下電(操作方框255)。
[0017]如以上所述的相關技術的檢測器具有各種缺點，所述缺點可降低射線照相圖像的質量和/或妨礙射線照相圖像捕獲(例如，X射線技師)的工作流程。例如，在收到曝光請求與準備好曝光之間可能需要延長的延遲期。在此時間期間，患者可能移動，這就會需要再次拍攝圖像。另外，因為中間間隙狀態具有數十秒的發射時間，所以即使是長達數秒的延遲時間也可能不足以使光電傳感器(例如a:Si)完全達到平衡狀態。因此，后續圖像之間可存在偏移，這可使得難以或不可能準確地扣除暗參考幀。由于所述偏移是依賴于溫度的，所以校準可為復雜和困難的。另外，程序之間的時間也影響后續幀之間的偏移，特別是如果這個時間短于用于示例性光電傳感器中阱平衡至零偏壓狀態的60秒，這可進一步使準確校準和暗參考幀的扣除復雜化。
[0018]多個美國專利解決了非晶半導體材料(例如，a-Si)的大密度缺陷狀態的問題并且公開了操作DR檢測器以減小由此產生的偽像的多種方法。參見例如，US5,920，070 (Petrick 等)或 US7, 593，508(Tsuchiya)。
[0019]然而，存在對于改善醫學X射線圖像的一致性和/或質量的需要，特別是當通過設計成用非晶或多晶光電傳感器DRx射線檢測器操作的X射線設備獲得所述醫學X射線圖像時。
[0020]發明概述
[0021]本申請的一個方面在于改善醫學數字射線照相術的技術。
[0022]本申請的另一個方面在于完全或部分地解決相關技術中的至少上述以及其它不足。
[0023]本申請的另一個方面在于完全或部分地提供至少本文所述的優點。
[0024]本申請的一個方面在于提供用以解決和/或減少由使用便攜式(例如無線)數字射線照相(DR)檢測器和/或使用其的射線照相成像設備引起的缺點的方法和/或設備。
[0025]本申請的一個方面在于提供使極低功率深度睡眠模式成為可能的方法和/或設備，其可在射線照相研究之間的時間期間提供降低的或最小的電池消耗。
[0026]本申請的另一個方面在于提供可允許射線照相檢測器從低功率深度睡眠模式快速轉變為能夠低噪聲圖像采集的狀態的方法和/或設備。
[0027]本申請的另一個方面在于提供可以允許轉變至能夠低噪聲圖像采集的狀態的方式從供電模式轉變至深度睡眠模式的方法和/或設備。[0028]本申請的另一個方面在于提供可為射線照相檢測器的DR成像陣列中的光電傳感器提供功率控制電路的方法和/或設備。
[0029]根據一個實施方案，本發明可提供一種數字射線照相區域檢測器，其可包括:多個像素，其包括布置在區域檢測器上方的可充電的光電傳感器；偏壓控制電路，其用以在光電傳感器兩端提供偏置電壓，以給每個光電傳感器充電；至少一個光電傳感器，其被配置成響應于傳遞至每個光電傳感器的光而提供讀數；以及一個設備，其用以為禁用或深度睡眠模式的檢測器提供光電傳感器偏壓。
[0030]根據一個實施方案，提供了一種數字射線照相區域檢測器，其包括:成像陣列，其包括布置在成像陣列上的多個像素，每個像素包括至少一個可充電的光電傳感器和至少一個薄膜晶體管；偏壓控制電路，其用以在用于成像陣列的一部分的光電傳感器兩端提供偏置電壓；用以為成像陣列的所述部分提供行地址的電路；用以為成像陣列的所述部分提供信號感測的電路；以及光電傳感器功率控制電路，其用以在信號感測電路的功率消耗少于信號感測電路在讀出來自成像陣列的所述部分的信號期間的功率消耗的10 %時，維持成像陣列的所述部分的光電傳感器兩端的第一電壓。
[0031]根據一個實施方案，提供了一種操作數字射線照相檢測器從而產生至少一個圖像信號的方法，所述射線照相檢測器包括布置在行和列中的多個光電傳感器，所述方法包括以在光電傳感器兩端施加第一電壓的操作模式驅動檢測器；以及將檢測器轉變到第二模式，其中當信號 感測電路不能辨別光電傳感器的狀態時，在光電傳感器兩端施加第二電壓。
[0032]僅通過說明性實例的方式給出示例性方面，并且所述方面可例示本發明的一個或多個實施方案。由本文固有地實現的其它令人滿意的目標和優點可被本領域的技術人員想到或變得顯而易見，然而，本發明由隨附權利要求書限定。
[0033]附圖簡述
[0034]自下文如附圖中所示的對本發明實施方案的更為具體的描述，將明白本發明的前述和其它目標、特征以及優點。
[0035]附圖的元件相對于彼此不一定成比例。
[0036]圖1為示出包括區域檢測器的相關技術的射線照相成像設備的透視圖的圖示，所述區域檢測器由處于適當位置的檢測器單元的行和列組成，以接收在射線照相過程期間穿過患者的X射線。
[0037]圖2為示出在射線照相過程期間，用于區域檢測器的相關技術的射線照相成像設備操作的流程圖。
[0038]圖3為示出用于射線照相檢測器的成像陣列的部分的像素架構的示意圖的圖示，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的光電傳感器功率控制電路的實施方案。
[0039]圖4為可發生在圖3中示出的平板成像器處的示例性操作的流程圖。
[0040]圖5為可在所述應用的實施方案中使用的平板射線照相成像陣列中的示例性開關(例如，TFT行-選擇開關)的傳輸特征的圖示。
[0041]圖6A至圖6C為示出用于根據所述應用的射線照相檢測器的成像陣列的實施方案的光電傳感器/光電二極管初始化的示例性定時序列的圖示。
[0042]圖7A為示出用于包括根據所述應用的光電傳感器低功率控制電路的實施方案的射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖的圖示。[0043]圖7B為示出可發生在圖7A中示出的平板成像器處的示例性操作的流程圖。
[0044]圖8A為示出用于射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的光電傳感器偏壓控制電路的實施方案。
[0045]圖SB為示出可發生在圖8A中所示的成像陣列處的示例性操作的流程圖。
[0046]圖9為示出用于根據所述應用的射線照相檢測器的成像陣列架構的光電傳感器狀態控制電路的另一個實施方案的圖示。
[0047]圖10為示出射線照相檢測器在不同柵極線電壓下釋放的暗電荷的代表性測量繪圖的圖示。
[0048]圖11為示出包括根據所述應用的光電傳感器電壓控制電路的實施方案的射線照相檢測器成像陣列的另一個示例性成像陣列的圖示。
[0049]圖12A為示出用于可用于根據所述應用的實施方案的射線照相檢測器的成像陣列的部分的像素架構的示意圖的圖示。
[0050]圖12B為示出包括根據所述應用的光電傳感器功率控制電路的實施方案的射線照相檢測器成像陣列的另一個示例性成像陣列的圖示。
[0051]圖12C為可發生在圖12B中示出的成像陣列處的示例性操作的流程圖。
[0052]圖13A為示出用于射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖的圖示，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的光電傳感器低功率控制電路的實施方案。
[0053]圖13B為示出能夠實現圖13A的射線照相檢測器的成像陣列架構的一部分截面圖的圖示。
[0054]示例性實施方案的描述
[0055]下面是參考附圖的本發明的示例性實施方案的描述，在附圖中，相同的參考數字標識在幾個附圖的每個中的結構的相同元件。
[0056]在被使用時，術語“第一”、“第二”等并不一定表示任何順序或優先關系，而是可用于將一個元件或時間間隔與另一個更清楚地區分開。
[0057]具有非晶或多晶光電傳感器(如氫化非晶硅光電傳感器)的DR檢測器需要從零功率狀態轉變到準備好曝光的穩定狀態。在零功率狀態(例如，關斷、下電)期間，光電傳感器偏壓可為0V，并且阱(例如，在PIN光電二極管中)可完全填充，這可能花費I分鐘、5分鐘、10分鐘、60分鐘或更長時間。在上電期間，對光電二極管施加非零偏壓可使講發射。阱發射速率以及到達穩定操作點所需時間可至少取決于溫度和/或讀出定時。根據本申請的實施方案可提供深度睡眠模式或光電傳感器功率控制電路，其中將光電二極管偏壓維持在指定條件、兩端的指定電壓降或反向偏壓(例如，近似于圖像采集期間的反向偏壓)下，這可提供到成像就緒狀態的快速轉變。
[0058]在一個實施方案中，當光電傳感器可保持處于連續供電狀態時，可減少或消除初始化時間。在光電傳感器為光電二極管的示例性情況中，提供近似于圖像捕獲(例如，當DR檢測器關斷時)期間的偏置電壓的恒定偏置電壓可為足夠的。然而，在如圖2中所示的相關技術的檢測器中保持檢測器處于連續供電狀態需要給柵極驅動器、讀出IC和/或其電源和/或控制電子設備供電，這可需要能使電池快速放電和/或顯著提高檢測器溫度的10W-40W的功率。
[0059]圖3為示出用于射線照相檢測器的成像陣列的部分的像素架構的示意圖的圖示，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的光電傳感器控制電路的實施方案。在如圖3中所示的基于氫化非晶硅(a-S1:H)的間接平板成像器中，入射X射線光子轉換為光學光子，所述光學光子隨后在a-S1:Hn-1-p光電二極管370內轉換為電子-空穴對。光電二極管370的像素電荷容量為偏置電壓332與光電二極管電容的乘積。通常，可向偏壓線385施加反向偏置電壓，以產生跨越光電二極管370的電場(例如，耗盡區)，并增強電荷收集效率。圖像信號可由光電二極管370積分，同時關聯的TFT371可例如通過將掃瞄線或柵極線383維持在負電壓處而保持在非導通(“關斷”)狀態。可通過借助于TFT柵極控制電路或柵極驅動器328將數行TFT371依序切換到導通狀態來讀出陣列。當一行像素例如通過向相應的柵極線383施加正電壓而切換到導通(“接通”)狀態時，來自那些像素的電荷可沿著數據線384傳輸并由外部電荷靈敏放大器386積分。一行像素可接著切換回非導通狀態，并且該過程對每行重復，直到整個陣列被讀出。來自外部電荷靈敏放大器3的信號輸出可通過并行到串行多路復用器387傳輸到模數轉換器(ADC) 388，隨后產生數字圖像。具有如參考圖3所述的成像陣列的平板成像器可能夠單激發(例如，射線照相的)和連續(例如，熒光檢查法的)圖像采集。在圖3的實施方 案中，讀出集成電路(ROIC)可設有輸入短接開關389，以允許通過向短接開關389施加適當的電壓(例如，Vshort392)而使數據線384直接電連接至參考電源390。例如，開關391可選擇性地向短接開關389的柵極施加Vshort392。
[0060]如圖3中所示，在射線照相捕獲系列之間，給陰極電源332、參考電源390和短接柵極偏壓392供電，從而允許向成像陣列312的選定(例如，所有)光電傳感器370的陽極施加VCATH0DE并且向所有數據線384供應VREFERENCE。柵極驅動器328、電荷放大器386和多路復用器387以及A/D轉換器388可沒有電力或從電源斷開。由于參考電源和陰極電源以及短接柵極電壓可構成少于完全供電射線照相檢測器的功率消耗的或更少，所以可使用圖3中所示的實施方案顯著減少圖像捕獲之間的時期期間的功率消耗。
[0061]使用本文所述的某些示例性光電傳感器控制電路實施方案，當成像陣列的信號感測電路的功率消耗少于在通過信號感測電路讀出來自成像陣列的一部分的信號期間信號感測電路的功率消耗的或甚至0.1%時，可在用于射線照相檢測器的射線照相成像陣列的所述部分的光電傳感器兩端維持第一電壓。使用本文所述的一些示例性光電傳感器功率控制電路實施方案，當信號感測電路不能辨別射線照相成像陣列的一部分的光電傳感器的狀態時，可在用于檢測器的射線照相成像陣列的所述部分的光電傳感器兩端施加指定電壓。例如，信號感測電路不能確定光電傳感器的狀態，如但不限于光電傳感器是否被供電、不被供電、積分或放電。
[0062]圖4為示出射線照相檢測器(如圖3的平板成像器)的示例性操作的流程圖。如圖4中所示，在曝光序列的上電之前，便攜式射線照相檢測器的示例性實施方案可處于降低的功率狀態，其將光電傳感器維持在與不被供電狀態不同的指定狀態下。如圖4中所示，一個實施方案可因先前射線照相曝光系列的結果而將光電傳感器371維持在深度睡眠狀態(操作方框410)。在經由命令接口收到曝光請求(例如，從采集和控制圖像處理34)時(操作方框420)，檢測器可向數字邏輯提供電力，此時，DR檢測器可加載用于背板的支撐電子設備的固件。然后檢測器可允許給模擬電子設備供電，所述模擬電子設備包括柵極驅動器328和R0IC330 (操作方框430)。接著檢測器可確認(例如，向采集控制和圖像處理34)曝光就緒信號(操作方框440)，之后可允許操作員錄入用于檢測器的曝光序列。在一個或多個曝光幀之后(操作方框450),檢測器可米集一個或多個暗參考幀(操作方框460)。在將數據傳輸至射線照相圖像處理系統用于圖像處理之后，可從曝光幀中扣除暗參考幀以得到代表光生電荷的圖像。然后，由于射線照相曝光系列完成，可將便攜式檢測器下電至深度睡眠狀態(操作方框470)。
[0063]如圖4中所示，在收到曝光請求時，可啟用柵極驅動器328以及讀出IC330的電荷放大器386、多路復用器387和ADC388的電源，從而使DR面板312變成全功率模式。在一個實施方案中，這些操作可在少于IOOms內完成。
[0064]在圖3和4的示例性實施方案中，成像陣列的行選擇線383未被供電并且可相對于地面(例如，模擬接地)平衡于OV下。圖5為示出可在本文所述的示例性實施方案(如在平板射線照相成像陣列)中使用的示例性TFT行選擇開關的傳輸特征的圖示。如圖5中所示，在VDS = 0.1V和VGS = OV下的電阻為IxlO9 Ω。用于平板成像應用的光電傳感器的暗電流取決于溫度和/或光電傳感器處理條件可為ΙΟΟρΑ/cm2至500pA/cm2。對于具有50%填充因子和500pA/cm2暗電流的示例性150 μ m正方形像素來說，光電傳感器暗電流可為56fA并且TFT兩端的電壓降將小于50 μ V。因此，在此實例中，示例性實施方案可在50 μ V的電壓差VSLEEP = VCATH0DE - VREFERENCE內的電壓下偏壓光電傳感器。在一個實施方案中，對于來自光電二極管在睡眠與圖像捕獲之間的減少或最小的瞬時應答，VSLEEP可等于捕獲期間的偏置電壓VBIAS。然而，以比VBIAS更接近OV的VSLEEP操作的示例性實施方案可比在捕獲之間處于OV的光電傳感器提供減少的瞬時和/或可具有光電傳感器的長期可靠性以及因此DR檢測器的可靠性的優點。
[0065]實施方案可包括在DR檢測器從低功率睡眠模式轉變到成像操作模式時的任選像素初始化。可任選執行像素初始化，以擦除儲存在阱占有中的一個或多個先前曝光系列的任何記憶。在臨床設置中，曝光系列之間的時間可例如短達I分鐘或長達幾天。由于帶中心俘獲狀態的發射時間常數可為幾分鐘，所以至少接近光電傳感器的帶中心的阱的阱占有可含有先前曝光系列的殘余記憶。光電傳感器初始化或光電傳感器復位可允許減少或擦除儲存在阱占有分布中的殘余記憶。根據所述應用，光電傳感器/光電二極管初始化的非限制性示例性定時序列在圖6A至圖6C中示出。在圖6A至圖6C中示出的定時序列包括填充周期和溢出周期。在填充周期期間，可控制Vreset和/或Vbias以產生凈光電傳感器偏壓Vbias = Vcathode-Vreference = Vfill,與曝光期間的光電傳感器偏壓相比,其可為正向偏置的或反向偏置得較少。向光電二極管371施加更接近OV的正向偏壓或反向偏壓可將光電傳感器中顯著部分的阱填充至比可含有先前曝光系列的記憶的接近帶中心的阱中儲存的電荷更接近導帶和價帶邊緣的水平。在溢出周期期間，可控制(例如，切換)VreSet和/或Vbias以使光電二極管371返回溢出電壓Vspill。在一個示例性實施方案中，Vspill以近似于曝光期間的光電傳感器偏壓的值反向偏壓光電傳感器。在Vspill周期期間，大部分的阱發射電荷并且通過光電二極管的陽極和陰極去除電荷。對于可優選的示例性填充和溢出循環，一個或多個填充和溢出循環之后的凈阱占有不依賴于光電傳感器的初始狀態(例如，擦除光電傳感器的先前歷史的記憶)。
[0066]圖6A為示出根據所述應用的檢測器成像陣列的全局或并行初始化的示例性定時序列的圖示。在全局初始化中，可切換所有柵極線的行選擇電壓以在行選擇TFT中建立導通狀態，同時向成像陣列中的所有光電傳感器施加Vbias = Vcathode-Vreference。在所有行選擇柵極導通的同時，Vbias可保持在填充電壓Vfill下持續一段時間Tfill，然后切換到溢出電壓Vspill持續一段時間Tspill。
[0067]圖6B為示出根據所述應用的檢測器成像陣列的串行初始化的示例性定時序列的圖不。在串行初始化中，可將Vbias = Vcathode-Vreference設置為填充條件Vbias =Vfill。切換單個行的行選擇線以在僅所述行的行選擇TFT中建立導通狀態，從而向所述行的所有光電傳感器施加Vbias = Vfill。此串行尋址在成像陣列的所有柵極線中繼續進行。然后可將Vbias = Vcathode-Vreference設置為溢出條件Vbias = Vspill。切換第一行的行選擇線以在僅所述行的行選擇TFT中建立導通狀態，以向所述行的所有光電傳感器施加Vbias = Vspill0此串行尋址在陣列的所有柵極線中繼續進行。
[0068]圖6C為示出根據所述應用的檢測器成像陣列的滾動初始化的示例性定時序列的圖示。在滾動復位中，可以來自前一行的延遲Tdelay串行接通行選擇線。每個行選擇線可保持接通持續周期Ton,其中Ton>Tdelay。在一個示例性實施方案中，Ton = M*Tdelay,其中M為整數，如但不限于4、8、16、32、64等。因此在任何一個時間，將M行中的光電傳感器復位至Vfill。一旦滾動復位已進行通過所有柵極線，就可將Vbias切換至Vspill并且使滾動復位再次進行通過所有柵極線。
[0069]在一個實施方案中，用于單個填充和溢出循環的總時間在IOms至500ms的范圍內。另外，示例性填充-和-溢出循環可重復多次以實現先前曝光系列的增加的或完全的擦除。
[0070]在達到供電狀態時，DR面板成像陣列312準備好進行圖像捕獲并且可發出曝光就緒信號(例如，通過命令接口)。 [0071]圖7A為示出用于射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖的圖示，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的低功率光電傳感器控制電路的實施方案。如圖7A中所示，可使用背板上(例如，而不是ROIC電路中)的TFT提供短接開關789。示例性TFT可吸收~56fA的由一列上的~3，000個光電傳感器中的每一個所產生的暗電流,或~150pA,并且電壓降可忽略不計。如圖5中所示的傳輸特征示出對于具有柵極長度4μπι和柵極寬度25 μ m的晶體管而言5ΜΩ的溝道電阻。由150pA的列暗電流造成的所述TFT兩端的電壓降將小于lmV，以使得光電二極管兩端的電壓將在ImV的差VSLEEP = VCATH0DE-VDL之內。
[0072]圖7B為示出可發生在射線照相檢測器，如圖7A中所示的平板成像器處的示例性操作序列的流程圖。如圖7B中所示，便攜式檢測器的示例性實施方案可處于降低的功率狀態，其可將光電傳感器維持在與關斷或接通狀態不同的指定狀態下。如圖7B中所示，在先前射線照相曝光系列之后，一個實施方案可維持光電傳感器371處于深度睡眠狀態，其中光電二極管偏壓處于VSLEEP，并且VSHORT可維持短接TFT開關789接通(例如，處于導通狀態)(操作方框710)。在經由命令接口收到曝光請求(例如，從采集和控制圖像處理34)(操作方框715)時，檢測器可通過將VSHORT時鐘控制或驅動為低的來將短接TFT開關789切換為關斷(例如，處于非導通狀態)(操作方框720)。然后檢測器可為模擬電子設備提供電力，所述模擬電子設備包括柵極驅動器728和R0IC730(操作方框725)。接著檢測器可確認(例如，向采集控制和圖像處理34)曝光就緒信號(操作方框730)，之后可允許X射線發生器執行檢測器的曝光序列。在一個或多個曝光幀之后(操作方框735)，檢測器可任選采集一個或多個暗參考幀(操作方框740)。在數據傳輸(例如，至采集控制和圖像處理34)之后，便攜式檢測器可切斷至所有柵極線的電力(操作方框745)，并且接著切斷ROIC電力和VREF(操作方框750)。然后，檢測器可通過將VSHORT驅動為高的來將短接TFT開關789切換為接通(例如，處于導通狀態)，或可向VCL施加適當偏壓，這可保持數據線處于VDL (操作方框755)。然后，可切斷柵極驅動器電力以提供低功率狀態，并且光電二極管371偏壓處于VSLEEP (操作方框760)。
[0073]圖8A為示出用于射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖，所述射線照相檢測器包括根據所述應用的光電傳感器功率控制電路的實施方案。如圖8A中所示，在睡眠模式期間使用用于VCATH0DE840和VREF890的低電流電源并且在操作期間使用高電流電源VCATH0DE840’和VREF890’。由于在睡眠模式期間VCATH0DE840和VREF890的電源電流需要可僅包括由成像陣列中的~10，000, 000個像素產生的總暗電流或560nA，所以這些電源VCATH0DE840和VREF890可以極低功率消耗操作。然而，在操作期間，高電流電源VCATH0DE840’和VREF890’可連接(例如，VCATH0DE340和VREF390)，以允許操作模式期間所需要的更高電流的供應。
[0074]圖SB為示出可發生在圖8A中示出的平板成像器處的示例性操作序列的流程圖。如圖SB中所示，示例性操作序列可類似于圖7B中所示的操作序列，然而，低電源VCATH0DE840和VREF890需要接通以用于睡眠模式(操作方框810、850、860)并且切斷以用于正常成像操作(操作方框822)。
[0075]圖9為示出另一個替代性實施方案的圖示，其中為DR檢測器的成像陣列中的柵極線提供短接開關。如圖9中所示，示例性短接開關989可設置于柵極驅動器電路328中。在一個實施方案中，對于睡眠模式，可通過VSHORT接通短接開關989，從而將所有柵極線連接至全局柵極電壓VGLSLEEP。為 了減少或避免背板上行選擇晶體管的長期不穩定性，VGSLEEP可處于比柵極線在操作期間所處的電壓(例如，20V-30V)更接近OV的電壓(例如，5V-10V)下。圖9的實施方案的一個益處(例如，比圖3或圖7A)可在于確保行選擇TFT371處于導通狀態(例如，一直)，不依賴于行選擇TFT371的閾電壓的處理變化和/或閾電壓在長期擴展操作中的可能改變。盡管圖9的實施方案可將短接開關989并入柵極驅動器電路328，但是替代性實施方案可在背板上的薄膜晶體管中提供開關989 (例如，作為成像陣列或DR面板的部分)，其中在睡眠模式期間每個TFT可將一個單獨的柵極線連接至全局柵極電壓。
[0076]另外，對于捕獲之間的時間相對較長的應用，可在不同柵極電壓下實現暗電荷的擦除。圖10示出在不同柵極線電壓下釋放的暗電荷的代表性測量繪圖。如圖10中所示，在OV偏壓條件下，即使在幾秒的時間幀和較高柵極線電壓下維持光電二極管偏壓也可能是困難的，可甚至在幾分鐘之后維持偏壓條件。同樣在圖10中示出，所需柵極線電壓取決于光電二極管偏壓。在一個實施方案中，較低光電二極管偏壓可產生較低噪聲電流，并且因此，較低柵極線電壓可用于維持偏壓。
[0077]在圖3和圖7-9中所示的示例性實施方案中，參考電壓、陰極電壓和/或柵極線睡眠電壓的電源在固定DC電壓下工作。然而，本文的實施方案不旨在受限于此，例如，一些光電傳感器，如MIS光電傳感器，需要定期刷新循環。對于所述情況，用于參考、陰極和/或柵極線的電源可周期性地時鐘控制以便執行刷新循環。在所述情況下，在收到曝光請求時可需要額外延遲，以便提供上一刷新循環與曝光啟用之間的固定間隔。[0078]圖11為示出包括光電傳感器偏置電路的實施方案的平板成像陣列的另一個示例性成像陣列的圖示。如圖11中所示，每個像素中可包括第二晶體管和第二偏壓線。第二晶體管1110和第二偏壓線1112可將光電傳感器1171復位為第二偏壓線電勢。在曝光之前，第二晶體管1110可用于將DR面板的成像陣列中的部分或所有像素復位為復位電壓1120。在一個實施方案中，復位電勢1120可進行時鐘控制以便將光電傳感器依序復位為第一電勢并且接著復位為第二電勢。在曝光序列之間，可通過使用柵極驅動器上的短接開關989維持柵極線處于非導通狀態來將行選擇晶體管1170保持在VRGSLEEP下，并且將復位柵極保持在VRGSLEEP，來將光電傳感器1171保持在復位電勢1120下，從而維持復位晶體管1110處于導通狀態并且電連接至低電流陰極電源1120A。在收到曝光請求時，復位柵極可切換至VRG0PERATE，復位電勢設置為高電流陰極電源1120B，柵極驅動器短接開關989可設置為非導通狀態，并且柵極驅動器和讀出IC通電。在曝光序列之后，DR面板可循環回睡眠模式。
[0079]圖12A為示出另一個示例性像素的圖示，所述另一個示例性像素可用于本文的實施方案，并且除了行選擇晶體管和復位晶體管之外，還可包括放大器晶體管。已經實現有源像素平板成像背板，其中晶體管以非晶硅、低溫多晶硅、銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)以及其它半導體材料(如但不限于有機光電傳感器和多晶光電傳感器)來實現。在所述有源像素平板成像陣列的相關技術中尚未解決對于快速上電的需要。如圖12A中所示，可通過偏壓線1204向光電傳感器1202的陽極供應偏壓(例如，VBIAS)。可通過由復位晶體管1208選通的復位線1206向光電傳感器1202的陰極供應偏壓。在圖像捕獲之前，可通過復位地址線1210將復位晶體管1208設置為導通狀態，從而將光電傳感器1202兩端的電壓復位為偏壓線電勢(例如VBIAS)與復位線電勢(例如，VRESET)之間的差。在復位之后，可曝光成像陣列，從而將光電傳感器1202放電。在讀出時，可將行地址線1212依序編址，從而將選定行中的行選擇晶體管1214切換成導通狀態。陣列的成像區域外部的電流源可附接到每個數據線1216。可通過放大器晶體管1218感測陰極上的電壓，并且通過數據線1216 —端的電壓放大器(例如，讀出電路)感測數據線1216上的電壓變化。
[0080]圖12B為不出包括光電傳感器偏置電路的實施方案的DR成像陣列的另一個不例性成像陣列的圖示。如圖12B中所示，成像陣列可包括有源像素晶體管和光電傳感器功率控制電路的實施方案。如圖12B中所示，成像陣列1240包括行選擇、復位柵極選擇、列多路復用的寄存器以及列電流源、列放大器、信號采樣和偏壓供應的電路。在一個實施方案中，這些電路可實現在與像素或成像陣列1240相同基底上的薄膜晶體管中，但是將認識到，它們還可實現在成像陣列1240外部的集成電路中。在圖12B中所示的實施方案中，除了連接到復位移位寄存器1234之外，每個復位線1230能夠連接至短接TFT1232，以允許在VSH0RT1238將短接TFT1232切換為導通狀態的同時，將所有復位線1230電連接至VRESET1236ο或者，當復位移位寄存器為有源尋址單獨復位線時，可設置VSH0RT1238，以便將短接TFT置于非導通狀態。外部支撐電路可包括模數轉換(ADC)、板上電路和像素電壓的偏壓供應，和/或時鐘生成。
[0081]圖12C為示出用于操作DR檢測器的成像陣列的功率控制電路的方法的示例性實施方案的流程圖。如圖12C中所示，方法實施方案可例如在圖12B中所示的設備實施方案上實現。在曝光系列之間，可維持DR檢測器成像陣列的實施方案處于低功率偏壓光電傳感器模式(操作方框1250)。在圖12B所不的實施方案中(例如,光電傳感器為PIN光電二極管)，光電二極管電勢可維持在近似于曝光或成像操作期間的光電二極管電勢的反向偏壓下。給偏壓供應Vreset和Vbias (例如，Vanodebias)供電，以便在光電二極管1242兩端提供偏置電壓VBIAS。所有像素的復位柵極在睡眠周期期間處于導通狀態。這可通過設置短接時鐘VSHORT將所有短接TFT置于導通狀態來實現，從而將Vreset連接至所有光電二極管1242的陰極。在操作方框1250中，一些或所有其它板上或板斷電路可下電,從而允許低功率睡眠模式。
[0082]在收到曝光請求時(操作方框1255)，初始化移位寄存器和電源(操作方框1260)。可執行任選像素初始化以擦除儲存在阱占有中的先前曝光系列的記憶(操作方框1265)。示例性任選像素初始化可包括填充周期和溢出周期的一個或多個組合。在填充周期期間，可切換Vreset和/或Vbias以產生凈光電二極管偏壓(例如，Vbias-Vreset)以填充目標阱，與曝光期間的操作性光電二極管偏壓相比，所述凈光電二極管偏壓可為正向偏置的或者反向偏置得較少。在溢出周期期間，可切換Vreset和/或Vbias以使光電二極管返回近似于曝光期間的光電二極管偏壓的值。在示例性溢出周期期間，大部分的阱發射電荷并且可通過光電二極管的陽極和 陰極去除所述電荷。對于選定的填充和溢出循環，在一個或多個填充和溢出循環之后的凈阱占有可不依賴于光電二極管的初始狀態，這可減少或擦除光電二極管的先前歷史的記憶。所述像素初始化可通過短接TFT全局地執行，或其可通過經復位移位寄存器尋址每行的復位線一次在一個或多個行上執行。
[0083]在任選光電二極管初始化之后，可將VSHORT設置為將短接晶體管置于非導通狀態，并且面板通過命令接口提供曝光就緒信號至射線照相圖像處理系統(操作方框1270)。在曝光之后，通過對行選擇移位寄存器進行時鐘控制來啟動面板讀出。任選地，可在一次讀取一行之后復位光電二極管，從而允許列采樣-和-保持電路在復位前后對像素信號進行采樣(操作方框1275)。在讀出曝光幀之后，可捕獲一個或多個暗參考幀(操作方框1280)。可執行任選終止序列以便擦除光電二極管中曝光序列的記憶(操作方框1285)。在一個實施方案中，終止序列可包括一個或多個填充-和-溢出循環(例如，本文所述的)。然后將成像陣列下電，并且設置Vshort以將短接晶體管維持至導通狀態并且將Vbias和Vreset維持處于供電狀態，以將凈光電二極管偏壓保持為近似于曝光期間光電二極管上的電壓的值(操作方框1290)。
[0084]圖13A為示出用于射線照相檢測器的成像陣列架構的部分的示意圖的圖示，所述射線照相檢測器包括光電傳感器功率控制電路的實施方案。圖13B為示出能夠實現圖13A的射線照相檢測器的成像陣列架構的一部分截面圖的圖示。如圖13A中所示，在用于射線照相檢測器的像素電路的另一個實施方案中，行選擇TFT上的背柵極1389可用于全局地使用低功率DC功率源來控制成像陣列中所有行選擇TFT的狀態，這可允許成像陣列的行地址電路被斷電。成像陣列的至少一部分中的所有TFT的背柵極1389可連接至功率控制電路。圖13B示出穿過TFT的像素橫截面。背柵極1389還可充當TFT的光屏蔽件，其可減少或防止光誘導的晶體管不穩定性。在低功率模式中，示例性η溝道非晶硅TFT的背柵極1389可通過向背柵極1389施加正電壓而保持處于導通狀態。優選將行選擇電路保持處于斷開或深度睡眠模式，其中所有行選擇晶體管的前柵極不連接至偏壓(例如，參考電壓)。背柵極1389可保證成像陣列中的所有行選擇晶體管將被保持處于導通狀態，從而允許將光電二極管1371偏壓維持處于為快速轉變至準備曝光的狀態做準備的狀態。由于維持光電二極管1371上的偏壓僅需要來自光電二極管1371的暗或熱的反向電流流過TFT，所以背柵極1389偏壓可以是小的，例如，+10V，從而大大抑制TFT中的任何閾值偏移不穩定性。由于可用絕緣體完全圍繞背柵極1389，背柵極1389的電源自身可以是極低功率的。在收到曝光請求時，對于非晶硅TFT，可將背柵極1389切換至負電壓，例如~-5V。在曝光期間和在讀出期間，也可將前柵極維持在“關斷”電壓(例如，~-5V)下，但是在選擇所述行用于讀出時除外，在此期間，前柵極被時鐘控制為“接通”電壓(例如，~+25V)，從而將TFT切換成導通狀態。
[0085]本文方法和/或設備的實施方案可提供一種射線照相檢測器，其具有可包括光電傳感器電壓控制電路、低功率檢測器睡眠模式、快速上電至成像操作以及從成像操作下電至示例性低功率檢測器睡眠模式的能力。
[0086]在示例性實施方案中，射線照相成像陣列的信號感測電路可包括模擬電子設備(包括柵極驅動器和讀出集成電路(ROIC))、模數轉換電路、模擬放大器、電荷到電壓轉換電路、電流到電壓轉換電路、單晶硅集成電路、模擬多路復用器、數字多路復用器或數據通信電路中的至少一個。
[0087]在一個實施方案中，提供了一種數字射線照相區域檢測器，其可包括:成像陣列，其被配置成包括布置在區域檢測器處的多個像素，每個像素包括至少一個可充電的光電傳感器和至少一個薄膜晶體管；電壓控制電路，其用以向用于成像陣列的一部分的每個光電傳感器提供參考電壓；用以為成像陣列的所述部分提供掃描地址的電路；用以為成像陣列的所述部分提供信號感測的電路；以及光電傳感器功率控制電路，其用以當用于成像陣列的所述部分的選 定掃描地址電路或用于成像陣列的所述部分的選定信號感測電路從電源斷開時，維持成像陣列的所述部分的光電傳感器兩端的第一電壓。
[0088]雖然關于一個或多個實施方式說明了本發明，但是可對所說明的實例進行更改和/或修改，而不偏離隨附權利要求書的精神和范圍。此外，雖然本發明的特定特征可能已經關于幾個實施方式/實施方案中的僅一個進行公開，但所述特征可與其它實施方式/實施方案的對于任何給定或具體功能可能是所希望的和有利的一個或多個其它特征相組合。術語“……中的至少一個”用于意指可選擇列舉項目中的一個或多個。術語“約”指示所列出的值可被稍微更改，只要所述更改不導致過程或結構與所示實施方案的不一致。最后，“示例性”指示所述描述用作實例，而不是暗示它是理想的。從本文公開的本發明的說明書和實踐考慮，本發明的其它實施方案對于本領域技術人員來說將是顯而易見的。意圖是說明書和實例被認為僅僅是示例性的。本發明的范圍由隨附權利要求書指示，并且在其等效物含義和范圍內產生的所有改變旨在包括于其中。
【權利要求】
1.一種數字射線照相區域檢測器，其包括: 成像陣列，其包括多個像素，每個像素包括至少一個可充電的光電傳感器和至少一個薄膜晶體管； 偏壓控制電路，其用以向所述成像陣列的一部分的所述光電傳感器提供偏置電壓； 用以為所述成像陣列的所述部分提供行地址的電路； 用以為所述成像陣列的所述部分提供信號感測的電路；以及 光電傳感器功率控制電路，其用以當所述信號感測電路的功率消耗少于所述信號感測電路在讀出來自所述成像陣列的所述部分的信號期間的所述功率消耗的10%時，維持所述成像陣列的所述部分的光電傳感器兩端的第一電壓。
2.如權利要求1所述的數字射線照相區域檢測器，所述光電傳感器功率控制電路用以當所述信號感測電路的所述功率消耗少于所述信號感測電路在讀出來自所述成像陣列的所述部分的信號期間的所述功率消耗的1%或0.5%時，維持所述成像陣列的所述部分的所述光電傳感器兩端的所述第一電壓，其中所述信號是所述區域檢測器對輻射曝光的結果，其中所述第一電壓比所述偏置電壓負得更少，其中所述第一電壓約等于所述偏置電壓，或其中所述第一電壓為正電壓。
3.如權利要求1所述的數字射線照相檢測器，其中所述至少一個薄膜晶體管的第一電極使所述光電傳感器的一個端子連接至數據線，所述至少一個薄膜晶體管的控制電極連接至行選擇線，所述行選擇線由所述行地址電路驅動并且所述數據線連接至所述信號感測電路。
4.如權利要求3所述的數字射線照相區域檢測器，其中所述光電傳感器功率控制電路包括用于大致上每個數據線的晶體管開關，從而使所述數據線連接至控制電路。
5.如權利要求3所述的數字射線照相區域檢測器，其中所述光電傳感器功率控制電路包括第一多個開關，其用以當所述光電傳感器功率控制電路啟用時，將數據線連接至低功率光電傳感器參考電壓，其中所述光電傳感器功率控制電路包括第二多個開關，其用以當所述光電傳感器功率控制電路啟用時，將行選擇線連接至低功率參考電壓，其中所述第一多個開關位于成像陣列或所述信號感測電路上，并且其中所述第二多個開關位于所述成像陣列上或位于柵極驅動器中。
6.如權利要求3所述的數字射線照相區域檢測器，其中所述光電傳感器功率控制電路包括至少一個另外的功率源，其中所述至少一個另外的功率源用于當所述光電傳感器功率控制電路啟用時提供所述第一電壓， 其中所述至少一個另外的功率源包括低功率偏置電壓和低功率參考電壓以及低功率行電壓， 其中包括柵極驅動器和讀出集成電路(ROIC)的模擬電子設備在光電傳感器端子兩端為低功率非零電壓的模式下不被供電， 其中所述光電傳感器功率控制電路被啟用，以將所述檢測器置于光電傳感器端子兩端為低功率非零電壓的模式下。
7.如權利要求3所述的數字射線照相區域檢測器，其中所述光電傳感器功率控制電路包括所述至少一個薄膜晶體管的第二控制電極，其中當所述光電傳感器功率控制電路啟用時，所述第二控制電極連接至低功率光電傳感器參考電壓，并且所述行地址電路從電源斷開。
8.如權利要求1所述的數字射線照相檢測器，其中所述信號感測電路為附接至所述平板成像陣列的數據線的硅集成電路并且包括所述晶體管開關，所述晶體管開關在不存在至所述信號放大電路、采樣電路或多路復用電路的電力時是可操作的，其中所述信號感測電路包括模數轉換電路、模擬放大器、電荷至電壓轉換電路、電流至電壓轉換電路、模擬多路復用器、數字多路復用器或數據通信電路中的至少一個， 其中所述數字射線照相區域檢測器為便攜式檢測器或電池供電的。
9.一種操作數字射線照相檢測器從而產生至少一個圖像信號的方法，所述射線照相檢測器包括布置在行和列中的多個光電傳感器，所述方法包括: 以在所述光電傳感器兩端施加第一電壓的操作模式驅動所述檢測器；以及 將所述檢測器轉變至第二模式，其中當信號感測電路不能辨別所述光電傳感器的狀態時，在所述光電傳感器兩端施加第二電壓。
10.如權利要求9所述的方法，其中終止過程發生在所述第一操作模式與所述第二模式之間，其中所 述終止過程可包括驅動所述光電傳感器通過復位過程。
【文檔編號】A61B6/12GK104023643SQ201280064648
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2012年12月6日 優先權日:2011年12月31日
【發明者】T.J.特雷威爾, J.H.常 申請人:卡爾斯特里姆保健公司