專(zhuān)利名稱(chēng)：導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)房顫導(dǎo)管消融手術(shù)模擬系統(tǒng)中導(dǎo)管的移動(dòng)情況的設(shè)備， 尤其涉及一種導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
心房顫動(dòng)簡(jiǎn)稱(chēng)房顫，是最常見(jiàn)的持續(xù)性心律失常，房顫時(shí)心房激動(dòng)的頻率達(dá) 300 600次/分，心跳頻率往往快而且不規(guī)則，有時(shí)候可以達(dá)到100 160次/分，不僅比正常人心跳快得多，而且絕對(duì)不整齊，心房失去有效的收縮功能。房顫導(dǎo)管消融手術(shù)是目前常見(jiàn)的房顫治療手段，其適用于絕大多數(shù)房顫患者，具有創(chuàng)傷小，病人易于接受的特點(diǎn)。為了進(jìn)ー步研究和完善房顫導(dǎo)管消融手術(shù)，提高房顫導(dǎo)管消融初學(xué)者的技術(shù)水平，提高房顫導(dǎo)管消融的成功率，降低與手術(shù)有關(guān)的并發(fā)癥風(fēng)險(xiǎn)，目前很多市場(chǎng)上已出現(xiàn)很多用于訓(xùn)練的房顫導(dǎo)管消融手術(shù)模擬系統(tǒng)。這種房顫導(dǎo)管消融手術(shù)模擬系統(tǒng)中通常設(shè)有導(dǎo)管檢測(cè)裝置，傳統(tǒng)的導(dǎo)管檢測(cè)裝置通過(guò)機(jī)械摩擦的方式來(lái)檢測(cè)，導(dǎo)管和檢測(cè)器的表面情況對(duì)檢測(cè)的一致性影響很大，導(dǎo)致檢測(cè)精度比較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，以準(zhǔn)確檢測(cè)導(dǎo)管的位移。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，包括發(fā)光管，其發(fā)射的激光照射在導(dǎo)管上；聚光鏡，其將所述發(fā)光管反射到其上的反射激光進(jìn)行聚光并輸出；光電檢測(cè)器，其連續(xù)檢測(cè)所述聚光鏡輸出的聚光后的反射激光，根據(jù)該聚光后的反射激光獲取所述導(dǎo)管的點(diǎn)陣圖像，對(duì)比所述導(dǎo)管前后相鄰兩幀的點(diǎn)陣圖像得到其相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)；單片機(jī)，其通過(guò)SPI接ロ從所述光電檢測(cè)器接收所述相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，根據(jù)所述相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)解析求出所述導(dǎo)管在其位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)；PC機(jī)，其通過(guò)串ロ從所述單片機(jī)接收所述位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)，根據(jù)所述位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)計(jì)算出所述導(dǎo)管的徑向位移和或軸向位移。本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置,所述光電檢測(cè)器包括型號(hào)為ADNS7550的光電檢測(cè)芯片及其外圍電路。本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，所述單片機(jī)包括型號(hào)為STC12C5A08S2的單片機(jī)芯片及其外圍電路，所述單片機(jī)芯片的第I、第2、第3和第44管腳，分別對(duì)應(yīng)與所述光電檢測(cè)芯片的第3、第4、第5和第6管腳相連。本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，所述串ロ包括由型號(hào)為MAX3232ESE的串ロ轉(zhuǎn)換芯片及其外圍電路構(gòu)成的RS232接ロ，所述串ロ轉(zhuǎn)換芯片的第11和第12管腳，分別對(duì)應(yīng)與所述單片機(jī)芯片的第7和第5管腳相連。本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置包括發(fā)光管，其發(fā)射的激光照射在導(dǎo)管上；聚光鏡，其將發(fā)光管反射到其上的反射激光進(jìn)行聚光并輸出；光電檢測(cè)器，其連續(xù)檢測(cè)聚光鏡輸出的聚光后的反射激光，根據(jù)該聚光后的反射激光獲取導(dǎo)管的點(diǎn)陣圖像，對(duì)比導(dǎo)管前后相鄰兩幀的點(diǎn)陣圖像得到其相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)；單片機(jī)，其通過(guò)SPI接口從光電檢測(cè)器接收相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，根據(jù)相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)解析求出導(dǎo)管在其位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù); PC機(jī)，其通過(guò)串口從單片機(jī)接收位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)，根據(jù)位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)計(jì)算出導(dǎo)管的徑向位移和或軸向位移，與現(xiàn)有的機(jī)械摩擦式位移檢測(cè)相比，其準(zhǔn)確度和精度得到了提高。
圖I為本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置的主電路原理圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)描述參考圖I所示，本實(shí)施例的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置包括發(fā)光管1，其發(fā)射的激光照射在導(dǎo)管2上；聚光鏡3，其將發(fā)光管I反射到其上的反射激光進(jìn)行聚光并輸出；光電檢測(cè)器4，其連續(xù)檢測(cè)聚光鏡3輸出的聚光后的反射激光，根據(jù)該聚光后的反射激光獲取導(dǎo)管2 的點(diǎn)陣圖像，對(duì)比導(dǎo)管2前后相鄰兩幀的點(diǎn)陣圖像得到其相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，即將所獲取的點(diǎn)陣圖像轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，這些電信號(hào)由該光電檢測(cè)器4內(nèi)部的DSP處理完成；單片機(jī)5， 其通過(guò)SPI接口從光電檢測(cè)器4接收所述相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，根據(jù)相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)解析求出導(dǎo)管2在其位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)；PC機(jī)6，其通過(guò)串口從單片機(jī)5接收位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)，根據(jù)位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)計(jì)算出導(dǎo)管2的徑向位移和或軸向位移。假設(shè)光電檢測(cè)器4可以獲取26*26的點(diǎn)陣圖像，其實(shí)際上相當(dāng)于一個(gè)小小的數(shù)碼相機(jī)，使用一個(gè)微小的CMOS成像元件每秒鐘掃描數(shù)千張分辨率可達(dá)1600DPI的圖像，如果后一幀點(diǎn)陣圖像相對(duì)于前一幀點(diǎn)陣圖像向左移動(dòng)了 3個(gè)位移點(diǎn)陣數(shù)，向上移動(dòng)了 6個(gè)位移點(diǎn)陣數(shù)，則PC 機(jī)6可計(jì)算出導(dǎo)管2向左移動(dòng)了 3*25. 4/1600 = O. 047625mm,向上移動(dòng)了 6*25. 4/1600 =
O.09525_。當(dāng)然，本實(shí)施例的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置同樣適用于房顫導(dǎo)管消融手術(shù)模擬系統(tǒng)中鞘管移動(dòng)檢測(cè)。結(jié)合圖2所示，上述實(shí)施例的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置中的光電檢測(cè)器3可以選擇型號(hào)為ADNS7550的光電檢測(cè)芯片及其外圍電路，單片機(jī)4可以選擇型號(hào)為STC12C5A08S2 的單片機(jī)芯片及其外圍電路，串口 5可以選擇由型號(hào)為MAX3232ESE的串口轉(zhuǎn)換芯片及其外圍電路構(gòu)成的RS232接口，其中，單片機(jī)芯片的第I、第2、第3和第44管腳，分別對(duì)應(yīng)與光電檢測(cè)芯片的第3、第4、第5和第6管腳相連，而串口轉(zhuǎn)換芯片的第11和第12管腳，分別對(duì)應(yīng)與單片機(jī)芯片的第7和第5管腳相連，從而為實(shí)現(xiàn)上述功能提供硬件支持。以上的實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，其特征在于，包括發(fā)光管(I)，其發(fā)射的激光照射在導(dǎo)管(2)上；聚光鏡(3)，其將所述發(fā)光管(I)反射到其上的反射激光進(jìn)行聚光并輸出；光電檢測(cè)器(4)，其連續(xù)檢測(cè)所述聚光鏡(3)輸出的聚光后的反射激光，根據(jù)該聚光后的反射激光獲取所述導(dǎo)管(2)的點(diǎn)陣圖像，對(duì)比所述導(dǎo)管(2)前后相鄰兩幀的點(diǎn)陣圖像得到其相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)；單片機(jī)(5)，其通過(guò)SPI接口從所述光電檢測(cè)器(4)接收所述相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，根據(jù)所述相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)解析求出所述導(dǎo)管(2)在其位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)；PC機(jī)￠)，其通過(guò)串口從所述單片機(jī)(5)接收所述位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)，根據(jù)所述位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)計(jì)算出所述導(dǎo)管(2)的徑向位移和或軸向位移。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，其特征在于，所述光電檢測(cè)器(3)包括型號(hào)為ADNS7550的光電檢測(cè)芯片及其外圍電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，其特征在于，所述單片機(jī)(4)包括型號(hào)為STC12C5A08S2的單片機(jī)芯片及其外圍電路，所述單片機(jī)芯片的第I、第2、第3和第44 管腳，分別對(duì)應(yīng)與所述光電檢測(cè)芯片的第3、第4、第5和第6管腳相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，其特征在于，所述串口(5)包括由型號(hào)為MAX3232ESE的串口轉(zhuǎn)換芯片及其外圍電路構(gòu)成的RS232接口，所述串口轉(zhuǎn)換芯片的第 11和第12管腳，分別對(duì)應(yīng)與所述單片機(jī)芯片的第7和第5管腳相連。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種導(dǎo)管移動(dòng)光電檢測(cè)裝置，包括發(fā)光管，其發(fā)射的激光照射在導(dǎo)管上；聚光鏡，其將發(fā)光管反射到其上的反射激光進(jìn)行聚光并輸出；光電檢測(cè)器，其連續(xù)檢測(cè)聚光鏡輸出的聚光后的反射激光，根據(jù)該聚光后的反射激光獲取導(dǎo)管的點(diǎn)陣圖像，對(duì)比導(dǎo)管前后相鄰兩幀的點(diǎn)陣圖像得到其相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)；單片機(jī)，其通過(guò)SPI接口從光電檢測(cè)器接收相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)，根據(jù)相對(duì)位移變化數(shù)據(jù)解析求出導(dǎo)管在其位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)；PC機(jī)，其通過(guò)串口從單片機(jī)接收位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)，根據(jù)位移方向上的位移點(diǎn)陣數(shù)計(jì)算出導(dǎo)管的徑向位移和或軸向位移，與現(xiàn)有機(jī)械摩擦式位移檢測(cè)相比，其準(zhǔn)確度和精度得到了提高。
文檔編號(hào)G01B11/02GK102607424SQ20121006738
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月14日
發(fā)明者董建增 申請(qǐng)人:北京安效技術(shù)有限公司, 董建增