專利名稱：一種硫化鎘、二氧化硅復合抗菌劑的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種抗菌劑的制作方法，特別是涉及一種含有CdS和SiO2的復合抗菌劑的制作方法。
背景技術：
隨著人口的增長和工業(yè)的發(fā)展，能源與環(huán)境問題倍受關注，酸雨、臭氧層破壞及全球變暖等造成了全球性的環(huán)境危機。國內(nèi)外應用TiO2等純原料負載于金屬表面，通過離子攙雜、半導體復合、光敏化、強酸修飾等技術提高材料的光催化性能，制造出系列的除菌凈化劑。但是普遍存在光電轉(zhuǎn)化效率低、太陽光利用少、制作工藝復雜及工業(yè)化成本過高等問題。目前有關復合氧化物光催化性能的研究及半導體復合技術的應用，使得光催化效率和太陽光利用問題得到改善，但是工業(yè)化成本卻更高，工藝也更復雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有抗菌劑工藝復雜、價格高的缺點，通過試驗改進，提供一種工藝簡單、成本較低的新型生態(tài)抗菌劑的制作方法。該方法以CdS和SiO2為原料，經(jīng)過氣流磨磨細、拌和得到一種高效低成本的抗菌劑。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案實現(xiàn)的一種硫化鎘、二氧化硅復合抗菌劑的制作方法，其制作過程是將質(zhì)量比1∶1～2的CdS和SiO2同時通入氣流磨；經(jīng)過氣流磨磨細、混合加工為粒徑在10～50納米之間的混合物粉體，即為復合抗菌劑。
所述的CdS為工業(yè)級CdS，SiO2為工業(yè)級SiO2。
本發(fā)明的優(yōu)點與效果是本發(fā)明以CdS和SiO2為原料，其制作工藝簡單、原料易得、成本低、除菌凈化效果好。
具體實施例方式
實施例1將質(zhì)量比1∶1的CdS和SiO2同時通入氣流磨，經(jīng)過氣流磨磨細、混合加工為粒徑在10～50納米之間的混合物粉體。上述混合物粉體即為復合抗菌劑，在抗菌凈化劑表面抗菌率可以達到93.9％，有害氣體分解率達到98.2％。
實施例2將質(zhì)量比1∶1.5的CdS和SiO2同時通入氣流磨，經(jīng)過氣流磨磨細、混合加工為粒徑在10～50納米之間的混合物粉體。上述混合物粉體即為復合抗菌劑，在抗菌凈化劑表面抗菌率可以達到92.6％，有害氣體分解率達到96.7％。
實施例3將質(zhì)量比1∶2的CdS和SiO2同時通入氣流磨，經(jīng)過氣流磨磨細、混合加工為粒徑在10～50納米之間的混合物粉體。上述混合物粉體即為復合抗菌劑，在抗菌凈化劑表面抗菌率可以達到91.3％，有害氣體分解率達到94.9％。
本發(fā)明的產(chǎn)品可以添加到路面材料、內(nèi)外墻裝飾材料、建筑涂料、玻璃中；也可以應用于工業(yè)廢水廢氣的處理，汽車尾氣的凈化，自來水給水裝置；還可以用在醫(yī)院的無菌室、食堂、游泳池、日用餐具等。在光的作用下即可殺死接觸到的細菌、真菌，并將含氮有機物，有機磷殺蟲劑等有害氣體分解為無害的小分子物質(zhì)。
權利要求
1.一種硫化鎘、二氧化硅復合抗菌劑的制作方法，其特征在于其制作過程是將質(zhì)量比1∶1～2的CdS和SiO2同時通入氣流磨；經(jīng)過氣流磨磨細、混合加工為粒徑在10～50納米之間的混合物粉體，即為復合抗菌劑。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種硫化鎘、二氧化硅復合抗菌劑的制作方法，其特征在于所述的CdS為工業(yè)級CdS，SiO2為工業(yè)級SiO2。
全文摘要
一種硫化鎘、二氧化硅復合抗菌劑的制作方法，涉及一種抗菌劑的制作方法，該方法為將質(zhì)量比1∶1～2的CdS和SiO
文檔編號A01P1/00GK1883270SQ20061004677
公開日2006年12月27日 申請日期2006年6月1日 優(yōu)先權日2006年6月1日
發(fā)明者王博, 劉敬東 申請人:沈陽建筑大學