專利名稱:核酸擴增反應裝置和方法及用于核酸擴增反應裝置的基板的制作方法
技術領域:
本發明涉及核酸擴增反應裝置、用于核酸擴增反應裝置的基板以及核酸擴增反應方法。具體地,本發明涉及包括形成為核酸擴增反應的反應場所的錐形井形狀的反應區域的核酸擴增反應裝置。
背景技術:
通過諸如PCR(聚合酶鏈反應)和LAMP(環介導等溫擴增)等方法的基因擴增代表了用于痕量核酸的定量分析的標準技術。該技術已經用于基因表達分析,用于測試遺傳性疾病、癌癥以及微生物和病毒感染。該技術還用于諸如SNP分析的基因分析。多種方法是已知的檢測核酸擴增產物的常見方法,包括使用諸如在嵌入劑法和熒光標記探針法中的熒光物質的熒光檢測法、以及使用渾濁物質的濁度檢測法,渾濁物質是由諸如鎂離子的金屬離子結合到擴增過程中形成的副產物焦磷酸而形成的不溶于水的或水溶性差的鹽,如JP-A-2008-237207、W0/2001/83817和日本專利第413347號所述。市場上有很多利用例如上述的用于基因表達分析、感染測試和諸如SNP分析的基因分析的核酸擴增產物檢測方法的核酸擴增反應裝置。
發明內容
這些核酸擴增反應裝置通常使用圓柱井板,并且仍然需要提高檢測靈敏度。因此,需要能夠提高檢測靈敏度的核酸擴增反應裝置、用于核酸擴增反應裝置的基板以及核酸擴增反應方法。本發明的一個實施方式涉及一種核酸擴增反應裝置,包括反應區域,形成為沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井形狀的核酸擴增反應場所;溫度控制器,加熱所述反應區域;照射器,對所述反應區域照射光;以及檢測器,檢測由所述析出的物質從所述反應區域散射出的光量。優選反應區域具有經過平滑處理的傾斜內表面。本發明的另一實施方式涉及一種用于核酸擴增反應的微芯片,包括反應區域,形成為核酸擴增反應場所,其中,所述反應區域是沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井。本發明的又一實施方式涉及一種核酸擴增反應方法,包括對作為核酸擴增反應場所的反應區域進行光的照射,并且檢測由在擴增反應過程中析出的物質散射出的光量; 所述反應區域是沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向的水平截面積減小的錐形井。利用本發明實施方式提供的核酸擴增反應裝置、基板以及核酸擴增反應方法可以提高檢測靈敏度。
圖1是示出了根據本發明實施方式的核酸擴增反應裝置的示意圖。圖2A和圖2B是根據本發明實施方式的用于核酸擴增反應的微芯片的反應區域沿著光軸方向的垂直截面圖。
具體實施例方式以下將參考附圖描述本發明的優選實施方式。應當注意,以下的實施方式僅是示例性地說明本發明,而不應該解釋為對本發明范圍的限制。1.核酸擴增反應裝置(1)反應區域(a)基板(用于核酸擴增反應的微芯片)(b)核酸擴增反應(c)核酸擴增(產物)檢測方法(2)溫度控制器⑶照射器(4)檢測器2.核酸擴增反應裝置的操作(1)變型例(a) RT-LAMP 裝置的操作(b) RT-PCR裝置的操作<1.核酸擴增反應裝置>圖1是根據本發明實施方式的核酸擴增反應裝置的示意圖。圖2A和2B是根據本發明實施方式的用于核酸擴增反應的微芯片的反應區域沿著光軸方向的垂直截面圖。注意,為了方便說明,圖中示出的裝置的結構和其它細節已被簡化。根據本發明實施方式的核酸擴增反應裝置1可操作地控制核酸擴增反應,用于使用反應區域2、溫度控制器3、照射器4和檢測器5的核酸的擴增和定量。在本發明實施方式的核酸擴增反應裝置1中,溫度控制器3和反應區域2 (可分離地設置;基板6)置于照射器4和檢測器5之間。此外,針孔7、濾光器(未示出)和聚光透鏡(未示出)也可以適當地設置在反應區域2和照射器4之間,用于例如調節光量和光成分。而且,基板支撐體8、濾光器(未示出)和聚光透鏡(未示出)也可以適當地設置在反應區域2和檢測器5之間,用于支撐反應區域2并且用于例如調節光量和光成分。根據本發明實施方式的核酸擴增反應裝置1還包括控制單元(未示出),控制單元控制本發明實施方式的裝置涉及的各種操作(包括例如光控制、溫度控制、核酸擴增反應、 檢測控制、檢測出的光量的計算以及監視)。以下詳細地描述每個元件的結構。(1)反應區域反應區域2是作為核酸擴增反應的反應場所的區域,并且形成為錐形井形狀。這樣形成錐形井反應區域的水平截面積沿著光軸方向變小,其中,在核酸擴增反應過程中析出的物質(析出物)P在光軸方向上沉降。
在例如圓柱井的普通井中,必須沿著光軸方向延長在反應區域中光傳播距離(具體地,井的長度)以改善在反應早期的低散射狀態下的檢測靈敏度或檢測精度。但是,對井的延長增加了與用于控制核酸擴增反應溫度的熱源的距離。這造成了井內大的溫差,并且由于降低了核酸擴增反應的效率或者引起了不均勻的反應而會降低檢測穩定性。但是,使用如本發明實施方式的形成為錐形井形狀的反應區域,在反應場所析出并且沉降的物質在朝向井的底面方向具有更高的濃度,并且散射程度增高。具體地,錐形井形狀使得能夠控制光通過區域的散射截面積,由此局部地增加在反應區域的水平截面積中析出物的聚集度(agglomeration degree,凝集度)。這樣,即使反應區域中的痕量核酸也可以被檢測出,而不需要增加光傳播距離。此外,提高了反應早期(低散射)的檢測靈敏度, 并且監視也變得令人滿意。這樣,錐形井形狀的反應區域令人滿意地提高了通過核酸擴增反應的濁度檢測的檢測靈敏度和檢測精度。而且,使用具有根據本發明實施方式的錐形井的用于核酸擴增反應的微芯片可以提高濁度檢測的效率。此外,由于可以確保裝置的性能和可靠性而不會增加散射距離,所以很容易減小核酸擴增反應裝置的整體大小(特別是厚度)。圖2A和圖2B是一個反應區域2的通過反應區域2的底面21的中心的沿垂直平面的截面形狀。由虛線示出圓柱井2C的垂直截面形狀。反應區域2具有頂面22和底面21,頂面22和底面21優選是允許光在相同的光軸方向上通過的平面。優選地,這兩個面是一對平行對置的面。具有底面21和頂面22的反應區域2還具有幫助析出物P沉降的傾斜面23。優選地,反應區域2的傾斜面23以如下方式形成反應區域2的寬度在垂直截面中沿著光軸方向朝向底面21變小。這些形狀的例子包括截棱錐形狀2A和凹拋物面形狀2B。例如,反應區域2的內表面(傾斜面23)可以形成諸如截頂圓錐和多邊形截椎體的截椎體、或繞光軸旋轉的拋物面。其中,由于易于形成,所以優選截頂圓錐。通過控制由錐形傾斜面23形成的光通過區域的散射截面積,即使光通過區域與圓柱井2C具有相同的容積和相同的光傳播距離,也可以提高檢測靈敏度和檢測精度。具體地,反應區域2的底面 21的面積優選地是頂面22的面積的1/2至1/5,更優選地是1/3至1/4。使用設置在該面積比內的底面21的面積,形成一個斜面以幫助析出物P沉降而不會被吸附在傾斜面23上。 因為在底面側可以有效地局部增加析出物的聚集度,通過核酸擴增反應的濁度檢測的檢測靈敏度和檢測精度變得令人滿意。優選地,反應區域2的傾斜面23的內表面經過平滑處理。平滑處理進一步幫助防止析出物(粒子)P粘附到傾斜面,并且使得斜面更有效地在朝向井的底面側產生較高的析出物P濃度。這使得濁度檢測的檢測靈敏度和檢測精度變得更好。平滑處理可以是例如拋光或涂覆。拋光可以由例如使用拋光劑的化學機械拋光來執行。拋光劑的例子包括用于拋光塑料基板和玻璃基板的包含無機填料(粒子)的漿狀拋光劑。無機填料例如可以是選自碳酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、二氧化鈦、硅酸酐和硅石中的一種或多種。用于涂覆的涂覆劑可以是例如硅,并且可以優選使用具有高透射率的硅。具有高透射率的硅可以涂布在反應區域2的整個內表面,由此很好地提高用于核酸擴增反應的微芯片(具體地,包括反應區域2的基板)的制造效率。
(a)基板(用于核酸擴增反應的微芯片)例如,用于核酸擴增反應的微芯片等的反應室(例如,基板)優選包括一個或多個反應區域2。錐形井形狀可以容易地在這樣的反應室中形成。設置有反應區域2的用于核酸擴增反應的微芯片(基板6)可以由單個或多個基板形成。基板6的一個端表面是照射光的表面(頂面22側),而另一端表面是穿過反應區域的光射出的表面(底面21側)。優選地,這兩表面表示一對平行對置的表面。用光照射反應區域2的頂面22,然后光穿過反應區域2并從底面21射出。然后, 檢測器5檢測散射光量和透射光量。注意,還可以從用于核酸擴增反應的微芯片的反應區域2的底面側一側照射光來測量散射光量和透射光量。用于在基板6中形成反應區域2的方法沒有特別的限制。優選地,例如,通過以下方式形成反應區域2 對玻璃基板層進行濕蝕刻或干蝕刻,或者對塑料基板層進行納米壓印、噴射模塑或切削。例如,如截棱錐形狀2A或凹拋物面形狀2B的一個或多個反應區域2可以通過研磨切削或模制形成在單個基板中,并且另一基板可以置于該基板的頂面。基板6的材料沒有特別的限制,考慮諸如檢測方法、加工容易度和耐久性等因素來適當地選擇材料。根據所期望的檢測方法從透光材料中適當地選擇材料,例如,從玻璃材料和各種塑料(諸如聚丙烯、聚碳酸酯、環烯烴聚合物和聚二甲基硅氧烷)中進行選擇。核酸擴增反應所需的試劑可以事先存儲在如上所述地形成的反應區域2中。(b)核酸擴增反應本文所用的“核酸擴增反應”包括涉及溫度循環的PCR(聚合酶鏈反應)反應和不涉及溫度循環的各種等溫擴增反應。等溫擴增反應的例子包括LAMP (環介導等溫擴增)、 SMAP(智能擴增處理(Smart Amplification Process))、NASBA(依賴核酸序列的擴增)、 ICAN (等溫及嵌合引物引發的核酸擴增)、TRC(轉錄逆轉錄協同)法、SDA(鏈置換擴增)、TMA (轉錄介導擴增)和RCA (滾環擴增)。“核酸擴增反應”還包括涉及或不涉及溫度改變并且用于核酸擴增的寬范圍的核酸擴增反應。“核酸擴增反應”還包括涉及定量擴增核酸鏈的反應,諸如實時PCR(RT-PCR) 和 RT-LAMP。術語“試劑”是在核酸擴增反應中用于獲得擴增的核酸鏈所需要的。具體例子包括具有與靶核酸鏈互補的堿基序列的寡核苷酸引物、核酸單體(dNTP)、酶、反應緩沖液(緩沖)溶質。PCR法涉及熱變性(大約95°C )—引物退火(大約55到60°C )—延伸反應(大約72 °C )的連續的擴增循環。LAMP法是利用DNA環形成以在恒溫下從DNA或RNA獲得擴增產物dsDNA的技術。 作為例子,如下進行反應加入組分(i)、( )和(iii),然后,內引物與模板核酸上的互補序列形成穩定的堿基對,并且在能夠維持鏈置換聚合酶的酶活性的溫度下培養該混合物。 培養溫度優選為50°C到70°C,培養時間優選是約1分鐘至約10小時。組分(i)兩種內引物,額外加入兩種外引物或兩種環引物組分(ii)鏈置換聚合酶
6
組分(iii)基質核苷酸(c)核酸擴增(產物)檢測方法例如,可以通過使用渾濁物質、熒光物質或化學發光物質的方法來實施核酸擴增反應方法。例如,使用渾濁物質的方法可以是使用由通過核酸擴增反應獲得的焦磷酸以及可以結合該焦磷酸的金屬離子形成的析出物的方法。金屬離子是單價或二價金屬離子,并且在所述金屬離子結合所述焦磷酸后,變成不溶于水的鹽或難溶于水的鹽的渾濁物質。這些金屬離子的具體例子包括堿金屬離子、堿土金屬離子和二價過渡金屬離子。 優選地,金屬離子例如是選自以下的一種或多種堿土金屬離子(諸如鎂(II)、鈣(II)和鋇(II))以及二價過渡金屬離子(諸如鋅(II)、鉛(II)、錳(II)、鎳(II)和鐵(II))。更優選鎂(II)、錳(II)、鎳(II)和鐵(II)。在添加金屬離子前的優選濃度范圍為0. OlmM到100mM。檢測波長優選為300nm到 800nmo使用熒光物質或化學發光物質的方法可以是例如使用通過特異性地插入雙鏈核酸而發出熒光的熒光染料(衍生物)的插入法,或者使用通過將熒光染料結合到對擴增的核酸序列特異性的寡核苷酸而形成的探針的標記探針法。標記探針法的例子包括雜交(Hyb)探針法和水解(TaqMan)探針法。Hyb探針法是使用兩個探針的方法,兩個探針是被設計為彼此靠近的供體染料標記的探針和受體染料標記的探針。供體染料刺激受體染料,并且在兩個探針與靶核酸雜交后,受體染料發出熒光。TaqMan探針法是使用由彼此靠近的報告染料和猝滅染料標記的探針。在核酸延伸期間,隨著探針水解,猝滅染料和報告染料彼此分開,并且在被激發時,報告染料發出熒光。用于使用熒光物質的方法的熒光染料(衍生物)的例子包括SYBR Green I、 SYBR Green II、SYBR Gold、YO (噁唑黃)、TO (噻唑橙)、PG ( PiC0 Green)和溴化乙Iio用于使用化學發光物質的方法的有機化合物的例子包括魯米諾、洛粉堿、光澤精和草酸鹽。(2)溫度控制器溫度控制器3被設置為加熱反應區域2。溫度控制器3沒有特別的限制,例如,可以使用佩爾蒂埃加熱器(Peltier heater)和透光ITO加熱器。溫度控制器3可以具有例如薄膜或平板的形狀。優選地,溫度控制器3被設置在使熱能很容易傳遞到反應區域2的位置。例如,溫度控制器3優選設置為靠近反應區域2。具體地,溫度控制器3可以被置于靠近反應區域2 的任何位置,包括在反應區域2的上面、下面和側面,以及圍繞反應區域2。例如,諸如針孔 7的其它元件可以插入它們之間。優選地,溫度控制器3具有薄膜或平板的形狀,并且被置于反應區域2的上面和/ 或下面。這里,溫度控制器3可以被設置作為基板支撐體8,并且可在光軸上設置孔9以透過光。由于不需要在反應區域2中增加光傳播距離,因此距熱源的距離不會變長,并且可以容易地控制反應區域2內的溫度。結果,提高了濁度檢測的檢測靈敏度和檢測精度。
(3)照射器照射器4被配置為包括一個或多個光源10,并且使用由光源10發射出的光L來照射反應區域2。具體地,照射器4被配置為使用由光源10發射出的光L來照射反應區域2 的頂面22,以便檢測由在核酸擴增反應過程中形成的析出物P散射的光量。例如,光源10 可以被置于反應區域2的頂面22上方,或者可以設置用于向反應區域2引導來自光源10 的發射光L的光導11。優選地,照射器4包括使來自光源10的發射光照射在反應區域2上的光導11。光導11具有光入射端,由一個或多個光源10發射的光入射到該光入射端。在光導11內設置將入射光L導向每個反應區域的元件(例如棱鏡、反射鏡和凹凸)。通過設置光導11,可以減少光源的數量,并且光可以均勻地照射到基板6的一個或多個反應區域2。而且,可以令人滿意地提高濁度檢測的檢測靈敏度和檢測精度。更少的光源使得能夠減小整體大小(特別是裝置的厚度),并且可以降低功耗。光源10沒有特別限制,優選是能夠發射所期望的能夠用于很好地檢測靶核酸擴增產物的光源。光源10的例子包括激光光源、白色或單色發光二極管(LED)、汞燈和鎢絲燈。在這些燈中,考慮到功耗和成本,LED是優選的。LED還具有通過使用各種濾光片能夠產生所期望的光成分的優點。用于激光光源的激光類型沒有特別限制,只要光源發射例如氬離子(AR)激光、氦氖(HE-NE)激光、染料激光和氪(CR)激光。可以自由地組合使用一種或多種激光光源。如圖1所示,來自照射器4的光L到達反應區域2,并且被在反應區域中的擴增反應過程中形成的析出物(產生的渾濁物質)P反射或吸收。由渾濁物質P散射的光量、或透射光(光Li、I^)的光量通過諸如光圈(孔9)、聚光透鏡和熒光濾光片等元件被檢測器 5 (光學檢測器)適當地檢測。散射光可以是例如前向散射光、后向散射光或側向散射光。在本裝置中,前向散射光是有利的,這是因為可以容易地以良好的檢測靈敏度檢測到它。(4)檢測器檢測器5是能夠檢測從反應區域2的一端(具體地,從底面21)發射的光Ll和L2 的光量的機構。檢測器5至少包括光學檢測器。光學檢測器沒有特別的限制,可以例如是光電二極管(PD)陣列、區域成像器件 (諸如CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器)、小型光傳感器、線傳感器掃描器或PMT(光電倍增管),可以以適當的組合來使用它們。光學檢測器檢測由核酸擴增反應產生的渾濁物質 P等物質。激發濾光片或熒光濾光片可以被適當地置于本發明實施方式的核酸擴增反應裝置1內。例如,激發濾光片可以被置于照射器4和反應區域2之間,或者熒光濾光片可以被置于反應區域2和檢測器5之間。使用激發濾光片(未圖示),根據用于核酸擴增反應的檢測方法,可以獲得所期望的特定波長的光成分,或者可以除去不必要的光成分。使用熒光濾光片(未圖示),可以產生用于檢測所必要的光成分(散射光、透射光、熒光)。這樣,可以提高檢測靈敏度和檢測精度。<2.核酸擴增反應裝置1的操作>
8
以下描述核酸擴增反應裝置1的操作,以及用于檢測由渾濁物質P散射的光量的核酸擴增反應方法。光源10發射出光L。光L經過光入射端入射到光導11。然后,通過設置在光導11 內的棱鏡和其它元件,入射光L被導向到反應區域2的入射端(頂面22)。光L落在形成為核酸擴增反應的反應場所的錐形井形狀的反應區域2的一端(頂面22),并且進入該錐形井。這里,由核酸擴增反應形成的析出物P由朝向井的底面側的傾斜面23聚集,并且光散射程度增加。光L照射在反應區域2中核酸擴增反應過程中產生的析出物P。落在析出物P上的光L被反應區域2內的析出物P的表面反射或吸收,變成光 Ll (散射光和透射光)。當析出物P的量較小時出現光L2。光Ll和L2從反應區域2的另一端(底面21)射出。射出的光Ll和L2可以適當地通過熒光濾光片以產生所期望的光成分(例如,散射的光成分或透射的光成分)。然后,由檢測器5 (光學檢測器)檢測射出的光 Ll和L2的光量。具體地,檢測在擴增反應過程中產生的由析出物P散射的光的光量。因此,優選地是,經由核酸擴增反應進行的濁度檢測通過如下步驟來進行照射形成為錐形井形狀的反應區域,并且檢測在反應過程中析出的物質散射的光量。此外,如上文所述,反應區域優選為沿著在核酸擴增反應過程中形成的析出物沉降的光軸方向截面積減小的錐形井形狀。這樣,通過金屬離子與核酸擴增反應產生的焦磷酸結合形成的析出物的聚集度朝著井的底面側增加,而不需要增加光的傳播距離。由于析出物散射的光量(或透射光量) 更容易減少,因此可以提高檢測靈敏度和檢測精度。優選的是,反應區域的傾斜內表面經過平滑處理。還優選的是,反應區域的內表面形成圓形或多邊形截椎體、或者凹旋轉拋物面。而且,優選反應區域的底面面積是頂面面積的1/2至1/5。還優選的是,通過核酸擴增反應的檢測通過使用LAMP法或PCR法的濁度檢測來執行。這樣,析出物更多地朝著井的底面側聚集,使得可以令人滿意地提高檢測靈敏度和檢測精度。(1)變形例本發明實施方式的核酸擴增反應裝置還可以通過在反應之后例如將反應區域2 安裝在溫度控制器3中而用作核酸擴增檢測裝置。核酸擴增反應裝置還可以用作LAMP裝置或PCR裝置,以通過渾濁物質檢測來定量核酸。(a) RT-LAMP 裝置的操作以下基于步驟Sll描述使用RT-LAMP裝置的核酸檢測方法。在溫度控制步驟(步驟Sll)中,在為反應區域2設定的恒溫(60°C到65°C )的條件下擴增每個反應區域2中的核酸。應當注意,LAMP法不需要從雙鏈至單鏈的熱變性,并且在等溫條件下重復引物退火和核酸延伸。核酸擴增反應產生焦磷酸,其結合到金屬離子并且形成作為渾濁物質的不溶性鹽或難溶性鹽(測量波長,300nm到800nm)。入射光(光L)落在渾濁物質上并且被散射(光 L1,L2)。然后,檢測器5為了定量,實時地測量散射光的光量。也可以從透射光的光量來進
行定量。(b) RT-PCR裝置的操作
以下基于步驟Spl (熱變性)、步驟Sp2 (引物退火)和步驟Sp3 (DNA延伸)描述使用RT-PCR裝置的核酸檢測方法。在熱變性步驟(步驟Spl)中,在溫度控制器的控制下設置為95°C的反應區域2 中,雙鏈DNA變性為單鏈DNA。在接下來的退火步驟(步驟Sp2)中,在設置為55°C的反應區域2中,引物結合到單鏈DNA的互補堿基序列。在DNA延伸步驟(步驟Sp3)中,反應區域2被控制在72°C以通過聚合酶反應來延伸cDNA,聚合酶反應由引物作為DNA合成起源而進行。通過步驟Spl到Sp3的重復溫度循環來擴增每個反應區域2中的DNA。核酸擴增反應產生焦磷酸,并且檢測渾濁物質以及如上所述地定量核酸量。根據本發明實施方式的核酸擴增反應裝置使得能夠進行高檢測靈敏度的測量。通過水平截面積減小的錐形井形狀反應區域使其成為可能,該反應區域局部地增加井的底面側的析出物的聚集度。此外,因為不需要增加光傳播距離,所以可以減小裝置的整體大小, 特別是可以減小厚度,從而使得裝置更加輕便。也可以進行可能需要的熒光檢測。本發明包含2010年9月15日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP 2010-206752所涉及的主題,其全部內容通過引用結合于此。本領域的技術人員應該理解,根據設計要求和其他因素,可以進行各種修改、組合、子組合和改變,只要它們在所附權利要求書或其等同物的范圍之內。
權利要求
1.一種核酸擴增反應裝置,包括反應區域,形成為沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井形狀的核酸擴增反應場所; 溫度控制裝置,加熱所述反應區域; 照射裝置,對所述反應區域照射光;以及檢測裝置,檢測由所述析出的物質從所述反應區域散射出的光量。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述反應區域具有經過平滑處理的傾斜內表面。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述反應區域具有形成了圓形或多邊形截椎體、 或凹狀旋轉拋物面的內表面。
4.根據權利要求3所述的裝置,其中,所述反應區域的底面面積是所述反應區域的頂面面積的1/2至1/5。
5.根據權利要求4所述的裝置,其中,通過所述核酸擴增反應的檢測是使用LAMP法或 PCR法的濁度檢測。
6.一種用于核酸擴增反應的微芯片,包括反應區域,形成為核酸擴增反應場所,其中,所述反應區域是沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井。
7.根據權利要求6所述的微芯片,其中,所述反應區域具有經過平滑處理的傾斜內表
8. —種核酸擴增反應方法,包括對設置為核酸擴增反應場所的反應區域進行光的照射,并且檢測由在擴增反應過程中析出的物質散射的光的光量,所述反應區域是沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井。
全文摘要
本發明涉及核酸擴增反應裝置和方法及用于核酸擴增反應裝置的基板。該核酸擴增反應裝置包括反應區域,形成為沿著在核酸擴增反應過程中析出的物質沉降的光軸方向水平截面積減小的錐形井形狀的核酸擴增反應場所;溫度控制器,加熱所述反應區域;照射器,對所述反應區域照射光;以及檢測器,檢測由析出的物質從所述反應區域散射出的光量。
文檔編號C12M1/38GK102399677SQ20111026607
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月8日 優先權日2010年9月15日
發明者梶原淳志 申請人:索尼公司