一種基于磁阱的程控弱電解質浸漬功能食品的加工方法
【專利摘要】一種基于磁阱的程控弱電解質浸漬功能食品的加工方法，屬于食品科學、電、磁復合【技術領域】。本發明所用裝備有（A）驅動單元：任意函數信號發生器、功率放大器；（B）感應單元：環形鐵芯、銅線圈繞組、鉑金硅膠管；（C）浸漬單元：包括浸漬槽、密封蓋、真空泵；（D）磁阱單元：位于浸漬槽外的環形磁瓦徑向磁場陣列。通過函數信號發生器生成特定的周期函數信號，經功率放大器放大后，激勵環形鐵芯上的銅線圈繞組，并在環形鐵芯中產生變化的磁通，進而引發鐵芯外層纏繞的且中心充滿弱電解質浸漬液的7段硅膠管繞組產生感應電動勢，在感應電動勢的驅動下，整個浸漬液回路體系中的正負離子定向移動且受徑向磁場的洛倫茲力影響在限制區域運動，迅速完成對食品的浸漬加工。
【專利說明】—種基于磁阱的程控弱電解質浸漬功能食品的加工方法
【技術領域】
[0001]一種基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，涉及一種新型食品浸潰加工技術，針對的浸潰液屬于共價化合物的弱電解質類，屬于食品科學、電學、磁動力學的復合【技術領域】。本發明可在較快的時間內完成對食材的浸潰處理，能實現的功能性浸潰處理包括功能成分強化、增香調味和抗褐變。
【背景技術】
[0002]傳統浸潰食品按工藝不同包括四大類，即鹽潰、醬潰、糖醋潰和酸泡潰。浸潰食品行業的商品種類繁多，其中有泡白菜、泡黃瓜、泡姜、泡椒豬皮、鹽水蛋和泡山椒等。目前流行的真空浸潰技術是利用往復壓力差引起的流體動力學機理和變形松弛現象來提高浸潰速率。針對不同的食品材料通常可在數十分鐘內完成食品的浸潰處理，常用于功能食品的開發，可完成營養礦物質的強化、益生菌富集、食品表面著色。真空浸潰與常壓浸潰處理相t匕，操作和加工時間大為縮短。
[0003]浸潰處理過程一般緩慢，細胞質外的細胞膜與浸潰液環境構成一個滲透體系。溶液體系的滲透壓大于食材細胞的滲透壓，細胞液的水分向外滲透。環境溶液中各類離子和分子滲透到食品組織空隙以及細胞中，食品逐漸產生良好的風味。為了加快浸潰處理一般可以采取以下手段:1、提高溶質濃度，2、提高環境溫度，3、改變環境壓力。提高溶質濃度容易使產品過咸，品質不易控制，需多次脫鹽才可達到品質要求。提高環境溫度容易造成有害微生物滋生而酸敗變質，所以一般腌潰都在低于20°C下進行。故改變環境壓力來提高浸潰速率是目前常運用的手段。
[0004]電解質可分為強電解質和弱電解質，強電解質在溶液中能完全電離成陰陽離子，多為金屬離子化合物。弱電解質電離不完全，多為共價化合物，但電離水平可通過PH緩沖液改變，電解質溶液的導電能力與離子濃度有關。電流按形式可分為電子電流和離子電流，它們都是電子或離子在介質中的大規模定向移動而產生。電解質溶液中由于含有大量的帶電離子，在通電極板產生的電勢差環境中會發生定向遷移。
[0005]在充滿電解質溶液的塑料管繞組中引入變化的磁通量可產生感應電動勢，造成溶液回路體系中的離子遷移。通過調整線圈繞組中激勵電流波形來改變磁通量變化率，故產生不同規律的感應電動勢，而達到不同的離子驅動效果。根據電場中帶電離子的運動，推動帶電離子運動的力(F)等于離子所帶凈電荷量(Q)與電場強度(X)的乘積，即F = QX。由于磁通變化率不同，則產生的交變感應電動勢在正負方向的峰值不同，即離子在不同方向受到的電場力大小和持續時間不同。離子的遷移同樣要受到阻力(f )的影響，對于類球形離子，服從斯托克斯定律，即:/ =6 Jir η V (r為離子質點半徑，η為溶液介質粘滯系數，V為離子移動速度)，在同一體系中，此阻力不變。
[0006]帶電粒子在磁場中當其運動方向切割磁力線時會受到洛倫茲力的作用，使其軌跡發生偏轉。運用該原理設計的磁阱可對運動的帶電粒子進行約束，粒子作螺旋運動，將其范圍限制。根據磁場與運動粒子的方向，可分為軸向磁場-即磁場方向與運動方向一致，徑向磁場-即磁場方向與粒子運動方向垂直。
【發明內容】
[0007]本發明目的是提供一種基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，涉及一種新型食品浸潰加工技術，技術原理是通過函數信號發生器生成特定的周期函數信號，經功率放大器放大后，激勵環形鐵芯上的銅制線圈繞組，其中放大電壓信號失真率=0.1%，在環形鐵芯中產生變化的磁通，進而引發互感鐵芯外層纏繞的且中心充滿弱電解質浸潰液的7段硅膠繞組管路中產生感應電動勢。在感應電動勢的驅動下，整個浸潰液回路體系中的正負離子定向移動且受徑向磁場的洛倫茲力影響，在限制區域運動。由于感應電動勢的變化規律不同，離子受到的“正向”和“負向”的交變電場力大小和持續時間有異，故選擇適當的函數波形來達到良好的浸潰效果。
[0008]本發明的技術方案:一種基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，本發明所用技術裝備有(A)驅動單元:包括任意函數信號發生器1、功率放大器2，函數信號發生器與功率放大器連接；(B)感應單元:包括銅線圈繞組3、環形鐵芯4、7段食品級鉬金硅膠管，環形鐵芯上繞有銅線圈繞組，銅線圈繞組的外側纏繞有7段食品級鉬金硅膠管，銅線圈繞組連接功率放大器；(C)浸潰單元:包括浸潰槽5、密封蓋、真空泵7，浸潰槽上方留有連通真空泵的可抽真空的閥門和可進樣取樣的密封蓋，浸潰槽內放置弱電解質浸潰液和食品，浸潰槽置于磁阱的磁場陣列a、b、c、d內；充滿弱電解質浸潰溶液的食品級鉬金硅膠管繞組纏繞在銅線圈繞組的外側，食品級鉬金硅膠管繞組為單層繞線其匝數范圍為10-25圈；在環型鐵芯圓周上均勻分布7個食品級鉬金硅膠管繞組，引出14條硅膠管路接口，根據右手定則判斷出各個硅膠管繞組管路中感應離子電流方向，電流方向一致的管路接頭都均勻分布并連接在物料浸潰槽腔體同一側的導通口上，每側可連接7條管路，保證每個硅膠管繞組的兩端與浸潰槽相接連通，使浸潰液呈循環的回路體系；(D)磁阱單元:磁阱6為位于浸潰槽外的環形磁瓦徑向磁場陣列a、b、c、d，技術原理示意圖如圖1，圖2所示。
[0009]通過函數信號發生器生成特定的周期函數信號，經功率放大器放大后，激勵環形鐵芯上的銅線圈繞組，其中放大電壓信號失真率g 0.1%，于是在環形鐵芯中產生變化的磁通，進而引發環形鐵芯外層纏繞 的且中心充滿弱電解質浸潰液的7段鉬金硅膠繞組管路中產生感應電動勢，在感應電動勢的驅動下，整個浸潰液回路體系中的正負離子定向移動且受徑向磁場的洛倫茲力影響，在限制區域運動；由于感應電動勢的變化規律不同，離子受到不同方向上的交變電場力大小和持續時間有異，波形示例如圖3，選擇適當的函數波形來達到良好的正負離子驅動效果，實現對食材的快速滲透。
[0010]驅動單元中所使用的函數信號發生器可生成頻率50Hfl00Hz的任意自定義波形，I個周期內信號具有3個上升沿，I個下降沿，下降沿的斜率大于上升沿的斜率，幅寬范圍8Vpp (±4V)之內，輸出阻抗50Ω ;功率放大器可兼容任意函數波形的放大，全功率頻率范圍50Hz~100Hz，輸出電壓幅寬400Vpp ( ±200V)，輸出電流(T40mA，輸入阻抗50 Ω。
[0011]感應單元中的環形鐵芯為硅鋼O型鐵芯，銅線圈繞組為單層繞線，銅線直徑范圍
0.4^0.8mm,匝數120~240圈，與功率放大器連接。
[0012]充滿弱電解質浸潰溶液的食品級鉬金硅膠管繞組纏繞在銅線圈繞組的外側，其材料為絕緣性好、柔韌性佳、無毒無味的食品級鉬金硅膠管，內徑范圍2~4_，管壁厚度3mm，塑料管繞組為單層繞線其匝數范圍為10-25圈；在O型鐵芯圓周上均勻分布7個食品級鉬金硅膠管繞組，引出14條硅膠管路接口，根據右手定則判斷出各個繞組管路中感應離子電流方向，電流方向一致的管路接頭都均勻分布并連接在物料浸潰槽腔體同一側的導通口上，每側可連接7條管路，保證每個硅膠管繞組的兩端與浸潰槽相接連通，使浸潰液呈循環的回路體系。
[0013]浸潰單元中玻璃浸潰槽為圓柱形結構內徑100mm，長度600mm，壁厚3mm，上方留有連通真空泵的可抽真空的閥門和可進樣取樣的密封蓋，浸潰槽腔體兩側每側均勻分布有7個導通口，可與硅膠管連接，使其整個弱電解液體系成循環回路，當周期函數波形發出時，若此時浸潰液的電導率在0.fl5mS/cm范圍時，則變化的磁通可在浸潰槽兩端生成20mV~750mV的交變感應電動勢。感應電動勢可通過在浸潰槽兩端插入鉬片電極由交流伏特計檢得，鉬片電極尺寸Bmm X 5mm X 0.15mm。
[0014]磁阱單元為位于浸潰槽腔體外的4對半圓磁瓦組成的徑向磁場陣列，相鄰的每對環形磁瓦中心磁力線角度相差90度，每對環形磁瓦異極相對，磁力線N極指向S極，每塊半圓磁瓦尺寸為內徑120mm,外徑135mm,厚15mm,長100mm,磁瓦中心表面磁場3000Gs,每對磁瓦組成的徑向磁場的中心強度400Gs。
[0015]本發明的有益效果:本發明可快速完成對食材的浸潰加工，可實現功能成分加強、抗褐變和增香調味加工。浸潰液需屬于弱電解質的共價化合物。若為弱電解質溶液則濃度在0.01%?以及電導率在0.ri5mS/cm范圍適宜。對于需要浸潰處理的食材，當厚度在3cm以內時，均可在IOmin的時間內完成浸潰，即穩定后食材內外環境溶質的體積濃度基本一致。若溶液濃度過高，則感應離子電流密度過高，造成浸潰液體系產生對流或湍流，則不利于浸潰。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1 一種基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法的原理示意圖。1、任意函數信號發生器，2、功率放大器，3、銅線圈繞組，4、環形鐵芯，5、浸潰槽，6、磁阱，7、真空栗。
[0017]圖2磁阱磁力線切面示意圖。
[0018]圖3激勵電流變化與感應電動勢示意圖。
[0019]圖4 土豆抗褐變浸潰函數信號波形圖。
[0020]圖5豬皮浸潰增香的函數信號波形圖。
[0021]圖6谷氨酸強化胡蘿卜浸潰的函數信號波形圖。
【具體實施方式】
[0022]實施例1:土豆片快速抗褐變浸潰 土豆削皮后切成厚度3mm的片狀，置于浸潰槽中。槽的腔體尺寸為內徑100mm，長度600mm,壁厚3_。位于浸潰槽腔體外有4對半圓磁瓦組成的徑向磁場陣列,相鄰的每對環形磁瓦中心磁力線角度相差90度，每對環形磁瓦異極相對，磁力線N極指向S極，每塊半圓磁瓦尺寸為內徑120mm,外徑135mm,厚15mm,長100mm,磁瓦中心表面磁場3000Gs,每對磁瓦組成的徑向磁場的中心強度400Gs。注入浸潰液，其抗壞血酸和檸檬酸的含量分別為0.08%和0.5%，直到浸沒樣品，此時采用梅特勒-托利多FE30電導率儀測得浸潰溶液電導率為Sms/cm。浸潰槽密封后開啟真空泵抽真空直到溶液充滿硅膠管路，體系中的溶液成回路狀態。其中硅膠管材料為絕緣性好、柔韌性佳、無毒無味的食品級鉬金硅膠管，內徑4_，管壁厚度3mm，7個硅膠管繞組均勻纏繞在O形硅鋼鐵芯上，鐵芯內徑20cm，外徑23cm，高度2cm，每個硅膠管繞組為單層繞線，匝數20圈，繞在鐵芯的線圈繞組外側。7個繞組引出14條硅膠管路接頭，硅膠管繞組方向是根據右手定則判斷，保證管路中感應離子電流方向一致，接頭均勻分布并連接在物料浸潰腔體同側的導通口上，保證與浸潰槽相接連通。此后由普源DG1022型函數信號發生器生成特定波形的周期函數信號，I個周期內信號具有3個上升沿，I個下降沿，下降沿的斜率大于上升沿的斜率，波形圖如圖4所示，周期14ms，t0=Os,t^lms, t2=3ms, t3=4ms, t4=6ms, t5=7ms, t6= 9ms, t7=llms, t8=14ms, V1=BV, V2=4V, V3=2V,其波形幅寬VPP=6V，電壓信號再通過美國TEGAM牌型號為2350的功率放大器放大10倍，以此激勵在O型鐵芯上的線圈繞組，線圈繞組為單層繞線，銅線直徑0.8mm,匝數210圈，此時體系的感應電動勢為210mV。啟動IOmin后取出土豆片，即達到浸潰要求。此時通過感觀評價并與常壓浸泡同樣時間的土豆片相比，本法處理的土豆片在空氣中的色澤維持時間更久。
[0023]實施例2:豬皮增香
2-甲基己酸可溶于水，具有豬油、雞味脂肪的油膩氣息，本例為復水炸豬皮的增香。稱取干豬皮300克，浸泡復水后，切成I X I X 5cm條狀，置于浸潰槽中。槽的腔體尺寸為內徑100mm,長度600mm,壁厚3_。位于浸潰槽腔體外有4對半圓磁瓦組成的徑向磁場陣列,相鄰的每對環形磁瓦中心磁力線角度相差90度，每對環形磁瓦異極相對，磁力線N極指向S極，每塊半圓磁瓦尺寸為內徑120mm,外徑135mm,厚15mm,長100mm,磁瓦中心表面磁場3000Gs,每對磁瓦組成的徑向磁場的中心強度400Gs。注入質量分數3mg/kg濃度的2-甲基己酸浸潰液直到浸沒樣品，此時采用梅特勒-托利多FE30電導率儀測得浸潰溶液電導率為3ms/cm。浸潰槽密封后開啟真空泵抽真空直到溶液充滿硅膠管路，體系中的溶液成回路狀態。其中硅膠管材料為絕緣性好、柔韌性佳、無毒無味的食品級鉬金硅膠管，內徑3_，管壁厚度3mm, 7個硅膠管繞組均勻纏繞在O形硅鋼鐵芯上，鐵芯內徑20cm，外徑23cm，高度2cm，每個硅膠管繞組為單層繞線，匝數15圈，`繞在鐵芯的線圈繞組外側。7個繞組引出14條硅膠管路接頭，硅膠管繞組方向是根據右手定則判斷，保證管路中感應離子電流方向一致，接頭均勻分布并連接在物料浸潰腔體同側的導通口上，保證與浸潰槽相接連通。此后由普源DG1022型函數信號發生器生成特定波形的周期函數信號，I個周期內信號具有3個上升沿，I個下降沿，下降沿的斜率大于上升沿的斜率，波形圖如圖5所示，周期19ms，t0=Os, t1=l.5ms,t2=3.5ms, t3=5ms, t4=7ms, t5=8.5ms, t6=10.5ms, t7=15ms, t8=19ms, V1=BV, V2=4V, V3=2V,其波形幅寬VPP=6V，電壓信號再通過美國TEGAM牌型號為2350的功率放大器放大10倍，以此激勵在O型鐵芯上的線圈繞組，銅制繞組為單層繞線，銅線直徑0.6mm,匝數220圈，此時體系的感應電動勢為64mV。啟動8min后取出豬皮，即達到浸潰要求。此時通過感觀評價并與常壓浸泡同樣時間的豬皮相比，本法處理的豬皮可嗅到明顯的豬油香氣且更持久。
[0024]實施例3:谷氨酸強化胡蘿卜
L-谷氨酸常作為食品營養增補劑添加于液體食品或者需要粉碎重組的食品，本例所選食材為半濕固態。稱取新鮮胡蘿卜800克，削皮洗凈后切成2 X 2 X 2cm塊狀，置于浸潰槽中。槽的腔體尺寸為內徑100mm,長度600mm,壁厚3mm。[0025]位于浸潰槽腔體外有4對半圓磁瓦組成的徑向磁場陣列，相鄰的每對環形磁瓦中心磁力線角度相差90度，每對環形磁瓦異極相對，磁力線N極指向S極，每塊半圓磁瓦尺寸為內徑120mm,外徑135mm,厚15mm,長100mm,磁瓦中心表面磁場3000Gs,每對磁瓦組成的徑向磁場的中心強度400Gs。注入質量分數150mg/kg濃度的食品級L-谷氨酸浸潰液直到浸沒樣品，此時采用梅特勒-托利多FE30電導率儀測得浸潰溶液電導率為5mS/cm。浸潰槽密封后開啟真空泵抽真空直到溶液充滿硅膠管路，體系中的溶液成回路狀態。其中硅膠管材料為絕緣性好、柔韌性佳、無毒無味的食品級鉬金硅膠管，鐵芯內徑2mm,管壁厚度Imm, 7個娃膠管繞組均勻纏繞在O形硅鋼鐵芯上，鐵芯內徑18cm，外徑21cm，高度2cm，每個硅膠管繞組為單層繞線，匝數18圈，繞在鐵芯的線圈繞組外側。7個繞組引出14條硅膠管路接頭，硅膠管繞組方向是根據右手定則判斷，保證管路中感應離子電流方向一致，接頭均勻分布并連接在物料浸潰腔體同側的導通口上，保證與浸潰槽相接連通。此后由普源DG1022型函數信號發生器生成特定波形的周期函數信號，I個周期內信號具有3個上升沿，2個下降沿，下降沿的斜率大于上升沿的斜率，波形圖如圖6所示,周期15ms, t0=0s, t=2ms, t2=3ms, t3=4ms,t4=6ms, t5=7ms, t6=9ms, t7=llms, t8=15ms, V1=?.5V, V2=5V, V3=2.5V,其波形幅寬 Vpp=7.5V,電壓信號再通過美國TEGAM牌型號為2350的功率放大器放大10倍，以此激勵在o型鐵芯上的線圈繞組，銅制繞組為單層繞線，銅線直徑0.6mm，匝數200圈，此時體系的感應電動勢為81mV。啟動5min后取出胡蘿卜，即達到浸潰要求，此時胡蘿卜L-谷氨酸含量為120mg/kg，而未處理前的L-谷氨酸含量為9mg/kg，谷氨酸含量測定采用華勃氏呼吸儀微量檢壓法。
【權利要求】
1.一種基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于所用裝備有(A)驅動單元:包括任意函數信號發生器(I)、功率放大器(2)，函數信號發生器與功率放大器連接；(B)感應單元:包括銅線圈繞組(3)、環形鐵芯(4)、7段食品級鉬金硅膠管；環形鐵芯上繞有銅線圈繞組，銅線圈繞組的外側纏繞有7段食品級鉬金硅膠管，銅線圈繞組連接功率放大器；(C)浸潰單元:包括浸潰槽(5)、密封蓋、真空泵(7)，浸潰槽上方留有連通真空泵的可抽真空的閥門和可進樣取樣的密封蓋，浸潰槽內放置弱電解質浸潰液和食品，浸潰槽置于磁阱的磁場陣列a、b、c、d內；充滿弱電解質浸潰溶液的食品級鉬金硅膠管繞組纏繞在銅線圈繞組的外側，食品級鉬金硅膠管繞組為單層繞線其匝數范圍為10-25圈；在環型鐵芯圓周上均勻分布7個食品級鉬金硅膠管繞組，引出14條硅膠管路接口，根據右手定則判斷出各個硅膠管繞組管路中感應離子電流方向，電流方向一致的管路接頭都均勻分布并連接在物料浸潰槽腔體同一側的導通口上，每側可連接7條管路，保證每個硅膠管繞組的兩端與浸潰槽相接連通，使浸潰液呈循環的回路體系；(D)磁阱單元:磁阱(6)為位于浸潰槽外的環形磁瓦徑向磁場陣列a、b、c、d ;通過函數信號發生器生成特定的周期函數信號，經功率放大器放大后，激勵環形鐵芯上的銅線圈繞組，其中放大電壓信號失真率=0.1%，于是在環形鐵芯中產生變化的磁通，進而引發環形鐵芯外層纏繞的且中心充滿弱電解質浸潰液的7段鉬金硅膠繞組管路中產生感應電動勢，在感應電動勢的驅動下，整個浸潰液回路體系中的正負離子定向移動且受徑向磁場的洛倫茲力影響，在限制區域運動；由于感應電動勢的變化規律不同，離子受到不同方向上的交變電場力大小和持續時間有異，選擇適當的函數波形來達到良好的正負離子驅動效果，實現對食材的快速滲透。
2.根據權利要求1所述的基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于，驅動單元中所使用的函數信號發生器生成頻率50Hfl00Hz的任意自定義波形，I個周期內信號具有3個上升沿，I個下降沿，下降沿的斜率大于上升沿的斜率，幅寬范圍SVpp之內，+ 4V~一 4V，輸出阻抗50 Ω ;功率放大器可兼容任意函數波形的放大，全功率頻率范圍50Hz~100Hz，輸出電壓幅寬400Vpp，+ 200V~一 200V，輸出電流(T40mA，輸入阻抗50 Ω。
3.根據權利要求1所述的基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于，感應單元中的環形鐵芯為硅鋼O型鐵芯，銅線圈繞組為單層繞線，銅線直徑范圍.0.4^0.8mm,匝數120~240圈，與功率放大器連接。
4.根據權利要求1所述的基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于，充滿弱電解質浸潰溶液的食品級鉬金硅膠管繞組纏繞在銅線圈繞組的外側，其材料為絕緣性好、柔韌性佳、無毒無味的食品級鉬金硅膠管，內徑范圍2~4_，管壁厚度3mm，食品級鉬金硅膠管繞組為單層繞線其匝數范圍為10-25圈；在O型鐵芯圓周上均勻分布7個食品級鉬金硅膠管繞組，引出14條硅膠管路接口，根據右手定則判斷出各個繞組管路中感應離子電流方向，電流方向一致的管路接頭都均勻分布并連接在物料浸潰槽腔體同一側的導通口上，每側可連接7條管路，保證每個硅膠管繞組的兩端與浸潰槽相接連通，使浸潰液呈循環的回路體系。
5.根據權利要求1所述的基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于，浸潰單兀中浸潰槽為圓柱形結構內徑100mm,長度600mm,壁厚3mm,上方留有連通真空泵的可抽真空的閥門和可進樣取樣密封蓋，浸潰槽腔體兩側每側均勻分布有7個導通口，可與硅膠管連接，使其整個弱電解質浸潰液體系成循環回路，當周期函數波形發出時，當此時浸潰液的電導率在0.fl5mS/cm范圍時，則變化的磁通可在浸潰槽兩端生成20mV~750mV的交變感應電動勢。
6.根據權利要求1所述的基于磁阱的程控弱電解質浸潰功能食品的加工方法，其特征在于，磁阱單元為位于浸潰槽腔體外的4對半圓磁瓦組成的徑向磁場陣列，相鄰的每對環形磁瓦中心磁力線角度相差90度，每對環形磁瓦異極相對，磁力線N極指向S極，每塊半圓磁瓦尺寸為內徑120mm,外徑135mm,厚15mm,長100mm,磁瓦中心表面磁場3000Gs,每對磁瓦組成的徑向磁場的中心強度4`00Gs。
【文檔編號】A23P1/00GK103478874SQ201310411519
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年9月11日 優先權日:2013年9月11日
【發明者】楊哪, 徐學明, 金亞美, 吳鳳鳳, 焦愛權, 金征宇, 周星, 王浩月, 薛麗萍 申請人:江南大學