一種長壽花迷你栽培開花方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于植物栽培領域，具體涉及長壽花迷你栽培開花技術。
【背景技術】
[0002]長壽花(Narcissus jonquil la L.)景天科，伽藍菜屬植物。原產南歐。多肉植物，由肥大、光亮的葉片形成的低矮株叢，終年翠綠，春、夏、秋三季栽植于露地作鑲邊材料，12月至轉年4月開出鮮艷奪目的花朵，每一花枝上可多達數十朵花。花期長達4個多月，長壽花之名由此而來。是元旦和春節期間饋贈親友和長輩的理想盆花。
[0003]長壽花的開花穴盤苗一直被看好，但由于技術存在問題，無法進行可靠的生產。
[0004]長壽花的開花穴盤苗可以作為微型盆栽，成為家庭園藝產品，也可以直接應用于立體模紋花壇勾勒細節，強調花壇主題。目前的長壽花開花穴盤苗生產技術存在不足，主要表現為整個植株的株型不緊湊，花序開花不整齊，觀賞周期不夠長，栽培周期較長等。
【發明內容】
[0005]為解決上述問題，本發明提供一種長壽花迷你栽培開花技術。
[0006]本發明提供的長壽花迷你栽培開花方法，包括如下步驟:
[0007]I)插穗扦插生根
[0008]溫度控制:功能性根系形成前，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ;功能性根系形成后-根系滿穴，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ；
[0009]水份管理:功能性根系形成前，空氣相對濕度90-95%，基質水份含量80-85% ;功能性根系形成后-根系滿穴，空氣相對濕度75-85%，基質水份含量80-85% ；
[0010]光照管理:功能性根系形成前，光照強度10000-150001UX ;功能性根系形成后，光照強度30000-450001ux ;第一朵小花開放后，光照強度15000-250001ux ；
[0011]施肥管理:功能性根系形成前，葉面噴施；同時基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度500ppm，每周I次；功能性根系形成后，基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度200ppm，每周2次；
[0012]2)花期控制:
[0013]光周期控制:扦插后立即進行短日處理，暗周期14小時，直至第一朵小花出現結束短日處理；
[0014]施肥管理:根系滿穴后，施用高鉀復合肥15-10-30，鉀元素濃度200ppm，每周2_3次，直至花序上小花開花數量達到40-50% ；
[0015]3)株型控制:
[0016]插穗下部愈傷組織出現后，噴施第一次生長調節劑丁酰肼，濃度2000-5000ppm，以后每周噴施一次丁酰肼，濃度2000-5000ppm，直至第一朵小花開放；
[0017]整個栽培期間適當控制水份，基質水份含量80-85%。
[0018]其中，扦插基質:泥炭:珍珠巖體積比5-8:1-3。
[0019]通過本發明的方法穴盤栽培長壽花，出圃時，長壽花的葉片12-14片；葉片干凈，葉色正常；節間長度不超過0.6厘米；小花顏色鮮艷，開放數量達到50%。
[0020]本發明的栽培方法能夠促使各個花序同時開花，觀賞期明顯延長。本發明的栽培方法可以把大部分品種的栽培周期控制在3個月以內，明顯縮短了栽培周期，明顯增加了單位生產面積的產出。
【具體實施方式】
[0021]以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。
[0022]實施例1長壽花‘Banda’開花穴盤苗生產技術
[0023]I)插穗扦插生根；
[0024]扦插穴盤:128穴穴盤。
[0025]扦插基質:泥炭:珍珠巖體積比7:3 ;
[0026]溫度控制:功能性根系形成前，基質溫度20_22°C，空氣溫度22_24°C ;功能性根系形成后-根系滿穴，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ；
[0027]水份管理:功能性根系形成前，空氣相對濕度90-95%，基質水份含量80-85% ;功能性根系形成后-根系滿穴，空氣相對濕度75-85%，基質水份含量80-85% ；
[0028]光照管理:功能性根系形成前，光照強度10000-150001ux ;功能性根系形成后，光照強度30000-400001ux ;第一朵小花開放后，光照強度15000-200001ux ；
[0029]施肥管理:功能性根系形成前，葉面噴施；同時基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度500ppm，每周I次；功能性根系形成后，基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度200ppm，每周2次；
[0030]2)花期控制:
[0031]光周期控制:扦插后立即進行短日處理，暗周期14小時，直至第一朵小花出現結束短日處理；
[0032]施肥管理:根系滿穴后，施用高鉀復合肥15-10-30，鉀元素濃度200ppm，每周2_3次，直至花序上小花開花數量接近50% ；
[0033]3)株型控制:
[0034]插穗下端切口形成愈傷組織后立即噴施第一次生長調節劑丁酰肼，濃度3000ppm，以后每周噴施一次丁酰肼，濃度3000-4000ppm，直至第一朵小花開放。
[0035]整個栽培周期適當控制水份，基質水份含量80-85%。
[0036]利用上述栽培方法經過79-84天的栽培，獲得了株型緊湊、花序碩大、開花整齊、花色鮮艷的開花穴盤苗。
[0037]實施例2長壽花‘Paso’開花穴盤苗生產技術
[0038]I)扦插生根；
[0039]穴盤規格:使用128穴穴盤。
[0040]扦插基質:泥炭:珍珠巖體積比8:2 ;
[0041]溫度控制:功能性根系形成前，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ;功能性根系形成后-根系滿穴，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ；
[0042]水份管理:功能性根系形成前，空氣相對濕度90-95%，基質水份含量80-85% ;功能性根系形成后-根系滿穴，空氣相對濕度75-85%，基質水份含量80-85% ；
[0043]光照管理:功能性根系形成前，光照強度10000-150001UX ;功能性根系形成后，光照強度30000-450001ux ;第一朵小花開放后，光照強度15000-250001ux ；
[0044]施肥管理:功能性根系形成前，葉面噴施；同時基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度500ppm，每周I次；功能性根系形成后，基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度200ppm，每周2次；
[0045]2)花期控制:
[0046]光周期控制:扦插后立即進行短日處理，暗周期14小時，直至第一朵小花出現結束短日處理；
[0047]施肥管理:根系滿穴后，施用高鉀復合肥15-10-30，鉀元素濃度200ppm，每周2_3次，直至花序上小花開花數量接近50% ；
[0048]3)株型控制:
[0049]插穗下端切口形成愈傷組織后立即噴施第一次生長調節劑丁酰肼，濃度2000-5000ppm,以后每周噴施一次丁酰肼，濃度2000-5000ppm，直至第一朵小花開放。
[0050]整個栽培周期適當控制水份，基質水份含量80-85%。
[0051]利用上述栽培方法經過81-86天的栽培，獲得了株型緊湊、花序碩大、開花整齊、花色鮮艷的開花穴盤苗。
[0052]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種長壽花迷你栽培開花方法，其特征在于，包括如下步驟: 1)插穗扦插生根 溫度控制:功能性根系形成前，基質溫度20-22?，空氣溫度22-24? ;功能性根系形成后-根系滿穴，基質溫度20-22°C，空氣溫度22-24°C ； 水份管理:功能性根系形成前，空氣相對濕度90-95%，基質水份含量80-85% ;功能性根系形成后-根系滿穴，空氣相對濕度75-85%，基質水份含量80-85% ； 光照管理:功能性根系形成前，光照強度10000-150001uX ;功能性根系形成后，光照強度30000-450001ux ;第一朵小花開放后，光照強度15000-250001ux ； 施肥管理:功能性根系形成前，葉面噴施；同時基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度500ppm，每周I次；功能性根系形成后，基質施用高磷復合肥10-30-20，磷元素濃度200ppm，每周2次； 2)花期控制: 光周期控制:扦插后立即進行短日處理，暗周期14小時，直至第一朵小花出現結束短日處理； 施肥管理:根系滿穴后，施用高鉀復合肥15-10-30，鉀元素濃度200ppm，每周2_3次，直至花序上小花開花數量達到40-50% ； 3)株型控制: 插穗下部愈傷組織出現后，噴施第一次生長調節劑丁酰肼，濃度2000-5000ppm，以后每周噴施一次丁酰肼，濃度2000-5000ppm，直至第一朵小花開放； 整個栽培期間適當控制水份，基質水份含量80-85%。2.如權利要求1所述的長壽花穴盤開花方法，其特征在于，扦插基質:泥炭:珍珠巖體積比 5_8:1_3。
【專利摘要】本發明提供一種長壽花迷你栽培開花方法。通過本發明的方法穴盤栽培長壽花，出圃時，長壽花的葉片12-14片；葉片干凈，葉色正常；節間長度不超過0.6厘米；小花顏色鮮艷，小花開放數量達到50％。本發明的栽培方法能夠促使各個花序同時開花，觀賞期明顯延長。本發明的栽培方法可以把大部分品種的栽培周期控制在3個月以內，明顯縮短了栽培周期，明顯增加了單位生產面積的產出。
【IPC分類】A01G7/06, A01G1/00
【公開號】CN104920047
【申請號】CN201510369960
【發明人】孫凱, 李麗芳, 易夢
【申請人】北京市花木有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月29日